JP4665130B2

JP4665130B2 - 導電性ペーストおよび導電層付き基板製造方法

Info

Publication number: JP4665130B2
Application number: JP2004005598A
Authority: JP
Inventors: 勝寿中山; 康子大崎; 和弘伊藤; 一成渡辺; 章中尾
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2003-03-03
Filing date: 2004-01-13
Publication date: 2011-04-06
Anticipated expiration: 2024-01-13
Also published as: JP2004288622A

Description

本発明は、いわゆるＬＴＣＣ基板（低温同時焼成セラミックス基板）上の配線等の導電層を形成するのに好適な導電性ペースト、および導電層が形成されたＬＴＣＣ基板の製造に好適な導電層付き基板製造方法に関する。

従来、アルミナ粉末を焼結して作製されるアルミナ基板が電子回路基板に広く使用されている。
しかしアルミナ基板においては、アルミナ粉末の焼結温度が約１６００℃と高いために、アルミナ基板作製と同時に焼成する電極の材料としてＷ（融点：３４００℃）、Ｍｏ（融点：２６２０℃）等の高融点金属しか使用できなかった。そのため、比抵抗が小さいが融点が１６００℃以下である金属、典型的にはＡｇ（融点：９６２℃）を前記電極の材料として使用できない問題があった。

このような問題を解決するために９５０℃以下で焼結可能なＬＴＣＣ基板用ガラスセラミックス組成物が種々開発されている。
通常、これらガラスセラミックス組成物はグリーンシートとされ、その上に導電性ペーストを印刷して導電性ペースト層を形成し、その後グリーンシートと導電性ペースト層を同時に焼成して導電層付き基板とされる。

しかし、グリーンシートと導電性ペースト層の焼結時における収縮特性の不一致が大きいために導電層付き基板に反り等の変形が生じる場合がある。このような変形を抑制するために、焼結による収縮が小さく導電性ペーストの収縮開始温度を高くできるという銀粉末が開示されている（たとえば特許文献１参照）。
また、電子回路基板には機械的強度が高いことも求められており、ガラスセラミックス組成物中のガラス粉末が焼成時に結晶を析出するようなものも開示されている（たとえば特許文献２参照）。

特開２００１−２４０９０１号公報（第２〜５頁）

特開２００２−２２０２５６号公報（表１）

近年、機械的強度を高くすべく、焼成時に結晶を析出するガラス粉末を含有するガラスセラミックス組成物を用いて製造され、かつ先に述べたような変形の問題が生じないＬＴＣＣ基板が求められている。
本発明はこのような課題を解決する導電性ペーストおよび導電層付き基板製造方法の提供を目的とする。

【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、金属粉末１００質量部に対してＹがＹ_２Ｏ_３として０．０５〜１．０質量部の割合で付着している導電性粉末と有機質ワニスとから本質的になる導電性ペーストであって、前記金属粉末がＡｇを質量百分率表示で９０％以上含有するものであり、導電性粉末が下記方法によって作製されたものであることを特徴とする導電性ペーストを提供する。
（方法）
質量平均粒径（Ｄ_５０）が０．１〜５．０μｍである金属粉末を水に分散させたスラリーと、イットリウム塩水溶液とを混合して混合液とし、当該混合液のｐＨが７未満または９超の場合はそのｐＨを７〜９にするｐＨ調整を行い、当該混合液のｐＨが７〜９である場合は前記ｐＨ調整を行うことなく、前記混合液または前記混合液をろ過して得られた粉末を１００〜７００℃に加熱して焼成粉末とし、その後焼成粉末を酸洗浄して導電性粉末とする。

また、質量百分率表示で４０〜９０％のガラス粉末と１０〜６０％のセラミックスフィラーから本質的になるガラスセラミックス組成物を基板状に成形した基板状成形体の少なくとも一方の表面に導電性ペーストを塗布して作製された導電性ペースト層付き基板状成形体を焼成して導電層付き基板を製造する方法であって、ガラス粉末は、ガラス転移点が６９０〜８００℃であって焼成時に結晶化するものであり、導電性ペーストが前記導電性ペーストであることを特徴とする導電層付き基板製造方法を提供する。

本発明によれば、９５０℃以下の温度で同時焼成によって製造可能であり、かつ反りの小さな導電層付き基板が得られる。

本発明の導電性ペースト（以下、本発明のペーストという。）は通常、アルミナ基板、ガラスセラミックス基板等の基板、または焼成されて基板となるべきガラスセラミックス組成物基板状成形体（たとえばグリーンシート）上にスクリーン印刷等の方法で塗布されて導電性ペースト層（以下、ペースト層という。）とされ、その後典型的には９５０℃以下の温度で焼成して配線等の導電層とされる。

次に、本発明のペーストの成分について、質量百分率表示含有量を用いて説明する。
金属粉末にＹが付着している導電性粉末は導電性付与成分であり、必須である。Ｙの金属粉末への付着割合Ｃ_Ｙが金属粉末１００質量部に対し０．０５質量部未満ではペースト層と基板状成形体の収縮特性の不一致が大きくなる。好ましくは０．１質量部以上、より好ましくは０．２質量部以上である。１．０質量部超では導電層の比抵抗が大きくなる。好ましくは０．６質量部以下、より好ましくは０．４質量部以下である。なお、Ｃ_ＹはたとえばＩＣＰ発光分析法を用いて測定できる。
前記導電性粉末は、前記収縮特性の不一致をより小さくしたい場合等には、金属粉末１００質量部に対してＰがＰ_２Ｏ_５として０．０３〜０．７０質量部の割合で付着していることが好ましい。

導電性粉末の含有量は７５〜９５％であることが好ましい。７５％未満では導電性が不足するおそれがある。より好ましくは８０％以上である。９５％超では有機質ワニスが少なくなりペーストの塗布性（印刷性）が低下するおそれがある。より好ましくは９０％以下、特に好ましくは８６％以下である。

有機質ワニスはバインダ機能を有する有機質樹脂を溶剤に溶解したものであり、塗布性付与成分であり、必須である。
有機質ワニスの含有量は５〜２５％であることが好ましい。５％未満では塗布性が低下したとえば印刷しにくくなるおそれがある。より好ましくは１０％以上、特に好ましくは１４％以上である。２５％超では、印刷時の印刷精度が低下する、または焼結性が低下して導電層の緻密化が困難になりその比抵抗が増大するおそれがある。より好ましくは２０％以下である。

有機質樹脂としては、入手しやすいものとしてエチルセルロース樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂等が例示される。
溶剤としては、入手しやすく、かつ前記例示した有機質樹脂を溶解しやすいものとしてα−テルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、フタル酸エステル等が例示される。
本発明のペーストは本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲で他の成分を含有してもよい。
たとえば前記金属粉末にＹが付着している導電性粉末以外の導電性粉末を含有してもよい。そのような導電性粉末の含有量は、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下である。

次に、前記導電性粉末を作製する方法について説明する。
（１）金属粉末水スラリーの作製
金属粉末を水に分散して金属粉末水スラリーとする。スラリー中の金属粉末濃度は、好ましくは５０〜３００ｇ／Ｌ、より好ましくは１００〜２００ｇ／Ｌである。
スラリー中には、金属粉末表面にＰ（リン）を付着させ、または同表面にＰ含有層を形成し、それによって後述する金属粉末へのＹ_２Ｏ_３付着をより強くする等のために、亜リン酸、水溶性亜リン酸塩、次亜リン酸および水溶性次亜リン酸塩からなる群から選ばれる１以上のリン酸化合物を含有させてもよい。前記リン酸化合物を含有する場合その含有割合は合計で、１００質量部の金属粉末に対しＰ_２Ｏ_５として０．３〜１．３質量部であることが好ましい。

金属粉末の質量平均粒径（Ｄ_５０）は０．１〜５．０μｍである。０．１μｍ未満では金属粉末が凝集しやすくなって、印刷精度が低下する、または焼結時の収縮率のばらつきが大きくなる。好ましくは０．２μｍ以上、より好ましくは０．３μｍ以上である。５．０μｍ超では、焼結時の収縮率が小さくなりすぎ、たとえばグリーンシートの同収縮率との差が大きくなり先に述べた焼成時の変形が増大する、または導電層の比抵抗が増大する。好ましくは１．０μｍ以下、より好ましくは０．７μｍ以下である。なお、Ｄはたとえばレーザー回折式粒度分布計によって測定される。
スラリー中の金属粉末の分散性をより高くしたい場合、金属粉末は球状粒子とすることが好ましく、また粒度のばらつきが小さい金属粉末を用いることが好ましい。

金属粉末はＡｇを質量百分率表示で９０％以上含有するものである。９０％未満では導電層の比抵抗が増大するおそれがある。この好ましい金属粉末は、銀粉末、銀合金粉末、銀粉末と銀合金粉末との混合粉末、または、銀粉末および／または銀合金粉末とその他の金属粉末との混合粉末である。銀合金粉末としては銀白金合金粉末、銀パラジウム合金粉末、銀ロジウム合金粉末が、前記その他の金属粉末としては金粉末、白金粉末がそれぞれ例示される。

（２）金属粉末水スラリーとイットリウム水溶液の混合
金属粉末水スラリーを撹拌しながらこれにイットリウム水溶液を添加して両者を混合する。温度は３０〜６０℃とすることが好ましい。
イットリウム水溶液としては、硝酸イットリウム等の水溶性イットリウム塩の水溶液、酸化イットリウム、水酸化イットリウム、炭酸イットリウム等の非水溶性イットリウム塩を硝酸等に溶解したもの、等が例示される。
イットリウム水溶液のＹ_２Ｏ_３含有量は、金属粉末水スラリー中の金属粉末を１００質量部として、好ましくは０．５〜４質量部である。０．５質量部未満では後述する焼成工程において金属粉末が焼結するおそれがある。より好ましくは１質量部以上である。４質量部を超えて含有しても４質量部含有する場合と同様の効果しか呈しない。好ましくは３質量部以下である。

（３）混合液のｐＨ調整
金属粉末水スラリーとイットリウム水溶液の混合液のｐＨが７未満または９超の場合、この混合液にアルカリ（たとえば水酸化ナトリウム）または酸を加えてｐＨを７〜９にする。なお、前記混合液のｐＨがすでに７〜９である場合は混合液のｐＨ調整はしなくてもよいが、その範囲でｐＨ調整を行ってもよい。

（４）混合液のろ過と分離粉末の洗浄・乾燥
ここで述べる混合液のろ過と分離粉末の洗浄・乾燥は、行うことが好ましいが必須ではない。
ｐＨが７〜９の混合液をろ過して粉末を分離する。
次に、この分離された粉末すなわち分離粉末を洗浄する。洗浄は好ましくは水を用いて行い、より好ましくは、その後メタノール、エタノール、イソプロパノール等の水溶性有機溶剤を用いてさらに洗浄する。なお水溶性有機溶剤洗浄を行うことにより、後述する乾燥を１００℃未満で効率的に行える。
次に、洗浄された分離粉末を乾燥する。乾燥は１００℃未満で行うことが好ましい。１００℃超では粉体が凝集しやすくなるおそれがある。

（５）混合液または分離粉末の加熱
（３）で作製されたｐＨが７〜９の混合液を、または（４）で分離粉末を得た場合はその分離粉末を１００〜７００℃に加熱して焼成粉末を作製する。
加熱は、加熱時の酸化を抑制または防止するために窒素気流等の中で行うことが好ましい。
分離粉末を加熱する場合、その加熱時間は典型的には０．５〜２時間である。また、分離粉末の加熱は回転炉、流動炉、静置炉等を用いて行う。加熱中に分離粉末が撹拌されるので回転炉または流動炉を用いることが好ましい。
このような加熱を行うことにより、このような加熱を行わない場合に比べ導電性粉末の比抵抗を低くできる。

（６）焼成粉末の洗浄
ここで述べる焼成粉末の洗浄は、金属粉末に付着していないＹまたはイットリウム化合物が残存する場合におけるその除去、金属粉末へのＹの付着割合の調整、等を目的として行われるものであり、必須ではない。
焼成粉末を水に分散してスラリーを作製し、これに硝酸、酢酸等の酸を加えて所望の量のＹまたはイットリウム化合物を除去する。
次に、このスラリーをろ過して粉末を分離し、この分離された粉末を（４）で述べたと同様に洗浄、乾燥する。

本発明のペーストを焼成して得られる焼成体の比抵抗は４μΩ・ｃｍ以下であることが好ましい。より好ましくは３μΩ・ｃｍ以下である。
本発明のペーストは周知のペースト製造方法によって製造される。導電性粉末と有機質ワニスをたとえば三本ロールミル等を用いて混合して製造される。

次に、本発明の導電層付き基板製造方法について説明する。
まず、ガラスセラミックス組成物の成分について質量百分率表示含有量を用いて説明する。
ガラス転移点Ｔｇが６９０〜８００℃であって、焼成時に結晶化するガラス粉末（以下、本ガラス粉末という。）は焼成体（基板）の緻密性を高くする成分であり、必須である。本ガラス粉末が４０％未満では焼成体の緻密性が不足する。好ましくは５０％以上、より好ましくは５５％以上である。９０％超では焼成体の強度が不足する。好ましくは７０％以下である。

前記Ｔｇが６９０℃未満では焼成時の流動性が過剰になる。８００℃超では９５０℃以下の温度で焼成した場合焼成体の緻密性が低下する。好ましくは７６０℃以下、より好ましくは７３０℃以下である。
焼成時に結晶化しないものであると焼成体の強度が低下する。なお、ガラス粉末が結晶化しているか否かはＸ線回折または示差熱分析によって知ることができる。
本ガラス粉末は９５０℃以下の温度で焼成したときに結晶化するものであることが好ましく、９００℃以下の温度で焼成したときに結晶化するものであることがより好ましい。
後述するε_Ｇまたはｔａｎδ_Ｇをより小さくしたい等の場合には、前記結晶化するときに析出する結晶はコーディエライト、ディオプサイド、アノーサイト、エンスタタイト、フォルステライトおよびＢａＡｌ_２ＳｉＯ_８からなる群から選ばれる１種以上の結晶であることが好ましい。

本ガラス粉末は、下記酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ_２３５〜５５％、Ａｌ_２Ｏ_３０．５〜２０％、ＭｇＯ５〜４０％、ＣａＯ５〜４０％、Ｂ_２Ｏ_３０〜１０％、ＺｎＯ０〜１０％、から本質的になることが好ましい。この好ましい態様においては本発明の目的を損なわない範囲で上記成分以外の成分を含有してもよいが、そのような成分を含有する場合その含有量は合計で１０モル％未満であることが好ましい。

本ガラス粉末のＤ_５０は０．５〜１５μｍであることが好ましい。０．５μｍ未満ではグリーンシート等の基板状成形体の保存安定性が低下するおそれがある。１５μｍ超では焼結性が低下するおそれがある。

本ガラス粉末を焼成して得られる結晶析出焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける比誘電率ε_Ｇは８以下であることが好ましい。なお、ε_Ｇは典型的には４以上である。
また、前記結晶析出焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける誘電損失ｔａｎδ_Ｇは０．００７０以下であることが好ましい。より好ましくは０．００５５以下、特に好ましくは０．００３０以下である。なお、ｔａｎδ_Ｇは典型的には０．００１０以上である。
なお、前記結晶析出焼成体は９００℃で焼成して得られたものであることが好ましい。

セラミックスフィラーは焼成体の強度を増加させる成分であり、必須である。１０％未満では強度が不足する。好ましくは２０％以上である。６０％超では焼成体の緻密性が不足する。好ましくは５０％以下、より好ましくは４０％以下である。
焼成体のｔａｎδ（後述）をより小さくしたい等の場合にはセラミックスフィラーはα−アルミナ（融点＝２０５０℃）、コーディエライト（融点＝１４６０℃）、フォルステライト（融点＝１８９０℃）、エンスタタイト（融点＝１５５０℃）およびスピネル（融点＝２０５０℃）からなる群から選ばれる１種以上の無機物の粉末であることが好ましい。α−アルミナ粉末を含有することがより好ましい。

セラミックスフィラーのＤ_５０は１〜２０μｍであることが好ましい。１μｍ未満では流動性が低下し焼成体の緻密性が不足する、または焼成体の強度が不足するおそれがある。より好ましくは２μｍ以上、特に好ましくは５μｍ以上、最も好ましくは７μｍ以上である。２０μｍ超では混合度が低下する、または焼成体の強度が不足するおそれがある。より好ましくは１５μｍ以下、特に好ましくは１２μｍ以下である。

ガラスセラミックス組成物は本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲で他の成分を含有してもよい。当該他の成分の含有量は好ましくは合計で１０％以下、より好ましくは７％以下である。
前記他の成分として、耐熱着色顔料や酸化セリウム粉末、酸化ホウ素粉末、酸化銅粉末、酸化銀粉末、酸化チタン粉末、酸化亜鉛粉末等が例示される。

前記ガラスセラミック組成物は基板状に成形して基板状成形体とされる。なお、当該基板状成形体は通常、グリーンシートである。
ガラスセラミック組成物のグリーンシートへの成形はたとえば次のようにして行われる。すなわち、ガラスセラミックス組成物は、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂等の樹脂と、トルエン、キシレン、ブタノール等の溶剤と、さらに必要に応じてフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等の可塑剤と分散剤等を添加して混合しスラリーとし、次に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム上にドクターブレード法等によって前記スラリーをシート状に成形し、その後乾燥することによって溶剤を除去し、グリーンシートとされる。

次に、基板状成形体の少なくとも一方の表面に本発明のペーストをスクリーン印刷等によって塗布し、たとえば配線パターン状に導電性ペースト層を形成する。
このようにして作製された導電性ペースト層付き基板状成形体は焼成されて導電層付き基板とされる。導電層付き基板における導電層は導電性ペースト層の焼成体に、基板は基板状成形体の焼成体にそれぞれ相当する。
焼成時の最高温度は９５０℃以下であることが好ましい。典型的には８５０〜９５０℃である。より好ましくは、最高温度は９００℃以下である。
焼成条件としては８５０〜９５０℃に５〜１８０分間保持するのが典型的である。

導電性ペースト層付き基板状成形体の基板、または前記ガラスセラミックス組成物の焼成体の比誘電率ε、誘電損失ｔａｎδは２０℃、３５ＧＨｚにおいてそれぞれ８．６以下、０．００２０以下であることが好ましい。なお、ε、ｔａｎδはそれぞれ典型的には４以上、０．０００５以上である。

本発明の導電層付き基板製造方法は先に述べたものに限定されず、たとえば、導電性ペースト層付き基板状成形体の上に別の導電性ペースト層付き基板状成形体を重ねてたとえば１００〜１５０℃に加熱してプレスし、その後焼成して２層タイプの導電層付き基板を製造してもよいし、同様にして３層以上の多層タイプの導電層付き基板を製造してもよい。

本発明の導電層付き基板製造方法によって導電層付き基板の反りは、存在するとしても７５μｍ／ｃｍ以下であることが好ましい。７５μｍ／ｃｍ超ではベアチップの搭載、ベース基板への接合等が困難になるおそれがある。より好ましくは５０μｍ／ｃｍ以下、特に好ましくは２５μｍ／ｃｍ以下である。なお、当該反りの測定方法については後述する。

ガラス原料としてＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＣａＣＯ_３、ＺｎＯを使用し、酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ_２が４４％、Ａｌ_２Ｏ_３が８％、ＭｇＯが３０％、ＣａＯが１６％、ＺｎＯが２％の組成となるように混合した原料を白金ルツボに入れ、１５００℃で１２０分間、溶融してから流し出して冷却した。得られたガラスをアルミナ製ボールミルによって粉砕しＤ_５０が２．５μｍのガラス粉末Ａを得た。なおＤ_５０は、水を溶媒として島津製作所社製レーザー回折式粒度分布計ＳＡＬＤ２１００で測定した。

ガラス粉末ＡのＴｇおよび結晶化ピーク温度Ｔ_Ｃを、マックサイエンス社製示差熱分析計ＴＧ−ＤＴＡを用いて測定した結果、それぞれ７２０℃、９４８℃であった。
また、ガラス粉末Ａを９００℃に３０分間保持して得られた焼成体についてＸ線回折法により結晶析出の有無を調べた結果、アノーサイト、ディオプサイドおよびフォルステライトの析出が認められた。

質量百分率表示でガラス粉末Ａが６５％、アルミナ粉末（住友化学工業製スミコランダムＡＡ１０）が３５％となるように両者を混合し、これらの混合粉末であるガラスセラミックス組成物を作製した。
このガラスセラミックス組成物１００質量部に、トルエン、キシレン、イソプロピルアルコールおよびｎ−ブチルアルコールからなる有機溶剤を７０質量部、フタル酸ジブチルを５質量部、分散剤（ビックケミー社製ＢＹＫ１８０）を０．５質量部の割合で加えて混合し、なめらかなスラリーを得た。
ＰＥＴフィルム上にこのスラリーをドクターブレード法によって塗布し、乾燥して厚さが約２００μｍのグリーンシートを作製した。

次に、以下のようにしてペーストを作製した。
まず、走査型電子顕微鏡で観察したときにその形状が球状であり、またその粒径が約０．５μｍである銀粉末１を用意した。
１５０ｇの銀粉末１を純水１Ｌに分散させ、撹拌して銀粉末水スラリーを作製した。
この銀粉末水スラリーに、ＹをＹ_２Ｏ_５として３．７５ｇ含有する塩化イットリウム水溶液を加え、３０分間撹拌して混合液を作製した。
この混合液に水酸化ナトリウム水溶液を加え、ｐＨを８に調整した。
このｐＨ８の混合液をろ過し、ろ過によって分離された粉末を洗浄、乾燥して分離粉末を得た。
分離粉末１５０ｇを電気炉に入れ、窒素ガスを流しながら３００℃に１時間保持後冷却し、焼成粉末を得た。

この焼成粉末を３等分し、３等分された各焼成粉末に氷酢酸をそれぞれ、３．９ｍＬ、３．２ｍＬ、１．９ｍＬ加え、１時間撹拌後、ろ過、洗浄、乾燥して銀粉末２、銀粉末３、銀粉末４を得た。銀粉末２、３、４における銀粉末へのＹの付着割合はＩＣＰ発光分析法を用いて測定したところ、銀粉末を１００質量部としてそれぞれ０．２質量部、０．３質量部、０．５質量部であった。

また、銀粉末５として、Ａｌ_２Ｏ_３が銀粉末１００質量部に対して０．３質量部の割合で付着している三井金属鉱業社製Ａｌ_２Ｏ_３被覆銀粉末を用意した。

また、１５０ｇの銀粉末１を純水１Ｌに分散させ、５０℃に保持した状態でケイ酸ナトリウム液を加え、１時間撹拌後、硝酸を加えてｐＨを８に調整した。その後ろ過、乾燥して銀粉末６を得た。銀粉末６には、ＩＣＰ発光分析法を用いて測定したところ、ＳｉがＳｉＯ_２として銀粉末１００質量部に対して０．３質量部の割合で付着していた。

質量百分率表示で銀粉末１が８５％、エチルセルロースをα−テルピネオールに質量比１：９の割合で溶解した有機質ワニスが１５％となるように両者を調合し、磁器乳鉢で１時間混練後、三本ロールで３回分散を行い、ペースト１を作製した。同様にして銀粉末２〜６を用いてペースト２〜６を作製した。ペースト２、３、４は実施例、ペースト１、５、６は比較例である。

前記グリーンシートを４ｃｍ×４ｃｍに切断したグリーンシートを６枚重ね、１１０℃に加熱してプレスし、グリーンシート積層体（図１における符号１）の表面に、ペースト１〜６を用いて、それぞれ図１に示すような櫛形の配線パターン（ペースト層）２を印刷し、９００℃で１時間焼成して銀導体配線が表面に形成された焼成体（導電層付き基板）が得られた。焼成体の厚みは０．９ｍｍであった。

前記焼成体の反りを図２に示すようにして測定した。すなわち、焼成体の厚みｔ、幅ａおよび高さｂをノギスを用いて測定し、次式により反り（単位：μｍ／ｃｍ）を算出した。なお３は導体配線、４は基板である。
反り＝｛（ｂ−ｔ）／ａ｝×１００００
また、アドバンテスト社製デジタルマルチメーターを用いて、電気抵抗Ｒを測定し、また、東京精密社製サーフコムを用いて、断面形状を測定して積分法にて断面積Ｓを算出した。また、銀導体配線の長さＬを、光学顕微鏡付のデジタルノギスで測定した。
前記Ｒ、Ｓ、Ｌから次式により比抵抗（単位：μΩ・ｃｍ）を算出した。
比抵抗＝Ｒ×Ｓ÷Ｌ

導体配線が形成された焼成体の反りの測定サンプルの製造方法を説明する図。導体配線が形成された焼成体の反りの測定方法を説明する図。

符号の説明

１：グリーンシート積層体
２：印刷された櫛形パターンの配線（ペースト層）
３：導体配線
４：基板

Claims

金属粉末１００質量部に対してＹがＹ_２Ｏ_３として０．０５〜１．０質量部の割合で付着している導電性粉末と有機質ワニスとから本質的になる導電性ペーストであって、前記金属粉末がＡｇを質量百分率表示で９０％以上含有するものであり、導電性粉末が下記方法によって作製されたものであることを特徴とする導電性ペースト。
（方法）
質量平均粒径が０．１〜５．０μｍである金属粉末を水に分散させたスラリーとイットリウム塩水溶液とを混合して混合液とし、当該混合液のｐＨが７未満または９超の場合はそのｐＨを７〜９にするｐＨ調整を行い、当該混合液のｐＨが７〜９である場合は前記ｐＨ調整を行うことなく、前記混合液または前記混合液をろ過して得られた粉末を１００〜７００℃に加熱して焼成粉末とし、その後焼成粉末を酸洗浄して導電性粉末とする。
質量百分率表示で４０〜９０％のガラス粉末と１０〜６０％のセラミックスフィラーから本質的になるガラスセラミックス組成物を基板状に成形した基板状成形体の少なくとも一方の表面に導電性ペーストを塗布して作製された導電性ペースト層付き基板状成形体を焼成して導電層付き基板を製造する方法であって、
ガラス粉末は、ガラス転移点が６９０〜８００℃であって焼成時に結晶化するものであり、導電性ペーストが請求項１に記載の導電性ペーストであることを特徴とする導電層付き基板製造方法。
焼成時の最高温度が８５０〜９５０℃であることを特徴とする請求項２に記載の導電層付き基板製造方法。
基板状成形体が焼成されたものである基板の比誘電率、誘電損失が２０℃、３５ＧＨｚにおいてそれぞれ８．６以下、０．００２０以下であることを特徴とする請求項２または３に記載の導電層付き基板製造方法。
ガラス粉末が下記酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ_２３５〜５５％、Ａｌ_２Ｏ_３０．５〜２０％、ＭｇＯ５〜４０％、ＣａＯ５〜４０％、Ｂ_２Ｏ_３０〜１０％、ＺｎＯ０〜１０％、から本質的になる請求項２、３または４に記載の導電層付き基板製造方法。
セラミックスフィラーがα−アルミナ、コーディエライト、フォルステライト、エンスタタイトおよびスピネルからなる群から選ばれる１種以上の無機物の粉末である請求項２、３、４または５に記載の導電層付き基板製造方法。