JP4681942B2 - 微小凹部の作製方法 - Google Patents
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Description
まず図1について説明する。同図は、後述する本発明の各実施例において使用するガスクラスターイオンビーム加工装置の構成を示している。
アパーチャー11と被加工物12との間にはニュートライザー19が設置されている。これは、樹脂やガラス等の絶縁体の被加工物ヘガスクラスターイオンビーム10を照射した場合に発生するチャージアップに起因する微細凹部形状の変形を防止するためのものである。
次に、金属膜、酸化膜、樹脂膜、ハイブリッド膜(複合膜)等を用いて、被加工物である被加工物表面に任意の線幅や形状を作製するためのマスクを作製し、このマスクを利用して微小凹部形状を作製する手順について説明する。
そして、この被加工物21を図1に示すガスクラスターイオンビーム照射装置に被加工物12として取り付け、図2Aの(c)に示すように、その表面にガスクラスターイオンビーム23を垂直に照射した。
この結果、図2Aの(d)に示すような微小凹部24が得られた。
このように、表面粗さが極めて平坦な微小凹部を作製することができた。
マスクとして膜を作製する場合、通常は金属膜、酸化膜、樹脂膜、ハイブリッド膜(複合膜)を単層にして用いる。
そこで、このような場合には、図5に示すように、金属膜27、酸化膜28、樹脂膜29、ハイブリッド膜(複合膜)30を、被加工物31の表面に積層して微調整を行う。なお、これらの膜の積み重ねの順番は、この限りでなくてもよい。また、これらの膜のうちのいくつかのみを選択して積み重ねてもよい。
この照射により、図6(d)に示すように、0.4mm角のチップ状に切断された石英基板である被加工物37が得られた。その後、固定物34から外すことによりチップ38が得られた。
図7に示した形状の線状開口部を有するアパーチャーを用いてガスクラスターイオンビーム10を照射すると、この切断幅40のアパーチャー形状39を通過したガスクラスターイオンビーム10のみが図6の被加工物33に作用するので、照射ドーズ量を制御することにより任意形状の切断加工が可能となる。
そして、加工痕5個の照射を終了した後に、被加工物12を図1のイオンビーム照射装置から取り出し、それぞれの加工痕のスパッタリングの深さを干渉計101で測定した。このときの干渉計101での測定結果をプロットしたグラフを図8に示す。
次に、照射ドーズ量と加工痕深さとの関係の測定結果に基づいて、任意の凹部溝深さを得るための照射条件を設定する。
図10は、被加工物として石英基板を用い、マスクとして白金の蒸着膜を選択した場合の例を示している。この場合の選択比は10であるので、0.1μmの溝深さを得るためには、石英基板に、10nmの白金の蒸着膜を用いてマスクを作製すればよい。そして、前述の実施例と同様、不要な部分をレーザ加工などで除去した後、ガスクラスターイオンビームを照射することで、溝深さが0.1μmの微細凹部形状を作製することができる。
本実施例では、図1に示す構成を有するガスクラスターイオンビーム加工装置における被加工物12の設置部分に、不図示のイオン電流測定の装置を設けたものを使用する。
また、照射後の単一加工痕の加工深さを、干渉計101でそれぞれ測定した結果、図11に示すように、照射条件ごとに深さが異なっていた。この結果をプロットすると、図12に示すように、照射ドーズ量に対する加工痕深さは線形であることが確認できた。つまり、照射ドーズ量の大小によって除去形状が相似倍的に変化することが判明した。
(照射時間)=(照射ドーズ量)×(照射面積)×(電気素量e)÷(イオン電流値)
従って、検出されるイオン電流値を変化させることにより、ガスクラスターイオンビームの照射時間を制御することができる。例えば、照射条件を調整して、イオン電流値を200nAから100nAへと半減させた場合には、200nAのときと同じ加工痕深さを得るためには、加工時間を2倍とすればよい。
