JP4665812B2 - 無電極放電灯点灯装置およびそれを用いた照明器具 - Google Patents

Description

本発明は、高周波電力を無電極放電灯に近接配置された誘導コイルに供給する無電極放電灯点灯装置およびそれを用いた照明器具に関するものである。

従来から、無電極放電灯点灯装置（以下、点灯装置と略称する）として、金属蒸気と不活性ガスとの混合気体である放電ガス（たとえば水銀および希ガス）を封入したバルブからなる無電極放電灯に近接された誘導コイルに対し、数十ｋＨｚから数百ＭＨｚの高周波電流を流し、バルブ内の放電ガスに高周波電磁界を作用させて無電極放電灯を点灯させるように構成されたものが提供されている。

この種の点灯装置は、直流電力を高周波電力にして誘導コイルに供給する電力変換回路を実装基板に備えており、電力変換回路には１個のインダクタを含む共振回路が設けられている（たとえば特許文献１参照）。

ところで、インダクタで生じる磁束密度が当該インダクタのコアにおける飽和磁束密度に達すると、コアが磁気飽和を起こしてインダクタのインダクタンス値が低下することになる。共振回路を構成するインダクタのインダクタンス値が低下すると、点灯装置の動作異常や、回路部品の破損に至ることもある。そこで、共振回路のインダクタの設計時には、コアの磁気飽和が生じないように、コアの飽和磁束密度を当該インダクタで生じ得る磁束密度よりも高く設定している。
特開２００５−１５８４６４号公報（第３頁）

しかし、無電極放電灯の始動時には誘導コイルに流すランプ電流が大きくなるので、共振回路のインダクタに流れる電流も大きくなり、インダクタに流れる電流が定常点灯時の５倍以上になる場合もある。そして、インダクタに大きな電流が流れると、インダクタの銅損によりインダクタの温度が上昇することになる。

一方、コアの飽和磁束密度はコアの温度に依存しており、コアの温度が高くなるほどコアの飽和磁束密度が低下する。すなわち、無電極放電灯の始動時には、インダクタの温度上昇によってコアの飽和磁束密度が低下し、コアの磁気飽和が起こりやすくなる。したがって、共振回路のインダクタについて、たとえば室温での飽和磁束密度が当該インダクタで生じ得る磁束密度よりも高く設定されていたとしても、無電極放電灯の始動時には、温度上昇によってコアの飽和磁束密度が低下し、コアの磁気飽和が起こってしまう可能性がある。

本発明は上記事由に鑑みて為されたものであって、共振回路のインダクタにおいて温度上昇による飽和磁束密度の低下に起因してコアが磁気飽和することを防止できる無電極放電灯点灯装置およびそれを用いた照明器具を提供することを目的とする。

請求項１の発明では、インダクタを含む共振回路を具備し直流電力を高周波電力に変換して無電極放電灯に近接配置された誘導コイルに供給する電力変換回路と、前記電力変換回路が実装された実装基板を収納する金属ケースとを備え、前記インダクタは、複数個設けられており、互いに並列に接続されて前記実装基板上で近接配置されるとともに、１個のインダクタが前記実装基板における前記金属ケースの一内側面寄りの端部であって、巻線で発生した熱が他部品で遮られることなく前記金属ケースに伝達される位置に配置され、残りのインダクタが前記１個のインダクタに比べて前記金属ケースの前記一内側面から離れて配置されていることを特徴とする。

この構成によれば、共振回路において複数個のインダクタを並列に接続することにより、誘導コイルに流すランプ電流が分流されて各インダクタに流れることになるので、各インダクタに流れる電流はランプ電流よりも小さくなり、各インダクタにおける銅損による温度上昇を抑制することができる。したがって、無電極放電灯の始動時であっても、インダクタの温度上昇によるコアの飽和磁束密度の低下を抑制することができ、コアの磁気飽和を防止することができる。さらに、１個のインダクタが金属ケースの一内側面に近接しているので、当該インダクタで発生した熱を金属ケースに逃がしやすくなり、当該インダクタの温度上昇をさらに抑制することができる。また、磁束が一部漏れているインダクタに金属ケースを近接させると当該インダクタの特性が変化するので、仮に全部のインダクタを金属ケースの一内側面に近接させると全部のインダクタの特性が変化してしまうことになる。これに対して、請求項１の構成では、１個のインダクタのみを金属ケースに一内側面に近接させているから、全部のインダクタを金属ケースの一内側面に近接させる構成に比べると、インダクタの特性変化を抑制することができる。なお、インダクタ間を接続する導体パターンは、高周波電流が流れて雑音発生源となり得るが、複数個のインダクタを互いに近接配置しているので当該導体パターンを極力短くすることができる。

請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記複数個のインダクタが、巻線の中心軸方向が互いに同じ向きとなるように配置され、かつ通電時に巻線の中心軸上において互いに同じ向きに磁束を生じるように接続されていることを特徴とする。

この構成によれば、複数個のインダクタは通電時に互いの磁束を打ち消し合うことがないので、通電時に互いの磁束を打ち消し合うことによる各インダクタの特性悪化を防止できる。

請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記複数個のインダクタが、それぞれの中心位置を前記実装基板に沿う面内において前記金属ケースの前記一内側面に沿う方向にずらして配置されていることを特徴とする。

この構成によれば、各インダクタにおいて他のインダクタとの対向面積が小さくなるので、各インダクタで発生した熱が、他のインダクタとの間にこもることなく放熱されやすくなる。また、インダクタ間の距離も大きくなるので、これによっても、各インダクタで発生した熱が他方のインダクタとの間にこもることなく放熱されやすくなる。

請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかの発明において、前記実装基板における前記金属ケースの前記一内側面寄りの端部に配置される前記インダクタが、巻線が一部露出する形で巻装されたコアを有し、金属ケースの前記一内側面に向けて巻線を露出させる向きに実装されることを特徴とする。

この構成によれば、実装基板における金属ケースの一内側面寄りの端部に配置されるインダクタは、金属ケースの一内側面に向けて巻線を露出させているので、巻線で発生した熱をコアに遮られることなく金属ケースに放熱することができ、放熱効率がよくなる。

請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかの発明において、前記複数個のインダクタが、いずれも巻線の巻き始めと巻き終りとに接続された一対のリード端子を前記金属ケースの一内側面寄りの端部に有することを特徴とする。

この構成によれば、インダクタ間を接続することにより高周波電流が流れて雑音発生源となり得る導体パターンを、実装基板における金属ケースの一内側面寄りの端部に形成することができる。したがって、点灯装置における他の回路部品を、インダクタと同じ実装基板上であっても、雑音発生源となり得る前記導体パターンから離れた位置に実装することができる。

請求項６の発明は、請求項１ないし請求項５のいずれかの発明において、前記複数個のインダクタが、いずれも同一特性かつ同一構造であることを特徴とする。

この構成によれば、複数個のインダクタが、いずれも同一特性かつ同一構造であるから、実装基板へのインダクタの実装時に、インダクタを区別する必要がなく、また、複数個のインダクタ間でインダクタが入れ替わった状態で実装されることにより不具合を生じるおそれもない。

請求項７の発明は、請求項１ないし請求項５のいずれかの発明において、前記実装基板における前記金属ケースの一内側面寄りの端部に配置される前記インダクタが、インダクタンス値と、体積と、無電極放電灯点灯時における他のインダクタの温度でのコアの飽和磁束密度とのうち少なくとも１つが前記他のインダクタよりも小さく設定されていることを特徴とする。

この構成によれば、金属ケースの一内側面に近いほうのインダクタのインダクタンス値を小さく設定することにより、金属ケースの一内側面から遠いほうのインダクタについても、流れる電流を低減して温度上昇を防止することができる。また、金属ケースの一内側面に近いほうのインダクタの体積を小さくすれば、実装基板上におけるインダクタの実装面積を小さく抑えることができる。さらにまた、無電極放電灯点灯時の前記他のインダクタの温度でのコアの飽和磁束密度を小さくする場合には、無電極放電灯点灯時のインダクタの動作温度での電力損失が比較的小さいコアを用いることができる。

請求項８の発明は、請求項１ないし請求項７のいずれかの無電極放電灯点灯装置と、放電ガスを封入したバルブからなる無電極放電灯と、無電極放電灯に近接配置された誘導コイルとを器具本体に備えていることを特徴とする。

この構成によれば、無電極放電灯の始動時であってもコアの飽和磁束密度の低下を抑制することができ、コアの磁気飽和を防止することができる照明器具を実現することが可能になる。

本発明は、共振回路において複数個のインダクタを並列に接続することにより、誘導コイルに流すランプ電流が分流されて各インダクタに流れることになるので、各インダクタに流れる電流はランプ電流よりも小さくなり、各インダクタにおける銅損による温度上昇を抑制することができる。したがって、無電極放電灯の始動時であっても、インダクタの温度上昇によるコアの飽和磁束密度の低下を抑制することができ、コアの磁気飽和を防止することができる。さらに、１個のインダクタが金属ケースの一内側面に近接しているので、当該インダクタで発生した熱を金属ケースに逃がしやすくなり、当該インダクタの温度上昇をさらに抑制することができる。また、磁束が一部漏れているインダクタに金属ケースを近接させると当該インダクタの特性が変化するので、仮に全部のインダクタを金属ケースの一内側面に近接させると全部のインダクタの特性が変化してしまうことになる。これに対して、請求項１の構成では、１個のインダクタのみを金属ケースに一内側面に近接させているから、全部のインダクタを金属ケースの一内側面に近接させる構成に比べると、インダクタの特性変化を抑制することができる。なお、インダクタ間を接続する導体パターンは、高周波電流が流れて雑音発生源となり得るが、複数個のインダクタを互いに近接配置しているので当該導体パターンを極力短くすることができる。

（実施形態１）
本実施形態の無電極放電灯点灯装置（以下、点灯装置と略称する）は、図２に示すように、交流電源ＡＣを電源として無電極放電灯６を点灯させる。この点灯装置は、交流電源ＡＣの電源電圧を整流するダイオードブリッジよりなる整流器１０、および整流器１０の出力を所望の大きさの直流電圧に変換するチョッパ回路を有した直流電源回路Ｅと、直流電源回路Ｅの出力を高周波出力に変換して無電極放電灯６に近接配置した誘導コイル５に与えることにより無電極放電灯６を点灯させる電力変換回路９とを備える。

直流電源回路Ｅは、整流器１０の出力端間にインダクタＬ１０とＭＯＳＦＥＴからなるスイッチング素子Ｑ６との直列回路がインダクタＬ１０を整流器１０の正極側にして接続され、スイッチング素子Ｑ６の両端間に、平滑コンデンサＣ１０とダイオードＤ１０との直列回路がダイオードＤ１０のアノードをスイッチング素子Ｑ６とインダクタＬ１０との接続点に接続する形で接続された構成を有し、平滑コンデンサＣ１０の両端間に出力電圧Ｖｄｃを出力する。さらに、スイッチング素子Ｑ６のオンオフを制御するチョッパ制御回路２が設けられる。

電力変換回路９は、ＭＯＳＦＥＴからなり直流電源回路Ｅの出力電圧Ｖｄｃが印加されるスイッチング要素Ｑ３およびスイッチング要素Ｑ４の直列回路と、スイッチング要素Ｑ３，Ｑ４を高周波で交互にオンオフする駆動回路１６とを備える。電力変換回路９は、スイッチング要素Ｑ３，Ｑ４を高周波で交互にオンオフすることによって誘導コイル５に高周波出力を与える。ここにおいて、電力変換回路９の出力側には、インダクタＬｓ０，Ｌｓ１とコンデンサＣｐ，Ｃｓとからなる共振回路が設けられている。共振回路については後述する。

ここにおいて、点灯装置は、放電ガスを封入したバルブからなる無電極放電灯６と、上記誘導コイル５と共に照明器具の器具本体を構成する。誘導コイル５は、電力変換回路９の出力を受けて高周波電流が流れることによって、無電極放電灯６を構成するバルブ内の放電ガスに対して高周波電磁界を作用させて無電極放電灯６を点灯させる。

また、図２に示す点灯装置は、無電極放電灯６の始動時に電力変換回路９の出力電圧を徐々に上昇させて無電極放電灯６を始動する始動回路１３と、電力変換回路９の出力端間に設けられ電力変換回路９の出力電圧Ｖｘに応じた直流電圧である検出電圧Ｖｘｓを始動回路１３に出力する電圧検出回路１４と、共振回路に流れる共振電流を検出する電流検出回路（抵抗Ｒｄ）と、電流検出回路の検出電流を参照して電力変換回路９の出力電圧が所望のレベルとなるように駆動回路１６の動作周波数（つまりスイッチング要素Ｑ３，Ｑ４をオンオフする周波数）を変化させる制御回路１７とを備える。

始動回路１３は、オペアンプＯＰ１を用いた誤差増幅器によってコンデンサＣ１の両端電圧と電圧検出回路１４の検出電圧Ｖｘｓとの差分を増幅する構成を有する。コンデンサＣ１にはスイッチＳＷが並列接続されており、交流電源ＡＣから直流電源回路Ｅへの電源供給が開始されてスイッチＳＷがオンからオフに切り替わると、直流電源回路Ｅの出力電圧を降圧・安定化して得られる動作電圧Ｖｄを抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２とで分圧した電圧によってコンデンサＣ１が充電され、オペアンプＯＰ１の出力電圧が徐々に上昇する。

制御回路１７は、基準電圧Ｖｒｅｆが非反転入力端子に入力されたオペアンプＯＰ２を用いた誤差増幅器によって、基準電圧Ｖｒｅｆと電流検出回路の検出電圧Ｖ_Ｒｄの差分を増幅する構成を有する。オペアンプＯＰ２の反転入力端子と出力端子との間には、抵抗Ｒ１０とコンデンサＣ１１との並列回路からなる遅延回路が接続されている。交流電源ＡＣから直流電源回路Ｅへの電源供給が開始された時点では、電力変換回路９の出力電流（共振電流）は略ゼロであるから検出電圧Ｖ_Ｒｄも略ゼロとなり、オペアンプＯＰ２の出力電圧は初期値（最大値）となる。そして、時間の経過とともに電力変換回路９の出力電流が増加して検出電圧Ｖ_Ｒｄも増加するが、上記遅延回路によってオペアンプＯＰ２の出力電圧は初期値から変化しない。ここで、制御回路１７の遅延回路の遅延時間は無電極放電灯６が始動点灯するまでに要する時間程度に設定されており、それ以降はオペアンプＯＰ２の出力電圧は増加する。

ここで、オペアンプＯＰ１の出力端子とオペアンプＯＰ２の出力端子とは、それぞれ抵抗およびダイオードＤ１，Ｄ２を介して駆動回路１６の入力端子に接続される。駆動回路１６の入力端子には定電圧（入力端子電圧）が印加されており、オペアンプＯＰ１の出力電圧が駆動回路１６の入力端子電圧よりも小さいときにダイオードＤ１を通してその電位差に応じた第１の制御電流Ｉ_ＳＷが流れるとともに、オペアンプＯＰ２の出力電圧が駆動回路１６の入力端子電圧よりも小さいときにダイオードＤ２を通してその電位差に応じた第２の制御電流Ｉｆｂが流れる。したがって、駆動回路１６の入力端子から流れ出る制御電流Ｉｏの大きさは第１および第２の制御電流Ｉ_ＳＷ、Ｉｆｂの和になる。駆動回路１６は、制御電流Ｉｏの大きさに応じて動作周波数を変化させており、ここでは制御電流Ｉｏに比例して動作周波数を増減させる。

上述した構成によれば、交流電源ＡＣから直流電源回路Ｅへの電源供給が開始されてスイッチＳＷがオンからオフに切り替わると、始動回路１３におけるオペアンプＯＰ１の出力電圧が徐々に上昇することにより、第１の制御電流Ｉ_ＳＷが徐々に減少して駆動回路１６の動作周波数が徐々に減少し、電力変換回路９の出力電圧Ｖｘが増加する。その後、電力変換回路９の出力電圧Ｖｘが始動電圧に達すると、無電極放電灯６が点灯して回路特性が変化することにより電力変換回路９の出力電圧Ｖｘが下降する。一方、無電極放電灯６の始動点灯後は、制御回路１７におけるオペアンプＯＰ２の出力電圧と駆動回路１６の入力端子電圧との電位差に応じて第２の制御電流Ｉｆｂが流れるため、制御電流Ｉｏの増加とともに駆動回路１６の動作周波数も増加し、電力変換回路９の出力電圧Ｖｘが減少することになる。

なお、駆動回路１６の動作周波数は、共振電流が無電極放電灯６の定格点灯時における所望のレベルに一致するとき、すなわち検出電圧Ｖ_Ｒｄが基準電圧Ｖｒｅｆと一致するときの周波数に落ち着くことになる。それ以降は、制御回路１７は共振電流を基準電圧Ｖｒｅｆで決まる所望のレベルに一致させるように駆動回路１６の動作周波数をフィードバック制御して、無電極放電灯６を定常点灯させる。要するに、始動回路１３のはたらきで無電極放電灯６を安定して始動点灯させることができるとともに、始動点灯後においては制御回路１７によりフィードバック制御が行われるので電力変換回路９が出力する高周波電力が過度に増加あるいは減少することがなく、回路部品へのストレスの低減を図ることができる。

ところで、電力変換回路９の共振回路は、スイッチング要素Ｑ４および抵抗Ｒｄの直列回路の両端間に接続されたインダクタＬｓおよびコンデンサＣｐの直列回路と、インダクタＬｓおよびコンデンサＣｐの接続点に一端が接続されたコンデンサＣｓとで構成されている。ここにおいて、インダクタＬｓおよびコンデンサＣｐの直列回路はインダクタＬｓがスイッチング要素Ｑ３とスイッチング要素Ｑ４との接続点に接続されており、コンデンサＣｐおよびコンデンサＣｓの直列回路の両端間に電力変換回路９の出力を生じることになる。

本実施形態の点灯装置では、上記共振回路のインダクタＬｓとして並列接続された２個のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１を用いている。２個のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１を並列接続して用いることにより、インダクタＬｓが１個のときと比べて各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１に流れる電流を半分程度まで低減でき、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１における温度上昇を抑制することができる。したがって、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１において、コアの飽和磁束密度の低下を抑制でき、コアの磁気飽和を防止できる。

また、本実施形態では、点灯装置を１つの実装基板１８（図１参照）に形成し、この実装基板１８を、図３に示す金属製のケースである金属ケース１９内に収納している。誘導コイル５は、金属ケース１９とは別体の円柱状のパワーカプラ２０に内蔵されており、ケーブル２１を介して金属ケース１９内の点灯装置に接続される。ここで、無電極放電灯６のバルブをこのパワーカプラ２０に装着することにより、バルブ内の放電ガスに高周波電磁界を作用させて無電極放電灯６を点灯させることができる。

金属ケース１９は、分割可能なケース本体２２とケース蓋２３とを組み合わせることにより直方体上に構成されている。ケース蓋２３には、ケース本体２２の側面に沿って図３の下方に延設され先端部がケース本体２２の側方に延長された足部２４が形成されており、足部２４をケース本体２２の側壁に密着させることによりケース本体２２の熱がケース蓋２３に伝達されやすい構成としている。しかも、ケース蓋２３は表面からの放熱効率を向上させるように、ケース蓋２３の材質よりも熱放射率の高い塗料で塗装されている。

図１には、金属ケース１９に収納された状態の実装基板１８を示す。以下では図１の上下左右を上下左右として説明する。

ところで、一般的に無電極放電灯６は始動時に高い電圧を必要とするので共振回路のＱ値を高く設計する必要がある。また、無電極放電灯６は高周波電力により点灯するため、共振回路を構成する実装基板１８上の導体パターンですら雑音発生源となる。さらに、共振回路の導体パターンには高電圧が印加されるので、他の回路部品を配置する際には当該導体パターンとの間に比較的大きな絶縁距離を確保する必要がある。そのため、共振回路の導体パターンは極力短くする必要がある。そこで、本実施形態では、共振回路の導体パターンは極力短くできるように、２個のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１を実装基板１８上で互いに近接するように配置している。

発熱部品である両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１を近接配置すると、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間に熱がこもりやすくなり各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の温度上昇が問題となるので、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の温度上昇を防止する手段が必要になる。そこで、インダクタＬｓ０，Ｌｓ１を金属ケース１９の一内側面に近接させることにより、インダクタＬｓ０，Ｌｓ１で発生した熱を金属ケース１９に放熱させることが考えられる。しかし、電力変換回路９は高周波動作するので、仮に両方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１を金属ケース１９の一内側面に近接配置した場合には、以下の不具合が生じる。すなわち、ただでさえ両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１が近接配置されている上に、両方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１と金属ケース１９とを近接配置すると、金属ケース１９を介して両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１が互いに干渉して、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の特性がそれぞれ変化することがある。また、金属ケース１９が磁性体材料からなる場合には、両方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１と金属ケース１９とが磁気的に結合するため、両方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１から金属ケース１９への磁束漏れが生じて大きなロス（電力損失）が発生する。

本実施形態では、並列接続された２個のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１のうち、両方でなく片方のインダクタＬｓ０だけを金属ケース１９の一内側面と近接させることにより、これらの不具合を防止している。すなわち、一方のインダクタＬｓ０と金属ケース１９の一内側面とを近接させているので、当該インダクタＬｓ０から発生する熱を金属ケース１９に効率的に放熱することができ、また、両方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１を金属ケース１９の一内側面に近接させる場合に比べて、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の特性変化や、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１におけるロスを抑制することができる。しかも、インダクタＬｓ０自身の温度上昇が抑制されることにより、当該インダクタＬｓ０の周辺の温度上昇も抑制することができ、近接配置された他方のインダクタＬｓ１についても、温度上昇を抑制することができるので、一方のインダクタＬｓ０だけでも金属ケース１９の一内側面に近接させたことによる効果は大きい。

具体的には、２個のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１は実装基板１８上において互いに左右方向に近接配置されており、かつ一方のインダクタＬｓ０を金属ケース１９の一内側面（右側面）に近接させるように実装基板１８の右端部に配置されている。ここで、金属ケース１９の一内側面とインダクタＬｓ０との間に絶縁板を介在させることにより、金属ケース１９とインダクタＬｓ０との間を確実に絶縁するようにしてもよい。

また、２個のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１は、図４に示すように、各巻線２５の中心軸方向が互いに同じ向きとなるように配置され、かつ通電時に同じ向きに磁束を生じるように接続されている。これにより、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１において通電時に生じる磁束の向きが同じとなり、互いに磁束を打ち消し合うことがないので、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１における特性の悪化を防止できる。

さらに、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１のコア２６は、それぞれ棒状の横片２６ａと横片２６ａの両端部および中央部から一方向に延設された３本の縦片２６ｂとでＥ字状に形成された一対のＥ型コアを、互いに縦片２６ｂの先端面同士を突き合わせる形で接合することにより構成された、いわゆるＥＥ型コア（ここでは、中央の縦片２６ｂが円柱状であるいわゆるＥＥＲ型コアを用いる）である。そのため、各コア２６にはそれぞれＥ型コア同士の接合部（以下、コア接合部２６ｃという）が存在するが、このコア接合部２６ｃからはコア２６を通る磁束がコア２６の外部に漏れやすい。ここにおいて本実施形態では，両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の中心位置（つまり巻線２５の巻回中心）を上下方向にずらして配置しており、これにより、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１のコア接合部２６ｃ同士は対向することがない。したがって、図５に示すように、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１のコア接合部２６ｃからの漏れ磁束（図中矢印Ｂ）が互いに干渉することを防止でき、結果的に、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の特性変化を防止できる。

さらにまた、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１を上下方向にずらして配置しているから、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間の対向面積が小さくなり、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１で発生した熱が、他方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１との間にこもることなく放熱されやすいという利点がある。しかも、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１をずらして配置することにより、インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間の距離も大きくなるので、これによっても、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１で発生した熱が他方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１との間にこもることなく放熱されやすくなる。

ところで、一般的なインダクタには、縦置き型のインダクタと横置き型のインダクタとがある（図７（ａ）参照）。縦置き型のインダクタは、コア２６において巻線２５が巻回された縦片２６ｂを実装基板１８に直交させる向きに実装基板１８上に実装されるインダクタであって、インダクタは実装基板１８への投影面積が最小となるので、実装面積が比較的小さくなるとともに実装基板１８からの高さ寸法が比較的大きくなる。一方、横置き型のインダクタは、コア２６において巻線２５が巻回された縦片２６ｂを実装基板１８に沿わせる向きに実装基板１８上に実装されるインダクタであって、インダクタは実装基板１８への投影面積が最大となるので、実装面積が比較的大きくなるとともに実装基板１８からの高さ寸法が比較的小さくなる。

本実施形態では、いずれのインダクタＬｓ０，Ｌｓ１にも縦置き型のものを用いているので、実装基板１８上におけるインダクタＬｓ０，Ｌｓ１の実装面積を小さく抑えることができる。しかも、インダクタＬｓ０において巻線２５が露出した一側面を金属ケース１９の一内側面に対向させており、これにより、巻線２５で発生した熱がコア２６で遮られることなく金属ケース１９に伝達されることになり、インダクタＬｓ０の放熱効率が向上する。なお、一般的に、巻線２５よりもコア２６のほうが最大定格温度が高いので、本実施形態のように巻線２５の熱を重点的に低減させることが望ましい。また、コア２６と金属ケース１９とを対向させた場合には、両者が磁気的に結合されインダクタＬｓ０の特性が悪化する可能性があるので、上記構成によりコア２６と金属ケース１９との距離を比較的大きくすることにより、コア２６と金属ケース１９との間の磁気的な結合を弱めることが望ましい。

また、本実施形態では、２個のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１として同一特性かつ同一構造のインダクタを用いている。これにより、実装基板１８へのインダクタＬｓ０，Ｌｓ１の実装時に、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１を区別する必要がなく、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１が入れ替わることによる不具合を生じるおそれもない。さらに、インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の製造過程においても、異なる特性あるいは構造のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１を製造するよりも、同一のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１を製造するほうが金型費用などを抑えることができ低コストで製造可能である。

ところで、巻線２５の両端（巻き始めと巻き終り）にそれぞれ接続された一対のリード端子が、仮に各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の左右両端部に分かれて設けられていると、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間を接続するために、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の左側のリード端子同士を接続する導体パターンと、右側のリード端子同士を接続する導体パターンとが必要になるので、導体パターンは、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の左右両端間に亘る広範囲に形成されることになる。これに対して、本実施形態では、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１において巻線２５の両端にそれぞれ接続された一対のリード端子２７，２８は、図６に示すように、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１における実装基板１８との対向面の一端部に配置されている。したがって、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１を同じ向きに揃えて実装すれば、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間を接続する導体パターン２９を比較的短くすることができる。なお、共振回路には高周波電流が流れるので、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１に関する電気経路の長さは同じする必要があり、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間を接続する一対の導体パターン２９についても同じ長さとなるように設計している。

ここにおいて、図６では、リード端子２７，２８をいずれのインダクタＬｓ０，Ｌｓ１においても金属ケース１９の一内側面に向けているので、インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間を接続する導体パターン２９を実装基板１８の端部に寄せて形成することができる。したがって、雑音発生源となる当該導体パターン２９との絶縁距離を確保するために他の回路部品を実装できない領域を極力小さくすることができ、他の回路部品を実装可能な領域（以下、実装可能領域Ｍという）を大きくすることができる。

以下、本実施形態の点灯装置の具体例を示す。ここでは、無電極放電灯６を点灯させる際の電力変換回路９の動作周波数、つまり共振回路に流れる高周波電流の周波数は、１００ｋＨｚ〜２００ｋＨｚ程度としている。

一般的に、無電極放電灯６は始動に高い電圧を必要とし、共振回路のＱ値も高く設計する必要があるので、共振回路に用いる導体パターン２９を極力短く設計する必要がある。さらに、共振回路には動作周波数の高調波成分（３倍周波数、５倍周波数等）も含めて大電力の高周波信号が流れかつ高電圧が印加されるから、共振回路は、雑音発生源となり他の回路部品へ悪影響を及ぼしやすい。したがって、共振回路を構成するインダクタＬｓおよびコンデンサＣｐ，Ｃｓについては互いに近接させ、共振回路全体の実装面積を極力小さく抑えることが望ましい。

しかし、共振回路の構成素子を互いに近接させた場合、コンデンサＣｐ，ＣｓがインダクタＬｓで発生した熱を受けやすくなり、コンデンサＣｐ，ＣｓがインダクタＬｓで発生した熱を受けることによってコンデンサＣｐ，Ｃｓの寿命が短くなることもある。要するに、本実施形態のようにインダクタＬｓの温度上昇を防止することは、コンデンサＣｐ，Ｃｓの寿命が短くなることの防止にもつながる。

また、コンデンサＣｐ，Ｃｓには大容量かつ高耐圧のフィルムコンデンサを用いており、金属ケース１９への実装基板１８の組み込み時などにコンデンサＣｐ，Ｃｓが倒れてインダクタＬｓに接触するように傾くと、インダクタＬｓで発生した熱がコンデンサＣｐ，Ｃｓに伝達されやすくなる。本実施形態では、インダクタＬｓ０，Ｌｓ１側に倒れる向きに実装されたコンデンサＣｐを、左右方向において両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の間に対応する位置に配置している。ここで、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１は、上下方向にずれて配置されているので、仮にコンデンサＣｐがインダクタＬｓ０，Ｌｓ１側に傾くことがあっても、このコンデンサＣｐが両方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１に同時に接触することはない。

したがって、コンデンサＣｐが両方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１に同時に接触する場合に比べると、インダクタＬｓ０，Ｌｓ１からコンデンサＣｐに伝達される熱を低減することができる。しかも、ここでは、２個のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１のうち、金属ケース１９の一内側面から遠いインダクタＬｓ１のほうがコンデンサＣｐから後退した位置に配置されている。２個のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１について比較した場合に、金属ケース１９の一内側面に近いインダクタＬｓ０のほうが、金属ケース１９に放熱しやすい分だけ温度が上昇しにくいので、上記構成によれば、仮にコンデンサＣｐがインダクタＬｓ０，Ｌｓ１側に傾いたとしても、コンデンサＣｐが接触するのは温度が低いほうのインダクタＬｓ０ということになる。これにより、コンデンサＣｐがインダクタＬｓ０，Ｌｓ１の熱を受けて寿命が短くなることを確実に防止できる。

また、上記周波数帯域（１００ｋＨｚ〜２００ｋＨｚ程度）で点灯装置を動作させる場合には、たとえば１３．５６ＭＨｚで動作させる従来の点灯装置に比べて、共振回路のインダクタＬｓおよびコンデンサＣｐ，Ｃｓの定数を高くする必要があり、インダクタＬｓとしては１００μＨ〜１０００μＨ程度、コンデンサＣｐ，Ｃｓとしては０．０１μＦ〜０．２μＦ程度のものが必要になる。上記周波数帯域で上述のインダクタンス値とするためには、インダクタＬｓにコアは必須である。さらに、無電極放電灯６に特有の現象として、始動時に電力変換回路９に高圧（〜数ｋＶ）、大電流（定常点灯時の５倍以上）が印加されることから、これに耐え得るように必然的にインダクタＬｓおよびコンデンサＣｐ，Ｃｓが共に大型となる。

したがって、インダクタＬｓを仮に１個のインダクタにすると、特に大型のインダクタが必要となり、汎用のインダクタでは対応できないことがある。これに対して、本実施形態では、２個のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１を並列接続して用いることにより、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１に流れる電流を低減させているので、巻線２５の線径を細くすることにより各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の小型化を図ることができ、汎用のインダクタを使用することができる。両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の合成インダクタンス値をインダクタ１個の場合のインダクタンス値と同じにするためには、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１のインダクタンス値をインダクタ１個の場合の２倍にする必要があるが、この点を考慮しても各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の小型化が可能である。

さらに、大型のインダクタＬｓを採用した場合にはインダクタＬｓの重量も大きくなるから、インダクタＬｓに振動が加わった際にインダクタＬｓの自重により、インダクタＬｓと実装基板１８との接合部（リード端子の半田接合部等）に大きなストレスがかかることがある。これに対して、本実施形態では各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１を軽量化できるので、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１における実装基板１８への接合部にかかるストレスを低減できる。

なお、互いに近接するインダクタＬｓ０と金属ケース１９の一内側面との間、および両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間には、インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の通電時に電磁誘導により磁気的な結合が生じるが、電磁誘導により生じる起電力は磁束の変化が大きいほどつまりインダクタＬｓ０，Ｌｓ１に流れる電流の周波数が高いほど大きくなる。したがって、本実施形態のように電力変換回路９が比較的低い周波数帯域（１００ｋＨｚ〜２００ｋＨｚ程度）で動作する場合には、インダクタＬｓ０と金属ケース１９の一内側面との間、および両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間の結合は比較的弱く、当該結合に起因する事象、たとえばインダクタＬｓ０，Ｌｓ１におけるインダクタンス値等の特性変化や電力損失などを特に考慮することなく設計することができる。このように、本実施形態の点灯装置は、１００ｋＨｚ〜２００ｋＨｚ程度の低い周波数帯域で動作させる場合に、特に有用である。

また、本実施形態では、負荷消費電力を２００Ｗ〜３００Ｗ程度に設計してある。このように負荷消費電力が比較的高い場合には、共振回路のインダクタＬｓに流れる電流が大きくなり、インダクタＬｓにおける発熱量も大きくなるので、仮にインダクタＬｓを１個のインダクタで構成すると、たとえば金属ケース１９内に合成樹脂性の充填材を充填したり（しかもインダクタＬｓが大型であれば充填材の充填量も多くなる）、高価な巻線２５やコア２６を使用したり、インダクタＬｓに複雑な構造を採用したりと、大掛かりな放熱手段が必要となる。したがって、２個のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１が必要になるとしても、本実施形態のように各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の温度上昇を防止できるようにしたほうが、インダクタＬｓを１個のインダクタで構成する場合に比べて点灯装置の低コスト化が期待できる。なお、本実施形態の点灯装置は、負荷消費電力が２００Ｗ〜３００Ｗの場合に限らず負荷消費電力が１５０Ｗ以上の場合に特に有用である。

（実施形態２）
本実施形態の点灯装置は、共振回路における両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の中心位置を上下方向において一致させるように両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１を並べた点が実施形態１とは相違する。これにより、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１が実装基板１８上で占有するスペースを上下方向において比較的小さくすることができる。

以下、本実施形態の具体例を図７（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。ここでは、一方のインダクタＬｓ０に縦置き型、他方のインダクタＬｓ１に横置き型を採用した例を図７（ａ）、（ｂ）に示し、両方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１に縦置き型を採用した例を図７（ｃ）、（ｄ）に示し、両方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１に横置き型を採用した例を図７（ｅ）に示す。

図７（ａ）、（ｂ）に示す各例は、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１をそれぞれ縦置き型と横置き型とにしたことにより、実装基板１８からの高さ方向について両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間に高低差をつけることができ、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１は互いに対向面積が小さくなるので、互いに発生する熱の影響を受けにくくなる。さらに、図７（ａ）〜（ｄ）の各例では少なくとも一方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１を、実装基板１８に沿う面内で幅方向を上下方向に一致させる向きに配置しており、これにより両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１は互いに対向面積が比較的小さくなる。

また、図７（ａ）〜（ｄ）の各例では少なくとも一方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１を縦置き型としているから、実装基板１８上の両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の実装面積を比較的小さく抑えることもできる。しかも、図７（ａ）〜（ｄ）の各例では、金属ケース１９の一内側面に近いほうのインダクタＬｓ０に縦置き型のインダクタを採用しており、これにより金属ケース１９の一内側面とインダクタＬｓ０との対向面積を比較的大きくとることができ、インダクタＬｓ０の放熱効率がよくなる。

図７（ｂ）、（ｄ）に示す各例は、金属ケース１９の一内側面に近いほうのインダクタＬｓ０について、巻線２５が露出した一側面を金属ケース１９の一内側面に対向させるように向けており、これにより、巻線２５で発生した熱がコア２６で遮られることなく金属ケース１９に伝達されやすく、結果的に、インダクタＬｓ０の放熱効率がよいという利点がある。さらに、図７（ｂ）、（ｄ）に示す各例では、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間において互いのコア接合部２６ｃが対向していないので、実施形態１のように両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１を上下方向にずらして配置しなくとも、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１のコア接合部２６ｃからの漏れ磁束が互いに干渉することを防止でき、結果的に、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の特性変化を防止できる。

また、図７（ｃ）〜（ｅ）に示す各例では、２個のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１は、各巻線２５の巻回方向が互いに同じ向きとなるように配置されている。これにより、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１において通電時に生じる磁束の向きが同じとなり、互いに磁束を打ち消し合うことがないので、各インダクタにおける特性の悪化を防止できる。

さらに、図７（ｅ）の例では、両方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１に横置き型のインダクタを採用しているので、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１について実装基板１８からの高さ寸法を比較的小さく抑えることができる。これにより、たとえば実装基板上の回路部品の放熱効率を高めるために金属ケース１９内に合成樹脂性の充填材を充填する場合には、実装基板１８から充填材表面までの高さが同じであっても、縦置き型のインダクタに比べると、インダクタＬｓ０，Ｌｓ１において充填材に浸る部分が多くなるから、インダクタＬｓ０，Ｌｓ１からの放熱効率はよくなる。なお、図７（ｅ）では両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１が、それぞれ長手方向を上下方向に一致させる向きに配置されており、これにより金属ケース１９の一内側面に近いほうのインダクタＬｓ０においては、金属ケース１９の一内側面との対向面積が大きくなり、放熱効率が向上するという利点がある。その他の構成および機能は実施形態１と同様である。

（実施形態３）
本実施形態の点灯装置は、共振回路における両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の配置が実施形態１の点灯装置とは相違する。その他の構成および機能は実施形態１と同様である。

以下、本実施形態の具体例を図８（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。ここでは、両方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１に縦置き型を採用した例を図８（ａ）、（ｄ）に示し、両方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１に横置き型を採用した例を図８（ｂ）に示し、一方のインダクタＬｓ１に縦置き型、他方のインダクタＬｓ０に横置き型を採用した例を図８（ｃ）に示す。

図８（ａ）〜（ｄ）に示す各例では、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の中心位置を上下方向にずらして配置しているので、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１のコア接合部２６ｃ同士は対向しておらず、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１のコア接合部２６ｃからの漏れ磁束（図中矢印Ｂ）が互いに干渉することを防止でき、結果的に、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の特性変化を防止できる。また、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１をずらして配置しているから、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の対向面積が小さくなり、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１で発生した熱が、他方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１との間にこもることなく放熱されやすいという利点がある。しかも、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１をずらして配置することにより、インダクタＬｓ０，Ｌｓ１同士の距離も大きくなるので、これによっても、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１で発生した熱が他方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１との間にこもることなく放熱されやくなる。

特に、図８（ｄ）に示す例では、金属ケース１９の一内側面から遠いほうのインダクタＬｓ１において上下方向の中心部分、つまり巻線２５と金属ケース１９の一内側面との距離が最小となる部分（図中点Ｘ）が、金属ケース１９の一内側面に近いほうのインダクタＬｓ０の巻線２５と左右方向に重ならないように、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１が配置されている。これにより、金属ケース１９から遠いほうのインダクタＬｓ１で発生した熱の大部分が、他方のインダクタＬｓ０の巻線２５で遮られることなく金属ケース１９に放熱されることになり、インダクタＬｓ１の放熱効率が向上する。

（実施形態４）
本実施形態の点灯装置は、共振回路におけるインダクタＬｓ０，Ｌｓ１の配置および両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間を接続する実装基板１８上の導体パターン２９の形状が実施形態１の点灯装置とは相違する。その他の構成および機能は実施形態１と同様である。

以下、本実施形態の具体例を図９（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。

図９（ａ）に示す例では、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１は、同じ向きであって、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１において巻線２５の両端にそれぞれ接続された一対のリード端子２７，２８を金属ケース１９の一内側面とは反対側に向けるように配置されている。これにより、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間を接続する導体パターン２９を比較的短くすることができる。この場合には、実装基板１８において、インダクタＬｓ０，Ｌｓ１のリード端子２７，２８に接続される導体パターン２９よりも金属ケース１９の一内側面に近い部分に、他の回路部品を実装可能な実装可能領域Ｍが設けられることになる。

図９（ｂ）に示す例では、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１は、実装基板１８に沿う面内で互いに１８０度異なる向きに向けられており、一方のインダクタＬｓ０の巻線２５の巻き始めのリード端子２７と他方のインダクタＬｓ１の巻線２５の巻き終りのリード端子２８とが左右方向に隣接し、一方のインダクタＬｓ０の巻線２５の巻き終りのリード端子２８と他方のインダクタＬｓ１の巻線２５の巻き始めのリード端子２７とが左右方向に隣接するように両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１が配置されている。そして、一方のインダクタＬｓ０の巻線２５の巻き始めと他方のインダクタＬｓ１の巻線２５の巻き終りとを接続し、一方のインダクタＬｓ０の巻線２５の巻き終りと他方のインダクタＬｓ１の巻線２５の巻き始めとを接続している。この場合には、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間を接続する導体パターン２９を最短にすることができる。したがって、当該導体パターン２９で発生した雑音が影響し得る領域も最小となり、実装可能領域Ｍを大きくとることができる。

また、図９（ｃ）に示す例では、金属ケース１９の一内側面に近いほうのインダクタＬｓ０が長手方向を上下方向に一致させ、他方のインダクタＬｓ１が長手方向を左右方向に一致させるように、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１が配置されている。そして、金属ケース１９の一内側面に近いほうのインダクタＬｓ０においては、巻線２５の両端にそれぞれ接続された一対のリード端子２７，２８を金属ケース１９の一内側面に向けるように配置されている。ここで、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の巻線２５における巻き始め同士、巻き終り同士をそれぞれ接続すると、実装基板１８上で導体パターン２９が交差することになるので、この例では、一方のリード端子２７同士を接続する導体パターン２９を実装基板１８の一面に形成し、他方のリード端子２８同士を接続する導体パターン２９を実装基板１８の他面に形成してある。

（実施形態５）
本実施形態の点灯装置は、金属ケース１９の一内側面に近いほうのインダクタＬｓ０について、インダクタンス値を他方のインダクタＬｓ１よりも小さく設定した点が実施形態１の点灯装置とは相違する。その他の構成および機能は実施形態１と同様である。

仮に、両方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１のインダクタンス値が同じであれば、点灯装置の動作時において、金属ケース１９の一内側面から遠いほうのインダクタＬｓ１は、発生した熱が金属ケース１９に放熱されにくい分だけ他方のインダクタＬｓ０に比べて高温になる。これに対して、本実施形態の構成によれば、金属ケース１９の一内側面に近いほうのインダクタＬｓ０のインダクタンス値を小さくしているので、金属ケース１９の一内側面から遠いほうのインダクタＬｓ１に流れる電流を低減して当該インダクタＬｓ１の温度上昇を防止することができる。点灯装置の動作時における両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の最高温度が低いほうが電力変換回路９の寿命は長くなり、点灯装置の動作時における両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の最高温度は両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間に温度差がないときに最も低く抑えられるので、ここでは、点灯装置の動作時に両インダクタンスＬｓ０，Ｌｓ１が同じ温度となるように、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１のインダクタンス値を設定している。

本実施形態では、図１０に示すように、金属ケース１９の一内側面に近いほうのインダクタＬｓ０に横置き型のインダクタを採用し、金属ケース１９の一内側面から遠いほうのインダクタＬｓ１に縦置き型のインダクタを採用しており、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の中心位置を上下方向において一致させるように両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１を並べている。ここにおいて、回路部品の放熱効率を高めるために金属ケース１９内に合成樹脂性の充填材を充填する場合に、実装基板１８から充填材表面までの高さが同じであっても、縦置き型のインダクタＬｓ１に比べると、インダクタＬｓ０において充填材に浸る部分が多くなるから、インダクタＬｓ０からの放熱効率はよくなる。なお、ここでは、金属ケース１９の一内側面に近いほうのインダクタＬｓ０が長手方向を上下方向に一致させる向きに配置されており、これにより当該インダクタＬｓ０と金属ケース１９の一内側面との対向面積が大きくなり、放熱効率が高くなるという利点もある。

また、本実施形態のように、２個のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１のインダクタンス値が互いに異なる構成では、万一、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１を入れ替えて実装してしまうと、上述した効果が得られないばかりか、回路定数が変わってしまうことにより点灯装置が正常に動作しないこともある。そこで、実装基板１８に対するインダクタＬｓ０，Ｌｓ１の実装誤りを回避するために、以下の構成を採用することが望ましい。すなわち、図１１に示すように、２個のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１として、巻線２５の両端に接続された一対のリード端子２７，２８の配置やリード端子を欠いている位置が互いに異なるものを用いることが望ましい。この構成によれば、インダクタＬｓ０，Ｌｓ１を実装する際に、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１が入れ替わった状態では実装することができなくなり、上記実装誤りを回避することができる。

なお、図１１では、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１を同じ向きに向けて配置した状態で、一方のインダクタＬｓ０の巻線２５の巻き始めのリード端子２７と他方のインダクタＬｓ１の巻線２５の巻き始めのリード端子２７とが左右方向に隣接し、一方のインダクタＬｓ０の巻線２５の巻き終りのリード端子２８と他方のインダクタＬｓ１の巻線２５の巻き終りのリード端子２８とが左右方向に隣接するように各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１がそれぞれ設計されている。この場合には、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の巻線２５の巻き始め同士を接続し、かつ巻線２５の巻き終り同士を接続することにより、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１間を接続する導体パターン２９を最短にすることができる。したがって、当該導体パターン２９で発生した雑音が影響し得る領域も最小となり、他の回路部品を実装可能な実装可能領域Ｍを大きくとることができる。

（実施形態６）
本実施形態の点灯装置は、図１２に示すように金属ケース１９の一内側面に近いほうのインダクタＬｓ０について、体積を他方のインダクタＬｓ１よりも小さく設定した点が実施形態１の点灯装置とは相違する。その他の構成および機能は実施形態１と同様である。

両方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１のインダクタンス値が同じであれば、点灯装置の動作時において、金属ケース１９の一内側面から遠いほうのインダクタＬｓ１は、発生した熱が金属ケース１９に放熱されにくい分だけ他方のインダクタＬｓ０に比べて高温になる。一方、インダクタは、コア２６および巻線２５の材質、構造、インダクタンス値が同じ場合には、体積が小さくなるほど、表面積が小さくなるので放熱効率が低減し温度上昇しやすくなる。すなわち、本実施形態では、体積が同じであれば低温になるはずのインダクタＬｓ０の体積を小さくすることにより、当該インダクタＬｓ０の温度を特に上昇させることなく、インダクタＬｓ０の実装面積を小さくすることができる。ここでは、無電極放電灯６の始動時に両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１が同じ温度となるように、各インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の体積を設定している。

なお、図１２の例では、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１に縦置き型のインダクタを採用しており、両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１の中心位置を上下方向において一致させるように両インダクタＬｓ０，Ｌｓ１を並べている。

（実施形態７）
本実施形態の点灯装置は、金属ケース１９の一内側面に近いほうのインダクタＬｓ０について、無電極放電灯６を点灯時の他方のインダクタＬｓ１の温度（以下、特定温度という）での飽和磁束密度を、当該他方のインダクタＬｓ１よりも小さく設定した点が実施形態１の点灯装置とは相違する。その他の構成および機能は実施形態１と同様である。

両方のインダクタＬｓ０，Ｌｓ１のインダクタンス値が同じであれば、点灯装置の動作時において、金属ケース１９の一内側面から遠いほうのインダクタＬｓ１は、発生した熱が金属ケース１９に放熱されにくい分だけ他方のインダクタＬｓ０に比べて高温になる。一方、一般的にコア２６の飽和磁束密度は、コア２６の温度上昇に伴って小さくなる。すなわち、たとえば、無電極放電灯６を点灯させている状態から、点灯装置の電源を一旦オフし、その直後に（点灯装置の回路部品が冷える前に）無電極放電灯６を再始動する場合に、無電極放電灯６の始動時にコア２６が磁気飽和する確率は、金属ケース１９の一内側面から遠いインダクタＬｓ１のほうが高くなる。したがって、本実施形態のように、金属ケース１９の一内側面に近いほうのインダクタＬｓ０について、特定温度での飽和磁束密度を小さくしても、当該インダクタＬｓ０のコア２６が磁気飽和する確率は低い。

具体的には、金属ケース１９の一内側面から遠いほうのインダクタＬｓ１には、前記特定温度において飽和磁束密度が大きく磁気飽和が生じにくいＭＢ３からなるコア２６を用いており、一方、金属ケース１９の一内側面に近い方のインダクタＬｓ０には、前記特定温度における飽和磁束密度はＭＢ３よりも小さいが無電極放電灯６点灯時の温度範囲でのロスが小さいＭＢ１からなるコア２６を用いている。これにより、始動時の磁気飽和発生の確率を上げることなく、インダクタＬｓ０のコア２６でのロスを低減させて、回路効率を向上させることができる。

本発明の実施形態１の点灯装置を示す正面図である。 同上の照明器具の回路図である。 同上の照明器具の要部を示す斜視図である。 同上のインダクタの配置を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。 同上のインダクタの配置を示す正面図である。 同上のインダクタの配置を示す背面図である。 本発明の実施形態２の点灯装置におけるインダクタの配置を示す正面図である。 本発明の実施形態３の点灯装置におけるインダクタの配置を示す正面図である。 本発明の実施形態４の点灯装置におけるインダクタの配置を示す背面図である。 本発明の実施形態５の点灯装置におけるインダクタの配置を示す正面図である。 同上のインダクタの配置を示す背面図である。 本発明の実施形態６の点灯装置におけるインダクタの配置を示す正面図である。

符号の説明

５ 誘導コイル
６ 無電極放電灯
９ 電力変換回路
１８ 実装基板
１９ 金属ケース
２５ 巻線
２６ コア
２７，２８ リード端子
Ｌｓ０，Ｌｓ１ インダクタ

Claims (8)

1. インダクタを含む共振回路を具備し直流電力を高周波電力に変換して無電極放電灯に近接配置された誘導コイルに供給する電力変換回路と、前記電力変換回路が実装された実装基板を収納する金属ケースとを備え、前記インダクタは、複数個設けられており、互いに並列に接続されて前記実装基板上で近接配置されるとともに、１個のインダクタが前記実装基板における前記金属ケースの一内側面寄りの端部であって、巻線で発生した熱が他部品で遮られることなく前記金属ケースに伝達される位置に配置され、残りのインダクタが前記１個のインダクタに比べて前記金属ケースの前記一内側面から離れて配置されていることを特徴とする無電極放電灯点灯装置。
2. 前記複数個のインダクタは、巻線の中心軸方向が互いに同じ向きとなるように配置され、かつ通電時に巻線の中心軸上において互いに同じ向きに磁束を生じるように接続されていることを特徴とする請求項１記載の無電極放電灯点灯装置。
3. 前記複数個のインダクタは、それぞれの中心位置を前記実装基板に沿う面内において前記金属ケースの前記一内側面に沿う方向にずらして配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の無電極放電灯点灯装置。
4. 前記実装基板における前記金属ケースの前記一内側面寄りの端部に配置される前記インダクタは、巻線が一部露出する形で巻装されたコアを有し、金属ケースの前記一内側面に向けて巻線を露出させる向きに実装されることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の無電極放電灯点灯装置。
5. 前記複数個のインダクタは、いずれも巻線の巻き始めと巻き終りとに接続された一対のリード端子を前記金属ケースの前記一内側面寄りの端部に有することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の無電極放電灯点灯装置。
6. 前記複数個のインダクタは、いずれも同一特性かつ同一構造であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の無電極放電灯点灯装置。
7. 前記実装基板における前記金属ケースの前記一内側面寄りの端部に配置される前記インダクタは、インダクタンス値と、体積と、無電極放電灯点灯時における他のインダクタの温度でのコアの飽和磁束密度とのうち少なくとも１つが前記他のインダクタよりも小さく設定されていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の無電極放電灯点灯装置。
8. 請求項１ないし請求項７のいずれかの無電極放電灯点灯装置と、放電ガスを封入したバルブからなる無電極放電灯と、無電極放電灯に近接配置された誘導コイルとを器具本体に備えていることを特徴とする無電極放電灯点灯装置を用いた照明器具。

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