JP4679883B2 - 電力増幅器、電力増幅装置及び歪補償回路 - Google Patents
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図1に示すように、本発明の第1の実施形態の電力増幅器は、GaAsFET20に印加するバイアス電圧を供給するゲートバイアス電圧回路に非線形入力容量可変素子10が接続された構成を備える。非線形入力容量可変素子10は、図2に示すように、印加された電圧Vvcdにより容量が変化するバリキャップダイオード11と、容量を調整可能なトリマーコンデンサ12とが並列接続された構成になっている。
図7は本発明の第2の実施形態に係る電力増幅器の構成を示す回路図である。第2の実施形態の電力増幅器は、図7に示すように、非線形入力容量可変素子30に第1のバリキャップダイオード31と、第2のバリキャップダイオード32と、トリマーコンデンサ33とを有しており、第1のバリキャップダイオード31と第2のバリキャップダイオード32とが直列接続され、更に、直列接続されたバリキャップダイオード31、32とトリマーコンデンサ33とが並列接続されている。
図8は本発明の第3の実施形態に係る電力増幅器の構成を示す回路図である。第3の実施形態の電力増幅器は、図8に示すように、非線形入力容量可変素子40に第1のバリキャップダイオード41と、第2のバリキャップダイオード42と、第1のトリマーコンデンサ43と、第2のトリマーコンデンサ44とを有しており、第1のバリキャップダイオード41と第2のバリキャップダイオード42とが直列接続され、また、第1のバリキャップダイオード41と第1のトリマーコンデンサ43と直列接続され、更に、第2のバリキャップダイオード42と第2のトリマーコンデンサ44と直列接続されている。
図9は本発明の第4の実施形態に係る電力増幅器の構成を示す回路図である。本実施形態の電力増幅器は、図9に示すように、非線形入力容量可変素子50に第1のバリキャップダイオード51と、第2のバリキャップダイオード52と、トリマーコンデンサ53とを有しており、第1のバリキャップダイオード51と第2のバリキャップダイオード52とが並列接続され、更に、並列接続されたバリキャップダイオード51、52とトリマーコンデンサ53とが更に並列接続されている。
図10は本発明の第5の実施形態に係る電力増幅装置の構成を示す回路図である。図10に示すように、第5の実施形態の電力増幅装置は、第1ないし第4のいずれかの実施形態の電力増幅器61、62を並列に接続して形成された増幅装置である。本実施形態の電力増幅装置は、同一構成の電力増幅器61、62を並列に接続されているので、出力電力が2倍になるとともに、電力増幅器61、62が有する歪み補償と同一の歪み補償をえることができる。なお、本実施形態の電力増幅器装置は、電力増幅器61、62を並列に接続したものであるが、必要に応じて2以上複数の電力増幅器を更に並列に接続してもよいことはいうまでもない。
図11は本発明の第6の実施形態に係る電力増幅装置の構成を示す回路図である。図11に示すように、第6の実施形態の電力増幅装置は、第1ないし第4のいずれかの実施形態の電力増幅器71、72を直列に接続して形成された増幅装置である。本実施形態の電力増幅装置は、同一構成の電力増幅器71、72を直列に接続されているので、高い増幅率を得ることができる。ただし、各々の電力増幅器71、72が直列接続されているので歪みも増幅してしまうが、これらの電力増幅器71、72は歪みが低くなるように調整されているので、全体として歪の低い電力増幅装置を提供することができる。なお、本実施形態の電力増幅器は、電力増幅器71、72を直列に接続したものであるが、必要に応じて2以上複数の電力増幅器を更に直列に接続してもよいことはいうまでもない。
図12は本発明の第7の実施形態に係る電力増幅装置の構成を示す回路図である。図12に示すように、第7の実施形態の電力増幅装置は、歪み補償回路81と電力増幅器82とが直列接続された増幅装置である。歪み補償回路81は、第1ないし第4のいずれかの実施形態に係る電力増幅器が使用される。そして、歪み補償回路81は、電力増幅器82が有する図13(b)に示すようなAM−PM特性に対して逆向きな図13(a)に示すAM−PM特性が得られるようにバリキャップダイオード及びトリマーコンデンサが調整されている。電力増幅器82は、第1ないし第4のいずれかの実施形態に係る電力増幅器であってもそれ以外の増幅器であってもよい。
11、31、32、41、42、51、52 バリキャップダイオード
12、33、43、44、53 トリマーコンデンサ
20 GaAsFET
61、62、71、72、82 電力増幅器
81 歪み補償回路
Claims (5)
- 電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのゲートに接続されてバイアス電圧を印加するゲートバイアス回路と、を備え、
前記ゲートバイアス回路は非線形入力容量可変素子を有し、
前記非線形入力容量可変素子は、前記ゲートバイアス回路の入力側のみに、直列に接続された複数のバリキャップダイオードと、前記複数のバリキャップダイオードと並列に接続されたトリマーコンデンサと、を有する電力増幅器。 - 電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジスタのゲートに接続されてバイアス電圧を印加するゲートバイアス回路と、を備え、前記ゲートバイアス回路は非線形入力容量可変素子を有し、
前記非線形入力容量可変素子は、前記ゲートバイアス回路の入力側のみに、並列に接続された複数のバリキャップダイオードと、前記複数のバリキャップダイオードと並列に接続されたトリマーコンデンサと、を有する電力増幅器。 - 並列接続された、複数の請求項1または2に記載の電力増幅器を備える電力増幅装置。
- 直列接続された、複数の請求項1または2に記載の電力増幅器を備える電力増幅装置。
- 請求項1または2に記載の電力増幅器を備え、他の電力増幅器の前段に接続されて前記他の電力増幅器に対して歪補償を行う歪補償回路。
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