以上のように、本実施例によれば、イオン電流を測定するようにし、その電流値に基づいて所望の凹部溝深さを得るためのガスクラスターイオンビームの照射量(すなわち照射時間)を制御することにより、予め測定した基礎データより、任意の微小凹部深さを高精度に作製することができる。
図13A及び図13Bを用いてこの姿勢制御を説明する。
まず、被加工物12を図1のガスクラスターイオンビーム照射装置に設置し、その形状を三次元測定器102で測定する。
なお、ここでは、被加工物として石英を用いる例を説明したが、被加工物としては、金属、半導体、ガラス、結晶材料、生体材料、樹脂材料などでも実施可能でありこれに限定されるものではない。
まず、図16の(a)に示すように、マスク59を施された被加工物(基材)61に対し、超短パルスレーザー57を集光レンズ58で集光し、微細パターン描画による任意形状のマスク59の作製と被加工物(基材)への微小な改質部60の作製とを行う。
本実施例では、図1に示すガスクラスターイオンビーム加工装置において、ソース部1の内部に配置されているノズル4に、不図示のガスボンベから0.6〜1.0MPa程度の高圧ガスを供給する。このガスとして、フッ素(F)ガスや塩素(Cl)などの非金属元素(ハロゲン)を用いる。
2 差動排気部
3 イオン化部
4 ノズル
5 スキマー
6 タングステンフィラメント
7 加速電極
8 グランド電極
9 第三電極
10、23、36、54、62 ガスクラスターイオンビーム
11 アパーチャー
12、21、31、33、45、52、61、64 被加工物
13 回転ステージ
14 X軸ステージ
15 Y軸ステージ
16 Z軸ステージ
17 ベース
18 シャッター
19 ニュートライザー
20、32、51、59、63 マスク
20a レーザー加工による除去部分
22、35、53 レーザー加工
24、56 微小凹部形状
25 根元
26 微細ピラー
27 金属膜
28 酸化膜
29 樹脂膜
30 ハイブリッド膜(複合膜)
34、46 固定部
37 切断された被加工物
38 チップ
39 アパーチャー形状
40 切断幅
41 A部へのガスクラスターイオンビーム
42 B部へのガスクラスターイオンビーム
43 A部の照射角度
44、47 B部の照射角度
48 回転ステージの回転角度
49 X軸ステージの移動方向
50 Z軸ステージの移動方向
55 被加工物の角度
57 長短パルスレーザー
58 集光レンズ
60、65 改質部
100 制御部
101 干渉計
102 三次元形状測定器
103 算出部
104 記憶装置
110 露光(光源)
111 マスク
112 レジスト膜
113 基材(被加工物)
114 現像工程
115 除去工程
116 微小凹部
Claims (4)
- 被加工物の表面に任意形状のマスクを設け、当該マスクが設けられた当該被加工物の表面へガスクラスターイオンビームを照射して、当該被加工物の表面に微小な凹部を作製する方法であって、
前記マスクの材料は、金属膜、酸化膜、樹脂膜、及び、複合膜であるハイブリッド膜のうちの少なくともいずれかであり、
前記マスク材料を、前記マスクと前記被加工物との選択比に応じて選択する
ことを特徴とする微小凹部の作製方法。 - 前記マスクを構成する膜を前記被加工物の表面で積層することを特徴とする請求項1に記載の微小凹部の作製方法。
- 前記膜の積層数を、前記マスクと前記被加工物との選択比に応じて調整することを特徴とする請求項2に記載の微小凹部の作製方法。
- 前記被加工物の表面に前記任意形状のマスクを設けるために、当該被加工物の表面に当該任意形状のマスクの作製を行うと共に当該被加工物に改質部の作製を行い、
前記マスク及び前記改質部の作製がなされた後の被加工物の表面へ前記ガスクラスターイオンビームの照射が行われる、
ことを特徴とする請求項1に記載の微小凹部の作製方法。
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