JP4671622B2 - 歪み補償電力増幅装置 - Google Patents
歪み補償電力増幅装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4671622B2 JP4671622B2 JP2004135363A JP2004135363A JP4671622B2 JP 4671622 B2 JP4671622 B2 JP 4671622B2 JP 2004135363 A JP2004135363 A JP 2004135363A JP 2004135363 A JP2004135363 A JP 2004135363A JP 4671622 B2 JP4671622 B2 JP 4671622B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- harmonic
- transistor
- output
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 10
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3223—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using feed-forward
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
- H02K15/00—Methods or apparatus specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining or repairing of dynamo-electric machines
- H02K15/16—Centering rotors within the stator; Balancing rotors
- H02K15/165—Balancing the rotor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3205—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in field-effect transistor amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Description
Vim3(2ω2-ω1) = H3(ω2,-ω1,ω2)・Vs3 + H3(2ω2,-2ω1,ω1)Vs・V2d2 + H2(2ω2,-ω1) ・Vs・V2d …(1)
ω1,ω2:2トーン入力波の角周波数(ω1<ω2)
2ω2−ω1:上側IM3の角周波数成分
H2(*,*):FET01の2次ボルテラ核のフーリエ変換
H3(*,*,*):FET01の3次ボルテラ核のフーリエ変換
Vs:入力2トーン波の合成波電圧
V2d:注入第2高調波の複素電圧
[H2(2ω2,-ω1) ・Vs]2-4・[H3(ω2,-ω1,ω2)Vs]・[H3(2ω2,-2ω1,ω1)・Vs3]>0 …(2)
である。
但し、H(*)は複素数であるから、式(2)は実部、虚部両方で成立する必要がある。
Vs= [H2(2ω2,-ω1)]2 /4・[H3(ω2,-ω1,ω2)]・[H3(2ω2,-2ω1,ω1)] …(3)
となる。式(3)で与えられるVsが第2高調波終端回路により増加する理由としては、次の2つが考えられる。
Claims (10)
- 入力信号を電力増幅するトランジスタと、
前記入力信号を2分岐する分岐回路と、
分岐された一方の分岐信号に対してその基本波の第2高調波を生成し、この生成された第2高調波を前記分岐回路の他方の分岐信号に足し合わせて前記トランジスタの入力端子に入力する歪み補償手段と、
前記トランジスタの出力端子に接続され、前記第2高調波を接地短絡する終端回路と、
前記トランジスタの出力端子に接続され、前記終端回路より出力端子側に設けられた第1の整合回路とを備え、
出力電力の増加に伴って3次相互変調歪みが急激に上昇する変曲点電力を増加させるように、前記トランジスタの出力端子から見た前記第1の整合回路のインピーダンスを所定の値に設定するとともに、
前記歪み補償手段は、前記分岐された一方の分岐信号をゲート端子に受けるソース接地FETと、前記分岐回路と前記ソース接地FETのゲート端子との間に接続された所定のインピーダンスを有する第2の整合回路と、前記ソース接地FETのドレイン端子に接続され、前記入力信号の第2高調波だけを通過させる帯域通過フィルタと、この帯域通過フィルタの出力に接続され第2高調波の信号電圧を減衰せしめる減衰回路と、この減衰回路の出力を受ける第3の整合回路と、この第3の整合回路の出力を前記分岐回路の他方の分岐信号と加算する加算回路とを備え、前記ソース接地FETから発生する前記第2高調波の位相に影響を与える前記第2の整合回路の所定のインピーダンスは、前記加算回路に入力される第2高調波により前記トランジスタで発生する歪み成分が補償されるように設定されている
ことを特徴とする歪み補償電力増幅装置。 - 前記終端回路は、互いに並列に接続されたコイルとコンデンサを含み、前記トランジスタの出力端子から見て、基本波に対してはほぼ開放、第2高調波に対してはほぼ短絡となることを特徴とする請求項1記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記互いに並列に接続されたコイルとコンデンサは並列共振回路を構成し、この並列共振回路は前記トランジスタの出力端子と電源との間に接続されることを特徴とする請求項2記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記互いに並列に接続されたコイルとコンデンサは並列共振回路を構成し、この並列共振回路の一端は前記トランジスタの出力端子に接続され、他端は他のコンデンサを介して接地されることを特徴とする請求項2記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記トランジスタは第2のソース接地FETであり、この第2のソース接地FETのゲート端子が前記トランジスタの入力端子を構成し、前記第2のソース接地FETのドレイン端子が前記トランジスタの出力端子を構成することを特徴とする請求項1または2記載の歪み補償電力増幅装置。
- 入力信号を受ける所定のインピーダンスを有する第1の整合回路と、
この整合回路の出力をゲート端子に受けるソース接地FETと、
このソース接地FETのドレイン端子から出力される信号を2分岐する分岐回路と、
入力信号を電力増幅するトランジスタと、
分岐された一方の分岐信号に含まれる基本波の第2高調波を抽出して前記分岐回路の他方の分岐信号に足し合わせて前記トランジスタの入力端子に入力する歪み補償手段と、
前記トランジスタの出力端子に接続され、前記第2高調波を接地短絡する終端回路と、
前記トランジスタの出力端子に接続され、前記終端回路より出力端子側に設けられた第2の整合回路とを備え、
