JP4669216B2 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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図1は参考例1の半導体発光素子の製造方法の説明図、図2,図3は参考例1の半導体発光素子の製造方法において特徴となる各工程の説明図、図4は参考例1の半導体発光素子の反射抑制の説明図、図5は半導体発光素子の効果の説明図である。
用途によって、適宜に組成、材料、構造が変更されるため、特に限定されないが、GaN障壁層とInGaN井戸層が交互に積層される単一または多重量子井戸構造とする。また、半導体層2には、フォトリソグラフィなどにより所望のパターンが形成される。
図6は参考例2の半導体発光素子の製造方法の説明図である。
図7は本発明による実施形態の半導体発光素子の製造方法の説明図である。
10 ウエハ
10a 一の面
10b 裏面
10c 分割用溝
11 透明結晶基板
11a 半導体積層面
11b 裏面
11c 側面
12 半導体
120 主要層
121 電極
2 微粒子ブラスト材
Claims (4)
- 透明結晶基板を複数含むウエハの一の面に、前記複数の透明結晶基板に対して複数の半導体をそれぞれ積層する積層工程と、前記複数の透明結晶基板の各々におけるその半導体が積層される面に対する少なくとも裏面に、ブラスト材のブラストにより粗面化して粗面を形成する粗面化工程とを含む半導体発光素子の製造方法であって、前記積層工程と前記粗面化工程との間に、前記複数の透明結晶基板および半導体を個々に分割するための分割用溝を形成する溝形成工程の後、前記複数の透明結晶基板および半導体を個々に分割する分割工程を行い、その後、透明結晶基板の各々における半導体が積層される面に対する側面全面の角度が鋭角となるようにレーザにより前記側面を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 前記粗面化工程で、前記複数の透明結晶基板の各々におけるその半導体が積層される面に対する裏面および側面の全面を、ブラスト材のブラストにより粗面化することを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記溝形成工程で、前記分割用溝をレーザにより形成することを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記溝形成工程で、前記分割用溝をブレードにより形成することを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体発光素子の製造方法。
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