JP4666300B2 - 化学機械研磨システムの振動低減機能付キャリアヘッド - Google Patents
化学機械研磨システムの振動低減機能付キャリアヘッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP4666300B2 JP4666300B2 JP2003076041A JP2003076041A JP4666300B2 JP 4666300 B2 JP4666300 B2 JP 4666300B2 JP 2003076041 A JP2003076041 A JP 2003076041A JP 2003076041 A JP2003076041 A JP 2003076041A JP 4666300 B2 JP4666300 B2 JP 4666300B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier head
- housing
- ring portion
- base
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
発明の背景
【発明の分野】
本発明は一般に、基板の化学機械研磨中に利用されるキャリアヘッドに関する。
【関連技術の説明】
集積回路は一般に、導電性の層や、半導性の層や、絶縁性の層を連続して堆積することで、基板、特にシリコンウェハ上に形成される。各層が堆積された後、層は回路のフィーチャを生成するようエッチングされる。一連の層が連続して堆積されエッチングされる為に、基板の外面すなわち最上面、つまり基板の露出した面がますます平坦でなくなる。上記のように外面が平坦でないと集積回路の製造において問題が引き起こされる。基板の外面が平坦でない場合、外面に置かれるフォトレジスト層も平坦でなくなる。フォトレジスト層は一般に、光画像の焦点をフォトレジストに合わせるフォトリソグラフィ装置によりパターン化される。基板の外面が明らかに平らでない場合、外面の山と谷の最大高度差が画像化装置の焦点の深さを超えてしまい、光画像の焦点を基板の外面に適切に合わせることが不可能になる。従って、実質的に層の面を平坦にするべく基板表面を周期的に平坦にする必要がある。
【0002】
化学機械研磨(CMP)は認められている平坦化方法の1つである。上記平坦化方法では一般に、基板がキャリアヘッド即ち研磨ヘッドに取り付けられている必要がある。そして基板の露出した表面が回転する研磨パッドに向けて配置される。基板が研磨パッドに押圧されるよう、キャリアは制御可能な負荷、すなわち圧力を基板に加える。またキャリアは、基板と研磨パッドが互いにいっそう動くよう回転する。パッドと基板間のインターフェイスに研磨用の化学溶液を供給するよう、化学的に反応する少なくとも1つの薬剤と研磨剤とを含む研磨スラリが研磨パッド全体に分配される。
【0003】
一般に、研磨処理が完了した後に基板を研磨パッドから取り外すにはキャリアヘッドが使用される。基板はキャリアヘッドの下面に真空チャックされる。キャリアヘッドが引っ込むと、基板は研磨パッドから持ち上げられる。
【0004】
CMPの場合に直面する1つの問題は、ウェハの研磨中に高周波の振動も低周波の振動も発生し、製造の効率や操作コストの漸進的な増加に関する様々な問題を引き起こすことである。研磨中に発生した高周波の振動(>250Hzかつ<20kHz)は環境、健康、安全の問題を提示し、一方、研磨中に発生した低周波の振動(<250Hz)は信頼性の問題を提示する。例えば、発生した振動はジンバルのねじを緩めるので、ウェハがはずれることにつながる。加えて、キャリアヘッドの構成要素同士の間で伝達された研磨誘導エネルギーが、途方もない音量を出す共振や増幅の反応を引き起こす。研磨誘導エネルギーは更に、研磨システム内に相対曲げ運動を引き起こす。
【0005】
振動に関する問題を解決する上で考慮すべき点は、作業場の既定された規制の規格に準拠しながらもコストが効率的でありかつ人間工学的に妥当な解決法を編み出すことである。
【0006】
従って、ウェハ研磨中の振動を最小限に抑えながらも研磨処理能力を最適にする化学機械研磨装置が必要である。
【0007】
発明の要約
本発明の実施形態は一般に、基板を研磨面に配置するキャリアヘッドに向けられている。ある実施形態のキャリアヘッドには、共に回転するよう駆動シャフトに接続可能なハウジングと、ベースと、取り外せるよう上記ハウジングに取り付けられた着脱可能なプレートと、上記ベースが上記研磨面に実質的に平行であり続ける為に上記ベースが上記ハウジングに対し移動できるよう上記ハウジングを上記ベースに接続するジンバル機構と、基板の取り付け面を定める柔軟なメンブレンとがある。
【0008】
本発明の他の実施形態は、基板を研磨面に配置するキャリアヘッドに向けられている。上記キャリアヘッドには、共に回転するよう駆動シャフトに接続可能なハウジングと、ベースと、上記ベースが上記研磨面に実質的に平行であり続ける為に上記ベースが上記ハウジングに対し移動できるよう上記ハウジングを上記ベースに接続するジンバル機構とがある。上記ジンバル機構には、上記ハウジングの垂直な通路に摺動可能に配置されるロッドと、上記ロッドに一体化して接続されるリングとがある。上記リングは下部リング部と上部リング部とを定める。上記上部リング部は上記下部リング部よりも軽い材料で形成される。キャリアヘッドには更に、基板の取り付け面を定める柔軟なメンブレンがある。
【0009】
本発明の他の実施形態は、化学機械研磨装置用キャリアヘッドに向けられている。上記装置には、共に回転するよう駆動シャフトに接続可能なハウジングと、上記ハウジングに相対的にベースが垂直に移動できるよう上記ハウジングを上記ベースに接続するローディング機構と、取り外せるよう上記ハウジングに取り付けられた着脱可能なプレートとがある。
【0010】
本発明の更なる他の実施形態は、化学機械研磨装置用キャリアヘッドに向けられている。上記装置には、共に回転するよう駆動シャフトに接続可能なハウジングと、上記ハウジングに相対的にベースが垂直に移動できるよう上記ハウジングを上記ベースに接続するローディング機構と、化学機械研磨装置に関連する上記研磨面に上記ベースが実質上並行であり続ける為に上記ベースが上記ハウジングに対し移動できるよう上記ハウジングを上記ベースに接続するジンバル機構とがある。上記ジンバル機構には、基板の研磨中に発生した振動を減衰させるよう構成されている緩衝リングがある。
【0011】
好適な実施形態の詳細な説明
本発明は、化学機械研磨装置用キャリアヘッドの様々な実施形態に向けられたものである。ある態様のキャリアヘッドには、キャリアヘッドのハウジング部分に取り付けられた着脱可能なプレートが含まれる。特に、ハウジングに定められるハウジングプレートの他に着脱可能なプレートが取り付けられる。着脱可能なプレートにより、基板の研磨中に生成される振動や雑音を低減するために必要な重量が付加される。ある実施形態では、着脱可能なプレートを移動させるリフティング装置が不要になるよう、着脱可能なプレートは手動で取り外せる。着脱可能なプレートにより更なる重量が付加されるため、重量を抑えるべくジンバル機構が構成される場合がある。例えば、ジンバルリングの上部がジンバルリングの下部より軽い材料で形成される。ある実施形態のジンバルリングの上部は、CMPシステムが共振周波数に達した際に生成されるエネルギーを低減する材料から成る。本発明のある態様では、研磨処理中に生成される振動を減衰させる為にジンバルリングの下部とジンバルリングの上部の間に緩衝リングが配置されている。