出力電力の増加に伴って3次相互変調歪みが急激に上昇する変曲点電力を増加させるように、前記トランジスタの出力端子から見た前記第2の整合回路のインピーダンスを所定の値に設定するとともに、
前記歪み補償手段は、前記分岐信号の他方の分岐信号に含まれる第2高調波だけを通過させる帯域通過フィルタと、この帯域通過フィルタの出力に接続され第2高調波の信号電圧を減衰せしめる減衰回路と、この減衰回路の出力を受ける第3の整合回路と、この第3の整合回路の出力を前記分岐回路の他方の分岐信号と加算する加算回路とを備え、前記ソース接地FETから発生する前記第2高調波の位相に影響を与える前記第1の整合回路のインピーダンスは、前記加算回路に入力される第2高調波により前記トランジスタで発生する歪み成分が補償されるように設定されている
ことを特徴とする歪み補償電力増幅装置。 - 前記終端回路は、互いに並列に接続されたコイルとコンデンサを含み、前記トランジスタの出力端子から見て、基本波に対してはほぼ開放、第2高調波に対してはほぼ短絡となることを特徴とする請求項6記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記互いに並列に接続されたコイルとコンデンサは並列共振回路を構成し、この並列共振回路は前記トランジスタの出力端子と電源との間に接続されることを特徴とする請求項7記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記互いに並列に接続されたコイルとコンデンサは並列共振回路を構成し、この並列共振回路の一端は前記トランジスタの出力端子に接続され、他端は他のコンデンサを介して接地されることを特徴とする請求項7記載の歪み補償電力増幅装置。
- 前記トランジスタは第2のソース接地FETであり、この第2のソース接地FETのゲート端子が前記トランジスタの入力端子を構成し、前記第2のソース接地FETのドレイン端子が前記トランジスタの出力端子を構成することを特徴とする請求項6記載の歪み補償電力増幅装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004135363A JP4671622B2 (ja) | 2004-04-30 | 2004-04-30 | 歪み補償電力増幅装置 |
US11/108,666 US7307473B2 (en) | 2004-04-30 | 2005-04-19 | Distortion compensating and power amplifying apparatus |
KR1020050035084A KR101119680B1 (ko) | 2004-04-30 | 2005-04-27 | 일그러짐 보상 전력 증폭 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004135363A JP4671622B2 (ja) | 2004-04-30 | 2004-04-30 | 歪み補償電力増幅装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005318373A JP2005318373A (ja) | 2005-11-10 |
JP4671622B2 true JP4671622B2 (ja) | 2011-04-20 |
Family
ID=35186472
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004135363A Expired - Fee Related JP4671622B2 (ja) | 2004-04-30 | 2004-04-30 | 歪み補償電力増幅装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7307473B2 (ja) |
JP (1) | JP4671622B2 (ja) |
KR (1) | KR101119680B1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7340265B2 (en) | 2002-02-28 | 2008-03-04 | Atheros Communications, Inc. | Method and apparatus for transient frequency distortion compensation |
US7573326B2 (en) | 2005-12-30 | 2009-08-11 | Intel Corporation | Forwarded clock filtering |
JP4670741B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2011-04-13 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅装置 |
JP4753255B2 (ja) | 2006-09-01 | 2011-08-24 | ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 | 電力増幅装置および携帯電話端末 |
US7528649B2 (en) * | 2007-09-07 | 2009-05-05 | Raytheon Company | Method for designing input circuitry for transistor power amplifier |
JP5059647B2 (ja) * | 2008-02-12 | 2012-10-24 | 株式会社日立国際電気 | 高周波電力増幅器 |
WO2010032283A1 (ja) * | 2008-09-16 | 2010-03-25 | 株式会社 Wave Technology | 高調波注入プッシュプル増幅器 |
US8319558B1 (en) | 2008-10-14 | 2012-11-27 | Rf Micro Devices, Inc. | Bias-based linear high efficiency radio frequency amplifier |
US8072271B1 (en) * | 2008-10-14 | 2011-12-06 | Rf Micro Devices, Inc. | Termination circuit based linear high efficiency radio frequency amplifier |
RU2592015C2 (ru) | 2010-12-10 | 2016-07-20 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Устройство и способ для воздействия на и/или обнаружения магнитных частиц |
CN102098009B (zh) * | 2010-12-20 | 2013-01-02 | 成都芯通科技股份有限公司 | 一种射频功率放大器的输出匹配电路的设计方法 |
CN102570991A (zh) * | 2012-02-22 | 2012-07-11 | 刘轶 | 射频功率放大器的输出匹配电路 |
