JP4660766B2 - 可視光応答型複合酸化物光触媒 - Google Patents
可視光応答型複合酸化物光触媒 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4660766B2 JP4660766B2 JP2006045933A JP2006045933A JP4660766B2 JP 4660766 B2 JP4660766 B2 JP 4660766B2 JP 2006045933 A JP2006045933 A JP 2006045933A JP 2006045933 A JP2006045933 A JP 2006045933A JP 4660766 B2 JP4660766 B2 JP 4660766B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- visible light
- photocatalyst
- light responsive
- substance
- oxide semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 title claims description 78
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 17
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 23
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 22
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 21
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 19
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 14
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000005556 hormone Substances 0.000 description 3
- 229940088597 hormone Drugs 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 2
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000013032 photocatalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 241000195493 Cryptophyta Species 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 244000269722 Thea sinensis Species 0.000 description 1
- 241000700605 Viruses Species 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003905 agrochemical Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003212 astringent agent Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004567 concrete Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004332 deodorization Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 239000002917 insecticide Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 1
- OUHCLAKJJGMPSW-UHFFFAOYSA-L magnesium;hydrogen carbonate;hydroxide Chemical compound O.[Mg+2].[O-]C([O-])=O OUHCLAKJJGMPSW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001960 metal nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002896 organic halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005464 sample preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 208000008842 sick building syndrome Diseases 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
Description
みが提案されている。例えば、一般式In1-xMxAO4(Mは遷移金属元素を、Aは周期
律表第5a元素を、xは0<x<1の数を表す。)で表されるインジウム(In)含有複合酸化物半導体によって可視光応答型光触媒を設計することが提案されている(特許文献2)。
すなわち、その第1番目に開発に成功した可視光応答型光触媒は、(1)一般式;BVO4で表されるバナジウム(V)含有複合酸化物半導体(ただし、Bは周期律表中3b族
元素或いは3価の遷移金属を表す。)によって設計した光触媒が挙げられる(特許文献3)。
されるバナジウム(V)含有複合酸化物半導体(ただし、RはY元素或いはランタノイド元素を表す。)によって設計されてなる触媒である(特許文献4)。
だし、式中、AはCa、Sr、Ba元素、BはB1とB2の2種類の元素がチャージバランスを取りながら置換したもので、そのうち、B1は、In、Co、Ni、Cu、Zn元素、B2はV、Nb、Ta、Cr、Mo、W元素を含む)で表される、ペロブスカイト型結晶構造を有する複合酸化物半導体によって設計されてなるものであり(特許文献6)、第5番目のものは、(5)一般式:MIn2O4で表されるインジウム系複合酸化物半導体(ただし、式中M=Ca,Sr,Baの中の少なくと1種の元素を表す)による可視光応答型光触媒であり(特許文献7)、さらに、第6番目は、(6)一般式:MBi2O4で表される複合酸化物半導体(ただし、M=Ca、Sr、Ba)からなる可視光応答型光触媒である(特許文献8)。
・nH2Oで表される複合酸化物半導体(ただし、M=Li、Na、K、Ag、0≦n≦
2)によって設計されてなるものであり(特許文献9)、第8番目に開発されたものは、(8)一般式:AgxBiyMzOw(ただし、式中、MはV、Nb、Taの5A族金属元素から選ばれた1種または2種類以上の元素であり、0<x、y≦3、0<z≦9、0<w≦24の任意の数値)で表される複合酸化物半導体によって設計されてなるものであり(特許文献10)、続いて第9番目に開発された可視光応答型光触媒は、(9)一般式BaBixOy(式中、0.5<x<2、2.5<y<4)で表される複合酸化物半導体によって設計されてなるものである(特許文献11)。
も、変質せず安定して優れた触媒効果を発現しうる材料であることを見いだしたものである。
本発明は、この知見に基づいてなされたものである。その構成は、以下、(1)〜(7)に記載するとおりである。
(2)前記可視光応答性光触媒が、有害物質分解用に供されることを特徴とする、前項(1)に記載する可視光応答性光触媒。
(3)前記可視光応答性光触媒が、汚れを分解し、清浄化するのに供されることを特徴とする、前項(1)に記載する可視光応答性光触媒。
(4)前記可視光応答性光触媒が、水または水素含有物質を分解して水素を製造するのに供されることを特徴とする、前項(1)に記載する可視光応答性光触媒。
(5)一般式;PbxMgyNbzOw(0<x≦3、0<y≦2、0<z≦3、0<w≦10)で表される組成を有する複合酸化物半導体からなる可視光応答性光触媒を用い、この光触媒の存在下で有害物質に紫外線および可視光線を含む光を照射し、有害物質を分解することを特徴とした、有害物質分解除去方法。
(6)一般式;PbxMgyNbzOw(0<x≦3、0<y≦2、0<z≦3、0<w≦10)で表される組成を有する複合酸化物半導体からなる可視光応答性光触媒を用い、この光触媒の存在下で汚れ物質に紫外線および可視光線を含む光を照射し、汚れ物質を分解することを特徴とした、汚れ物質分解清浄化方法。
(7)一般式;PbxMgyNbzOw(0<x≦3、0<y≦2、0<z≦3、0<w≦10)で表される組成を有する複合酸化物半導体からなる可視光応答性光触媒を用い、この光触媒の存在下で水または水素含有物質に紫外線および可視光線を含む光を照射し、水または水素含有物質を分解して水素を発生することを特徴とした、水素発生方法。
(0<x≦3、0<y≦2、0<z≦3、0<w≦10)で示される複合酸化物半導体光触媒として、x、y、z、wの値が特定の値である、Pb1.83Mg0.29Nb1.71O6.39を実施例として開示し、これを固相反応法によって合成した場合の実施例である。ただし、繰り返すがこの実施例は、あくまでも本発明を具体的に説明するための一つの実施例であって、本発明は、この実施例によって限定されるものでない。
鉛、ニオブ、マグネシウムからなる複合酸化物半導体の1つであるPb1.83Mg0.29Nb1.71O6.39を以下に述べるように固相反応法によって合成した。
先ず、酸化鉛を3.0gと水酸化炭酸マグネシウムを0.21g、酸化ニオブを1.8gそれぞれ秤量した。これらをボールミルや乳鉢などの粉砕混合器具を利用して十分に粉砕混合したあと、アルミナるつぼに入れて、大気圧空気雰囲気下で950℃にて5時間焼結し、粉末を得た。この粉末をX線回折装置を用いて、測定したところ、目的のPb1.83Mg0.29Nb1.71O6.39の単相のパイロクロア構造をとる物質が得られていることがわかった(図1)。
紫外−可視吸収スペクトル測定の結果、本実施例の光触媒は紫外線領域から約450nm程度までの可視光領域まで吸収を示し、バンドキャップは2.8eV程度と見積もることができた(図2)。
実施例1で得られた0.4gのPb1.83Mg0.29Nb1.71O6.39で約250ppmの2−プロピルアルコールの分解試験を行った。光源には300W Xeランプを用い、カットオフフィルターを利用して、420nmから520nmの可視光(光量:0.9mWcm-2)を反応容器に照射した。2−プロピルアルコールとその分解物質のアセトン、二酸化炭素の検出及び定量はメタナイザー付ガスクロマトグラフィー(検出器はFID)で行い、2−プロピルアルコールを分解したときに生成する中間体アセトンの発生量の時間変化について調べた(図3)。その結果、1時間で約80ppmものアセトンが生成し、この材料は可視光応答型の光触媒であることが明らかになった。また、さらに長時間光照射すると、二酸化炭素にまで完全に酸化分解することも明らかになった。
実施例1で得られた0.5gのPb1.83Mg0.29Nb1.71O6.39を用いて、メタノール水溶液からの水素生成実験を行った。カットオフフィルターとキセノンランプを利用して、400nm以上の可視光を光源として、利用した。その結果、約5時間で約40μmolの
水素の生成が確認された。
代表的な光触媒であるTiO2を利用して2−プロピルアルコール分解の可視光分解活
性を調べた。測定に使用した機器は実施例2と同じであった。その結果、
1時間経過してもアセトン、二酸化炭素の生成量はなく、気相中の2−プロピルアルコールの量に変化もないことから2−プロピルアルコールは、全く分解されないことが確認された(図3)。紫外光において優れた活性を示すTiO2も可視光照射においては活性を
示さず、可視光領域における光触媒活性は鉛とニオブとマグネシウムからなる複合酸化物半導体よりも著しく劣っていた。以上のことから、このTiO2光触媒は、可視光照射下
においては2−プロピルアルコールをはじめとする有機物を分解する能力がないことが再確認された。
代表的な可視光応答型光触媒である窒素ドープ型TiO2を利用して2−プロピルアル
コールの可視光分解活性を調べた。試料の作製方法は後述する非特許文献3に記載の要領
に基づいて合成した。測定に使用した機器は実施例2と同じであった。その結果、1時間でアセトンが約20ppm生成することが確認され、実施例2と比較した場合、光触媒活性は約4倍劣っていることがわかった(図3)。また、比表面積を比較したところ、比較例2、実施例2の比表面積はそれぞれ、約43m2g-1、約1.7m2g-1と約20倍以上、比較例2のほうが大きかった。そのほかの性質が同じならば、一般的に比表面積が大きな材料ほど活性が高くなることが知られており、もし、実施例2と比較例2が同じ比表面積ならば、その活性の差は数十倍実施例2のほうが高くなることが予想される。このように鉛、ニオブ、マグネシウムからなる複合酸化物半導体は既存の可視光応答型材料よりも高い活性を持っており、非常に有効な可視光応答型の光触媒材料であることがわかる。
し、可視光照射下で有機物を効率よく分解する。
すなわち、鉛、ニオブ、マグネシウムからなる複合酸化物半導体は高活性な可視光応答型光触媒材料であり、前述の目的に沿う材料の開発に成功したことを示している。これによって、照射される光の波長に対して、利用効率が高まり、光触媒反応に一層有効に利用され、寄与するものと期待される。
のみ機能していたことを考えると、有効利用できる波長領域を大きく広げることができたという意義は極めて大きい。また、可視光領域においても既存の窒素ドープ型酸化チタンよりもはるかに活性が高い。本発明によれば、可視光を利用して各種有害な化合物、例えば、環境ホルモンや細菌等いわゆる有害物質に作用し、これらを殺菌、分解、除去等無害化するのに使用される環境対策技術を始めとして各種化学反応に大いに利用され、産業の発展に寄与するものと期待される。
Claims (7)
- 一般式;PbxMgyNbzOw(0<x≦3、0<y≦2、0<z≦3、0<w≦10)で表される組成を有する複合酸化物半導体からなることを特徴とする、可視光応答性光触媒。
- 前記可視光応答性光触媒が、有害物質分解用に供されることを特徴とする、請求項1に記載する可視光応答性光触媒。
- 前記可視光応答性光触媒が、汚れを分解し、清浄化するのに供されることを特徴とする、請求項1に記載する可視光応答性光触媒。
- 前記可視光応答性光触媒が、水または水素含有物質を分解して水素を製造するのに供されることを特徴とする、請求項1に記載する可視光応答性光触媒。
- 一般式;PbxMgyNbzOw(0<x≦3、0<y≦2、0<z≦3、0<w≦10)で表される組成を有する複合酸化物半導体からなる可視光応答性光触媒を用い、この光触媒の存在下で有害物質に紫外線および可視光線を含む光を照射し、有害物質を分解することを特徴とした、有害物質分解除去方法。
- 一般式;PbxMgyNbzOw(0<x≦3、0<y≦2、0<z≦3、0<w≦10)で表される組成を有する複合酸化物半導体からなる可視光応答性光触媒を用い、この光触媒の存在下で汚れ物質に紫外線および可視光線を含む光を照射し、汚れ物質を分解することを特徴とした、汚れ物質分解清浄化方法。
- 一般式;PbxMgyNbzOw(0<x≦3、0<y≦2、0<z≦3、0<w≦10)で表される組成を有する複合酸化物半導体からなる可視光応答性光触媒を用い、この光触媒の存在下で水または水素含有物質に紫外線および可視光線を含む光を照射し、水または水素含有物質を分解して水素を発生することを特徴とした、水素発生方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006045933A JP4660766B2 (ja) | 2006-02-22 | 2006-02-22 | 可視光応答型複合酸化物光触媒 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006045933A JP4660766B2 (ja) | 2006-02-22 | 2006-02-22 | 可視光応答型複合酸化物光触媒 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007222761A JP2007222761A (ja) | 2007-09-06 |
JP4660766B2 true JP4660766B2 (ja) | 2011-03-30 |
Family
ID=38545062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006045933A Expired - Fee Related JP4660766B2 (ja) | 2006-02-22 | 2006-02-22 | 可視光応答型複合酸化物光触媒 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4660766B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103191716B (zh) * | 2013-04-17 | 2014-09-24 | 桂林理工大学 | 刚玉结构型复合氧化物Mg4Nb2-xTaxO9作为可见光催化剂的应用 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6274452A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-06 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 水の光分解触媒 |
JPH01276506A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Tdk Corp | 高誘電率セラミックス組成物 |
JPH02172535A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-04 | Nikon Corp | 新規な水の光分解触媒 |
JPH03193626A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-23 | Shinichi Hirano | ペロブスカイト型酸化物の製造方法 |
JP2001232191A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-28 | Japan Science & Technology Corp | 活性および活性持続性を改善した光触媒 |
JP2001286766A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-16 | Nippon Soda Co Ltd | 光触媒担持構造体、その製造法および中間層形成用組成物 |
JP2003171578A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Sumitomo Chem Co Ltd | コーティング液および光触媒機能製品 |
-
2006
- 2006-02-22 JP JP2006045933A patent/JP4660766B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6274452A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-06 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 水の光分解触媒 |
JPH01276506A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Tdk Corp | 高誘電率セラミックス組成物 |
JPH02172535A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-04 | Nikon Corp | 新規な水の光分解触媒 |
JPH03193626A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-23 | Shinichi Hirano | ペロブスカイト型酸化物の製造方法 |
JP2001232191A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-28 | Japan Science & Technology Corp | 活性および活性持続性を改善した光触媒 |
JP2001286766A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-16 | Nippon Soda Co Ltd | 光触媒担持構造体、その製造法および中間層形成用組成物 |
JP2003171578A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Sumitomo Chem Co Ltd | コーティング液および光触媒機能製品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007222761A (ja) | 2007-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6342225B2 (ja) | 光触媒複合体材料及びその製造方法 | |
KR100945035B1 (ko) | 텅스텐계 산화물을 이용한 가시광 응답형 광촉매 조성물 및 그 제조방법 | |
TWI404567B (zh) | Photocatalyst material, organic decomposition method, built-in component, air cleaner, oxidizer manufacturing device | |
JP6995334B2 (ja) | 光触媒およびその使用方法 | |
WO2006064799A1 (ja) | 可視光応答性を有する複合金属酸化物光触媒 | |
JP4878141B2 (ja) | 複合光触媒体 | |
JP2007216223A (ja) | 半導体特性を有する光触媒物質及びその製造方法と利用方法 | |
JP2009078211A (ja) | 光触媒 | |
Mohamed et al. | Mesoporous BiVO4/2D-g-C3N4 heterostructures for superior visible light-driven photocatalytic reduction of Hg (II) ions | |
JP2016209811A (ja) | 光触媒複合体材料およびその製造方法 | |
JP4842607B2 (ja) | 可視光応答型光触媒、可視光応答型光触媒組成物およびその製造方法 | |
JP4997627B2 (ja) | 可視光応答性光触媒 | |
JP2004160327A (ja) | MOx−ZnO複合酸化亜鉛光触媒とその製造方法 | |
JP3742873B2 (ja) | 光触媒およびこれを用いた水素の製造方法ならびに有害物質の分解方法 | |
WO2005087371A1 (ja) | 可視光応答性複合酸化物系光触媒とそれを用いた有害化学物質分解除去方法 | |
KR101109991B1 (ko) | 가시광 응답성 나노하이브리드 광촉매 물질 및 이의 제조방법 | |
JP2004275946A (ja) | ペロブスカイト型複合酸化物可視光応答性光触媒とそれを用いた水素の製造方法及び有害化学物質分解方法 | |
JP4660766B2 (ja) | 可視光応答型複合酸化物光触媒 | |
JP2008006328A (ja) | 可視光応答性複合酸化物半導体からなる光触媒 | |
JP4265685B2 (ja) | 光触媒体、その製造方法およびそれを用いてなる光触媒体コーティング剤 | |
KR101109946B1 (ko) | 가시광 응답성 나노하이브리드 광촉매 물질 및 이의제조방법 | |
JP2010030830A (ja) | 複合酸化物半導体とそれを用いた黄色顔料及び光触媒。 | |
KR20050042763A (ko) | 고결정 및 고활성 타이타니아 나노튜브의 제조 | |
JP3933640B2 (ja) | 光触媒 | |
KR101242576B1 (ko) | 산화티탄 및 금속이온이 첨가된 주석산화물의 복합 구조체의 광촉매제 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |