JP4661459B2 - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
半導体チップを基板に接続する方法として、従来は、半導体チップにダイボンディングフィルムを貼り付けた後に基板に熱圧着する方法、または接着剤ペーストを基板に塗布してその上に半導体チップを載せて加熱接着する方法が採られていた。 As a method of connecting a semiconductor chip to a substrate, conventionally, a method in which a die bonding film is attached to the semiconductor chip and then thermocompression bonding to the substrate, or an adhesive paste is applied to the substrate and the semiconductor chip is placed thereon and heated. The method of adhering was taken.
一方で、感光樹脂組成物は露光、現像によりパターン形成可能な材料であり、従来より半導体素子の表面コート膜の保護膜や多層配線基板の層間絶縁膜等に使用されている。耐熱性、低温再接着性に優れた接着剤を基板上に選択的に微細パターニングすることができる感光性材料の開発が望まれている。
しかしながら、上記文献記載の従来技術は、以下の点で改善の余地を有していた。 However, the prior art described in the above literature has room for improvement in the following points.
第一に、従来の感光性樹脂組成物は、低温での再接着性が無いため基板上に半導体チップが搭載された半導体装置の接着剤としては不適切であるという課題があった。 First, since the conventional photosensitive resin composition does not have re-adhesiveness at a low temperature, there is a problem that it is inappropriate as an adhesive for a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a substrate.
第二に、従来のダイボンディングフィルム自体が感光材料ではないために、露光により微細なパターニングを施すということができないという課題があった。 Secondly, since the conventional die bonding film itself is not a photosensitive material, there is a problem that fine patterning cannot be performed by exposure.
第三に、従来の手法では、ダイボンディングフィルムを半導体チップに先に貼り付けていたので、貼り付けに失敗すると比較的高価な半導体チップを廃棄しなければならないという課題があった。 Thirdly, in the conventional method, since the die bonding film is previously attached to the semiconductor chip, there is a problem that if the attachment fails, a relatively expensive semiconductor chip must be discarded.
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体チップと基板を接続する接着剤層を微細にパターニング加工することのできる半導体装置の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of finely patterning an adhesive layer connecting a semiconductor chip and a substrate. is there.
上記課題は、以下のような手段により解決される。
（１）基板に、接着剤層と支持基材層とを備える接着フィルムを貼り付ける工程、
（２）マスクを介して前記接着フィルムを露光する工程、
（３）露光後の接着剤層を現像する工程、及び、
（４）チップを基板上の接着剤層にマウントする工程、
をこの順に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法であって、
前記接着剤層が、
（Ａ）ラジカル重合性二重結合を有する樹脂、
（Ｂ）熱硬化性樹脂、及び、
（Ｃ）アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
The above problems are solved by the following means.
(1) A process of attaching an adhesive film comprising an adhesive layer and a support base material layer to a substrate ,
(2) Step dew light the adhesive film through the mask,
(3) a step of developing the adhesive layer after exposure, and
(4) mounting the chip on the adhesive layer on the substrate;
In this order, and a method for manufacturing a semiconductor device,
Before Kise' Chakuzaiso is,
(A) a resin having a radical polymerizable double bond,
(B) a thermosetting resin, and
(C) a resin having an alkali-soluble group and a double bond,
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
本発明は、接着性と感光性を有する接着剤層を用いているために、半導体チップと基板を接続する接着剤層を微細にパターニング加工することのできる半導体装置の製造方法を提供することができる。 Since the present invention uses an adhesive layer having adhesiveness and photosensitivity, it is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of finely patterning an adhesive layer connecting a semiconductor chip and a substrate. it can.
本発明によれば、半導体チップと基板を接続する接着剤層を微細にパターニング加工することのできる半導体装置の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the semiconductor device which can carry out the fine patterning process of the adhesive bond layer which connects a semiconductor chip and a board | substrate can be provided.
本発明は、
（１）基板に、接着剤層と支持基材層とを備える接着フィルムを貼り付ける工程、
（２）マスクを介して前記接着フィルムを露光する工程、
（３）露光後の接着剤層を現像する工程、及び、
（４）チップを基板上の接着剤層にマウントする工程、
をこの順に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法であって、
前記接着剤層が、
（Ａ）ラジカル重合性二重結合を有する樹脂、
（Ｂ）熱硬化性樹脂、及び、
（Ｃ）アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に関するものである。
The present invention
(1) A process of attaching an adhesive film comprising an adhesive layer and a support base material layer to a substrate ,
(2) Step dew light the adhesive film through the mask,
(3) a step of developing the adhesive layer after exposure, and
(4) mounting the chip on the adhesive layer on the substrate;
In this order, and a method for manufacturing a semiconductor device,
Before Kise' Chakuzaiso is,
(A) a resin having a radical polymerizable double bond,
(B) a thermosetting resin, and
(C) a resin having an alkali-soluble group and a double bond,
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
なお下記は例示であり、本発明は何ら下記に限定されるものではない。以下に本発明の半導体の製造方法について詳細に説明する。 The following is an example, and the present invention is not limited to the following. The semiconductor manufacturing method of the present invention will be described in detail below.
本発明で用いる（Ａ）ラジカル重合性二重結合を有する樹脂としては、例えば不飽和ポリエステル、アクリロイル基またはメタクリロイル基を、一分子中に少なくとも1個以上有するアクリル系モノマーやオリゴマーなどが挙げられ、これらは単独で用いることも可能であり、また、２種類以上を混合して用いることもできる。 Examples of the resin having a radical polymerizable double bond (A) used in the present invention include unsaturated polyester, acryloyl group or methacryloyl group, an acrylic monomer or oligomer having at least one in a molecule, These can be used alone or in combination of two or more.
これらの中でもアクリル系化合物を主成分とする紫外線硬化性樹脂が好ましい。アクリル系化合物は光を照射した際の硬化速度が速く、これにより、比較的少量の露光量で樹脂をパターニングすることができる。前記アクリル系化合物としては、アクリル酸エステルもしくはメタクリル酸エステルのモノマー等が挙げられ、具体的にはジアクリル酸エチレングリコール、ジメタクリル酸エチレングリコール、ジアクリル酸１，６-ヘキサンジオール、ジメタクリル酸１，６-ヘキサンジオール、ジアクリル酸グリセリン、ジメタクリル酸グリセリン、ジアクリル酸１，１０-デカンジオール、ジメタクリル酸１，１０-デカンジオール等の２官能アクリレート、トリアクリル酸トリメチロールプロパン、トリメタクリル酸トリメチロールプロパン、トリアクリル酸ペンタエリスリトール、トリメタクリル酸ペンタエリスリトール、ヘキサアクリル酸ジペンタエリスリトール、ヘキサメタクリル酸ジペンタエリスリトール等の多官能アクリレートなどが挙げられる。これらの中でもアクリル酸エステルが好ましく、特に好ましくはエステル部位の炭素数が１〜１５のアクリル酸エステルまたはメタクリル酸アルキルエステルが好ましい。
Among these, an ultraviolet curable resin mainly composed of an acrylic compound is preferable. The acrylic compound has a high curing rate when irradiated with light, and thus the resin can be patterned with a relatively small amount of exposure. Examples of the acrylic compound, include monomers of acrylic acid esters or methacrylic acid esters, specifically diacrylate ethylene glycol, the Jimetakuri Le
本発明で用いる（Ａ）ラジカル重合性二重結合を有する樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の５〜６０重量％が好ましく、特に８〜３０重量％が好ましい。含有量が前記下限値以上であると紫外線照射による樹脂のパターニングが良好になり、前記上限値未満であると樹脂が適度に硬くなり、紫外線照射前のフィルム特性が向上する。 Although content of the resin which has (A) radically polymerizable double bond used by this invention is not specifically limited, 5 to 60 weight% of the whole said resin composition is preferable, and 8 to 30 weight% is especially preferable. When the content is not less than the lower limit, the patterning of the resin by ultraviolet irradiation becomes good, and when it is less than the upper limit, the resin becomes appropriately hard and the film properties before ultraviolet irradiation are improved.
また、本発明で用いる（Ａ）ラジカル重合性二重結合を有する樹脂は、特に限定されないが、常温で液状であることが好ましい。これにより、紫外線による硬化反応性を向上することができる。さらに、（Ｂ）熱硬化性樹脂との混合作業を容易にすることができる。常温で液状の光硬化性樹脂の具体例としては、アクリル化合物を主成分とする光硬化性樹脂等が挙げられる。 Moreover, (A) resin which has a radically polymerizable double bond used by this invention is although it does not specifically limit, It is preferable that it is liquid at normal temperature. Thereby, the curing reactivity by ultraviolet rays can be improved. Furthermore, the mixing operation with (B) thermosetting resin can be facilitated. Specific examples of the photocurable resin that is liquid at room temperature include a photocurable resin mainly composed of an acrylic compound.
また、前記樹脂組成物には、さらに、光重合開始剤を併用することが好ましい。これにより、光重合により樹脂を効率良くパターニングすることができる。 Moreover, it is preferable to use a photopolymerization initiator in combination with the resin composition. Thereby, resin can be efficiently patterned by photopolymerization.
前記光重合開始剤としては、例えばベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。 Examples of the photopolymerization initiator include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin isobutyl ether, methyl benzoin benzoate, benzoin benzoic acid, benzoin methyl ether, benzylfinyl sulfide, benzyl, dibenzyl, diacetyl and the like.
前記光重合開始剤の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の０．５〜５重量％が好ましく、特に０．８〜２．５重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると光重合開始する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応性が高くなりすぎ保存性や解像性が低下する場合がある。 Although content of the said photoinitiator is not specifically limited, 0.5 to 5 weight% of the whole said resin composition is preferable, and 0.8 to 2.5 weight% is especially preferable. When the content is less than the lower limit, the effect of initiating photopolymerization may be reduced, and when the content exceeds the upper limit, the reactivity may be too high and storage stability and resolution may be reduced.
本発明で用いる（Ｂ）熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。これらの中でもエポキシ樹脂が特に好ましい。これにより、耐熱性および密着性をより向上することができる。 Examples of the (B) thermosetting resin used in the present invention include novolac type phenol resins such as phenol novolac resin, cresol novolac resin, bisphenol A novolac resin, phenol resin such as resol phenol resin, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy. Bisphenol type epoxy resin such as resin, novolak epoxy resin, novolak type epoxy resin such as cresol novolak epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, alkyl-modified triphenolmethane type epoxy resin, triazine Nucleated epoxy resin, epoxy resin such as dicyclopentadiene modified phenolic epoxy resin, urea (urea) resin, triazine ring such as melamine resin That resins, unsaturated polyester resins, bismaleimide resins, polyurethane resins, diallyl phthalate resins, silicone resins, resins having a benzoxazine ring, cyanate ester resins, etc., and these may be used singly or in admixture. Among these, an epoxy resin is particularly preferable. Thereby, heat resistance and adhesiveness can be improved more.
また、さらに前記エポキシ樹脂として室温で固形のエポキシ樹脂（特にビスフェノール型エポキシ樹脂）と、室温で液状のエポキシ樹脂（特に室温で液状のシリコーン変性エポキシ樹脂）とを併用することが好ましい。これにより、耐熱性を維持しつつ、可とう性と解像性との両方に優れる。 Furthermore, it is preferable to use an epoxy resin that is solid at room temperature (particularly a bisphenol type epoxy resin) and an epoxy resin that is liquid at room temperature (particularly a silicone-modified epoxy resin that is liquid at room temperature) as the epoxy resin. Thereby, it is excellent in both flexibility and resolution, maintaining heat resistance.
本発明で用いる（Ｂ）熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１０〜４０重量％が好ましく、特に１５〜３５重量％が好ましい。含有量が前記下限値以上であると耐熱性を向上する効果が向上し、前記上限値未満であると接着フィルムの靭性を向上する効果を奏する。 Although content of (B) thermosetting resin used by this invention is not specifically limited, 10 to 40 weight% of the whole said resin composition is preferable, and 15 to 35 weight% is especially preferable. When the content is not less than the lower limit, the effect of improving the heat resistance is improved, and when it is less than the upper limit, the effect of improving the toughness of the adhesive film is exhibited.
また、室温で液状の前記熱硬化性樹脂を併用する場合、前記の液状光硬化性樹脂と液状熱硬化性樹脂との合計量が、前記樹脂組成物全体の６０重量％以下であることが好ましく、特に３〜５０重量％以下であることが好ましい。前記範囲内であると、特に耐熱性と、可とう性と、解像性とのバランスに優れる。 When the thermosetting resin that is liquid at room temperature is used in combination, the total amount of the liquid photocurable resin and the liquid thermosetting resin is preferably 60% by weight or less of the entire resin composition. In particular, it is preferably 3 to 50% by weight or less. Within the above range, the balance of heat resistance, flexibility and resolution is particularly excellent.
本発明で用いる（Ｃ）アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂としては、具体的には、アクリル変性フェノール樹脂、アクリロイル基含有アクリル酸重合体等が挙げられる。これらの中でもアクリル変性フェノール樹脂が好ましい。アルカリ可溶性基を含む樹脂を用いることにより、現像処理時に二重結合部分が未反応の樹脂を除去する際に、現像液として通常用いられる有機溶剤の代わりに、で環境に対する負荷のより少ないアルカリ水溶液を適用することができると共に、二重結合部分が硬化反応に寄与することから樹脂組成物の耐熱性を維持することができる。 Specific examples of the (C) resin having an alkali-soluble group and a double bond used in the present invention include an acrylic-modified phenol resin and an acryloyl group-containing acrylic acid polymer. Of these, acrylic-modified phenolic resins are preferred. By using a resin containing an alkali-soluble group, an alkaline aqueous solution with less environmental impact is used instead of an organic solvent that is usually used as a developer when removing unreacted resin in the double bond portion during development processing. Since the double bond portion contributes to the curing reaction, the heat resistance of the resin composition can be maintained.
ここで、光反応基を有する熱硬化性樹脂を用いる場合、前記光反応基の変性率（置換率）は、特に限定されないが、前記アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の反応基全体の２０〜８０％が好ましく、特に３０〜７０％が好ましい。光反応基の変性量を上記の範囲とすることで、特に解像性に優れる接着剤層を提供することができる。 Here, when using a thermosetting resin having a photoreactive group, the modification rate (substitution rate) of the photoreactive group is not particularly limited, but the total reactive group of the resin having an alkali-soluble group and a double bond is not limited. It is preferably 20 to 80%, particularly preferably 30 to 70%. By setting the modified amount of the photoreactive group in the above range, an adhesive layer having particularly excellent resolution can be provided.
一方、熱反応基を有する光硬化性樹脂を用いる場合、前記熱反応基の変性率（置換率）は、特に限定されないが、前記アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の反応基全体の２０〜８０％が好ましく、特に３０〜７０％が好ましい。熱反応基の変性量を上記の範囲とすることで、特に解像性に優れる樹脂組成物を提供することができる。 On the other hand, when using a photocurable resin having a thermally reactive group, the modification rate (substitution rate) of the thermally reactive group is not particularly limited, but is 20 of the entire reactive group of the resin having an alkali-soluble group and a double bond. -80% is preferable, and 30-70% is especially preferable. By setting the modification amount of the heat-reactive group within the above range, it is possible to provide a resin composition that is particularly excellent in resolution.
ここで、アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１５〜５０重量％が好ましく、特に２０〜４０重量％が好ましい。特に、樹脂組成物の樹脂成分（無機充填剤を除く全部の成分）のうち、１０〜８０重量％、好ましくは１５〜７０重量％であってもよい。アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂の含有量が小さくなり過ぎると光硬化性樹脂および熱硬化性樹脂との相溶性を向上させる効果が低下する場合があり、一方で大きくなり過ぎると現像性またはフォトリソグラフィ技術による接着層のパターニングの解像性が低下する場合がある。 Here, the content of the resin having an alkali-soluble group and a double bond is not particularly limited, but is preferably 15 to 50% by weight, particularly preferably 20 to 40% by weight, based on the entire resin composition. In particular, it may be 10 to 80% by weight, preferably 15 to 70% by weight, of the resin components (all components except the inorganic filler) of the resin composition. If the content of the resin having an alkali-soluble group and a double bond becomes too small, the effect of improving the compatibility with the photo-curing resin and the thermosetting resin may be lowered. Alternatively, the resolution of the adhesive layer patterning by photolithography may be deteriorated.
また、前記接着フィルムに耐熱性や、寸法安定性、耐湿性等の特性が特に要求される場合には、前記樹脂組成物は、さらに（Ｄ）無機充填材を含有することが好ましい。前記無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、溶融シリカ（溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ）、結晶シリカ等のシリカ粉末等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素等の窒化物等を挙げることができる。前述の無機充填材は、単独でも混合して使用しても良い。これらの中でも溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ粉末が好ましく、特に球状溶融シリカが好ましい。これにより、耐熱性、耐湿性、強度等を向上させることができる。前記無機充填材の形状は、特に限定されないが、真球状であることが好ましい。これにより、特性に異方性の無い接着フィルムにすることができる。 In addition, when the adhesive film particularly requires characteristics such as heat resistance, dimensional stability, and moisture resistance, the resin composition preferably further contains (D) an inorganic filler. Examples of the inorganic filler include silicates such as talc, fired clay, unfired clay, mica, and glass, titanium oxide, alumina, fused silica (fused spherical silica, fused crushed silica), silica powder such as crystalline silica, and the like. Oxides, carbonates such as calcium carbonate, magnesium carbonate, hydrotalcite, hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide, sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate, calcium sulfite And borate salts such as zinc borate, barium metaborate, aluminum borate, calcium borate and sodium borate, and nitrides such as aluminum nitride, boron nitride and silicon nitride. The aforementioned inorganic fillers may be used alone or in combination. Among these, silica powders such as fused silica and crystalline silica are preferable, and spherical fused silica is particularly preferable. Thereby, heat resistance, moisture resistance, strength, etc. can be improved. The shape of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably a true sphere. Thereby, it can be set as the adhesive film without anisotropy in a characteristic.
前記無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、０．１〜３０μｍが好ましく、特に０．３〜１０μｍが好ましい。平均粒子径が前記下限値未満であると無機充填材が凝集しやすくなり、強度が低下する場合があり、前記上限値を超えると露光・現像による接着フィルムの解像性が低下する場合がある。 The average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 30 μm, and particularly preferably 0.3 to 10 μm. If the average particle size is less than the lower limit value, the inorganic filler tends to aggregate and the strength may decrease, and if the upper limit value is exceeded, the resolution of the adhesive film by exposure / development may decrease. .
前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１０〜６０重量％が好ましく、特に２０〜５０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性、寸法安定性、吸湿性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると露光・現像による解像性が低下する場合がある。 Although content of the said inorganic filler is not specifically limited, 10 to 60 weight% of the whole said resin composition is preferable, and 20 to 50 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the effect of improving heat resistance, dimensional stability and hygroscopicity may be reduced, and if the content exceeds the upper limit, resolution by exposure / development may be reduced.
本発明における接着剤層には、本発明の目的を損なわない範囲で紫外線吸収剤、レベリング剤等の添加剤を添加することができる。 Additives such as ultraviolet absorbers and leveling agents can be added to the adhesive layer in the present invention as long as the object of the present invention is not impaired.
本発明の接着フィルムは、例えば、次のようにして作成することができる。すなわち、前記各成分を配合した接着剤組成物を、従来公知の有機溶剤に溶解させ、溶解装置を用いて均一に混合、分散して、接着剤組成物溶液を作製する。一方、支持基材を予め準備し、この支持基材上に従来公知の塗工機等を用いて上記接着剤組成物溶液を塗工した後、これを５０〜１２０℃で乾燥する。そして、カバーフィルムを合わせてラミネートする。上記生成したものからカバーフィルムを剥離することにより、目的とする接着フィルムを作製することができる。 The adhesive film of the present invention can be prepared, for example, as follows. That is, an adhesive composition containing the above components is dissolved in a conventionally known organic solvent, and uniformly mixed and dispersed using a dissolution apparatus to prepare an adhesive composition solution. On the other hand, a support base material is prepared in advance, and the adhesive composition solution is applied onto the support base material using a conventionally known coating machine or the like, and then dried at 50 to 120 ° C. Then, the cover film is laminated together. The target adhesive film can be produced by peeling the cover film from the generated product.
上記溶解装置としては、例えば、フラスコ装置、ホモミキサ−装置等があげられる。また上記において、支持基材に塗布される樹脂組成物の塗工方法には、特に制限はないが、例えば、グラビアコーター方式、ロールコーター方式、エアプレートコーター方式、スプレーコーター方式、カーテンコーター方式、ディップ方式による塗工方法等を用いることができる。塗布後、５０℃以上、好ましくは６０℃以上で３分以上乾燥させるのが好ましい。乾燥温度の上限は、支持基材、樹脂組成物の熱分解温度より低い温度であれば特に制限はなく、例えば５０℃〜１２０が好ましく、６０℃〜９０℃がより好ましい。乾燥時間の上限は、特に制限はないが、生産性の観点から１０分以内が好ましく、５分以内がより好ましい。 Examples of the dissolution apparatus include a flask apparatus and a homomixer apparatus. In the above, the method of coating the resin composition applied to the support substrate is not particularly limited, for example, gravure coater method, roll coater method, air plate coater method, spray coater method, curtain coater method, A dip coating method or the like can be used. After application, it is preferably dried at 50 ° C. or higher, preferably 60 ° C. or higher for 3 minutes or longer. The upper limit of the drying temperature is not particularly limited as long as the temperature is lower than the thermal decomposition temperature of the support substrate and the resin composition, and is preferably 50 ° C to 120 ° C, and more preferably 60 ° C to 90 ° C, for example. The upper limit of the drying time is not particularly limited, but is preferably within 10 minutes, more preferably within 5 minutes from the viewpoint of productivity.
上記塗工機としては、熱風循環式乾燥装置を有するものが好ましい。上記溶解装置および塗工機には、安全上、環境保全上の点で、排気装置．溶剤回収装置等を取り付けて作業することが好ましい。 As said coating machine, what has a hot-air circulation type drying apparatus is preferable. The melting device and the coating machine include an exhaust device in terms of safety and environmental conservation. It is preferable to work by attaching a solvent recovery device or the like.
上記支持基材としては、特に限定されるものではなく、例えば、ポリイミド基材、ポリエステル基材、ポリエチレンテレフタレート基材、フッ素樹脂製フィルム基材から選ばれる、接着剤の塗工、乾燥、半導体装置組立工程中の熱に耐えられる樹脂からなるフィルムが好ましい。また、上記フィルム基材は、表面をシリコーン処理したフィルム基材および表面をシリコーン処理していないフィルム基材のいずれも使用することができる。なお、上記絶縁性フィルム基材としては、ポリエチレンテレフタレート基材が好ましい。 The support substrate is not particularly limited. For example, adhesive coating, drying, and semiconductor device selected from a polyimide substrate, a polyester substrate, a polyethylene terephthalate substrate, and a fluororesin film substrate. A film made of a resin that can withstand the heat during the assembly process is preferred. In addition, as the film base, any of a film base whose surface is siliconized and a film base whose surface is not silicone-treated can be used. In addition, as said insulating film base material, a polyethylene terephthalate base material is preferable.
上記の支持基材の厚さは特に制限はないが、露光・現像後の樹脂の解像性を維持するために１００μｍ以下であることが好ましく、７０μｍ以下がさらに好ましい。なお支持フィルムの厚さは、接着剤層を自己支持することから１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。 The thickness of the support substrate is not particularly limited, but is preferably 100 μm or less and more preferably 70 μm or less in order to maintain the resolution of the resin after exposure and development. The thickness of the support film is preferably 10 μm or more and more preferably 20 μm or more because the adhesive layer self-supports the adhesive layer.
上記有機溶剤としては、接着剤組成物の形成材料である各成分を溶解できるものであれば特に限定はないが、低沸点溶剤を用いることが好ましい。上記有機溶剤としては、ケトン系溶剤、グリコ−ルジエーテル系溶剤、含窒素系溶剤等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。また、有機溶剤の一部は、接着剤組成物の各成分の溶解性を損なわない範囲で炭化水素系溶剤、エステル系溶剤、多価アルコール誘導体を使用してもよい。 The organic solvent is not particularly limited as long as it can dissolve each component that is a material for forming the adhesive composition, but a low boiling point solvent is preferably used. Examples of the organic solvent include ketone solvents, glycol diether solvents, nitrogen-containing solvents, and the like. These are used singly or in combination of two or more. Further, as part of the organic solvent, a hydrocarbon solvent, an ester solvent, or a polyhydric alcohol derivative may be used as long as the solubility of each component of the adhesive composition is not impaired.
本発明における、（１）基板に、接着剤層と支持基材層とを備える接着フィルムを貼り付ける工程は一般的に下記の方法で行うことができる。
In the present invention, (1) the step of attaching an adhesive film comprising an adhesive layer and a supporting base material layer to the substrate can be generally performed by the following method.
基板表面に接着フィルムを加熱加圧ラミネート法などで貼り付ける。基板の反りを防ぐため、圧着圧力は０．２〜０．４ｋｇ／ｃｍ2以下の必要である。ラミネート温度と速度は、接着界面に空隙や過剰なはみ出しがなく接着できれば、特に限定されないが、ラミネート温度は５０℃〜８０℃、ラミネート速度は生産性を考慮すると０．２〜０．７ｍ／ｍｉｎが好ましい。 An adhesive film is attached to the substrate surface by a heat and pressure laminating method. In order to prevent the warpage of the substrate, the pressure for pressure bonding should be 0.2 to 0.4 kg / cm 2 or less. The laminating temperature and speed are not particularly limited as long as there is no void or excessive protrusion at the bonding interface, but the laminating temperature is 50 to 80 ° C., and the laminating speed is 0.2 to 0.7 m / min in consideration of productivity. Is preferred.
本発明における、（２）マスクを介して前記接着フィルムを露光する工程は一般的に下記の方法で行うことができる。
In the present invention can be carried out in (2) you exposure light to the adhesive film through the mask process generally follows the method.
上記接着フィルムがラミネートされた基板上に所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照射し、露光を行う。露光に用いられる化学線としては、Ｘ線、電子線、紫外線、可視光線等が使用できるが、本発明では３６５ｎｍの波長領域が好ましい。露光エネルギ-は、例えば、１５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは２５０〜７５０ｍＪ／ｃｍ2程度の範囲から選択できる。露光後、オーブンやホットプレートを用い、５０〜８０℃で熱処理を行う。この露光後加熱によって接着フィルムの表面平滑性が向上する。
The adhesive film is irradiated with actinic radiation through a mask having a desired pattern laminated board on, it performs exposure. As the actinic radiation used for the exposure, X-rays, electron beams, ultraviolet rays, visible rays, and the like can be used. In the present invention, a wavelength region of 365 nm is preferable. The exposure energy can be selected, for example, from a range of about 150 to 1000 mJ / cm 2 , preferably about 250 to 750 mJ / cm 2 . After the exposure, heat treatment is performed at 50 to 80 ° C. using an oven or a hot plate. This post-exposure heating improves the surface smoothness of the adhesive film.
本発明における、（３）露光後の接着剤層を現像する工程は一般的に下記の方法で行うことができる。
In the present invention, (3) the step of developing the adhesive layer after exposure can be generally performed by the following method.
上記接着フィルムの支持基材を剥離し、次に未露光部を現像液で溶解除去することによりパターンを得る。現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第２アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩等のアルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノールのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができる。現像液および補充液には現像性の促進や抑制、現像カスの分散性を高める目的で必要に応じて種々の界面活性剤や有機溶剤を添加できる。好ましい界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系および両性界面活性剤があげられる。更に現像液および補充液には必要に応じて、ハイドロキノン、レゾルシン、亜硫酸、亜硫酸水素酸などの無機酸のナトリウム塩、カリウム塩等の還元剤、更に有機カルボン酸、消泡剤、硬水軟化剤を加えることもできる。現像は、上記現像液を用いて、２０℃から３０℃の範囲で２０秒分から数分間行うのが好ましい。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能である。 The support substrate of the adhesive film is peeled off, and then the unexposed portion is dissolved and removed with a developer to obtain a pattern. As the developer, inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine, di-n Secondary amines such as propylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, quaternary ammonium such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide An aqueous solution of an alkali such as a salt, and an aqueous solution to which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added can be preferably used. Various surfactants and organic solvents can be added to the developer and the replenisher as necessary for the purpose of promoting or suppressing developability and enhancing the dispersibility of development residue. Preferred surfactants include anionic, cationic, nonionic and amphoteric surfactants. If necessary, the developer and replenisher may contain reducing agents such as hydroquinone, resorcin, sulfurous acid, bisulfite, and other inorganic acids such as sodium salts and potassium salts, and organic carboxylic acids, antifoaming agents, and hard water softeners. It can also be added. Development is preferably performed in the range of 20 ° C. to 30 ° C. for 20 seconds to several minutes using the developer. As a developing method, methods such as spraying, paddle, dipping, and ultrasonic waves are possible.
本発明における、（４）チップを基板上の接着剤層にマウントする工程は一般的に下記の方法で行うことができる。
In the present invention, (4) the step of mounting the chip on the adhesive layer on the substrate can be generally performed by the following method.
上記接着剤層がパターニングされた基板に、半導体チップを、接着剤層を介して、加熱・圧着することで、ダイボンディングする。加熱・圧着の条件として、通常は、８０〜２００℃の加熱温度、１〜１０秒の圧着時間、０．０５〜２ＭＰａの圧力であり、好ましくは１００〜１５０℃の加熱、１〜１０秒の圧着時間、０．１〜１．５ＭＰａである。つづいて、加熱にすることにより、接着剤層中のエポキシ樹脂を硬化させ、半導体チップと基板とを、強固に接着させた半導体装置を得ることができる。この場合の加熱温度は、通常は１００〜３００℃程度、好ましくは１５０〜２５０℃程度であり、加熱時間は通常は１〜２４０分間、好ましくは６０〜１２０分間である。 The semiconductor chip is die-bonded to the substrate on which the adhesive layer has been patterned by heating and pressure bonding via the adhesive layer. The heating and pressure bonding conditions are usually a heating temperature of 80 to 200 ° C., a pressure bonding time of 1 to 10 seconds, and a pressure of 0.05 to 2 MPa, preferably heating at 100 to 150 ° C. and 1 to 10 seconds. The pressure bonding time is 0.1 to 1.5 MPa. Subsequently, by heating, the epoxy resin in the adhesive layer is cured, and a semiconductor device in which the semiconductor chip and the substrate are firmly bonded can be obtained. The heating temperature in this case is usually about 100 to 300 ° C., preferably about 150 to 250 ° C., and the heating time is usually 1 to 240 minutes, preferably 60 to 120 minutes.
（実施例１）
以下、実施例を図面に基づいてより具体的に説明する。図１〜４は、本発明の半導体製造方法を示すものである。
Example 1
Hereinafter, an example is described more concretely based on a drawing. 1 to 4 show a semiconductor manufacturing method of the present invention.
１．アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂（光および熱の両方で硬化可能な硬化性樹脂：メタクリル変性フェノールノボラック樹脂）の合成
フェノールノボラック（大日本インキ化学工業（株）製、フェノライトＴＤ-２０９０−６０Ｍ）の不揮発分７０％ＭＥＫ溶液６００ｇ（ＯＨ約４当量）を、２Ｌのフラスコ中に投入し、これにトリブチルアミン１ｇ、およびハイドロキノン０．２ｇを添加し、１１０℃に加温した。その中へ、グリシジルメタクリレート２８４ｇ（２モル）を３０分間で滴下した後、１１０℃で５時間攪拌反応させることにより、不揮発分８０％メタクリロイル基含有フェノールノボラック（メタクリロイル基変性率５０％）を得た。
1. Synthesis of resin having alkali-soluble group and double bond (curable resin curable with both light and heat: methacryl-modified phenol novolak resin) Phenol novolak (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Phenolite TD-2090) 60 g) of a 70% non-volatile MEK solution (about 4 equivalents of OH) was put into a 2 L flask, and 1 g of tributylamine and 0.2 g of hydroquinone were added thereto and heated to 110 ° C. Into this, 284 g (2 mol) of glycidyl methacrylate was added dropwise over 30 minutes, and then the mixture was reacted with stirring at 110 ° C. for 5 hours to obtain a phenol novolak (methacryloyl group modification rate of 50%) having a nonvolatile content of 80%. .
２．樹脂ワニスの調製
ランダム重合性二重結合を有する樹脂（光硬化性樹脂）として室温で液状のアクリル樹脂モノマー（三洋化成（株）製、ネオマーＰＭ２０１）１４．１重量％、熱硬化性樹脂としてビスＡノボラック型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業（株）製、エピクロンＮ-８６５）１５．４重量％、シリコーンエポキシ樹脂（東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製、ＢＹ１６-１１５）４．４重量％、アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂（光および熱の両方で硬化可能な硬化性樹脂）として上記の合成したメタクリル変性フェノールノボラック樹脂２５．８重量％、光重合開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）製、イルガキュア６５１）２．３重量％、無機充填剤としてのシリカフィラー（（株）アドマテックス、ＳＥ２０５０）２７．３重量％、溶剤としてメチルエチルケトン１０．７重量％を秤量し、ディスパーザーを用い、回転数５，０００ｒｐｍで１時間攪拌し、樹脂ワニスを調製した。
2. Preparation of resin varnish 14.1% by weight acrylic resin monomer (Neomer PM201 manufactured by Sanyo Chemical Co., Ltd.) which is liquid at room temperature as a resin having a polymerizable double bond (photo-curable resin), and bis as a thermosetting resin A Novolak type epoxy resin (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd., Epicron N-865) 15.4% by weight, silicone epoxy resin (Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd., BY16-115) 4.4% by weight %, 25.8% by weight of the methacryl-modified phenol novolac resin synthesized as a resin having an alkali-soluble group and a double bond (a curable resin curable by both light and heat), a photopolymerization initiator (Ciba Specialty)・ Chemicals Co., Ltd., Irgacure 651) 2.3 wt%, silica filler as an inorganic filler Tex, SE2050) 27.3 wt%, methyl ethyl ketone 10.7 wt% was weighed as a solvent, using a disperser, and stirred for 1 hour at a rotation speed of 5,000 rpm, to prepare a resin varnish.
３．接着フィルムの製造
上述の樹脂ワニスをコンマコーターで支持基材ポリエステルフィルム（三菱ポリエステルフィルム（株）製、Ｔ１００Ｇ、厚さ２５μｍ）に塗布し、８０℃で、１０分乾燥して膜厚５０μｍの接着フィルムを得た。
3. Manufacture of adhesive film The above resin varnish is applied to a supporting base polyester film (Mitsubishi Polyester Film Co., Ltd., T100G, thickness 25 μm) with a comma coater, dried at 80 ° C. for 10 minutes, and bonded to a film thickness of 50 μm. A film was obtained.
図1に示すように、半導体基板１表面に接着フィルム２を、常圧ロールラミネーターを用い、ラミネートし、厚み５０μｍの接着剤層を形成した。
As shown in FIG. 1, the
図２に示すように、この支持基材層３上に、１００〜５００μｍの微細なパターンを有するフォトマスク４を用い、光５を照射し、露光した。この時の光波長は３６５ｎｍ、露光エネルギー７５０ｍＪ／ｃｍ2である。光照射後、現像液（３．０％テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド溶液）を用い、シャワー法にて現像を行い、光未照射部分の接着剤層のみを除去した。これにより、接着する部分のみが残された基板（図３）を作製した。
As shown in FIG. 2, a photomask 4 having a fine pattern of 100 to 500 μm was used on the support
次に、半導体チップ６を、接着剤層２を介して基板に加熱圧着した。このときの加熱圧着条件は１２０℃、０．８Ｍｐａ、５．０秒である。半導体チップを加熱圧着後、１５０℃で９０分間加熱して接着剤層２を硬化させ、微細なパターンを保持した半導体装置を得ることができた。
（実施例２）
（Ａ）光硬化性樹脂として、室温で液状のアクリル樹脂化合物（共栄社化学(株)製、ライトエステルＴＭＰ）を用い１４．１重量％、（Ｂ）熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂（日本化薬(株)製、ＮＣ３０００）１５．４重量％を用いた以外は、実施例１と同様に実験を行った。この場合も、微細なパターンを保持した半導体装置を得ることができた。
（実施例３）
（Ｂ）熱硬化性樹脂として、シリコーンエポキシ樹脂（信越化学(株)製、ＫＦ-１０５）４．４重量％を用い、（Ｃ）光及び熱の両方で硬化可能な樹脂として、カルボキシル基含有アクリル共重合樹脂（ダイセルユーシービー(株)製、サイクロマーＡＣＡ-２００Ｍ）２５．８重量％を用いた以外は、実施例１と同様にして実験を行った。この場合も、微細なパターンを保持した半導体装置を得ることができた。
（比較例１）
金型でダイボンディング用フィルム（住友ベークライト(株)製、ＩＢＦ-３０２１）を打ち抜き、圧着温度１６０℃、圧力２ＭＰａ、加圧時間０．３秒で半導体チップに仮圧着し、次いで、圧着温度１６０℃、圧力１ＭＰａ、圧時間１．０秒でフィルムを基板に貼り付けた。次いで、シリコンチップを、フィルムに、圧着温度１８０℃、圧力１ＭＰａ、圧着時間１．０秒でチップマウントし、１８０℃で１時間硬化させたところ、半導体装置は得られるものの、微細なパターンを有する半導体装置は得られなかった。
（比較例２）
ディスペンス方式を用いて、シリンジから基板へダイボンディング用ペースト（住友ベークライト(株)製、ＣＲＭ-１５２５）を１００〜５００μｍの微細なパターンに吐出し、吐出したダイボンディング用ペーストの上にチップを乗せて圧力をかけて仮接着し、次いで、加熱によりペーストを熱硬化させてチップを基板に接着させた。しかしながら、ダイボンディング用ペーストが濡れ拡がってしまい、微細なパターンを保持した半導体装置を得ることができなかった。
（比較例３）
（Ａ）光硬化性樹脂を含まないフィルムを用いた以外は、実施例１と同様に実験を行った。この場合は解像性が悪く、微細なパターンを有する半導体装置は得られなかった。
（比較例４）
（Ｂ）熱硬化性樹脂を含まないフィルムを用いた以外は、実施例１と同様に実験を行った。この場合は微細なパターンは描けるものの、貼り付け性が悪く、接着することができなかったため、半導体装置を得ることはできなかった。
Next, the
(Example 2)
(A) 14.1% by weight using a light acrylic resin compound (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., light ester TMP) as a photocurable resin, (B) an epoxy resin (Nipponization) as a thermosetting resin The experiment was performed in the same manner as in Example 1 except that 15.4 wt% of Yakuhin Co., Ltd. (NC3000) was used. Also in this case, a semiconductor device holding a fine pattern could be obtained.
(Example 3)
(B) 4.4% by weight of a silicone epoxy resin (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KF-105) is used as the thermosetting resin, and (C) a carboxyl group-containing resin that can be cured by both light and heat. The experiment was performed in the same manner as in Example 1 except that 25.8% by weight of an acrylic copolymer resin (Daicel UCB Co., Ltd., Cyclomer ACA-200M) was used. Also in this case, a semiconductor device holding a fine pattern could be obtained.
(Comparative Example 1)
A die-bonding film (Sumitomo Bakelite Co., Ltd. , IBF-3021) is punched out with a die, and temporarily bonded to a semiconductor chip at a pressure bonding temperature of 160 ° C., a pressure of 2 MPa, and a pressure time of 0.3 seconds. The film was attached to the substrate at a temperature of 1 ° C., a pressure of 1 MPa, and a pressure time of 1.0 second. Next, when the silicon chip was chip-mounted on the film at a pressure bonding temperature of 180 ° C., a pressure of 1 MPa, and a pressure bonding time of 1.0 second and cured at 180 ° C. for 1 hour, a semiconductor device was obtained, but it had a fine pattern. A semiconductor device was not obtained.
(Comparative Example 2)
Using a dispensing method, a paste for die bonding ( manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., CRM-1525) is discharged from a syringe to a substrate in a fine pattern of 100 to 500 μm, and a chip is placed on the discharged die bonding paste. Then, the paste was temporarily bonded by applying pressure, and then the paste was thermally cured by heating to bond the chip to the substrate. However, the die bonding paste spreads wet and a semiconductor device holding a fine pattern cannot be obtained.
(Comparative Example 3)
(A) An experiment was conducted in the same manner as in Example 1 except that a film containing no photocurable resin was used. In this case, the resolution was poor and a semiconductor device having a fine pattern could not be obtained.
(Comparative Example 4)
(B) An experiment was performed in the same manner as in Example 1 except that a film containing no thermosetting resin was used. In this case, although a fine pattern could be drawn, the pastability was poor and bonding could not be performed, so that a semiconductor device could not be obtained.
比較例１は、従来のダイボンディングフィルムを用いて従来の手法によりチップを基板に接着したものである。従来のダイボンディングフィルムは感光性を有していないために微細なパターンを設計することができない。従って比較例１では、露光工程を介していない。 In Comparative Example 1, a chip is bonded to a substrate by a conventional technique using a conventional die bonding film. Since the conventional die bonding film does not have photosensitivity, a fine pattern cannot be designed. Therefore, in Comparative Example 1, no exposure process is performed.
比較例２は、従来のペースト状ダイボンディング材を用いて従来の手法によりチップを基板に接着したものである。しかしながら、ディスペンス方式では微細構造のパターン設計に限界があり、またペーストが広がることによってパターンを崩してしまうという問題点もある。 In Comparative Example 2, a chip is bonded to a substrate by a conventional method using a conventional paste-like die bonding material. However, the dispensing method has a limitation in the pattern design of the fine structure, and there is a problem that the pattern is destroyed due to spreading of the paste.
本発明によれば、半導体チップと基板を接続する接着剤層を微細にパターニング加工することのできる半導体装置の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the semiconductor device which can carry out the fine patterning process of the adhesive bond layer which connects a semiconductor chip and a board | substrate can be provided.
１ 半導体基板
２ 接着剤層
３ 支持基材層
４ フォトマスク
５ 光
６ 半導体チップ
DESCRIPTION OF
Claims (6)
（２）マスクを介して前記接着フィルムを露光する工程、
（３）露光後の接着剤層を現像する工程、及び、
（４）チップを基板上の接着剤層にマウントする工程、
をこの順に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法であって、
前記接着剤層が、
（Ａ）ラジカル重合性二重結合を有する樹脂、
（Ｂ）熱硬化性樹脂、及び、
（Ｃ）アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(1) A process of attaching an adhesive film comprising an adhesive layer and a support base material layer to a substrate ,
(2) Step dew light the adhesive film through the mask,
(3) a step of developing the adhesive layer after exposure, and
(4) mounting the chip on the adhesive layer on the substrate;
In this order, and a method for manufacturing a semiconductor device,
Before Kise' Chakuzaiso is,
(A) a resin having a radical polymerizable double bond,
(B) a thermosetting resin, and
(C) a resin having an alkali-soluble group and a double bond,
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the adhesive layer further includes (D) an inorganic filler.
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