JP2016076752A (ja) * | 2014-10-02 | 2016-05-12 | 株式会社Wave Technology | プシュプル電力増幅器 |
WO2019008751A1 (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-10 | 三菱電機株式会社 | 電力増幅器 |
US10236833B2 (en) | 2017-08-02 | 2019-03-19 | Infineon Technologies Ag | RF amplifier with dual frequency response capacitor |
US10122336B1 (en) | 2017-09-20 | 2018-11-06 | Cree, Inc. | Broadband harmonic matching network |
US11336253B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-05-17 | Wolfspeed, Inc. | RF power amplifier with combined baseband, fundamental and harmonic tuning network |
WO2019146549A1 (ja) | 2018-01-23 | 2019-08-01 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
CN111615787B (zh) | 2018-01-23 | 2023-08-11 | 株式会社村田制作所 | 功率放大电路 |
US10411659B2 (en) | 2018-01-25 | 2019-09-10 | Cree, Inc. | RF power amplifier with frequency selective impedance matching network |
JP7294569B2 (ja) * | 2019-04-15 | 2023-06-20 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 高周波増幅器 |
US11764882B1 (en) * | 2022-06-13 | 2023-09-19 | Nxp Usa, Inc. | Pre-conditional calibration for third order intermodulation distortion (IMD3) cancellation |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001217659A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
JP2001244752A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 歪補償回路 |
JP2002509664A (ja) * | 1996-09-14 | 2002-03-26 | ダイムラークライスラー アクチエンゲゼルシャフト | 高効率増幅装置 |
JP2002135062A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-05-10 | Sony Corp | 歪み補償電力増幅装置 |
JP2002368547A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 歪み改善回路 |
JP2003198271A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 歪補償回路 |
JP2003198273A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 増幅回路 |
JP2003273662A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増幅回路および歪み抑制方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3825843A (en) * | 1973-06-08 | 1974-07-23 | Bell Telephone Labor Inc | Selective distortion compensation circuit |
JPS5573115A (en) * | 1978-11-27 | 1980-06-02 | Nec Corp | Traveling wave tube amplifying device |
JPH0823233A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波増幅装置 |
JP2915795B2 (ja) | 1994-07-05 | 1999-07-05 | 利根地下技術株式会社 | 地中掘削機の水平変位測定装置および地中掘削方法 |
FI98014C (fi) * | 1995-06-30 | 1997-03-25 | Nokia Mobile Phones Ltd | Kuutiointipiiri signaalin esisäröyttämiseksi |
JP3467670B2 (ja) * | 1996-07-26 | 2003-11-17 | 日本電信電話株式会社 | 歪補償回路 |
JP2953394B2 (ja) | 1996-08-19 | 1999-09-27 | 株式会社次世代衛星通信・放送システム研究所 | 高周波電力増幅回路の設計方法 |
JPH10126156A (ja) * | 1996-10-22 | 1998-05-15 | Japan Radio Co Ltd | 逓倍器 |
JPH11289227A (ja) * | 1998-04-01 | 1999-10-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 歪補償回路 |
JP4243458B2 (ja) | 2002-06-26 | 2009-03-25 | 京セラ株式会社 | 携帯情報端末装置 |
-
2004
- 2004-04-30 JP JP2004135363A patent/JP4671622B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-19 US US11/108,666 patent/US7307473B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-04-27 KR KR1020050035084A patent/KR101119680B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002509664A (ja) * | 1996-09-14 | 2002-03-26 | ダイムラークライスラー アクチエンゲゼルシャフト | 高効率増幅装置 |
