JP4660426B2 - センサ装置およびダイアフラム構造体 - Google Patents
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Description
この式(1)に、支持膜6の引張内部応力δSt6=400MPa、支持膜6の厚みt6=0.5μm、支持膜7の圧縮内部応力δSt7=−20MPa、支持膜7の厚みt7=1μmを代入すると、支持体5の全体の内部応力δStは、δSt=120MPaとなり、本実施形態では、支持体5の全体で、約120MPaの引張内部応力を有している。なお、支持膜6および7は、それぞれ、本発明の「第1支持膜」および「第2支持膜」の一例である。
4a ダイアフラム部(ダイアフラム)
5、33 支持体
6、34 支持膜(第1支持膜)
7、35 支持膜(第2支持膜)
8a、31a 電極板部(電極板)
30、30a マイクロホン(音響センサ、センサ装置、ダイアフラム構造体)
Claims (5)
- 振動可能に設けられたダイアフラムと、
前記ダイアフラムと所定の距離を隔てて対向するように設けられた電極板と、
前記電極板を支持するとともに、引張内部応力を有する第1支持膜と、前記第1支持膜に積層され、圧縮内部応力を有する第2支持膜とを含む支持体とを備える、センサ装置。 - 前記支持体の第2支持膜は、前記支持体の第1支持膜と同一元素からなる、請求項1に記載のセンサ装置。
- 前記ダイアフラムおよび前記支持体が設けられる基板をさらに備え、
前記支持体の第1支持膜は、前記支持体の第2支持膜に対して前記基板側に配置されている、請求項1または2に記載のセンサ装置。 - 前記第1支持膜および前記第2支持膜を含む前記支持体は、全体として引張内部応力を有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のセンサ装置。
- 振動可能に設けられたダイアフラムと、
前記ダイアフラムと所定の距離を隔てて対向するように設けられた電極板と、
前記電極板を支持するとともに、引張内部応力を有する第1支持膜と、前記第1支持膜に積層され、圧縮内部応力を有する第2支持膜とを含む支持体とを備える、ダイアフラム構造体。
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