【0012】
本発明の実施形態は様々な化学機械研磨(CMP)システムで利用されてよく、そのシステムに含まれるのは、200mm基板を研磨するよう構成されたCMPシステムと300mm基板を研磨するよう構成されたCMP装置、例えば、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から発売されているREFLEXION(登録商標)CMPシステムなどである。説明の為に、本発明の実施形態に従う化学機械研磨装置20の分解組立斜視図が図1に示されている。化学機械研磨(CMP)装置20は1枚以上の基板10を研磨するよう構成されている。同様なCMPシステムの説明は米国特許5,738,574号および米国特許6,156,124号にあり、上記特許の全開示は参考形式で本願に組み込まれる。
【0013】
本発明によると、CMP装置20には、CMP装置20に取り付けられたテーブルトップ23と取り外し可能な上部外面カバー(図示せず)とがある。テーブルトップ23は一連の研磨ステーション25a、25b、25cと移送用ステーション27とを支持する。移送用ステーション27は3つの研磨ステーション25a、25b、25cと共に、一般に正方形を作るように配列される。移送用ステーション27は、個々の基板10をローディング(図示せず)装置から受け取ったり、基板を洗浄したり、基板をキャリアヘッドにロードしたり、基板をキャリアヘッドから受け取ったり、基板を再び洗浄したり、最後に基板をローディング装置に戻したりと、複数の機能を果たす。
【0014】
各研磨ステーション25a、25b、25cには、研磨パッド32を置く回転可能なプラテン30がある。プラテン30は、ステンレス鋼プラテン駆動シャフト(図示せず)によりプラテン駆動モータ(図示せず)に接続された回転可能なアルミニウム又はステンレス鋼のプレートであることが望ましい。多くの研磨処理では、駆動モータはプラテン30を1分当たり30回から200回程度回転させるが、使用される回転速度はこれより低かったり高かったりする場合もある。
【0015】
研磨パッド32は粗い研磨面を有する複合材料でもよい。研磨パッド32はプラテン30に感圧接着層で取り付けられてもよい。研磨パッド32は、50ミル厚の硬い上部層と50ミル厚の柔らかい下部層を有する場合がある。上部層は他の充填剤と混合されたポリウレタンから成る材料であることが望ましい。下部層はウレタンにより浸出された圧縮フェルト繊維から成る材料であることが望ましい。上部層がIC−1000から構成され下部層がSUBA−4から構成され一般的な2層研磨パッドは、デラウェア州ニューアークのRodel社から発売されている(IC−1000及びSUBA−4はRodel社の製品名である)。
【0016】
各研磨ステーション25a〜25cには更に、関連するパッド調整装置40がある。各パッド調整装置40には、独立して回転する調整ヘッド44と付随の洗浄ボール(basin)46とを保持する回転可能なアーム42がある。調整装置40は、研磨パッドの回転中に研磨パッドに押圧された任意の基板を研磨パッドが効果的に研磨するように研磨パッドの状態を保つ。
【0017】
スラリ50は、反応剤(例えば、酸化物を研磨するようイオンを除去された水)、研磨粒子(例えば、酸化物を研磨する二酸化ケイ素)、化学的に反応する触媒(例えば、酸化物を研磨する水酸化カリウム)を含み、スラリ供給管52により研磨パッド32の表面に供給される。十分なスラリ50が研磨パッド32全体を覆い湿らすよう供給される。隣接する研磨ステーション25a、25b、25cの間に2つ以上の中間洗浄ステーション55a、55bが配置される。洗浄ステーション55a、55bは、基板10が1つの研磨ステーションから別の研磨ステーションへと移る際に基板10をすすぐ。
【0018】
回転可能なマルチヘッドのカルーセル60が下部機械ベース22の上に配置されている。カルーセル60は、センターポスト62により支持され、ベース22内部に配置されたカルーセルモータアセンブリ(図示せず)によりセンターポスト62の上でカルーセル軸64を中心に回転される。センターポスト62はカルーセル支持プレート66とカバー68とを支持する。
【0019】
マルチヘッドのカルーセル60には、4つのキャリアヘッドシステム70a、70b、70c、70dがある。キャリアヘッドシステムのうち3つは、基板を受け取り保持し、研磨ステーション25a〜25cのプラテン30上の研磨パッド32に基板を押圧することで基板を研磨する。キャリアヘッドシステムの1つは、移送用ステーション27から基板を受け取りかつ移送用ステーション27へと基板を送出する。4つのキャリアヘッドシステム70a〜70dはカルーセル軸64を中心に同一の角度間隔でカルーセル支持プレート66に取り付けられている。センターポスト62により、カルーセルモータがカルーセル支持プレート66を回転することができ、キャリアヘッドシステム70a〜70d及びこれらに取り付けられた基板がカルーセル軸64を中心に回ることが可能になる。
【0020】
キャリアヘッドシステム70a〜70dには、研磨ヘッド即ちキャリアヘッド100がある。各キャリアヘッド100は独立して自身の軸を中心に回転し、カルーセル支持プレート66に形成された径方向スロット72で独立して水平方向に振動する。キャリア駆動シャフト74がキャリアヘッド回転モータ76をキャリアヘッド100に接続する(カバー68の4分の1を取り除いて示されている)。従って各ヘッド100には1つのキャリア駆動シャフト74と1つのモータ76とがある。
【0021】
ここで図2を参照すると、本発明の実施形態に従う、上部ハウジング68を取り除かれたカルーセル60の略平面図が示されている。図2に示すように、カルーセル支持プレート66は4つのキャリアヘッドシステム70a〜70dを支持する。カルーセル支持プレート66には4つの径方向スロット72があり、径方向スロット72は一般に径方向に広がり90度離れて配置されている。4つの径方向スロット72は端が閉じていたり(図示せず)開いていたりする。支持プレート66の上部はスロットのある4つのキャリアヘッド支持スライド80を支持する。各スライド80は、径方向スロット72の1つと一列に並び、カルーセル支持プレート66に対し径方向の通路に沿って自由に移動する。各スライド80を支持するべく2つのリニアベアリングアセンブリが各径方向スロット72をまとめる。
【0022】
図2及び図3に示すように、各リニアベアリングアセンブリには、カルーセル支持プレート66に固定されたレール82と、レール82を握るようスライド80に固定された2つのハンド83(図3には1つのみ描かれている)とがある。2つのベアリング84が、ハンド83とレール82が互いに自由に滑らかに移動するよう各ハンド83をレール82から分離する。従って、リニアベアリングアセンブリにより、スライド80は径方向スロット72に沿って自由に移動可能になる。
【0023】
レール82のうち1つの外側の端に固定されたベアリングストップ85は、スライド80がレールの端から誤って外れるのを防止する。各スライド80のアームの1つには、図示しないがねじが切ってある受け取りキャビティ又はナットがあり、ナットの末端部に近接するスライドに固定されている。ねじ切りキャビティ又はナットは、カルーセル支持プレート66に取り付けられたスライドラジアル発振モータ87により駆動されるウォームギア親ねじ86を受ける。モータ87が親ねじ86を回すと、スライド80は径方向に移動する。4つのモータ87は、カルーセル支持プレート66の径方向スロット72に沿って4つのスライドを別個に移動させるよう別個に操作可能である。
【0024】
キャリアヘッドアセンブリ又はシステムは、キャリアヘッド100と、キャリア駆動シャフト74と、キャリアモータ76と、取り囲んでいる回転しないシャフトハウジング78とを各々有し、4つのスライドの各々に固定される。駆動シャフトハウジング78は、下部リングベアリング88のセットと上部リングベアリング89のセットが対になって駆動シャフト74を保持する。
【0025】
駆動モータ76の上にある回転カップリング90が、3つ以上の流体ライン92a、92b、92cを3つ以上のチャネル94a、94b、94cに駆動シャフト74でそれぞれ連結する。3つの真空源又は圧力源、例えばポンプ、ベンチュリ管、圧力調整器(以下、まとめて簡潔に「ポンプ」と呼ぶ)93a、93b、93cが、流体ライン92a、92b、92cにそれぞれ接続される場合がある。3つの圧力センサ即ち圧力ゲージ96a、96b、96cも、流体ライン92a、92b、92cにそれぞれ接続される場合がある。制御可能なバルブ98a、98b、98cが、圧力ゲージ96a、96b、96cとポンプ93a、93b、93cの間に流体ラインを横切って、それぞれ接続される場合がある。ポンプ93a〜93c、圧力ゲージ96a〜96c、バルブ98a〜98cは、汎用デジタルコンピュータ99に適切に接続されるであろう。以下に詳細に説明するように、空気圧によってキャリアヘッド100に動力を供給しキャリアヘッド100の底面に基板を真空チャックする為に、コンピュータ99がポンプ93a〜93cを操作する場合がある。加えて、コンピュータ99は、キャリアヘッドの基板の存在を検出する為に、バルブ98a〜98cを操作し圧力ゲージ96a〜96cを監視する場合もある。
【0026】
実際の研磨の間は、3つのキャリアヘッド、例えばキャリアヘッドシステム70a〜70cのキャリアヘッドは、それぞれの研磨ステーション25a〜25c上に配置される。キャリアヘッド100は基板10を下降させて研磨パッド32に接触させ、スラリ50は基板すなわちウェハの化学機械研磨の媒体として働く。
【0027】
基板10は一般に複数の研磨ステップを受け、上記ステップには主要研磨ステップや最終研磨ステップが含まれる。主要研磨ステップについては、通常ステーション25aで行われ、キャリアヘッド100は1インチ平方当たりおよそ4から10ポンド(psi)の力を基板10に加える。続くステーションでは、キャリアヘッド100は基板10に大きい力を加えたり小さい力を加えたりする。例えば、最終研磨ステップについては、通常ステーション25cで行われ、キャリアヘッド100は約3psiの力を基板10に加える。キャリアモータ76はキャリアヘッド100を1分当たり30回から200回程度回転させる。プラテン30及びキャリアヘッド100も実質的に同一の速度で回転するであろう。
【0028】
一般にキャリアヘッド100は、基板10を研磨パッド32に向けて保持し、基板10の裏面全体に力を均一に分布させる。キャリアヘッド100は更に、トルクを駆動シャフトから基板10へ移動させ、研磨中に基板10がキャリアヘッド100の下から絶対に外れないようにする。
【0029】
ここで図4を参照すると、本発明の実施形態に従うキャリアヘッド100の透視側面図が示されている。キャリアヘッド100には、ハウジング102と、着脱可能なプレート105と、ベース104と、ジンバル機構106と、ローディング機構108と、止め輪110と、基板裏当てアセンブリ112とがある。同様のキャリアヘッドのより詳細な説明は、米国特許5,957,751号にあり、上記特許の全開示は参考形式で本願に組み込まれる。
【0030】
ハウジング102は、駆動シャフト74と共に回転軸107を中心に回転するよう駆動シャフト74に接続され、回転の軸107は研磨パッド32の表面に実質的に直角である。ハウジング102は、研磨される基板10の円形の構成に一致するよう一般に円形である。ハウジング102には環状のハウジングプレート120がある。着脱可能なプレート105は、キャリアヘッド100の慣性を高めることで研磨に関連する振動を低減するようハウジングプレート120の上部に取り付けられている。着脱可能なプレート105の本体は一般に環状である。着脱可能なプレート105の重量はキャリアヘッド100又は基板10により変化するであろう。ある実施形態では、着脱可能なプレート105は約25ポンドの重さである。着脱可能なプレート105により重量が付加されることで、ヘッド/プラテン回転速度、下降する力、スラリ流量等の重要な研磨パラメータの処理操作範囲が広くなる。
【0031】
着脱可能なプレート105はリフティング装置の補助なしで容易に取り外せる。ある実施形態では、ハウジングプレート120の上面は、着脱可能なプレート105の底面の形状に一致するよう形作られる。即ち、ハウジングプレート120は着脱可能なプレート105を受けるべく構成された上面に溝121(図5に示す)を定める。他の実施形態では、着脱可能なプレート105を設置する為にハウジングプレート120の上面に3つの高い箇所が定められている。締結手段を受ける為に着脱可能なプレート105の上面には2つの孔123が定められている。着脱可能なプレート105はハウジングプレート120にボルトなどの種々の締結手段で取り付け可能である。着脱可能なプレート105は、重量のある任意の材料、例えばステンレス鋼やタングステンで形成される場合もある。一方、着脱可能なプレート105は、金属同士の接触を防ぎ、スラリの粘着を避け、高い表面潤滑性を持たせる為に、Halar(登録商標)などの高分子型の材料で覆われている場合もある。着脱可能なプレート105の透視平面図が図5に示されている。
【0032】
図4を再度参照すると、ハウジング102には更に、一般に円柱状のハウジングハブ122があり、上部ハブ部分124及び下部ハブ部分126を定める。ハウジングプレート120は下部ハブ部分126を囲む。ハウジングプレート120とハウジングハブ122は共にステンレス鋼やアルミニウムで形成されている。
【0033】
ベース104の本体は一般に環状で、ハウジング102の下、特にハウジングプレート120の下に配置されている。ベース104は、アルミニウムや、ステンレス鋼や、繊維強化プラスチックなどの硬質な材料から形成されてよい。
【0034】
ジンバル機構106により、ベース104が研磨パッド32の表面に実質上並行であり続けるようベース104がハウジング102に対し移動することが可能になる。特に、ジンバル機構106により、ベース104がハウジング102に対し垂直に、即ち回転の軸107に沿って移動し、旋回、即ち研磨パッド32の表面に並行な軸を中心に回転することが可能になる。一方、ジンバル機構106はベース104がハウジング102に対し水平に、即ち研磨パッド32に並行な軸に沿って移動することを防ぐ。ジンバル機構106はアンロードされている、即ち、ハウジング102からジンバル機構106を介しベース104へと下向きの圧力がかけられている。一方、ジンバル機構106は任意の側面の負荷、例えば、基板10と研磨パッド32との間の摩擦により生成されたせん断力をハウジング102へと移すことができる。
【0035】