JP2001217659A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
JP2001244752A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 歪補償回路 |
JP2002135062A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-05-10 | Sony Corp | 歪み補償電力増幅装置 |
JP2002368547A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 歪み改善回路 |
JP2003198271A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 歪補償回路 |
JP2003198273A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 増幅回路 |
JP2003273662A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増幅回路および歪み抑制方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060047541A (ko) | 2006-05-18 |
US7307473B2 (en) | 2007-12-11 |
JP2005318373A (ja) | 2005-11-10 |
US20050242877A1 (en) | 2005-11-03 |
KR101119680B1 (ko) | 2012-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4671622B2 (ja) | 歪み補償電力増幅装置 | |
JP4868433B2 (ja) | 歪み補償装置および歪み補償機能付き電力増幅装置 | |
KR101758086B1 (ko) | 개선된 선형적 특징을 가지는 전력 증폭기 | |
Saad et al. | Symmetrical load modulated balanced power amplifier with asymmetrical output coupling for load modulation continuum | |
JP2004503161A (ja) | 複合増幅器を有する送信機 | |
Park et al. | Broadband CMOS stacked RF power amplifier using reconfigurable interstage network for wideband envelope tracking | |
Seo et al. | Ultrabroadband linear power amplifier using a frequency-selective analog predistorter | |
Saad et al. | Efficient and wideband two-stage 100 W GaN-HEMT power amplifier | |
US7064613B2 (en) | Amplifier bias system and method | |
KR19990053981A (ko) | 저잡음 증폭기의 이득 제어 회로 | |
KR20070050718A (ko) | 메모리 효과를 최소화하는 기지국용 전력 증폭기 | |
Abbasnezhad et al. | A simple and adjustable technique for effective linearization of power amplifiers using harmonic injection | |
Cho et al. | A handy dandy Doherty PA: A linear Doherty power amplifier for mobile handset application | |
CN111615788B (zh) | 功率放大电路 | |
Rahimizadeh et al. | An Efficient Linear Power Amplifier with 2 nd Harmonic Injection | |
US11424767B2 (en) | Out-of-band compensation of active electronic device | |
KR101093644B1 (ko) | 음의 군지연 회로를 갖는 아날로그 피드백 선형 전력 증폭기 | |
Shariatifar et al. | A methodology for designing class-F− 1/J (J− 1) high efficiency concurrent dual-band power amplifier | |
JP3487060B2 (ja) | 歪補償回路 | |
Tsai et al. | Intermodulation distortion analysis for power amplifier with various collector voltages | |
Nghe et al. | Wideband two-stage 50W GaN-HEMT power amplifier | |
JP3894401B2 (ja) | 電力増幅装置 | |
Bensmida et al. | Advanced GaAs power amplifier architecture linearized with a post-distortion method | |
Ubostad et al. | Linearity performance of an RF power amplifier under different bias-and load conditions with and without DPD | |
US20220060156A1 (en) | Power amplifier |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070410 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090901 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091102 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100907 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100921 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101013 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110118 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |