JP4671458B2 - 信号線対ウエーブガイド用トランスフォーマ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、信号変換器、特に信号線(シグナルライン)対ウエーブガイド(導波器)用トランスフォーマに関する。
【0002】
【従来の技術】
多くの無線通信システムは、集積回路(IC)を使用して送信された及び受信された通信信号を発生及び処理する。従って、IC内及びプリント基板(サブストレート)上で発生された電気信号を空中伝送に適する信号に変換する必要がある。また同時に、アンテナが受信した信号を取出し、それらをICや他の回路にて処理及び解釈される信号に変換することも必要である。小型化及び通信信号の忠実度を維持する為に、ICとウエーブガイドとを集積化し、ウエーブガイド信号をウエーブガイドへ又はそれから直接発射及び受信するのが好ましい。従って、導電性金属ストリップ又はワイヤ(電線)中を流れる信号から直接ウエーブガイドに変換する必要がある。
【0003】
公知の変換は、Eフィールドプローブ法であり、同軸ケーブル又はコプラナラインの導体をウエーブガイド空洞(キャビティ)内部に配置する。このウエーブガイド空洞の一端は短絡されている。このウエーブ内の信号は、電界を生じさせ且つウエーブガイド内に信号に直接関連する電界を励起する。従って、ある量の直接結合が実現できる。しかし乍ら、このトランスフォーメーションのEフィールドプローブ法は、帯域が制限され且つ組立が複雑であり、最大カップリング(結合)を得る為に空洞内でのプローブ位置が重要であるので、製造公差に比較的厳しいという問題がある。
【0004】
他の公知の変換は、米国特許第2,825,876号、同第3,969,691号及び同第4,754,239号に開示され「リッジトランジション」と呼ばれている。この「リッジトランジション」は、誘電体サブストレートで支持され且つ誘電体の反対側のグランドプレーン(接地面)に平行にマイクロストリップ状に配置された信号線より成る。このマイクロストリップの一端は、ウエーブガイド空洞と当接し且つ導電性リッジがマイクロストリップの一端且つウエーブガイド空洞内に配置される。この方法はマイクロストリップからウエーブガイドへの希望する変換を生じるが、製造、配置、アライメント(位置合せ)及び導電性リッジの公差が、部品の製造及び組立を複雑にするので、量産には不向きである。
【0005】
他の変換は、MTT―S1998国際マイクロウエーブシンポジウムダイジェスト誌にシモン、ワーゼン及びウォルフ著の「矩形ウエーブガイドへの新規なコプラナ伝送線」のタイトルで開示されている。このトランスフォーマは、誘電体サブストレートで支持されたマイクロストリップラインより成る。このサブストレートの反対側には、ウエーブガイド空洞内に配置された2個のプリント導電性パッチがある。このマイクロストリップ内を進む信号は、パッチ内に電流を誘導し、他のパッチに結合される。パッチの分離を適当に選ぶことにより、RF(無線周波数)信号の建設的な干渉がウエーブガイド内で達成される。これにより、ウエーブガイド中に電磁波を発射する。しかし、ここに開示する構成は、高周波で大きな挿入損失があり、且つ動作帯域は比較的狭い。ここに開示する設計は他の従来トランスフォーマより簡単な構成であるが、製造公差や動作環境に比較的敏感である。更に、トランジションがより高い放射を行い、従来のアイソレーションを低下させ且つ損失を増加する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来技術は、高周波IC用の広帯域のマイクロストリップ対ウエーブガイド用トランスフォーマには不適であった。
【0007】
従って、本発明の目的は、比較的簡単に製造でき且つ現在周知の製法の製造公差に比較的鈍感であるトランスフォーマを提供することである。
【0008】
本発明の他の目的は、従来技術に比して低損失且つ広帯域高周波トランスフォーマを提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明による信号線対ウエーブガイド用トランスフォーマは、高周波数で動作するよう最適化され、第1及び第2主面及び第1、第2、第3及び第4副面を有するサブストレートにより構成される。第3及び第4副面は、導電性材料を有し且つ第2主面は導電性材料を有する。このトランスフォーマは、更に所定長の導電トレースを有し、電気信号を流すと共にサブストレートの第1主面に設けられた導電トレースでの信号伝播方向を決定する。第2主面の導電性材料は、基準電位に電気的に接続される。少なくとも1本の伝送線がサブストレートの第1主面に設けられ且つ導電トレースに電気的に接続される。この伝送線は、信号伝播方向と直交する。導電トレースに電気的にカップリングされたウエーブガイドがある。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の信号線対ウエーブガイド用トランスフォーマの好適実施形態の構成及び動作を添付図を参照して詳細に説明する。
【0011】
先ず、図1及び図2を参照して本発明のトランスフォーマの第1実施形態を説明する。図示のトランスフォーマ100は、第1、第2、第3及び第4副面4、5、6、7で囲まれた第1及び第2主面2、3を有する平板状の誘電体サブストレート1より構成される。サブストレート1の好適材料は、実効誘電率2.2の125μmのデュロイド(Duroid)である。これに代るサブストレートとして、ガラス、テフロン及び水晶を含むが、これら以外の材料であってもよい。トランスフォーマ100は、論理的に隣接する3つの部分の集合体である。即ち,準TEMモード部8、変換部9及び矩形モード部10である。図1及び図2に示す実施形態では、入力信号ラインは、サブストレート1の第1主面2上に印刷(プリント)され且つ第1副面4から延出する短い導電マイクロストリップ11より成る。この入力信号ラインは、この代りに、接地面付き又は接地面なしのコプラナ伝送線又はストリップラインであってもよい。本発明の目的では、入力信号ラインは「マイクロストリップ11」と呼ぶこととするが、コプラナ伝送線、ストリップライン又はこれらと等価な他の周知の伝送線を用いて変形変更可能であること当業者には明らかであろう。
【0012】
実用的な実施形態では、入力信号ラインは、外部回路をトランスフォーマ100に接続又は結合する。従って、短い導電性マイクロストリップ11は、通信信号を外部回路へ又はそれから伝送する伝送線の延長である。入力信号ライン11は、トランスフォーマサブストレート1から延び、トランスフォーマの「ポート1」12と呼ぶことができる。第3及び第4副面6、7は、第1副面4bと直交し且つ完全に金属でめっきされている。一例として、デュロイド上の適切なめっきは銅であるが、他の導電性材料を使用してもよい。全ての副面上のめっき材料は、第2主面3上にめっきされた導体の基準電位に電気的に短絡される。当業者には明らかな如く、1個以上のビアホール等の他の手段により達成可能である。ビアホールを使用する例にあっては、これらビアホールは所定間隔で形成され、副面4、5、6及び7に図示する如く連続めっきにより、動作周波数で等価的に短絡として作用するようにする。第2副面5は、第1副面4と平行且つ反対側であり、図1及び図2に示す第1実施形態では、金属めっきされていない。後述から明らかな如く、第2副面5は、矩形ウエーブガイド空洞の断面であり、この空洞の内部で矩形TE10モードがマイクロストリップ11に対して準TEMモードから変換され且つ「ポート2」13と呼ぶことができる。サブストレート1の第2主面3は、金属めっきされ且つマイクロストリップ11の接地面を提供し且つ変換部9及び矩形TE10モード部10用ウエーブガイド空洞境界を提供する。
【0013】
トランスフォーマ100の準TEM部8は、サブストレート1の一端にあり且つ第1主面2に印刷されたマイクロストリップ11より成る。この実施形態において、トランスフォーマ100は、77GHzの中心動作周波数用に最適化されている。誘電率2.2を有するデュロイド上のマイクロストリップの準TEMモードの1/4波長は約0.77mmである。第1副面4は、非めっき領域4aを有し、めっき領域4b、4cにて両側が固められている。非めっき領域4aは、マイクロストリップ11と同心に位置し且つマイクロストリップ11の幅より長い。非めっき又は絶縁領域4aは、マイクロストリップ11の各側に延びマイクロストリップ11を第1副面4の金属化且つ接地された部分4b,4cから絶縁する。本発明の正常動作には必須でないが、図示する第1副面4は非線形であり、準TEMモード部8は、2つの異なる幅を有する。準TEMモード部8の変形例は、部分4bはめっき且つ部分4aは非めっきされている線形第1副面4を有する。非めっきのサブストレート1の第1主面側には絶縁ランド21がある。これら絶縁ランド21は、準TEM部8のマイクロストリップ11の幅を決める。第1副面4bから隣接する変換部9への準TEM部8の長さは、トランスフォーマ100の中心動作周波数の約1/4波長であるが、1/4波長乃至1/2波長未満の範囲で変化してもよい。サブストレート1の第2主面3は、めっきされ且つ接地され、準TEM部8のマイクロストリップ11に平行な接地面を与える。
【0014】
マイクロストリップ11は、変換部9で導電性変換トレース14に急に幅が広がる。複数対の導電性変換フィン15が第1主面2に印刷されている。各フィン15は、電磁波伝播方向に対して直角方向に配置される。各フィン15は、対をなすフィン15の1つと直接対向して配置される。図1の実施形態では、各フィン15は変換トレース14の反対側にフィン対15が直線上になるよう配置される。この実施形態において、4対の変換フィン15が設けられている。各フィン15は、長さが動作周波数の1/4波長以上であり、これらフィン15の長さは、変換トレース14の中心から始まり且つ第3及び第4副面6又は7と第1主面2間の対応するエッジ(端縁)で終端するものとする。
【0015】
動作を説明すると、フィン15は電気的には伝送線として動作する。動作周波数で、伝送線の適当な長さは、1/4波長である為に変換トレース14の中心近傍で電気的に開回路のように見える。しかし、伝送線は例えば動作周波数で適当な値を有する並列インダクタ及びキャパシタ(コンデンサ)の如き集中定数素子をフィン15の代わりに使用してもよい。変更実施形態では、各フィン対15が相互に一直線状に配置されたり、変換トレース14の各側に等しい数のフィン15があることが必須ではない。しかし、これら特性を変更すると、動作性能が変化する。従って、これら特性は、特定用途のトランスフォーマの動作を最適化して使用する。この実施形態では、中心動作周波数は77GHzである。従って、77GHzの中心動作周波数で誘電率2.2のディロイドのマイクロストリップの1/4波長は、約0.70mmであるので、変換トレース14の両側にフィン15を使用する変換部9の幅は合計約1.4mm以上であり且つ72.2GHzのTE10モードカットオフ周波数を有する。また、別の実施形態は、希望する電気的性能に応じて変換部9をなす少数対のフィン15、付加対のフィン15又は伝送線を含む。また、当業者には明らかな如く、矩形ウエーブガイドを説明したが、断面が矩形以外の形状のウエーブガイドにも適用できる。
【0016】
導電性変換トレース14及びフィン15は、トランスフォーマ100の矩形モード部10の近傍に配置される。この矩形モード部10は、矩形断面を有する誘電体サブストレート1より成る。このサブストレート1は、矩形断面の全ての側が金属めっきされて、矩形TE10モードが伝播できるウエーブガイド空洞を形成する。プリント基板では、副面6、7はビアホールを介してめっきして等価的に実現可能である。隣接フィン15又は伝送線は電気的に隣接するので、フィン15を流れる電流は略同相である。これらフィン15を流れる電流は、空中で破壊的に干渉する電界と磁界を誘起するが、誘電体中では建設的に干渉する。従って、エネルギーの大半は、サブストレート1内に伝達される。サブストレート1の断面は、接地された金属化面で囲まれ、伝達された矩形波状のエネルギーが伝播可能なウエーブガイド空洞を形成する。
【0017】
マイクロストリップ11内の準TEMモードの伝播方向は、サブストレート1の誘電体ウエーブガイド空洞内のTE10モードの伝播方向と同じであるのが有効である。信号伝播方向は、ウエーブガイド内の適当なベンドにより変更可能である。例えば、変形例はウエーブガイド部に隣接する第2主面に開口を有し、第2副面をめっきしてウエーブガイド内の伝播波(ウエーブ)を90°曲げる。更に、スロット、ウエーブガイドカプラ及び他のウエーブガイド素子は、伝播する信号を空中に正しく伝達するのに使用できる。
【0018】
また、電界はトランスフォーマ100の準TEMモード部8、変換部9及び矩形モード部10を包囲する接地された金属化による空洞内に主として含まれるようにし、これによりエネルギーをサブストレート1からアイソレートする。銅めっきされたデュロイドサブストレートを使用する本発明のトランスフォーマ100の特定寸法は、第1及び第2副面4、5の寸法が2.1mm且つ第3及び第4副面6、7の寸法が2.87mmである。第3及び第4副面6、7の長さは、トランスフォーマ100の動作に影響を及ぼすことなく相当大幅に変えられる。準TEM部8のマイクロストリップ11は、第3及び第4副面6、7から0.85mmの距離だけさし込まれ、マイクロストリップ11用に0.38mmの幅寸法となる。変換フィン15の幅は0.05mmであり、各フィンは相互に0.05mm離間している。各フィン15は長さ0.66mmであり、変換トレース14用の幅は0.76mmとなる。本発明の実施形態のトランスフォーマ100は、ガラスサブストレートを使用し且つ金による金属化は第1及び第2側で1400μmであり且つ中央のマイクロストリップ幅は250μmである。このガラスと金によるトランスフォーマは、更に50μmのフィン幅とファン間の空隙を有し且つ659μmのフィン長である。デュロイド及びガラスのサブストレート厚さは共に127μmである。
【0019】
次に、図3乃至図5を参照すると、図1及び図2に示したトランスフォーマを伝播する電界パターンを示す。これらの図は、時間的に異なる3つの点を示し、マイクロストリップ11中を伝播する準TEMモードをウエーブガイド部10中を伝播する矩形TE10モードへの変換を示す。特に、図3は0°位相の電界を示し、図4及び図5は、夫々60°及び120°の電界を示す。180°で、電界線は0°位相と同じ大きさで電界の向き(極性)が反転していることに注目されたい。大きさが同じであるので、図3は180°位相をも示す。同様に、60°は240°を、また120°は300°をも表わす。実線は電界が異なる範囲である領域の輪郭を示す。最大電界の領域は、参照符号22で示し且つ最小電界の領域は、参照符号23で示す。最大及び最小電界の中間輪郭は、電界が最大と最小領域間の滑らかな傾斜を示す。
【0020】
特に、図6のグラフを参照すると、トランスフォーマ100の挿入損失を表わすS21と、リターンロスを表わすスキャタリングパラメータS11を図示する。当業者には明らかな如く、77GHzの動作周波数近傍の広い周波数範囲にわたり極めて低い。更に、リターンロスパラメータも問題の周波数では十分許容可能である。ここで説明したトランスフォーマ100は、従来のめっき技法を採用し且つ安価に量産するのに適している。また、設計は従来の製造公差を許容する。加えて、このトランスフォーマ100は、広い周波数帯域にわたり低損失であり且つ良好なアイソレーションを行う。
【0021】
次に図7を参照すると、本発明のトランスフォーマの他の実施形態の第1主面2の平面図を示し、突起部を形成する4対のフィン15を有する。第2主面3は、図2と同じである。各フィン15は同様の幅を有し且つ同じ対のフィン15は同じ長さ20を有する。準TEMモード部8に近い対のフィン15は、他の対のフィンよりも長い。また、各対のフィン15は、準TEMモード部8側の最長値からウエーブガイドモード部10の最短値まで順次テーパ状に長さが変化する。図示する実施形態では、各フィン15の幅は等しい。しかし、フィン15の幅は、本発明の要旨を逸脱することなく変更可能である。各対のフィン15は、共直線状(co−linear)で示すが、フィンを非共直線状とする他の実施形態も可能である。
【0022】
次に、図8を参照すると、本発明のトランスフォーマの更に他の実施形態を示す。この実施形態では、各対のフィン15の幅19は異なる。各対のフィン15の幅19は、準TEMモード部8近傍で変換部9中の残りの対のフィン15より小さい。この実施形態において、フィン15の幅19は、準TEMモード部8近傍の最も狭い値から矩形モード部10近傍の最も広い値までテーパ状に順次変化する。上述した全ての実施形態と同様に、対をなすフィン15は必ずしも共直線状である必要はなく、また同じ長さ20を有する必要もなく且つ変換トレース14の両側に同数のフィン15を有する必要もない。更に、変換部9をなすフィン15の数は、設計の希望する特性に応じて変更可能であり、従来例によりシミュレーション可能である。
【0023】
図9には、本発明のトランスフォーマの更に他の実施形態を示す。この実施形態にあっては、3対のフィン15を有し、各対のフィン幅19と長さ20は等しいが、隣接するフィン15間の間隔が準TEMモード部8近傍で最も広く、矩形モード部10近傍で最も狭い。この実施形態では、各対のフィン15が相互に同一寸法であり又は共直線状である必要はない。更に、変換部9をなすフィン15の数は、設計上の希望特性により変更可能であり、従来例によりシミュレーション可能である。
【0024】
図10は、本発明によるトランスフォーマの更に他の実施形態を示す。この実施形態にあっては、ウエーブガイド部10近傍の第2主面3の金属化部に開口30が形成され且つ第2副面5はめっきされてバックショートを形成する。この実施形態において、伝播信号は90°曲げられてトランスフォーマ100のウエーブガイド部10を出て空中に放射される。
【0025】
以上、本発明の信号線対ウエーブガイド用トランスフォーマのいくつかの実施形態の構成及び動作を詳述した。しかし、これらの実施形態は単なる例示にすぎず、何ら本発明を限定するものではないことに留意されたい。本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変形変更が可能であることが当業者には上述の説明から容易に理解できよう。
【0026】
【発明の効果】
上述の説明から理解される如く、本発明の信号線対ウエーブガイド用トランスフォーマによると、次の如き種々の顕著な効果を有する。
【0027】
第1に、構造が簡単であるので、従来技術を用いて比較的安価に量産することが可能である。
【0028】
第2に、本発明のトランスフォーマは、挿入損失が比較的小さく且つ広い動作帯域を有するので、高周波用途に好適である。
【0029】
第3に、本発明のトランスフォーマは、従来技術に比して優れたアイソレーションを有する。
【0030】
第4に、本発明のトランスフォーマは、ICパッケージ内に直接集積可能であるので、デジタル携帯電話装置等の小型軽量化に貢献できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の信号線対ウエーブガイド用トランスフォーマの第1実施形態の正面側から見た斜視図である。
【図2】 図1のトランスフォーマのサブストレートと金属層とを分離した分解斜視図である。
【図3】 図1のトランスフォーマのある時点での電界の輪郭線を加えた正面図である。
【図4】 図1のトランスフォーマの図3と異なる時点での電界輪郭線を加えた図3と同様の正面図である。
【図5】 図1のトランスフォーマの図3及び図4と異なる時点の電界輪郭線を加えた図3及び図4と同様の正面図である。
【図6】 図1のトランスフォーマのスキャタリングパラメータの周波数特性曲線を示す図である。
【図7】 本発明のトランスフォーマの第2実施形態の正面図である。
【図8】 本発明のトランスフォーマの第3実施形態の正面図である。
【図9】 本発明のトランスフォーマの第4実施形態の正面図である。
【図10】 ウエーブガイドモード伝播方向を90°曲げるよう動作する本発明のトランスフォーマの第5実施形態の背面側から見た斜視図である。
【符号の説明】
1 サブストレート
2 第1主面
3 第2主面
4 第1副面
5 第2副面
6 第3副面
7 第4副面
8 準TEMモード部
9 変換部
10 矩形モード部(ウエーブガイドモード部)
11 入力ライン(マイクロストリップ)
12 ポート1
13 ポート2
14 導電トレース(変換トレース)
15 フィン
100 信号線対ウエーブガイド用トランスフォーマ(トランスフォーマ)
Claims (2)
- 高周波数で動作するよう最適化され、第1及び第2主面及び第1、第2、第3及び第4副面を有するサブストレートにより構成され、前記第3及び第4副面は導電性材料を有し、且つ前記第2主面は導電性材料を有するトランスフォーマであって、電気信号を流すと共に前記サブストレートの前記第1主面に設けられた導電トレースでの信号伝播方向を決定し、前記第2主面の導電性材料は、基準電位に電気的に接続され、前記伝送線は信号伝播方向と直交し、前記導電トレースに電気的にカップリングされたウエーブガイドを有する信号線対ウエーブガイド用トランスフォーマにおいて、
前記サブストレートは平板状の誘電体であり、
前記サブストレートの断面は、基準電位に電気的に接続された導電性材料で囲まれ、伝達された矩形波状のエネルギーが伝播可能なウエーブガイド空洞を形成し、
前記サブストレートは、前記第1主面に、一端側から他端側に向け形成された入力信号ラインを有する準TEM部と、該入力信号ラインに続く、該入力信号ラインより幅広の導電トレース及び該トレースの両側に延びる少なくとも1本の伝送線を有する変換部と、前記導電トレースに続き前記第1主面の全面を覆う導電層を有する矩形モード部とを有し、
前記少なくとも1本の伝送線は、前記第1主面上に直接対向して配置された対をなすフィンであり、
該フィンは、前記導電トレースの中心から、前記第3副面と前記第1主面の間、及び前記第4副面と前記第1主面の間のエッジまで延びていることを特徴とする信号線対ウエーブガイド用トランスフォーマ。 - 前記導電トレースの各側に、等しい数の前記フィンが配置されていることを特徴とする請求項1記載の信号線対ウエーブガイド用トランスフォーマ。
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