ジンバル機構106には、ジンバルロッド180とリング182があり、上部ジンバルリング部183と下部ジンバルリング部181とを定める。上部ジンバルリング部183はハウジングプレート120と下部ジンバルリング部181とに取り付けられている。ジンバルロッド180と下部ジンバルリング部181は、ステンレス鋼やアルミニウムなどの硬質な材料で形成されるであろう。他方、上部ジンバルリング部183はプラスチック即ち繊維強化プラスチックなどの軽い材料で形成されるであろう。一方、上部ジンバルリング部183は、デラウェア州ウィルミントンのDupon社から発売されているDELRIN(登録商標)などの硬い材料や、G10などのガラス繊維とエポキシ樹脂の積層で形成されてもよい。ある実施形態の上部ジンバルリング部183は、CMPシステムが共振周波数に達した際に生成されるエネルギーを低減する材料から成る。ジンバル機構106には更に、上部ジンバルリング部183と下部ジンバルリング部181の間に緩衝リング184(図6に示す)が配置されている。緩衝リング184は研磨処理中に引き起こされた高周波の振動を減衰させるよう構成されている。ある実施形態では、緩衝リング184はゴムのガスケットである。本発明の実施形態に従うジンバル機構106の透視分解組立図が図6に示される。別の態様では、ジンバルロッド180と下部ハブ部126の間を密封する為に、下部ハブ部126のくぼみにOリング198がはめ込まれる場合がある。
【0036】
ローディング機構108は、ベース104に負荷すなわち下向きの圧力を加える為にハウジング102とベース104の間に配置される。この点に関しては、ハウジング102に相対的なベース104の垂直位置はローディング機構108に制御される。図4に示すとおり、ローディング機構108には、ハウジング102とジンバル106との間に配置されたチャンバ200がある。
【0037】
下部ハブ部126をハウジングプレート120に密封してチャンバ200が形成される。チャンバ200は、当業者には既知の様々な手段で密封されてよい。チャンバ200は、流体ライン92aを介してポンプ93a(図3参照)と、回転カップリング90と、駆動シャフト74のチャネル94aと、ハウジング102の通路(図示せず)とに接続されている場合がある。ベース104にかけられる負荷を制御するべく空気などの流体やガスがポンプでチャンバ200へと出し入れされる。ポンプ93aが流体をチャンバ200へと入れると、チャンバ200の体積は増大し、ベース104は下方へ押し下げられる。一方、ポンプ93aが流体をチャンバ200から出すと、チャンバ200の体積は減少し、ベース104は上方へ押し上げられる。
【0038】
止め輪110はベース104の外側の端に固定されている。止め輪110は一般に環状で底面は実質的に平らである。流体がチャンバ200へと入れられベース104が下方へ押し下げられると、研磨パッド32に負荷をかけるべく止め輪110も下方へ押し下げられる。止め輪110の内部表面232が、柔軟なメンブレン118の取り付け面274と共に、基板受け用くぼみ234を定める。止め輪110は、基板10が受け用くぼみ234から外れないようにし、基板10からベース104へと水平な負荷を転送する。止め輪110は硬いプラスチック又はセラミック材料から形成される。ある実施形態では、止め輪110は、例えばボルト240(上記断面図には1つのみ示す)でベース104に固定されている場合がある。
【0039】
基板裏当てアセンブリ112はベース104の下方に位置している。基板裏当てアセンブリ112には、支持構造114と、柔軟なメンブレン118とがある。柔軟なメンブレン118は、基板10の取り付け面274を供給するべく支持構造114に接続され支持構造114の下に広がっている。
【0040】
支持構造114には支持プレート250があり、一般に円盤型の硬い部材である。支持プレート250には、一般に平らな下面256と、支持プレート250を通って垂直に広がる複数のアパーチャ260とがあり、支持プレート250は下面256を上面254に接続する。支持プレート250はアルミニウムやステンレス鋼で形成され得る。
【0041】
上述したように、柔軟なメンブレン118の下面は基板10の取り付け面274を供給する。研磨中、基板10は裏面が取り付け面274に向けて位置づけられた状態で基板受け用くぼみ234に配置される。ある実施形態の柔軟なメンブレン118は、強度の高いシリコーンゴムなどの柔軟で弾性のある材料から形成される円形のシートである。柔軟なメンブレン118には、溝262に嵌め込まれた突出する外部端270がある。柔軟なメンブレン118の端はベース104とハウジングプレート120との間で締め付けられる。基板の存在を検出する為に小さいアパーチャ又は複数のアパーチャがメンブレン118のほぼ中心に形成される。アパーチャは直径およそ1から10ミリメートルである。
【0042】
柔軟なメンブレン118は、基板10の端に近接したメンブレン118の部分が変形することなく研磨パッド32を傾斜させるよう調節されるであろう。その結果、研磨パッド32がキャリアヘッド100に対し傾斜されても基板10への負荷は依然として均一となる。基板10の裏面に合うよう柔軟なメンブレン118が変形される場合もある。例えば、基板10が歪んでいる場合、柔軟なメンブレン118は歪んだ基板10の輪郭に事実上一致する。従って、基板10の裏面の表面に不均一性があっても基板10への負荷は依然として均一である。
【0043】
上述したことは本発明の実施形態に向けられているが、本発明の他の実施形態及び更なる実施形態が、本発明の基本的な範囲からそれることなく考案され、本発明の範囲は以下に続く特許請求の範囲により決定される。
【図面の簡単な説明】
本発明の実施形態で説明される方法が達成され細部にわたり理解されるよう、以上には簡潔に要約されていたが、添付の図面に図示された本発明の実施形態を参照して本発明に特定の説明がなされる。
しかし注意すべきは、添付の図面が一般的な本発明の実施形態を示すのみであり、従って、本発明が他の同等に効果的な実施形態を認めるよう、本発明の範囲を限定するとみなすべきでない点である。
【図1】本発明の実施形態に従う化学機械研磨装置の分解組立斜視図である。
【図2】本発明の実施形態に従う、上部ハウジングを取り除かれたカルーセルの概略平面図である。
【図3】本発明の実施形態に従う、図2のカルーセルの線3−3に沿った部分的な断面図とCMP装置で使用される圧力調整器の部分的な概略図である。
【図4】本発明の実施形態に従う、着脱可能なプレートとジンバル機構とを備えるキャリアヘッドの側方からの斜視図である。
【図5】本発明の実施形態に従う着脱可能なプレートの上方からの分解斜視図である。
【図6】本発明の実施形態に従うジンバル機構の透視分解組立図である。
【符号の説明】
100 キャリアヘッド
102 ハウジング
104 ベース
105 着脱可能なプレート
106 ジンバル機構
108 ローディング機構
118 柔軟なメンブレン
180 ジンバルロッド
182 リング
183 上部ジンバルリング部
181 下部ジンバルリング部
Claims (16)
- 基板を研磨面に配置するキャリアヘッドであって、
共に回転するよう駆動シャフトに接続可能なハウジングと、
ベースと、
取り外せるよう上記ハウジングに取り付けられた着脱可能なプレートであって、上記キャリアヘッドの慣性を高めることにより研磨に伴う振動を低減させる為の重量を付加する、上記着脱可能なプレートと、
上記ベースが上記研磨面に実質的に平行であり続ける為に上記ベースが上記ハウジングに対し移動できるよう上記ハウジングを上記ベースに接続するジンバル機構であって、上記基板の研磨中に発生した振動を減衰させるよう構成されている緩衝リングを含む、上記ジンバル機構と、
基板の取り付け面を定める柔軟なメンブレンと、
を備える、キャリアヘッド。 - 上記着脱可能なプレートが手動で取り外せる、請求項1のキャリアヘッド。
- 上記ジンバル機構が、
上記ハウジングの垂直な通路に摺動可能に配置されるロッドと、
上記ロッドに一体化して接続されるリングであって、下部リング部と上部リング部とを定め、上記上部リング部は上記下部リング部よりも軽い材料で形成される、上記リングと、
を備え、上記緩衝リングは、上記下部リング部と上記上部リング部との間に配置される、請求項1のキャリアヘッド。 - 上記ジンバル機構が、
上記ハウジングの垂直な通路に摺動可能に配置されるロッドと、
上記ロッドに一体化して接続されるリングと、下部リング部と上部リング部とを定める、上記リングと、
上記下部リング部と上記上部リング部との間に配置される緩衝リングと、
を備え、上記緩衝リングは、上記下部リング部と上記上部リング部との間に配置される、請求項1のキャリアヘッド。 - 上記ベースに下向きの圧力が加わるよう上記ハウジングを上記ベースに接続するローディング機構を更に備える、請求項1のキャリアヘッド。
- 上記ベースに接続される緩衝リングを更に備え、上記柔軟なメンブレンを囲む、請求項1のキャリアヘッド。
- 基板を研磨面に配置するキャリアヘッドであって、
共に回転するよう駆動シャフトに接続可能なハウジングと、
ベースと、
基板の取り付け面を定める柔軟なメンブレンと、
上記ベースが上記研磨面に実質的に平行であり続ける為に上記ベースが上記ハウジングに対し移動できるよう上記ハウジングを上記ベースに接続するジンバル機構であって、
上記ハウジングの垂直な通路に摺動可能に配置されるロッド、
上記ロッドに一体化して接続されるリングであって、下部リング部と上部リング部とを定め、上記上部リング部は上記下部リング部よりも軽い材料で形成される、上記リング、
上記下部リング部と上記上部リング部との間に配置される、緩衝リングであって、研磨中に誘発される250Hzより高く20kHzより低い周波数に伴う振動を減衰するように構成された上記緩衝リング、
を備える上記ジンバル機構と、
を備える、キャリアヘッド。 - 取り外せるよう上記ハウジングに取り付けられた着脱可能なプレートを更に備える、請求項7のキャリアヘッド。
- 化学機械研磨装置用キャリアヘッドであって、
共に回転するよう駆動シャフトに接続可能なハウジングと、
上記ハウジングに相対的にベースが垂直に移動できるよう上記ハウジングを上記ベースに接続するジンバル機構であって、
上記ハウジングの垂直な通路に摺動可能に配置されるロッド、
上記ロッドに一体化して接続されるリングであって、下部リング部と上部リング部とを含む、上記リング、
上記下部リング部と上記上部リング部との間に配置される、緩衝リングであって、基板の研磨中に発生した高周波振動を減衰させるよう構成されている緩衝リング、
を含む、上記ジンバル機構と、
取り外せるよう上記ハウジングに取り付けられた着脱可能なプレートであって、上記キャリアヘッドの慣性を高めることにより研磨に伴う振動を低減させる為の重量を付加する、上記着脱可能なプレートと、
を備える、キャリアヘッド。 - 上記着脱可能なプレートが手動で取り外せる、請求項9のキャリアヘッド。
- 上記上部リング部は上記下部リング部よりも軽い材料で形成され、上記上部リング部の材料は、研磨システムが共振周波数に達するときに生成されるエネルギを低減させる、
請求項9のキャリアヘッド。 - 化学機械研磨装置用キャリアヘッドであって、
共に回転するよう駆動シャフトに接続可能なハウジングと、
ベースと、
上記ベースが上記ハウジングに対して垂直に移動できるよう上記ハウジングを上記ベースに接続するジンバル機構であって、
上記ハウジングの垂直な通路に摺動可能に配置されるロッド、
上記ロッドに一体化して接続されるリングであって、下部リング部と上部リング部とを備え、上記上部リング部は上記下部リング部よりも軽い材料で形成される、上記リング、
上記下部リング部と上記上部リング部との間に置かれる、緩衝リング、
を備える、上記ジンバル機構と、
上記ベースに接続される柔軟なメンブレンであって、基板の取り付け面を定める、上記メンブレンと、
を備える、キャリアヘッド。 - 上記緩衝リングが、上記基板の研磨中に発生した250Hzより高く20kHzより低い周波数の振動を減衰させるよう構成されている、請求項12のキャリアヘッド。
- 取り外せるよう上記ハウジングに取り付けられた着脱可能なプレートを更に備え、上記取り外せるプレートは、上記キャリアヘッドの慣性を高めることにより研磨に伴う振動を低減させる為の重量を付加する、請求項13のキャリアヘッド。
- 上記緩衝リングは、ゴム製ガスケットである、請求項5に記載のキャリアヘッド。
- 上記緩衝リングは、ゴム製ガスケットである、請求項10に記載のキャリアヘッド。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/102,083 US6739958B2 (en) | 2002-03-19 | 2002-03-19 | Carrier head with a vibration reduction feature for a chemical mechanical polishing system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004040079A JP2004040079A (ja) | 2004-02-05 |
JP4666300B2 true JP4666300B2 (ja) | 2011-04-06 |
Family
ID=28040125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003076041A Expired - Fee Related JP4666300B2 (ja) | 2002-03-19 | 2003-03-19 | 化学機械研磨システムの振動低減機能付キャリアヘッド |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6739958B2 (ja) |
JP (1) | JP4666300B2 (ja) |
TW (1) | TWI292729B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101455940B1 (ko) * | 2013-07-22 | 2014-10-28 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마장치 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050181711A1 (en) * | 2004-02-12 | 2005-08-18 | Alexander Starikov | Substrate confinement apparatus and method |
US7033252B2 (en) * | 2004-03-05 | 2006-04-25 | Strasbaugh | Wafer carrier with pressurized membrane and retaining ring actuator |
JP4374370B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2009-12-02 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
JP2010153585A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Ebara Corp | 基板保持具および基板保持方法 |
TW201029807A (en) * | 2009-02-06 | 2010-08-16 | Inotera Memories Inc | A pressure control system for a wafer polish machine |
US8493689B2 (en) * | 2009-06-15 | 2013-07-23 | Seagate Technology Llc | Protective layer on gimbal for scratch mitigation |
JP2011047515A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-03-10 | Canon Anelva Corp | 駆動装置及び真空処理装置 |
WO2013134075A1 (en) | 2012-03-08 | 2013-09-12 | Applied Materials, Inc. | Detecting membrane breakage in a carrier head |
KR101206911B1 (ko) | 2012-08-20 | 2012-11-30 | 주식회사 티에스시 | 연마패드컨디셔닝장치 |
TWI583491B (zh) * | 2015-11-03 | 2017-05-21 | 財團法人工業技術研究院 | 振動輔助拋光模組 |
JP6927560B2 (ja) * | 2017-01-10 | 2021-09-01 | 不二越機械工業株式会社 | ワーク研磨ヘッド |
CN110712129B (zh) * | 2019-11-13 | 2024-06-18 | 核工业理化工程研究院 | 机械振动抛光试样的辅助夹具 |
US11794314B2 (en) | 2021-08-30 | 2023-10-24 | Kla Corporation | Quick swap chuck with vacuum holding interchangeable top plate |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS615525A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-11 | Hitachi Ltd | 表面処理装置 |
JPH07299738A (ja) * | 1994-05-11 | 1995-11-14 | Mitsubishi Materials Corp | ウエハ研磨装置 |
JPH07299740A (ja) * | 1994-05-11 | 1995-11-14 | Mitsubishi Materials Corp | ウエハ研磨ヘッドおよびウエハ研磨装置 |
JPH09168968A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-06-30 | Applied Materials Inc | ケミカルメカニカルポリシング装置のキャリアヘッドのデザイン |
JPH10180627A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-07-07 | Applied Materials Inc | 化学的機械研磨システムのための可撓膜を有する支持ヘッド |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3833230A (en) | 1973-09-13 | 1974-09-03 | Corning Glass Works | Vacuum chuck |
US4217766A (en) | 1978-08-31 | 1980-08-19 | Caterpillar Tractor Co. | Shaft vibration damper |
US4519168A (en) | 1979-09-18 | 1985-05-28 | Speedfam Corporation | Liquid waxless fixturing of microsize wafers |
US4373991A (en) | 1982-01-28 | 1983-02-15 | Western Electric Company, Inc. | Methods and apparatus for polishing a semiconductor wafer |
FR2558095B1 (fr) | 1984-03-14 | 1988-04-08 | Ribard Pierre | Perfectionnements apportes aux tetes de travail des machines de polissage et analogues |
JPS62145830A (ja) | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Toshiba Corp | チヤツク装置 |
JPH079896B2 (ja) | 1988-10-06 | 1995-02-01 | 信越半導体株式会社 | 研磨装置 |
US4954142A (en) | 1989-03-07 | 1990-09-04 | International Business Machines Corporation | Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor |
JP2527232B2 (ja) | 1989-03-16 | 1996-08-21 | 株式会社日立製作所 | 研磨装置 |
US5230184A (en) | 1991-07-05 | 1993-07-27 | Motorola, Inc. | Distributed polishing head |
US5205082A (en) | 1991-12-20 | 1993-04-27 | Cybeq Systems, Inc. | Wafer polisher head having floating retainer ring |
JPH0783709B2 (ja) | 1992-03-02 | 1995-09-13 | 国税庁長官 | 酵母による異種タンパク質の発現及び生産量増大培養法 |
JP3370112B2 (ja) | 1992-10-12 | 2003-01-27 | 不二越機械工業株式会社 | ウエハーの研磨装置 |
US5635083A (en) | 1993-08-06 | 1997-06-03 | Intel Corporation | Method and apparatus for chemical-mechanical polishing using pneumatic pressure applied to the backside of a substrate |
US5443416A (en) | 1993-09-09 | 1995-08-22 | Cybeq Systems Incorporated | Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus |
US5584746A (en) | 1993-10-18 | 1996-12-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of polishing semiconductor wafers and apparatus therefor |
JP3311116B2 (ja) | 1993-10-28 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
US5624299A (en) | 1993-12-27 | 1997-04-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use |
US5449316A (en) | 1994-01-05 | 1995-09-12 | Strasbaugh; Alan | Wafer carrier for film planarization |
US5423716A (en) | 1994-01-05 | 1995-06-13 | Strasbaugh; Alan | Wafer-handling apparatus having a resilient membrane which holds wafer when a vacuum is applied |
JPH07241764A (ja) | 1994-03-04 | 1995-09-19 | Fujitsu Ltd | 研磨装置と研磨方法 |
US5423558A (en) | 1994-03-24 | 1995-06-13 | Ipec/Westech Systems, Inc. | Semiconductor wafer carrier and method |
JPH07328915A (ja) | 1994-06-03 | 1995-12-19 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP3158934B2 (ja) | 1995-02-28 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
US5908530A (en) | 1995-05-18 | 1999-06-01 | Obsidian, Inc. | Apparatus for chemical mechanical polishing |
US5795215A (en) | 1995-06-09 | 1998-08-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for using a retaining ring to control the edge effect |
US6024630A (en) | 1995-06-09 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Fluid-pressure regulated wafer polishing head |
JP3678468B2 (ja) | 1995-07-18 | 2005-08-03 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
US5643061A (en) | 1995-07-20 | 1997-07-01 | Integrated Process Equipment Corporation | Pneumatic polishing head for CMP apparatus |
US5695392A (en) | 1995-08-09 | 1997-12-09 | Speedfam Corporation | Polishing device with improved handling of fluid polishing media |
US5738574A (en) | 1995-10-27 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Continuous processing system for chemical mechanical polishing |
JP3129172B2 (ja) | 1995-11-14 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | 研磨装置及び研磨方法 |
KR100485002B1 (ko) | 1996-02-16 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 작업물폴리싱장치및방법 |
DE19632786A1 (de) | 1996-08-15 | 1998-02-19 | Schenck Rotec Gmbh | Lagereinrichtung |
US5738568A (en) | 1996-10-04 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Flexible tilted wafer carrier |
US6036587A (en) * | 1996-10-10 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system |
US5791978A (en) * | 1996-11-14 | 1998-08-11 | Speedfam Corporation | Bearing assembly for wafer planarization carrier |
US5851140A (en) | 1997-02-13 | 1998-12-22 | Integrated Process Equipment Corp. | Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate |
US6244946B1 (en) * | 1997-04-08 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Polishing head with removable subcarrier |
US5957751A (en) | 1997-05-23 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system |
US5916015A (en) | 1997-07-25 | 1999-06-29 | Speedfam Corporation | Wafer carrier for semiconductor wafer polishing machine |
US5899798A (en) | 1997-07-25 | 1999-05-04 | Obsidian Inc. | Low profile, low hysteresis force feedback gimbal system for chemical mechanical polishing |
US6044818A (en) | 1998-08-26 | 2000-04-04 | Almarv Llc | Vibration dampener for internal combustion engines |
US6080050A (en) | 1997-12-31 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus |
US5993302A (en) | 1997-12-31 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a removable retaining ring for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6102777A (en) | 1998-03-06 | 2000-08-15 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen |
JP3618541B2 (ja) | 1998-03-23 | 2005-02-09 | 信越半導体株式会社 | 研磨布、研磨布処理方法及び研磨方法 |
US6196904B1 (en) | 1998-03-25 | 2001-03-06 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
US6251215B1 (en) | 1998-06-03 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing |
US6277014B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for chemical mechanical polishing |
US6156124A (en) | 1999-06-18 | 2000-12-05 | Applied Materials, Inc. | Wafer transfer station for a chemical mechanical polisher |
-
2002
- 2002-03-19 US US10/102,083 patent/US6739958B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-03-19 TW TW092106105A patent/TWI292729B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-03-19 JP JP2003076041A patent/JP4666300B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS615525A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-11 | Hitachi Ltd | 表面処理装置 |
JPH07299738A (ja) * | 1994-05-11 | 1995-11-14 | Mitsubishi Materials Corp | ウエハ研磨装置 |
JPH07299740A (ja) * | 1994-05-11 | 1995-11-14 | Mitsubishi Materials Corp | ウエハ研磨ヘッドおよびウエハ研磨装置 |
JPH09168968A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-06-30 | Applied Materials Inc | ケミカルメカニカルポリシング装置のキャリアヘッドのデザイン |
JPH10180627A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-07-07 | Applied Materials Inc | 化学的機械研磨システムのための可撓膜を有する支持ヘッド |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101455940B1 (ko) * | 2013-07-22 | 2014-10-28 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI292729B (en) | 2008-01-21 |
US20030181151A1 (en) | 2003-09-25 |
US6739958B2 (en) | 2004-05-25 |
JP2004040079A (ja) | 2004-02-05 |
TW200305481A (en) | 2003-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3431599B2 (ja) | 化学的機械的研磨用の多層の止め輪を有するキャリア・ヘッド | |
JP4422325B2 (ja) | 化学的機械研磨装置のための局部圧力制御装置を有するキャリヤヘッド | |
US5964653A (en) | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system | |
US6036587A (en) | Carrier head with layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system | |
US6406361B1 (en) | Carrier head for chemical mechanical polishing | |
US6277014B1 (en) | Carrier head with a flexible membrane for chemical mechanical polishing | |
US6159079A (en) | Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate | |
JP5216542B2 (ja) | 化学機械研磨ヘッド用保持リング | |
JP4666300B2 (ja) | 化学機械研磨システムの振動低減機能付キャリアヘッド | |
US6431968B1 (en) | Carrier head with a compressible film | |
US6244942B1 (en) | Carrier head with a flexible membrane and adjustable edge pressure | |
US6358121B1 (en) | Carrier head with a flexible membrane and an edge load ring | |
US6569771B2 (en) | Carrier head for chemical mechanical polishing | |
EP0835723A1 (en) | A carrier head with a layer of conformable material for a chemical mechanical polishing system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060320 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090324 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100309 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101130 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110104 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4666300 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |