JP4657580B2 - 表示装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は表示装置とその駆動方法に係り、特に、能動駆動方式の有機電界発光表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に有機電界発光（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ；以下、ＥＬとする）表示装置は、蛍光性有機化合物を電気的に励起させて発光させる表示装置であって、Ｍ×Ｎ個の有機発光セルを電圧駆動あるいは電流駆動して映像を表現することができるようになっている。このような有機発光セルはアノード（ＩＴＯ）、有機薄膜、カソードレイヤー（ｍｅｔａｌ）の構造を有している。
【０００３】
有機薄膜は電子と正孔の均衡を良くして発光効率を向上させるために、発光層（ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ，ＥＭＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ，ＥＴＬ）及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ，ＨＴＬ）を含んだ多層構造からなり、また別途の電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ，ＥＩＬ）と正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ，ＨＩＬ）を含んでいる。
【０００４】
このように構成される有機発光セルを駆動する方式には、単純マトリックス（ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式とＴＦＴを利用した能動駆動（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式がある。単純マトリックス方式は正極と負極を直交するように形成し、ラインを選択して駆動するのに比べて、能動駆動方式はＴＦＴを各ＩＴＯ画素電極に接続し、ＴＦＴのゲートに接続されたキャパシター容量によって維持される電圧に応じて駆動する方式である。
【０００５】
図１は有機ＥＬ素子をＴＦＴを利用して駆動するための従来の画素回路であって、Ｍ×Ｎ個の画素のうちの一つを代表的に示したものである。
【０００６】
図１を参照すれば、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に駆動用トランジスタ（Ｍｂ）が連結されて発光のための電流を供給する。駆動用トランジスタ（Ｍｂ）の電流量は、スイッチングトランジスタ（Ｍａ）を通じて印加されるデータ電圧によって制御されるようになっている。この時、印加された電圧を一定の期間維持するためのキャパシター（Ｃ１）がトランジスタ（Ｍｂ）のソースとゲートの間に連結されている。トランジスタ（Ｍａ）のゲートには走査線が連結されており、ソース側にはデータ線が連結されている。
【０００７】
このような構造の画素の動作を見てみると、スイッチングトランジスタ（Ｍａ）のゲートに印加される選択信号によってトランジスタ（Ｍａ）がオンされれば、データ線を通じてデータ電圧が駆動用トランジスタ（Ｍｂ）のゲート（ノードＡ）に印加される。そして、ゲートに印加されるデータ電圧に対応し、トランジスタ（Ｍｂ）を通じて有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に電流が流れて発光が行われる。
【０００８】
この時、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に流れる電流（ＩOLED）は次の（１）式の通りである。
【０００９】
【数１】
【００１０】
ここで、ＩOLEDは有機ＥＬ素子に流れる電流、ＶGSはトランジスタ（Ｍｂ）のソースとゲートの間の電圧、ＶTHはトランジスタ（Ｍｂ）のしきい電圧、ＶDATAはデータ電圧、βは定数値を示す。
【００１１】
前記（１）式に示したように図１に示した画素回路によれば、印加されるデータ電圧に対応する電流が有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に供給され、供給された電流に対応して有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）が発光するようになる。この時、印加されるデータ電圧は階調を表現するために一定の範囲で多段階の値を有する。
【００１２】
ところが、このような従来の画素回路では製造工程の不均一性によって生じる薄膜トランジスタのしきい電圧（ＶTH）の偏差のため、高階調を得るのが難しいという問題点がある。例えば３Ｖに画素の薄膜トランジスタを駆動する場合、８ビット（２５６）階調を表現するためには１２ｍＶ（＝３Ｖ／２５５）間隔で薄膜トランジスタのゲートに電圧を印加しなければならないなが、万一製造工程の不均一による薄膜トランジスタのしきい電圧の偏差が１００ｍＶである場合には高階調を表現するのは難しいという問題点がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が目的とする技術的課題は、しきい電圧の偏差を補償して高階調を表現し、画素回路の薄膜トランジスタの動作特性による画像不良を除去することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために本発明は、データ線にプリチャージ電圧が印加されるようにする。
【００１５】
本発明は、データ電圧を伝達する複数のデータ線、選択信号を伝達する複数の走査線、複数の画素回路及びデータドライバーを含む有機ＥＬ表示装置が提供される。画素回路は隣接する二つのデータ線と隣接する二つの走査線によって定義される画素領域に形成され、第１及び第２スイッチング素子、第１薄膜トランジスタ、前記第１薄膜トランジスタのゲートにそのゲートが連結され、前記第１及び第２スイッチング素子の間にダイオード連結された第２薄膜トランジスタ、及びキャパシターを含む。
【００１６】
第１スイッチング素子は、走査線に印加される選択信号に応じてデータ線に印加されるデータ電圧をスイッチングし、第１薄膜トランジスタは、第１スイッチング素子を通じてゲートに入力されるデータ電圧に対応して有機電界発光素子に電流を供給する。キャパシターはデータ電圧を一定の時間維持し、第２スイッチング素子は、過去走査線に選択信号が印加される間制御信号に応じてキャパシターに第１プリチャージ電圧を印加する。
【００１７】
この時、制御信号は別途の外部リセット信号または過去走査線に印加される選択信号であるのが好ましい。
【００１８】
また、本発明は、データドライバーは複数のデータ線を複数のグループに分け、各グループに該当するデータ電圧を順次に印加し、有機ＥＬ表示装置は逆多重化部をさらに含むのが好ましい。逆多重化部は、データドライバーから順次に印加されるデータ電圧を該当する複数のデータ線に印加し、画素回路が連結された走査線に前記選択信号が印加される前に、グループのうちの少なくとも一つのグループのデータ線に第２プリチャージ電圧を印加する。前記第２プリチャージ電圧は前記第１プリチャージ電圧−前記第２薄膜トランジスタの敷居電圧と同一であるかまたは前記第２薄膜トランジスタがターンオンされない値である。
【００１９】
また、本発明は、データドライバーはデータ電圧を各データ線に順次に印加し、有機ＥＬ表示装置は、画素回路に連結された走査線に選択信号が印加される前に複数のデータ線に第２プリチャージ電圧を同時に印加するプリチャージ手段をさらに含むのが好ましい。
【００２０】
また、本発明は、データドライバーはデータ電圧を各データ線に順次に印加し、有機ＥＬ表示装置はプリチャージ手段をさらに含むのが好ましい。プリチャージ手段は、画素回路が連結された走査線に前記選択信号が印加される前に複数のデータ線に第２プリチャージ電圧を同時に印加し、各データ線に順次にデータ電圧が印加される前に、各データ線に印加される第２プリチャージ電圧を順次に遮断する。
【００２１】
本発明による有機ＥＬ表示装置において、画素回路は第１薄膜トランジスタのゲートにそのゲートが連結され、第１及び第２スイッチング素子の間にダイオード連結された（ｄｉｏｄｅ−ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）第２薄膜トランジスタをさらに含むことができる。この時、第２プリチャージ電圧は第１プリチャージ電圧と同一であるか、または第１プリチャージ電圧よりデータ電圧に遠く離れた値を有するのが好ましい。また、第２プリチャージ電圧は固定された値を有するのが好ましい。
【００２２】
本発明は、このような有機ＥＬ表示装置を駆動する方法が提供する。まず、（ｉ−１）番目走査線に選択信号が印加される間、ｉ番目走査線に連結された画素回路のキャパシターが第１プリチャージ電圧によって充電される。そして、ｉ番目走査線に選択信号が印加される前に複数のデータ線に第２プリチャージ電圧を印加する。次に、少なくとも一つのデータ線を一つのグループとして各グループに該当するデータ電圧を順次に印加すると同時に、第２プリチャージ電圧が印加されたデータ線にデータ電圧が印加される前に第２プリチャージ電圧を遮断する。
【００２３】
本発明は、複数のデータ線、複数の走査線、複数の画素回路、データドライバー及びプリチャージ手段を含む表示装置が提供される。複数の画素回路は、各々隣接する二つのデータ線と隣接する二つの走査線によって定義される画素領域に形成される。そして各画素回路は、走査線に印加される選択信号に応じてデータ線に印加されるデータ電圧を伝達する第１スイッチング素子、前記第１スイッチング素子を通じてゲートに入力される前記データ電圧に対応して有機電界発光素子に電流を供給する第１薄膜トランジスタ、前記データ電圧を一定の時間維持するためのキャパシター、及び過去走査線に選択信号が印加される間制御信号に応じて前記キャパシターに第１プリチャージ電圧を印加する第２スイッチング素子、前記第１薄膜トランジスタのゲートにそのゲートが連結され、前記第１及び第２スイッチング素子の間にダイオード連結された第２薄膜トランジスタを含む。
【００２４】
この時、データドライバーは、複数のデータ線を少なくとも一つのデータ線を一つのグループとする複数のグループに分け、各グループに該当するデータ電圧を順次にデータ線に印加する。そしてプリチャージ手段は、画素回路が連結された走査線に選択信号が印加される前に、少なくとも一つのグループのデータ線に第２プリチャージ電圧を印加し、グループに該当するデータ電圧が印加される時に第２プリチャージ電圧の供給を遮断する。前記第２プリチャージ電圧は前記第１プリチャージ電圧−前記第２薄膜トランジスタのしきい電圧と同一であるかまたは前記第２薄膜トランジスタがターンオンされない値である。
【００２５】
そして、制御信号は過去走査線に印加される選択信号であるかまたは別途のリセット信号であるのが好ましい。
【００２６】
【発明の実施の形態】
添付した図面を参考として、本発明の実施の形態について本発明の属する技術分野にて通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異する形態に具現することができ、ここで説明する実施の形態に限定されるわけではない。
【００２７】
本発明を明確に説明するために、図面のなかで説明と関係のない部分は省略した。明細書全体を通じて類似した部分については同一な図面符号を付けた。ある部分が他の部分と連結されているとする時、これは直接的に連結されている場合のみだけでなく、その中間に他の素子を隔てて電気的に連結されている場合も含む。
【００２８】
以下、本発明の実施の形態による有機ＥＬ表示装置及びその駆動方法について図面を参考として詳細に説明する。
【００２９】
まず、図２、図３ａ及び図３ｂを参照して本発明の第１実施の形態による有機ＥＬ表示装置及びその駆動方法について説明する。
【００３０】
図２は本発明の第１実施の形態による有機ＥＬ表示装置を示す図であり、図３ａ及び図３ｂは、各々本発明の第１実施の形態及びその変形例による有機ＥＬ表示装置の画素回路を示す図である。
【００３１】
図２に示したように、本発明の第１実施の形態による有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ表示装置パネル１１０、走査ドライバー１２０及びデータドライバー１３０を含む。
【００３２】
有機ＥＬ表示装置パネル１１０は、画像信号を示すデータ電圧を伝達する複数のデータ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）、選択信号を伝達するための複数の走査線（Ｘ1、Ｘ2、…、ＸM）及び複数の画素回路１１２を含む。画素回路１１２は、隣接した二つのデータ線と隣接した二つの走査線によって定義される画素領域に形成されている。走査ドライバー１２０は走査線（Ｘ1、Ｘ2、…、ＸM）に選択信号を印加し、データドライバー１３０はデータ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）に画像信号を示すデータ電圧を印加する。
【００３３】
図３ａに示したように、本発明の第１実施の形態による画素回路１１２は、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）、トランジスタ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４）及びキャパシター（Ｃ１）を含む。
【００３４】
トランジスタ（Ｍ３）は、走査線（Ｘm）に連結されたゲート、データ線に連結されたソース及びトランジスタ（Ｍ２）のソースに連結されたドレーンを三つの端子として有し、走査線（Ｘm）に印加される選択信号に応じてデータ電圧をトランジスタ（Ｍ２）に伝達する。
【００３５】
トランジスタ（Ｍ２）はダイオード機能を遂行するようにゲートとドレーンとが連結され、トランジスタ（Ｍ３）からのデータ電圧をトランジスタ（Ｍ１）に伝達する。
【００３６】
トランジスタ（Ｍ１）は、電源電圧（ＶＤＤ）に連結されたソース、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に連結されたドレーン及びトランジスタ（Ｍ２）のドレーンに連結されたゲートを三つの端子として有し、ゲートに印加されるトランジスタ（Ｍ２）からのデータ電圧に対応する電流を有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に供給し、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）は印加される電流の量に対応する光を発光する。キャパシター（Ｃ１）は電源電圧（ＶＤＤ）とトランジスタ（Ｍ１）のゲートとの間に連結され、トランジスタ（Ｍ１）のゲートに印加されるデータ電圧及びプリチャージ電圧（Ｖｐ）を一定期間維持する。
【００３７】
トランジスタ（Ｍ４）は、過去走査線（Ｘm-1）に連結されているゲート、トランジスタ（Ｍ２）のドレーンに連結されたソース及びプリチャージ電圧（Ｖｐ）が印加されるドレーンを三つの端子として有し、過去走査線（Ｘm-1）に印加される選択信号に応じてトランジスタ（Ｍ１）のゲートをプリチャージ電圧（Ｖｐ）に初期化する。なお、走査線に関して用語を説明すると、今まさに選択信号を伝達しようとする走査線を「現在走査線」と記し、直前に選択信号を伝達した走査線を「直前走査線」又は「前回走査線」、タイミングを特定せずに既に選択信号を伝達した走査線を一括して「過去走査線」と記すことがある。このような表現は、データ線またはプリチャージ線に関しても同様である。
【００３８】
この時プリチャージ電圧（Ｖｐ）は、最大グレーレベルに到達するためにノードＡに印加される電圧（つまり、データ線に印加される最低電圧に対応する電圧）より若干低い値に設定するのが好ましい。
【００３９】
走査線（Ｘm）に印加される選択信号によってトランジスタ（Ｍ３）がオンされれば、データ線に印加されたデータ電圧がトランジスタ（Ｍ２）を通じて駆動用トランジスタ（Ｍ１）のゲート（ノードＡ）に伝達される。そして、ゲートに印加されるデータ電圧に対応してトランジスタ（Ｍ１）を通じて有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に電流が流れ、発光が行われる。
【００４０】
この時、本発明の第１実施の形態によって有機ＥＬ素子に流れる電流は、次の（２）式の通りである。
【００４１】
【数２】
【００４２】
ここで、ＩOLEDは有機ＥＬ素子に流れる電流、ＶGSはトランジスタ（Ｍ１）のソースとゲートの間の電圧、ＶTH1はトランジスタ（Ｍ１）のしきい電圧、ＶTH2はトランジスタ（Ｍ２）のしきい電圧、βは定数値を示す。
【００４３】
この時、トランジスタ（Ｍ１）とトランジスタ（Ｍ２）のしきい電圧が同一であれば、つまりＶTH1＝ＶTH2であれば、（２）式は次の（３）式に表現されることができる。実際に、本発明の第１実施の形態によればトランジスタ（Ｍ１）とトランジスタ（Ｍ２）とが互いに隣接して工程の影響をほとんど同一に受けるので、二つのトランジスタのしきい電圧の間にはしきい電圧の偏差がほとんどなく、しきい電圧が同一であるようになる。
【００４４】
【数３】
【００４５】
したがって本発明の第１実施の形態によれば、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）が（３）式から分かるように、電流駆動用トランジスタ（Ｍ１）のしきい電圧に関係なくデータ線に印加されるデータ電圧に対応する電流を流れる。つまり本発明の実施の形態によれば、トランジスタ（Ｍ２）が電流駆動用トランジスタ（Ｍ１）のしきい電圧の偏差を補償するために有機ＥＬ素子に流れる電流を微細に制御することができ、高階調の有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００４６】
本発明の第１実施の形態では画素回路１１２の薄膜トランジスタ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４）をＰＭＯＳトランジスタとして説明したが、本発明はこれに限定されず、薄膜トランジスタ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４）をＮＭＯＳトランジスタまたはＰＭＯＳとＮＭＯＳトランジスタを混合して用いることができる。このような場合に変更される画素回路は、既に説明した内容から本発明の属する技術分野にて通常の知識を有する者が容易に分かる内容であるのでその説明を省略する。
【００４７】
また本発明の第１実施の形態では、画素回路１１２のトランジスタ（Ｍ１）のゲートをプリチャージ電圧（Ｖｐ）に初期化するために過去走査線（Ｘm-1）の選択信号でトランジスタ（Ｍ４）を駆動したが、図３ｂに示したように過去走査線の選択信号をトランジスタ（Ｍ４）のゲートに印加せず、別途のリセット信号（ｒｅｓｅｔ）をトランジスタ（Ｍ４）のゲートに印加してトランジスタ（Ｍ４）を駆動することもできる。
【００４８】
ここで、データ線にデータ電圧を印加する際、データ電圧を全てのデータ線に一時に印加せず、データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）に順次に印加することができる。このようにデータ電圧を順次に印加する場合において、走査線（Ｘm）を選択してまずデータ線（Ｙ１）にデータ電圧を印加する間、データ線（Ｙ2）には、過去走査線（Ｘm-1）が選択された時に印加されたデータ電圧がデータ線の寄生キャパシター（Ｃｐ）に保存されており、走査線（Ｘm）に連結されている画素回路１１２のキャパシター（Ｃ１）はプリチャージ電圧（Ｖｐ）によって充電されている。
【００４９】
この時、寄生キャパシター（Ｃｐ）の電圧とキャパシター（Ｃ１）の電圧との差によってダイオード素子（Ｍ２）がターンオンされれば、寄生キャパシター（Ｃｐ）とキャパシター（Ｃ１）の間で電荷再分配が行われ、キャパシター（Ｃ１）の電圧が変わる。このように変わったキャパシター（Ｃ１）の電圧と以降データ線（Ｙ２）に印加されるデータ電圧との差によってトランジスタ（Ｍ２）がターンオンされなくなることがあり、トランジスタ（Ｍ２）がターンオンされないとキャパシター（Ｃ１）には所望のデータ電圧が印加されないため、所望の画像を得られなくなる。
【００５０】
このような問題点を解決するために、データ電圧が印加されていないデータ線にプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）を印加してデータ線をプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）で充電し、キャパシター（Ｃ１）との電圧差によってトランジスタ（Ｍ２）がターンオンされないようにすることができる。この時のプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）は、「プリチャージ電圧（Ｖｐ）−しきい電圧（ＶTH）」と同一であるかまたはそれよりデータ電圧から遠く離れていて、トランジスタ（Ｍ２）がターンオンされないようにしなければならない。トランジスタ（Ｍ２）をＰＭＯＳとすればしきい電圧（ＶTH）は負数、ＮＭＯＳとすればしきい電圧（ＶTH）は正数である。
【００５１】
以下、このようなプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）を印加して有機ＥＬ表示装置を駆動する方法について説明する。
【００５２】
まず、図４乃至図６を参照して本発明の第２実施の形態による有機ＥＬ表示装置及びその駆動方法について説明する。
【００５３】
図４は本発明の第２実施の形態による有機ＥＬ表示装置を示す図であり、図５は本発明の第２実施の形態による有機ＥＬ表示装置の逆多重化部を示す図である。図６は本発明の第２実施の形態による有機ＥＬ表示装置の駆動タイミングを示す図である。
【００５４】
図４に示したように本発明の第２実施の形態による有機ＥＬ表示装置２００は、有機ＥＬ表示装置パネル２１０、走査ドライバー２２０、データドライバー２３０及び逆多重化部２４０を含む。
【００５５】
本発明の第２実施の形態による有機ＥＬ表示装置は、データドライバー２３０及び逆多重化部２４０を除けば第１実施の形態による有機ＥＬ表示装置と同一な構造を有し、有機ＥＬ表示装置パネル２１０の画素回路２１２は、本発明の第１実施の形態による画素回路１１２及び本発明の第１実施の形態で変形可能な画素回路を全て含む。
【００５６】
データドライバー２３０は、制御部（図示せず）の制御により、データ電圧をＲ（ｒｅｄ）、Ｇ（ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（ｂｌｕｅ）別に順次に逆多重化部２４０に出力する。データ線（Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5、Ｙ6、…、Ｙ3n-2、Ｙ3n-1、Ｙ3n）が、Ｒデータ電圧を伝達するデータ線（Ｙ1、Ｙ4、…、Ｙ3n-2）、Ｇデータ電圧を伝達するデータ線（Ｙ2、Ｙ5、…、Ｙ3n-1）及びＢデータ電圧を伝達するデータ線（Ｙ3、Ｙ6、…、Ｙ3n）の３ｎ個である場合、データドライバー２３０から逆多重化部２４０にデータ電圧を出力する信号線（Ｄ1、Ｄ2、…、Ｄn）は、Ｒ、Ｇ、Ｂデータ線に各々一つずつ対応してｎ個である。
【００５７】
このようにすれば、データドライバー２３０は制御部の制御により、信号線（Ｄ1、Ｄ2、…、Ｄn）にＲ、Ｇ、Ｂデータ電圧を順次に出力する。
【００５８】
図４に示したように、逆多重化部２４０はデータドライバー２３０からＲ、Ｇ、Ｂ別にデータ電圧を受けた後、Ｒ、Ｇ、Ｂデータ電圧を各々のデータ線に順次に出力する。
【００５９】
このような逆多重化部２４０は、図５に示すように、ＰＭＯＳトランジスタからなるデータ電圧供給用スイッチング素子（ＭＲ1、ＭＧ1、ＭＢ1、ＭＲ2、ＭＧ2、ＭＢ2、…、ＭＲn、ＭＧn、ＭＢn）、及びプリチャージ電圧供給用スイッチング素子（ＰＧ1、ＰＢ1、ＰＧ2、ＰＢ2、…、ＰＧn、ＰＢn）を含む。
【００６０】
データ線（Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3）は各々スイッチング素子（ＭＲ1、ＭＧ1、ＭＢ1）を通じて信号線（Ｄ1）に並列に連結され、データ線（Ｙ4、Ｙ5、Ｙ6）は各々スイッチング素子（ＭＲ2、ＭＧ2、ＭＢ2）を通じて信号線（Ｄ2）に並列に連結され、このとおりにデータ線（Ｙ3n-2、Ｙ3n-1、Ｙ3n）は各々スイッチング素子（ＭＲn、ＭＧn、ＭＢn）を通じて信号線（Ｄn）に並列に連結されている。また、スイッチング素子（ＰＧ1、ＰＢ1、ＰＧ2、ＰＢ2、…、ＰＧn、ＰＢn）は各々プリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）とデータ線（Ｙ2、Ｙ3、Ｙ5、Ｙ6、…、Ｙ3n-1、Ｙ3n）の間に連結されている。
【００６１】
データ電圧供給用スイッチング素子（ＭＲ1、ＭＲ2、…、ＭＲn）はスイッチング用信号線２４１に連結され、信号線２４１を通じて制御部から印加されるスイッチング信号（ＨR）に応じてデータドライバー２３０からのＲデータ電圧をデータ線（Ｙ1、Ｙ4、…、Ｙ3n-2）を経て画素回路２１２に印加し、データ電圧供給用スイッチング素子（ＭＧ1、ＭＧ2、…、ＭＧn）は、スイッチング用信号線２４３に連結され、スイッチング信号（ＨＧ）に応じてＧデータ電圧をデータ線（Ｙ2、Ｙ5、…、Ｙ3n-1）を経て画素回路２１２に印加する。また、データ電圧供給用スイッチング素子（ＭＢ1、ＭＢ2、…、ＭＢn）はスイッチング用信号線２４５に連結され、スイッチング信号（ＨB）に応じてＢデータ電圧をデータ線（Ｙ3、Ｙ6、…、Ｙ3n）を経て画素回路２１２に印加する。
【００６２】
また、プリチャージ電圧供給用スイッチング素子（ＰＧ1、ＰＧ2、…、ＰＧn）はスイッチング用信号線２４２に連結され、信号線２４２を通じて制御部から印加されるスイッチング信号（ＰＧ）に応じてプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）をデータ線（Ｙ2、Ｙ5、…、Ｙ3n-1）を経て画素回路２１２に印加し、プリチャージ電圧供給用スイッチング素子（ＰＢ1、ＰＢ2、…、ＰＢn）はスイッチング用信号線２４４に連結され、スイッチング信号（ＰB）に応じてプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）をデータ線（Ｙ3、Ｙ6、…、Ｙ3n）を経て画素回路２１２に印加する。
【００６３】
このようなプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）は、画素回路２１２のキャパシター（Ｃ１）に印加されるプリチャージ電圧（Ｖｐ）と比較して、‘プリチャージ電圧（Ｖｐ）−しきい電圧（ＶTH）’と同一であるかまたはそれよりデータ電圧から遠く離れた値にしなければならない。そうなるとデータ線に保存された電圧（Ｖｐｒｅ）とキャパシター（Ｃ１）に保存された電圧（Ｖｐ）との差により、トランジスタ（Ｍ２）はターンオンされない。ここで、データ電圧から遠く離れた値とは、トランジスタ（Ｍ２）がターンオンされないようになる任意の値であり限定されない。
【００６４】
本発明の第２実施の形態では、画素回路２１２のトランジスタ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４）、データ電圧供給用スイッチング素子（ＭＲ1、ＭＧ1、ＭＢ1、ＭＲ2、ＭＧ2、ＭＢ2、…、ＭＲn、ＭＧn、ＭＢn）及びプリチャージ電圧供給用スイッチング素子（ＰＧ1、ＰＢ1、ＰＧ2、ＰＢ2、…、ＰＧn、ＰＢn）をＰＭＯＳトランジスタを使用して説明するが、これに限定されず、ＮＭＯＳトランジスタまたはＰＭＯＳ及びＮＭＯＳトランジスタを混合して使用しても差し支えない。このように使用する場合に変わる回路構造及び駆動波形については、本発明の属する技術分野にて通常の知識を有する者にとっては容易な内容であるので説明を省略する。
【００６５】
次に、図６を参照して本発明の第２実施の形態による有機ＥＬ表示装置パネルの動作を説明する。
【００６６】
図６に示したように、まず、データドライバー２３０から走査線（Ｘm）に連結される画素回路２１２に該当するＲデータ電圧が印加されれば、ローレベルのスイッチング信号（ＨR、ＰG、ＰB）によって、スイッチング素子（ＭＲ1、ＭＲ2、…、ＭＲn）及びスイッチング素子（ＰＧ1、ＰＧ2、…、ＰＧn、ＰＢ1、ＰＢ2、…、ＰＢn）を導通（ＯＮ）させ、走査線（Ｘm）を選択する選択信号を印加する。このようにすれば、データ線（Ｙ1、Ｙ4、…、Ｙ3n-2）にはＲデータ電圧が印加されて走査線（Ｘm）とデータ線（Ｙ1、Ｙ4、…、Ｙ3n-2）に連結された画素回路２１２が駆動し、データ線（Ｙ2、Ｙ3、Ｙ5、Ｙ6、…、Ｙ3n-1、Ｙ3n）にはプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）が印加されて、データ線（Ｙ2、Ｙ3、Ｙ5、Ｙ6、…、Ｙ3n-1、Ｙ3n）は寄生キャパシターによってプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）でプリチャージされる。
【００６７】
次に、データドライバー２３０からＧデータ電圧が印加されれば、ハイレベルのスイッチング信号（ＨR、ＰG）とローレベルのスイッチング信号（ＨG）によってスイッチング素子（ＭＲ1、ＭＲ2、…、ＭＲn、ＰＧ1、ＰＧ2、…、ＰＧn）を遮断（ＯＦＦ）し、スイッチング素子（ＭＧ1、ＭＧ2、…、ＭＧn）を導通させる。このようにすれば、データ線（Ｙ2、Ｙ5、…、Ｙ3n-1）にはＧデータ電圧が印加されて走査線（Ｘm）とデータ線（Ｙ2、Ｙ5、…、Ｙ3n-1）に連結された画素回路２１２が駆動し、データ線（Ｙ3、Ｙ6、…、Ｙ3n）は継続してプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）でプリチャージされている。
【００６８】
次に、データドライバー２３０からＢデータ電圧が印加されれば、ハイレベルのスイッチング信号（ＨG、ＰB）とローレベルのスイッチング信号（ＨB）によってスイッチング素子（ＭＧ1、ＭＧ2、…、ＭＧn、ＰＢ1、ＰＢ2、…、ＰＢn）を遮断し、スイッチング素子（ＭＢ1、ＭＢ2、…、ＭＢn）を導通させる。このようにすれば、データ線（Ｙ3、Ｙ6、…、Ｙ3n）にはＢデータ電圧が印加されて走査線（Ｘm）とデータ線（Ｙ3、Ｙ6、…、Ｙ3n）に連結された画素回路２１２が駆動する。
【００６９】
本発明の第２実施の形態のように走査線（Ｘm）が選択された時にＲ、Ｇ、Ｂデータ電圧を順次に印加する場合、データ線（Ｙ1、Ｙ4、…、Ｙ3n-2）にＲデータ電圧が印加される時、他のデータ線（Ｙ2、Ｙ3、Ｙ5、Ｙ6、…、Ｙ3n-1、Ｙ3n）にはプリチャージ電圧（Ｖpre）が印加されていて、過去走査線（Ｘm-1）が選択される時キャパシター（Ｃ１）に保存されたプリチャージ電圧（Ｖp）とプリチャージ電圧（Ｖpre）との差によってトランジスタ（Ｍ２）はターンオンされず、キャパシター（Ｃ１）は継続してプリチャージ電圧（Ｖp）に維持することができる。
【００７０】
したがって、前述したようにキャパシター（Ｃ１）の電圧が変わってデータ電圧が印加される時、トランジスタ（Ｍ２）がターンオンされない場合が発生しない。
【００７１】
本発明の第２実施の形態ではデータ電圧をＲ、Ｇ、Ｂ別に順次に出力し、逆多重化部２４０は１：３ＤＥＭＵＸ機能を遂行することについて説明したが、本発明はこれに限定されずにＮ個のデータ線を一つのグループとし、各グループに該当するデータ電圧を順次に出力することもできる。そうなると逆多重化部は１：Ｎ ＤＥＭＵＸ機能を遂行し、各グループに入力されるデータ電圧をＮ個のデータ線のうちで該当するデータ線に分配するようにすればよい。このようにする場合に変わる構成及び駆動波形は本発明の属する技術分野にて通常の知識を有する者に容易な内容であるので、説明を省略する。
【００７２】
次に、データドライバーをシフトレジスターを利用して構成する場合について説明する。
【００７３】
まず図７及び図８を参照して、本発明の第３実施の形態による有機ＥＬ表示装置及びその駆動方法について説明する。
【００７４】
図７は本発明の第３実施の形態による有機ＥＬ表示装置を示す図であり、図８は本発明の第３実施の形態による有機ＥＬ表示装置の駆動タイミングを示す図である。
【００７５】
図７に示したように、本発明の第３実施の形態による有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ表示装置パネル３１０、走査ドライバー３２０、データドライバー３３０及びプリチャージ手段３４０を含む。
【００７６】
有機ＥＬ表示装置パネル３１０は、画像信号を示すデータ電圧を伝達する複数のデータ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）、選択信号を伝達するための複数の走査線（Ｘ1、Ｘ2、…、ＸM）及び複数の画素回路３１２を含む。画素回路３１２は、本発明の第１実施の形態による画素回路１１２及び本発明の第１実施の形態で変形可能な画素回路を全て含む。
【００７７】
走査ドライバー３２０は走査線（Ｘ1、Ｘ2、…、ＸM）に選択信号を印加し、画素回路３１２の薄膜トランジスタ（Ｍ３）の開閉を制御する。
【００７８】
データドライバー３３０は、シフトレジスター３３２、複数のＯＲゲート（ＯＲ1、ＯＲ2、…、ＯＲN）及びＰＭＯＳトランジスタからなるデータ電圧用スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）を含む。
【００７９】
シフトレジスター３３２はスイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）を開閉するための制御信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）を順に出力し、この信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）は各々ＯＲゲート（ＯＲ1、ＯＲ2、…、ＯＲN）に制御部（図示せず）からのＯＥ信号と共に入力される。ＯＥ信号は、画像信号（Ｖｓｉｇ）のデータが変わった以降にデータ線を選択するための制御信号であり、ＯＲゲート（ＯＲ1、ＯＲ2、…、ＯＲN）の各出力がスイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）を開閉するためのスイッチング信号（Ｓ1、Ｓ2、…、ＳN）になる。
【００８０】
シフトレジスター３３２のスイッチング信号（Ｓ1、Ｓ2、…、ＳN）により、画像信号（Ｖｓｉｇ）は各データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）に順次にサンプリングされて印加される。詳細に説明すれば、データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）の一端には各々スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）の一端が連結されており、このスイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）の他端には画像信号（Ｖｓｉｇ）を伝達する画像信号線３３４が連結されている。スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）は各々スイッチング信号（Ｓ1、Ｓ2、…、ＳN）に応じて順次に画像信号（Ｖｓｉｇ）を各データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）に印加する。
【００８１】
プリチャージ手段３４０はデータ線（Ｙ2、…、ＹN）の他端に各々連結され、ＰＭＯＳトランジスタからなるプリチャージング用スイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）を含む。このスイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）は制御部からのプリチャージ制御信号（ＰＣ）に応じて、プリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）をデータ線（Ｙ2、…、ＹN）に同時に印加する。このようなプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）は、キャパシター（Ｃ１）に印加されるプリチャージ電圧（Ｖｐ）と比較して‘プリチャージ電圧（Ｖｐ）−しきい電圧（ＶTH）’と同一であるかまたはそれより画像信号（Ｖｓｉｇ）から遠く離れた値である。
【００８２】
本発明の第３実施の形態では、スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）と追加のスイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）は各々データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）の両端に形成されているが、これに限定されずにデータ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）の同じ側に形成されることもできる。
【００８３】
また、本発明の第３実施の形態では画素回路３１２のトランジスタ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４）、スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）及びスイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）をＰＭＯＳトランジスタを使用して説明するが、これに限定されずにＮＭＯＳトランジスタまたはＰＭＯＳ及びＮＭＯＳトランジスタを混合して使用しても差し支えない。このように使用する場合に変わる回路構造及び駆動波形については本発明の属する技術分野において通常の知識を有する者には容易な内容であるので説明を省略する。
【００８４】
以下、図８を参照して本発明の第３実施の形態による有機ＥＬ表示装置の動作について説明する。
【００８５】
図８に示したように、まずローレベルのスイッチング信号（Ｓ１）及び制御信号（ＰＣ）でスイッチング素子（ＨＳＷ1）及びスイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）を導通させ、走査線（Ｘm）を選択する選択信号を印加する。そうなると走査線（Ｘm）及びデータ線（Ｙ1）に連結された画素回路３１２の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）は画像信号（Ｖｓｉｇ）がスイッチング素子（ＨＳＷ1）によってサンプリングされたデータ電圧に駆動され、データ線（Ｙ2、Ｙ3、…、ＹN）は寄生キャパシターによってプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）でプリチャージされる。
【００８６】
次に、制御信号（ＰＣ）を反転してスイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）を遮断すれば、データ線（Ｙ2、Ｙ3、…、ＹN）はフローティング（ｆｌｏａｔｉｎｇ）され、データ電圧が印加される前までプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）に維持される。以降、シフトレジスター３３２は選択信号をシフトして出力してスイッチング素子（ＨＳＷ2、ＨＳＷ3、…、ＨＳＷN）を順次に導通させ、画像信号（Ｖｓｉｇ）をデータ線（Ｙ2、Ｙ3、…、ＹN）に順次に印加して画素回路３１２の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）を駆動する。
【００８７】
このようにすれば、データ線（Ｙ2、Ｙ3、…、ＹN）は画像信号（Ｖｓｉｇ）によるデータ電圧が印加される前までプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）に維持されるので、走査線（Ｘm-1）が選択される時、キャパシター（Ｃ１）に保存されたプリチャージ電圧（Ｖｐ）とプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）との差によってトランジスタ（Ｍ２）はターンオンされず、キャパシター（Ｃ１）は継続してプリチャージ電圧（Ｖｐ）に維持することができる。したがって、前述したようにキャパシター（Ｃ１）の電圧が変わってデータ電圧が印加される時にトランジスタ（Ｍ２）がターンオンされない場合が発生しない。
【００８８】
しかし、本発明の第３実施の形態のように一つの信号線でスイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）を同時に駆動する場合には、パネルの大きさと解像度の大きくなるほど信号線の抵抗とスイッチング素子である薄膜トランジスタのゲートキャパシタンスなどが増加し、これによるＲＣディレイが大きくなる。
【００８９】
このようなＲＣディレイによってプリチャージ制御信号（ＰＣ）の上昇時間と下降時間が長くなるので、スイッチング信号（Ｈ1）とスイッチング信号（Ｈ2）のリーディングエッジ間の時間差が大きくならなければならない。したがって、スイッチング信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）のパルス幅が大きくするためにクロックを遅くしなければならず、これは結局データドライバー３３０の周波数を制限するようになる。
【００９０】
これを解決するためにプリチャージング用スイッチング素子を別に駆動することができ、以下ではこのような実施の形態について図９及び図１０を参照して説明する。
【００９１】
図９は本発明の第４実施の形態による有機ＥＬ表示装置を示す図であり、図１０は本発明の第４実施の形態による有機ＥＬ表示装置の駆動タイミングを示す図である。
【００９２】
図９に示したように本発明の第４実施の形態による有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ表示装置パネル４１０、走査ドライバー４２０、データドライバー４３０及びプリチャージ手段４４０を含む。
【００９３】
第４実施の形態での有機ＥＬ表示装置パネル４１０及び走査ドライバー４２０は第３実施の形態での有機ＥＬ表示装置パネル３１０及び走査ドライバー３２０と同一であり、有機ＥＬ表示装置パネル４１０の画素回路４１２は、本発明の第１実施の形態による画素回路１１２及び本発明の第１実施の形態で変形可能な画素回路を全て含む。
【００９４】
データドライバー４３０は、シフトレジスター４３２、データ電圧用スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）及びＯＲゲート（ＯＲ1、ＯＲ2、…、ＯＲN）を含む。
【００９５】
シフトレジスター４３２はスイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）を開閉するための制御信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）を順次に出力し、この制御信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）は各々ＯＲゲート（ＯＲ1、ＯＲ2、…、ＯＲN）に制御部（図示せず）からのＯＥ信号と共に入力される。ＯＲゲート（ＯＲ1、ＯＲ2、…、ＯＲN）の各出力がスイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）を開閉するためのスイッチング信号（Ｓ１、Ｓ２、…、ＳＮ）となる。
【００９６】
シフトレジスター４３２のスイッチング信号（Ｓ１、Ｓ２、…、ＳＮ）によって画像信号（Ｖｓｉｇ）は各データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）に順次にサンプリングされて印加される。詳細に説明すれば、データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）の一端には各々スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）の一端が連結されており、このスイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）の他端には画像信号（Ｖｓｉｇ）を伝達する画像信号線４３４が連結されている。スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）は各々スイッチング信号（Ｓ1、Ｓ2、…、ＳN）に応じて順次に画像信号（Ｖｓｉｇ）を各データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）に印加する。
【００９７】
プリチャージ手段４４０は、プリチャージング用スイッチング素子（ＰＳＷ2、…、ＰＳＷN）及び複数のプリチャージ制御信号生成部４４２を含む。
【００９８】
複数のプリチャージ制御信号生成部４４２は、各々シフトレジスター４３２からの制御信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN-1）と過去プリチャージ制御信号（Ｐ1、Ｐ2、…、ＰN-1）を入力として受けてプリチャージ制御信号（Ｐ2、Ｐ3、…、ＰN）を生成する。プリチャージ制御信号（Ｐ1）は常にハイレベルの値を有する信号である。このようなプリチャージ制御信号生成部４４２は本発明の第４実施の形態ではＡＮＤゲートからなる。
【００９９】
スイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）はプリチャージ制御信号（Ｐ2、…、ＰN）に応じてプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）をデータ線（Ｙ2、…、ＹN）に印加する。このようなプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）は、キャパシター（Ｃ１）に印加されるプリチャージ電圧（Ｖｐ）と比較して‘プリチャージ電圧（Ｖｐ）−しきい電圧（ＶTH）’と同一であるかまたはそれより画像信号（Ｖｓｉｇ）から遠く離れた値である。
【０１００】
以下、図１０を参照して本発明の第４実施の形態による有機ＥＬ表示装置の動作について説明する。
【０１０１】
図１０に示したように、まずローレベルの制御信号（Ｈ1）とハイレベルの制御信号（Ｈ2、Ｈ3、…、ＨN）及びハイレベルの制御信号（Ｐ1）により制御信号（Ｐ2、Ｐ3、…、ＰN）はローレベルの信号になり、この信号でスイッチング素子（ＨＳＷ1）及びスイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）を導通させ、走査線（Ｘm）を選択する選択信号を印加する。そうなると走査線（Ｘm）及びデータ線（Ｙ1）に連結された画素回路４１２の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）は、画像信号（Ｖｓｉｇ）がスイッチング素子（ＨＳＷ1）によってサンプリングされたデータ電圧で駆動され、データ線（Ｙ2、Ｙ3、…、ＹN）は寄生キャパシターによってプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）でプリチャージされる。
【０１０２】
次に、シフトレジスター４３２によって制御信号（Ｈ1）がハイレベルの信号、制御信号（Ｈ2）がローレベルの信号になれば制御信号（Ｐ2）はハイレベルの信号になり、制御信号（Ｐ3、Ｐ4、…、ＰN）は継続してローレベルの信号を維持する。この信号によってスイッチング素子（ＰＳＷ2）は遮断され、スイッチング素子（ＨＳＷ2）が導通してデータ線（Ｙ2）にデータ電圧が印加され、スイッチング素子（ＰＳＷ3、ＰＳＷ4、…、ＰＳＷN）は継続して導通してデータ線（Ｙ3、Ｙ4、…、ＹN）にはプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）が継続して印加される。
【０１０３】
このようにシフトレジスター４３２によってスイッチング素子（ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）が順次に導通し、スイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）が順次に遮断されてデータ線（Ｙ2、Ｙ3、…、ＹN）にデータ電圧が順次に印加され、データ電圧が印加される前のデータ線はプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）で継続してプリチャージされる。
【０１０４】
このようにすれば、データ線（Ｙ2、Ｙ3、…、ＹN）は画像信号（Ｖｓｉｇ）によるデータ電圧が印加される前までプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）に維持されるので、走査線（Ｘm-1）が選択される時、キャパシター（Ｃ１）に保存されたプリチャージ電圧（Ｖｐ）とプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）との差によってトランジスタ（Ｍ２）はターンオンされず、キャパシター（Ｃ１）は継続してプリチャージ電圧（Ｖｐ）に維持することができる。したがって、前述したようにキャパシター（Ｃ１）の電圧が変わってデータ電圧が印加される時、トランジスタ（Ｍ２）がターンオンされない場合が発生しない。
【０１０５】
一方、本発明の第４実施の形態で図１１に示したように制御信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）が一部重なって出力されるシフトレジスター４３２を用いると前述した問題点が再び発生する虞がある。つまり、データ線（Ｙ1）にデータを書く間に制御信号（Ｈ2）によってデータ線（Ｙ2）が画像信号（Ｖｓｉｇ）を伝達する画像信号線に連結される。そうなると画像信号（Ｖｓｉｇ）がデータ線（Ｙ2）に該当する値になってデータ線（Ｙ2）にデータを記録しなければならない時、データ線（Ｙ1）にデータを書く間、データ線（Ｙ2）に記録されたデータにより、前述したようにトランジスタ（Ｍ２）がターンオンされない問題点が発生することがある。
【０１０６】
以下では、制御信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）が一部重なって出力されるシフトレジスター４３２を使用する場合の実施の形態について図１１乃至図１３を参照して詳しく説明する。
【０１０７】
図１１は本発明の第５及び第６実施の形態による有機ＥＬ表示装置の駆動タイミングを示す図である。図１２及び図１３は各々本発明の第５及び第６実施の形態による有機ＥＬ表示装置でプリチャージ制御信号生成部を示す図である。
【０１０８】
したがって本発明の第５実施の形態では、図１１に示したようなプリチャージ制御信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）が出力される場合に図１２に示したようなプリチャージ制御信号生成部４４２がプリチャージ制御信号（Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3、…、ＰN）を生成する。
【０１０９】
以下では、このような複数のプリチャージ制御信号生成部４４２からデータ線（Ｙn）に印加されるプリチャージ制御信号（Ｐn）を生成するプリチャージ制御信号生成部４４２について説明する。
【０１１０】
プリチャージ制御信号（Ｐn）を生成するプリチャージ制御信号生成部４４２はインバータ、ＯＲゲート及びＡＮＤゲートを含む。ＯＲゲートは、次のデータ線（Ｙn+1）に該当する制御信号（Ｈn+1）の反転信号（／Ｈn+1）と、現在データ線（Ｙn）に該当する制御信号（Ｈn）とを入力として有する。そしてこのＯＲゲート出力が過去プリチャージ制御信号（Ｐn-1）と共にＡＮＤゲートに入力され、プリチャージ制御信号（Ｐn）を生成する。
【０１１１】
このように生成されたプリチャージ制御信号（Ｐ1、Ｐ2、…、ＰN）は図１１に示したようになる。例えば、制御信号（Ｈ1）によってデータ線（Ｙ1）に該当するデータ電圧が印加される間、ローレベルの制御信号（Ｈ2）によってスイッチング素子（ＨＳＷ2）が導通する区間が生じる。この時、画像信号（Ｖｓｉｇ）がデータ線（Ｙ2）に該当する値になるまで、第５実施の形態によるプリチャージ制御信号（Ｐ2）でスイッチング素子（ＰＳＷ2）を導通させてプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）を印加することができる。
【０１１２】
このようにスイッチング素子（ＨＳＷ2、ＰＳＷ2）が導通する区間でプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）をデータ線（Ｙ2）に印加する場合には、画像信号（Ｖｓｉｇ）とプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）によってデータ線（Ｙ2）に印加される電圧が‘プリチャージ電圧（Ｖｐ）−しきい電圧（ＶTH）’と同一であるかまたはそれより画像信号（Ｖｓｉｇ）から遠く離れた値となるように、プリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）を定めなければならない。
【０１１３】
このような第５実施の形態によれば、プリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）と画像信号（Ｖｓｉｇ）電圧との差が大きくなり、スイッチング素子（ＰＳＷ2、ＨＳＷ2）の駆動電圧が大きくなる虞がある。このように駆動電圧が大きくなればデータドライバーで消費電力が増加するという問題点がある。
【０１１４】
したがって本発明の第６実施の形態では、第５実施の形態でのようなシフトレジスターの出力を調節して出力がオーバーラップされないシフトレジスターを構成する。
【０１１５】
図１３に示したように、スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）がＰＭＯＳトランジスタである場合にシフトレジスター４３２の隣接した二つの出力をＯＲゲートでＯＲ演算して、出力が重ならないシフトレジスターを形成することができる。
【０１１６】
例えば、シフトレジスター４３２の出力（Ｈ１、Ｈ2）をＯＲゲートでＯＲ演算した結果を新たな出力（Ｈ１´）とする。つまり、二つの出力（Ｈ１、Ｈ2）が全てローレベルの信号である場合にだけＯＲゲートの出力（Ｈ１´）がローレベルになり、同様に出力（Ｈ2、Ｈ3）が全てローレベルの信号であれば出力（Ｈ2´）がローレベルになって、重ならないシフトレジスターを形成することができる。
【０１１７】
本発明の第１乃至第６実施の形態でスイッチング素子としてＰＭＯＳトランジスタを使用して説明したが、スイッチング素子としてＮＭＯＳ、ＣＭＯＳトランジスタはもちろんこれらを混合して使用することもできる。このようにした場合に変わる構造及び駆動波形は本発明の属する技術分野にて通常の知識を有する者には容易な内容であるので、説明を省略する。
【０１１８】
また、本発明の第２乃至第６実施の形態でも図３ｂに示したように、別途のリセット信号をトランジスタ（Ｍ４）のゲートに印加してトランジスタ（Ｍ４）を駆動し、画素回路１１２のキャパシター（Ｃ１）をプリチャージ電圧（Ｖｐ）で充電することができる。
【０１１９】
以上本発明の実施の形態では４つのトランジスタを有する画素回路を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されずにプリチャージ電圧（Ｖｐ）が印加される全ての画素回路にも適用することができる。また、本発明の実施の形態では有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されずに画素回路に形成されたキャパシター（Ｃ１）にプリチャージ電圧（Ｖｐ）を印加する全ての表示装置に適用することができる。つまり、表示装置の画素回路がゲート線とデータ線に通じて印加される信号に応じて駆動するトランジスタとプリチャージ電圧（Ｖｐ）を印加するためのトランジスタとを含む場合に、本発明の実施の形態で説明したようにプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）をデータ線に印加することにより、画質不良を解決することができる。
【０１２０】
以上で本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されることでなく、上記の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者のいろいろな変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属するものである。
【０１２１】
【発明の効果】
このように本発明によれば、データ線にデータ電圧を印加する前に予めプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）を印加することによって、過去走査線の選択信号に応じて画素回路のキャパシター（Ｃ１）に充電されたプリチャージ電圧（Ｖｐ）とデータ線の寄生キャパシターに保存された過去データ電圧とによってスイッチング素子が導通して生じ得るキャパシター（Ｃ１）の電荷再分配を防止することができる。したがって、キャパシター（Ｃ１）の電荷再分配による画質不良を解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の技術による有機電界発光表示装置の画素回路を示す図である。
【図２】 本発明の第１実施の形態による有機電界発光表示装置を示す図である。
【図３】 本発明の第１実施の形態（図３ａ）及びその変形例（図３ｂ）による有機電界発光表示装置の画素回路を示す図である。
【図４】 本発明の第２実施の形態による有機電界発光表示装置を示す図である。
【図５】 本発明の第２実施の形態による有機電界発光表示装置の逆多重化部を示す図である。
【図６】 本発明の第２実施の形態による有機電界発光表示装置の駆動タイミングを示す図である。
【図７】 本発明の第３実施の形態による有機電界発光表示装置を示す図である。
【図８】 各々本発明の第３実施の形態による有機電界発光表示装置の駆動タイミングを示す図である。
【図９】 本発明の第４実施の形態による有機電界発光表示装置を示す図である。
【図１０】 本発明の第４実施の形態による有機電界発光表示装置の駆動タイミングを示す図である。
【図１１】 本発明の第５及び第６実施の形態による有機電界発光表示装置の駆動タイミングを示す図である。
【図１２】 本発明の第５実施の形態による有機電界発光表示装置でのプリチャージ制御信号生成部を示す図である。
【図１３】 本発明の第６実施の形態による有機電界発光表示装置でのシフトレジスターの出力部を示す図である。
【符号の説明】
１１０、２１０、３１０、４１０ 有機ＥＬ表示装置パネル
１１２、２１２、３１２、４１２ 画素回路
１２０、２２０、３２０、４２０ 走査ドライバー
１３０、２３０、３３０、４３０ データドライバー
２００ 有機ＥＬ表示装置
２４０ 逆多重化部
２４１、２４３、２４５ スイッチング用信号線
３３２、４３２ シフトレジスター
３３４ フリチャージ制御信号生成部
３４０、４４０ プリチャージ手段
４３４ 画像信号線
４４２ 制御信号生成部
【発明の属する技術分野】
本発明は表示装置とその駆動方法に係り、特に、能動駆動方式の有機電界発光表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に有機電界発光（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ；以下、ＥＬとする）表示装置は、蛍光性有機化合物を電気的に励起させて発光させる表示装置であって、Ｍ×Ｎ個の有機発光セルを電圧駆動あるいは電流駆動して映像を表現することができるようになっている。このような有機発光セルはアノード（ＩＴＯ）、有機薄膜、カソードレイヤー（ｍｅｔａｌ）の構造を有している。
【０００３】
有機薄膜は電子と正孔の均衡を良くして発光効率を向上させるために、発光層（ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ，ＥＭＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ，ＥＴＬ）及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ，ＨＴＬ）を含んだ多層構造からなり、また別途の電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ，ＥＩＬ）と正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ，ＨＩＬ）を含んでいる。
【０００４】
このように構成される有機発光セルを駆動する方式には、単純マトリックス（ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式とＴＦＴを利用した能動駆動（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式がある。単純マトリックス方式は正極と負極を直交するように形成し、ラインを選択して駆動するのに比べて、能動駆動方式はＴＦＴを各ＩＴＯ画素電極に接続し、ＴＦＴのゲートに接続されたキャパシター容量によって維持される電圧に応じて駆動する方式である。
【０００５】
図１は有機ＥＬ素子をＴＦＴを利用して駆動するための従来の画素回路であって、Ｍ×Ｎ個の画素のうちの一つを代表的に示したものである。
【０００６】
図１を参照すれば、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に駆動用トランジスタ（Ｍｂ）が連結されて発光のための電流を供給する。駆動用トランジスタ（Ｍｂ）の電流量は、スイッチングトランジスタ（Ｍａ）を通じて印加されるデータ電圧によって制御されるようになっている。この時、印加された電圧を一定の期間維持するためのキャパシター（Ｃ１）がトランジスタ（Ｍｂ）のソースとゲートの間に連結されている。トランジスタ（Ｍａ）のゲートには走査線が連結されており、ソース側にはデータ線が連結されている。
【０００７】
このような構造の画素の動作を見てみると、スイッチングトランジスタ（Ｍａ）のゲートに印加される選択信号によってトランジスタ（Ｍａ）がオンされれば、データ線を通じてデータ電圧が駆動用トランジスタ（Ｍｂ）のゲート（ノードＡ）に印加される。そして、ゲートに印加されるデータ電圧に対応し、トランジスタ（Ｍｂ）を通じて有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に電流が流れて発光が行われる。
【０００８】
この時、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に流れる電流（ＩOLED）は次の（１）式の通りである。
【０００９】
【数１】
ここで、ＩOLEDは有機ＥＬ素子に流れる電流、ＶGSはトランジスタ（Ｍｂ）のソースとゲートの間の電圧、ＶTHはトランジスタ（Ｍｂ）のしきい電圧、ＶDATAはデータ電圧、βは定数値を示す。
【００１１】
前記（１）式に示したように図１に示した画素回路によれば、印加されるデータ電圧に対応する電流が有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に供給され、供給された電流に対応して有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）が発光するようになる。この時、印加されるデータ電圧は階調を表現するために一定の範囲で多段階の値を有する。
【００１２】
ところが、このような従来の画素回路では製造工程の不均一性によって生じる薄膜トランジスタのしきい電圧（ＶTH）の偏差のため、高階調を得るのが難しいという問題点がある。例えば３Ｖに画素の薄膜トランジスタを駆動する場合、８ビット（２５６）階調を表現するためには１２ｍＶ（＝３Ｖ／２５５）間隔で薄膜トランジスタのゲートに電圧を印加しなければならないなが、万一製造工程の不均一による薄膜トランジスタのしきい電圧の偏差が１００ｍＶである場合には高階調を表現するのは難しいという問題点がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が目的とする技術的課題は、しきい電圧の偏差を補償して高階調を表現し、画素回路の薄膜トランジスタの動作特性による画像不良を除去することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために本発明は、データ線にプリチャージ電圧が印加されるようにする。
【００１５】
本発明は、データ電圧を伝達する複数のデータ線、選択信号を伝達する複数の走査線、複数の画素回路及びデータドライバーを含む有機ＥＬ表示装置が提供される。画素回路は隣接する二つのデータ線と隣接する二つの走査線によって定義される画素領域に形成され、第１及び第２スイッチング素子、第１薄膜トランジスタ、前記第１薄膜トランジスタのゲートにそのゲートが連結され、前記第１及び第２スイッチング素子の間にダイオード連結された第２薄膜トランジスタ、及びキャパシターを含む。
【００１６】
第１スイッチング素子は、走査線に印加される選択信号に応じてデータ線に印加されるデータ電圧をスイッチングし、第１薄膜トランジスタは、第１スイッチング素子を通じてゲートに入力されるデータ電圧に対応して有機電界発光素子に電流を供給する。キャパシターはデータ電圧を一定の時間維持し、第２スイッチング素子は、過去走査線に選択信号が印加される間制御信号に応じてキャパシターに第１プリチャージ電圧を印加する。
【００１７】
この時、制御信号は別途の外部リセット信号または過去走査線に印加される選択信号であるのが好ましい。
【００１８】
また、本発明は、データドライバーは複数のデータ線を複数のグループに分け、各グループに該当するデータ電圧を順次に印加し、有機ＥＬ表示装置は逆多重化部をさらに含むのが好ましい。逆多重化部は、データドライバーから順次に印加されるデータ電圧を該当する複数のデータ線に印加し、画素回路が連結された走査線に前記選択信号が印加される前に、グループのうちの少なくとも一つのグループのデータ線に第２プリチャージ電圧を印加する。前記第２プリチャージ電圧は前記第１プリチャージ電圧−前記第２薄膜トランジスタの敷居電圧と同一であるかまたは前記第２薄膜トランジスタがターンオンされない値である。
【００１９】
また、本発明は、データドライバーはデータ電圧を各データ線に順次に印加し、有機ＥＬ表示装置は、画素回路に連結された走査線に選択信号が印加される前に複数のデータ線に第２プリチャージ電圧を同時に印加するプリチャージ手段をさらに含むのが好ましい。
【００２０】
また、本発明は、データドライバーはデータ電圧を各データ線に順次に印加し、有機ＥＬ表示装置はプリチャージ手段をさらに含むのが好ましい。プリチャージ手段は、画素回路が連結された走査線に前記選択信号が印加される前に複数のデータ線に第２プリチャージ電圧を同時に印加し、各データ線に順次にデータ電圧が印加される前に、各データ線に印加される第２プリチャージ電圧を順次に遮断する。
【００２１】
本発明による有機ＥＬ表示装置において、画素回路は第１薄膜トランジスタのゲートにそのゲートが連結され、第１及び第２スイッチング素子の間にダイオード連結された（ｄｉｏｄｅ−ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）第２薄膜トランジスタをさらに含むことができる。この時、第２プリチャージ電圧は第１プリチャージ電圧と同一であるか、または第１プリチャージ電圧よりデータ電圧に遠く離れた値を有するのが好ましい。また、第２プリチャージ電圧は固定された値を有するのが好ましい。
【００２２】
本発明は、このような有機ＥＬ表示装置を駆動する方法が提供する。まず、（ｉ−１）番目走査線に選択信号が印加される間、ｉ番目走査線に連結された画素回路のキャパシターが第１プリチャージ電圧によって充電される。そして、ｉ番目走査線に選択信号が印加される前に複数のデータ線に第２プリチャージ電圧を印加する。次に、少なくとも一つのデータ線を一つのグループとして各グループに該当するデータ電圧を順次に印加すると同時に、第２プリチャージ電圧が印加されたデータ線にデータ電圧が印加される前に第２プリチャージ電圧を遮断する。
【００２３】
本発明は、複数のデータ線、複数の走査線、複数の画素回路、データドライバー及びプリチャージ手段を含む表示装置が提供される。複数の画素回路は、各々隣接する二つのデータ線と隣接する二つの走査線によって定義される画素領域に形成される。そして各画素回路は、走査線に印加される選択信号に応じてデータ線に印加されるデータ電圧を伝達する第１スイッチング素子、前記第１スイッチング素子を通じてゲートに入力される前記データ電圧に対応して有機電界発光素子に電流を供給する第１薄膜トランジスタ、前記データ電圧を一定の時間維持するためのキャパシター、及び過去走査線に選択信号が印加される間制御信号に応じて前記キャパシターに第１プリチャージ電圧を印加する第２スイッチング素子、前記第１薄膜トランジスタのゲートにそのゲートが連結され、前記第１及び第２スイッチング素子の間にダイオード連結された第２薄膜トランジスタを含む。
【００２４】
この時、データドライバーは、複数のデータ線を少なくとも一つのデータ線を一つのグループとする複数のグループに分け、各グループに該当するデータ電圧を順次にデータ線に印加する。そしてプリチャージ手段は、画素回路が連結された走査線に選択信号が印加される前に、少なくとも一つのグループのデータ線に第２プリチャージ電圧を印加し、グループに該当するデータ電圧が印加される時に第２プリチャージ電圧の供給を遮断する。前記第２プリチャージ電圧は前記第１プリチャージ電圧−前記第２薄膜トランジスタのしきい電圧と同一であるかまたは前記第２薄膜トランジスタがターンオンされない値である。
【００２５】
そして、制御信号は過去走査線に印加される選択信号であるかまたは別途のリセット信号であるのが好ましい。
【００２６】
【発明の実施の形態】
添付した図面を参考として、本発明の実施の形態について本発明の属する技術分野にて通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異する形態に具現することができ、ここで説明する実施の形態に限定されるわけではない。
【００２７】
本発明を明確に説明するために、図面のなかで説明と関係のない部分は省略した。明細書全体を通じて類似した部分については同一な図面符号を付けた。ある部分が他の部分と連結されているとする時、これは直接的に連結されている場合のみだけでなく、その中間に他の素子を隔てて電気的に連結されている場合も含む。
【００２８】
以下、本発明の実施の形態による有機ＥＬ表示装置及びその駆動方法について図面を参考として詳細に説明する。
【００２９】
まず、図２、図３ａ及び図３ｂを参照して本発明の第１実施の形態による有機ＥＬ表示装置及びその駆動方法について説明する。
【００３０】
図２は本発明の第１実施の形態による有機ＥＬ表示装置を示す図であり、図３ａ及び図３ｂは、各々本発明の第１実施の形態及びその変形例による有機ＥＬ表示装置の画素回路を示す図である。
【００３１】
図２に示したように、本発明の第１実施の形態による有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ表示装置パネル１１０、走査ドライバー１２０及びデータドライバー１３０を含む。
【００３２】
有機ＥＬ表示装置パネル１１０は、画像信号を示すデータ電圧を伝達する複数のデータ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）、選択信号を伝達するための複数の走査線（Ｘ1、Ｘ2、…、ＸM）及び複数の画素回路１１２を含む。画素回路１１２は、隣接した二つのデータ線と隣接した二つの走査線によって定義される画素領域に形成されている。走査ドライバー１２０は走査線（Ｘ1、Ｘ2、…、ＸM）に選択信号を印加し、データドライバー１３０はデータ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）に画像信号を示すデータ電圧を印加する。
【００３３】
図３ａに示したように、本発明の第１実施の形態による画素回路１１２は、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）、トランジスタ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４）及びキャパシター（Ｃ１）を含む。
【００３４】
トランジスタ（Ｍ３）は、走査線（Ｘm）に連結されたゲート、データ線に連結されたソース及びトランジスタ（Ｍ２）のソースに連結されたドレーンを三つの端子として有し、走査線（Ｘm）に印加される選択信号に応じてデータ電圧をトランジスタ（Ｍ２）に伝達する。
【００３５】
トランジスタ（Ｍ２）はダイオード機能を遂行するようにゲートとドレーンとが連結され、トランジスタ（Ｍ３）からのデータ電圧をトランジスタ（Ｍ１）に伝達する。
【００３６】
トランジスタ（Ｍ１）は、電源電圧（ＶＤＤ）に連結されたソース、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に連結されたドレーン及びトランジスタ（Ｍ２）のドレーンに連結されたゲートを三つの端子として有し、ゲートに印加されるトランジスタ（Ｍ２）からのデータ電圧に対応する電流を有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に供給し、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）は印加される電流の量に対応する光を発光する。キャパシター（Ｃ１）は電源電圧（ＶＤＤ）とトランジスタ（Ｍ１）のゲートとの間に連結され、トランジスタ（Ｍ１）のゲートに印加されるデータ電圧及びプリチャージ電圧（Ｖｐ）を一定期間維持する。
【００３７】
トランジスタ（Ｍ４）は、過去走査線（Ｘm-1）に連結されているゲート、トランジスタ（Ｍ２）のドレーンに連結されたソース及びプリチャージ電圧（Ｖｐ）が印加されるドレーンを三つの端子として有し、過去走査線（Ｘm-1）に印加される選択信号に応じてトランジスタ（Ｍ１）のゲートをプリチャージ電圧（Ｖｐ）に初期化する。なお、走査線に関して用語を説明すると、今まさに選択信号を伝達しようとする走査線を「現在走査線」と記し、直前に選択信号を伝達した走査線を「直前走査線」又は「前回走査線」、タイミングを特定せずに既に選択信号を伝達した走査線を一括して「過去走査線」と記すことがある。このような表現は、データ線またはプリチャージ線に関しても同様である。
【００３８】
この時プリチャージ電圧（Ｖｐ）は、最大グレーレベルに到達するためにノードＡに印加される電圧（つまり、データ線に印加される最低電圧に対応する電圧）より若干低い値に設定するのが好ましい。
【００３９】
走査線（Ｘm）に印加される選択信号によってトランジスタ（Ｍ３）がオンされれば、データ線に印加されたデータ電圧がトランジスタ（Ｍ２）を通じて駆動用トランジスタ（Ｍ１）のゲート（ノードＡ）に伝達される。そして、ゲートに印加されるデータ電圧に対応してトランジスタ（Ｍ１）を通じて有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に電流が流れ、発光が行われる。
【００４０】
この時、本発明の第１実施の形態によって有機ＥＬ素子に流れる電流は、次の（２）式の通りである。
【００４１】
【数２】
ここで、ＩOLEDは有機ＥＬ素子に流れる電流、ＶGSはトランジスタ（Ｍ１）のソースとゲートの間の電圧、ＶTH1はトランジスタ（Ｍ１）のしきい電圧、ＶTH2はトランジスタ（Ｍ２）のしきい電圧、βは定数値を示す。
【００４３】
この時、トランジスタ（Ｍ１）とトランジスタ（Ｍ２）のしきい電圧が同一であれば、つまりＶTH1＝ＶTH2であれば、（２）式は次の（３）式に表現されることができる。実際に、本発明の第１実施の形態によればトランジスタ（Ｍ１）とトランジスタ（Ｍ２）とが互いに隣接して工程の影響をほとんど同一に受けるので、二つのトランジスタのしきい電圧の間にはしきい電圧の偏差がほとんどなく、しきい電圧が同一であるようになる。
【００４４】
【数３】
したがって本発明の第１実施の形態によれば、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）が（３）式から分かるように、電流駆動用トランジスタ（Ｍ１）のしきい電圧に関係なくデータ線に印加されるデータ電圧に対応する電流を流れる。つまり本発明の実施の形態によれば、トランジスタ（Ｍ２）が電流駆動用トランジスタ（Ｍ１）のしきい電圧の偏差を補償するために有機ＥＬ素子に流れる電流を微細に制御することができ、高階調の有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００４６】
本発明の第１実施の形態では画素回路１１２の薄膜トランジスタ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４）をＰＭＯＳトランジスタとして説明したが、本発明はこれに限定されず、薄膜トランジスタ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４）をＮＭＯＳトランジスタまたはＰＭＯＳとＮＭＯＳトランジスタを混合して用いることができる。このような場合に変更される画素回路は、既に説明した内容から本発明の属する技術分野にて通常の知識を有する者が容易に分かる内容であるのでその説明を省略する。
【００４７】
また本発明の第１実施の形態では、画素回路１１２のトランジスタ（Ｍ１）のゲートをプリチャージ電圧（Ｖｐ）に初期化するために過去走査線（Ｘm-1）の選択信号でトランジスタ（Ｍ４）を駆動したが、図３ｂに示したように過去走査線の選択信号をトランジスタ（Ｍ４）のゲートに印加せず、別途のリセット信号（ｒｅｓｅｔ）をトランジスタ（Ｍ４）のゲートに印加してトランジスタ（Ｍ４）を駆動することもできる。
【００４８】
ここで、データ線にデータ電圧を印加する際、データ電圧を全てのデータ線に一時に印加せず、データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）に順次に印加することができる。このようにデータ電圧を順次に印加する場合において、走査線（Ｘm）を選択してまずデータ線（Ｙ１）にデータ電圧を印加する間、データ線（Ｙ2）には、過去走査線（Ｘm-1）が選択された時に印加されたデータ電圧がデータ線の寄生キャパシター（Ｃｐ）に保存されており、走査線（Ｘm）に連結されている画素回路１１２のキャパシター（Ｃ１）はプリチャージ電圧（Ｖｐ）によって充電されている。
【００４９】
この時、寄生キャパシター（Ｃｐ）の電圧とキャパシター（Ｃ１）の電圧との差によってダイオード素子（Ｍ２）がターンオンされれば、寄生キャパシター（Ｃｐ）とキャパシター（Ｃ１）の間で電荷再分配が行われ、キャパシター（Ｃ１）の電圧が変わる。このように変わったキャパシター（Ｃ１）の電圧と以降データ線（Ｙ２）に印加されるデータ電圧との差によってトランジスタ（Ｍ２）がターンオンされなくなることがあり、トランジスタ（Ｍ２）がターンオンされないとキャパシター（Ｃ１）には所望のデータ電圧が印加されないため、所望の画像を得られなくなる。
【００５０】
このような問題点を解決するために、データ電圧が印加されていないデータ線にプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）を印加してデータ線をプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）で充電し、キャパシター（Ｃ１）との電圧差によってトランジスタ（Ｍ２）がターンオンされないようにすることができる。この時のプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）は、「プリチャージ電圧（Ｖｐ）−しきい電圧（ＶTH）」と同一であるかまたはそれよりデータ電圧から遠く離れていて、トランジスタ（Ｍ２）がターンオンされないようにしなければならない。トランジスタ（Ｍ２）をＰＭＯＳとすればしきい電圧（ＶTH）は負数、ＮＭＯＳとすればしきい電圧（ＶTH）は正数である。
【００５１】
以下、このようなプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）を印加して有機ＥＬ表示装置を駆動する方法について説明する。
【００５２】
まず、図４乃至図６を参照して本発明の第２実施の形態による有機ＥＬ表示装置及びその駆動方法について説明する。
【００５３】
図４は本発明の第２実施の形態による有機ＥＬ表示装置を示す図であり、図５は本発明の第２実施の形態による有機ＥＬ表示装置の逆多重化部を示す図である。図６は本発明の第２実施の形態による有機ＥＬ表示装置の駆動タイミングを示す図である。
【００５４】
図４に示したように本発明の第２実施の形態による有機ＥＬ表示装置２００は、有機ＥＬ表示装置パネル２１０、走査ドライバー２２０、データドライバー２３０及び逆多重化部２４０を含む。
【００５５】
本発明の第２実施の形態による有機ＥＬ表示装置は、データドライバー２３０及び逆多重化部２４０を除けば第１実施の形態による有機ＥＬ表示装置と同一な構造を有し、有機ＥＬ表示装置パネル２１０の画素回路２１２は、本発明の第１実施の形態による画素回路１１２及び本発明の第１実施の形態で変形可能な画素回路を全て含む。
【００５６】
データドライバー２３０は、制御部（図示せず）の制御により、データ電圧をＲ（ｒｅｄ）、Ｇ（ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（ｂｌｕｅ）別に順次に逆多重化部２４０に出力する。データ線（Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5、Ｙ6、…、Ｙ3n-2、Ｙ3n-1、Ｙ3n）が、Ｒデータ電圧を伝達するデータ線（Ｙ1、Ｙ4、…、Ｙ3n-2）、Ｇデータ電圧を伝達するデータ線（Ｙ2、Ｙ5、…、Ｙ3n-1）及びＢデータ電圧を伝達するデータ線（Ｙ3、Ｙ6、…、Ｙ3n）の３ｎ個である場合、データドライバー２３０から逆多重化部２４０にデータ電圧を出力する信号線（Ｄ1、Ｄ2、…、Ｄn）は、Ｒ、Ｇ、Ｂデータ線に各々一つずつ対応してｎ個である。
【００５７】
このようにすれば、データドライバー２３０は制御部の制御により、信号線（Ｄ1、Ｄ2、…、Ｄn）にＲ、Ｇ、Ｂデータ電圧を順次に出力する。
【００５８】
図４に示したように、逆多重化部２４０はデータドライバー２３０からＲ、Ｇ、Ｂ別にデータ電圧を受けた後、Ｒ、Ｇ、Ｂデータ電圧を各々のデータ線に順次に出力する。
【００５９】
このような逆多重化部２４０は、図５に示すように、ＰＭＯＳトランジスタからなるデータ電圧供給用スイッチング素子（ＭＲ1、ＭＧ1、ＭＢ1、ＭＲ2、ＭＧ2、ＭＢ2、…、ＭＲn、ＭＧn、ＭＢn）、及びプリチャージ電圧供給用スイッチング素子（ＰＧ1、ＰＢ1、ＰＧ2、ＰＢ2、…、ＰＧn、ＰＢn）を含む。
【００６０】
データ線（Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3）は各々スイッチング素子（ＭＲ1、ＭＧ1、ＭＢ1）を通じて信号線（Ｄ1）に並列に連結され、データ線（Ｙ4、Ｙ5、Ｙ6）は各々スイッチング素子（ＭＲ2、ＭＧ2、ＭＢ2）を通じて信号線（Ｄ2）に並列に連結され、このとおりにデータ線（Ｙ3n-2、Ｙ3n-1、Ｙ3n）は各々スイッチング素子（ＭＲn、ＭＧn、ＭＢn）を通じて信号線（Ｄn）に並列に連結されている。また、スイッチング素子（ＰＧ1、ＰＢ1、ＰＧ2、ＰＢ2、…、ＰＧn、ＰＢn）は各々プリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）とデータ線（Ｙ2、Ｙ3、Ｙ5、Ｙ6、…、Ｙ3n-1、Ｙ3n）の間に連結されている。
【００６１】
データ電圧供給用スイッチング素子（ＭＲ1、ＭＲ2、…、ＭＲn）はスイッチング用信号線２４１に連結され、信号線２４１を通じて制御部から印加されるスイッチング信号（ＨR）に応じてデータドライバー２３０からのＲデータ電圧をデータ線（Ｙ1、Ｙ4、…、Ｙ3n-2）を経て画素回路２１２に印加し、データ電圧供給用スイッチング素子（ＭＧ1、ＭＧ2、…、ＭＧn）は、スイッチング用信号線２４３に連結され、スイッチング信号（ＨＧ）に応じてＧデータ電圧をデータ線（Ｙ2、Ｙ5、…、Ｙ3n-1）を経て画素回路２１２に印加する。また、データ電圧供給用スイッチング素子（ＭＢ1、ＭＢ2、…、ＭＢn）はスイッチング用信号線２４５に連結され、スイッチング信号（ＨB）に応じてＢデータ電圧をデータ線（Ｙ3、Ｙ6、…、Ｙ3n）を経て画素回路２１２に印加する。
【００６２】
また、プリチャージ電圧供給用スイッチング素子（ＰＧ1、ＰＧ2、…、ＰＧn）はスイッチング用信号線２４２に連結され、信号線２４２を通じて制御部から印加されるスイッチング信号（ＰＧ）に応じてプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）をデータ線（Ｙ2、Ｙ5、…、Ｙ3n-1）を経て画素回路２１２に印加し、プリチャージ電圧供給用スイッチング素子（ＰＢ1、ＰＢ2、…、ＰＢn）はスイッチング用信号線２４４に連結され、スイッチング信号（ＰB）に応じてプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）をデータ線（Ｙ3、Ｙ6、…、Ｙ3n）を経て画素回路２１２に印加する。
【００６３】
このようなプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）は、画素回路２１２のキャパシター（Ｃ１）に印加されるプリチャージ電圧（Ｖｐ）と比較して、‘プリチャージ電圧（Ｖｐ）−しきい電圧（ＶTH）’と同一であるかまたはそれよりデータ電圧から遠く離れた値にしなければならない。そうなるとデータ線に保存された電圧（Ｖｐｒｅ）とキャパシター（Ｃ１）に保存された電圧（Ｖｐ）との差により、トランジスタ（Ｍ２）はターンオンされない。ここで、データ電圧から遠く離れた値とは、トランジスタ（Ｍ２）がターンオンされないようになる任意の値であり限定されない。
【００６４】
本発明の第２実施の形態では、画素回路２１２のトランジスタ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４）、データ電圧供給用スイッチング素子（ＭＲ1、ＭＧ1、ＭＢ1、ＭＲ2、ＭＧ2、ＭＢ2、…、ＭＲn、ＭＧn、ＭＢn）及びプリチャージ電圧供給用スイッチング素子（ＰＧ1、ＰＢ1、ＰＧ2、ＰＢ2、…、ＰＧn、ＰＢn）をＰＭＯＳトランジスタを使用して説明するが、これに限定されず、ＮＭＯＳトランジスタまたはＰＭＯＳ及びＮＭＯＳトランジスタを混合して使用しても差し支えない。このように使用する場合に変わる回路構造及び駆動波形については、本発明の属する技術分野にて通常の知識を有する者にとっては容易な内容であるので説明を省略する。
【００６５】
次に、図６を参照して本発明の第２実施の形態による有機ＥＬ表示装置パネルの動作を説明する。
【００６６】
図６に示したように、まず、データドライバー２３０から走査線（Ｘm）に連結される画素回路２１２に該当するＲデータ電圧が印加されれば、ローレベルのスイッチング信号（ＨR、ＰG、ＰB）によって、スイッチング素子（ＭＲ1、ＭＲ2、…、ＭＲn）及びスイッチング素子（ＰＧ1、ＰＧ2、…、ＰＧn、ＰＢ1、ＰＢ2、…、ＰＢn）を導通（ＯＮ）させ、走査線（Ｘm）を選択する選択信号を印加する。このようにすれば、データ線（Ｙ1、Ｙ4、…、Ｙ3n-2）にはＲデータ電圧が印加されて走査線（Ｘm）とデータ線（Ｙ1、Ｙ4、…、Ｙ3n-2）に連結された画素回路２１２が駆動し、データ線（Ｙ2、Ｙ3、Ｙ5、Ｙ6、…、Ｙ3n-1、Ｙ3n）にはプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）が印加されて、データ線（Ｙ2、Ｙ3、Ｙ5、Ｙ6、…、Ｙ3n-1、Ｙ3n）は寄生キャパシターによってプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）でプリチャージされる。
【００６７】
次に、データドライバー２３０からＧデータ電圧が印加されれば、ハイレベルのスイッチング信号（ＨR、ＰG）とローレベルのスイッチング信号（ＨG）によってスイッチング素子（ＭＲ1、ＭＲ2、…、ＭＲn、ＰＧ1、ＰＧ2、…、ＰＧn）を遮断（ＯＦＦ）し、スイッチング素子（ＭＧ1、ＭＧ2、…、ＭＧn）を導通させる。このようにすれば、データ線（Ｙ2、Ｙ5、…、Ｙ3n-1）にはＧデータ電圧が印加されて走査線（Ｘm）とデータ線（Ｙ2、Ｙ5、…、Ｙ3n-1）に連結された画素回路２１２が駆動し、データ線（Ｙ3、Ｙ6、…、Ｙ3n）は継続してプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）でプリチャージされている。
【００６８】
次に、データドライバー２３０からＢデータ電圧が印加されれば、ハイレベルのスイッチング信号（ＨG、ＰB）とローレベルのスイッチング信号（ＨB）によってスイッチング素子（ＭＧ1、ＭＧ2、…、ＭＧn、ＰＢ1、ＰＢ2、…、ＰＢn）を遮断し、スイッチング素子（ＭＢ1、ＭＢ2、…、ＭＢn）を導通させる。このようにすれば、データ線（Ｙ3、Ｙ6、…、Ｙ3n）にはＢデータ電圧が印加されて走査線（Ｘm）とデータ線（Ｙ3、Ｙ6、…、Ｙ3n）に連結された画素回路２１２が駆動する。
【００６９】
本発明の第２実施の形態のように走査線（Ｘm）が選択された時にＲ、Ｇ、Ｂデータ電圧を順次に印加する場合、データ線（Ｙ1、Ｙ4、…、Ｙ3n-2）にＲデータ電圧が印加される時、他のデータ線（Ｙ2、Ｙ3、Ｙ5、Ｙ6、…、Ｙ3n-1、Ｙ3n）にはプリチャージ電圧（Ｖpre）が印加されていて、過去走査線（Ｘm-1）が選択される時キャパシター（Ｃ１）に保存されたプリチャージ電圧（Ｖp）とプリチャージ電圧（Ｖpre）との差によってトランジスタ（Ｍ２）はターンオンされず、キャパシター（Ｃ１）は継続してプリチャージ電圧（Ｖp）に維持することができる。
【００７０】
したがって、前述したようにキャパシター（Ｃ１）の電圧が変わってデータ電圧が印加される時、トランジスタ（Ｍ２）がターンオンされない場合が発生しない。
【００７１】
本発明の第２実施の形態ではデータ電圧をＲ、Ｇ、Ｂ別に順次に出力し、逆多重化部２４０は１：３ＤＥＭＵＸ機能を遂行することについて説明したが、本発明はこれに限定されずにＮ個のデータ線を一つのグループとし、各グループに該当するデータ電圧を順次に出力することもできる。そうなると逆多重化部は１：Ｎ ＤＥＭＵＸ機能を遂行し、各グループに入力されるデータ電圧をＮ個のデータ線のうちで該当するデータ線に分配するようにすればよい。このようにする場合に変わる構成及び駆動波形は本発明の属する技術分野にて通常の知識を有する者に容易な内容であるので、説明を省略する。
【００７２】
次に、データドライバーをシフトレジスターを利用して構成する場合について説明する。
【００７３】
まず図７及び図８を参照して、本発明の第３実施の形態による有機ＥＬ表示装置及びその駆動方法について説明する。
【００７４】
図７は本発明の第３実施の形態による有機ＥＬ表示装置を示す図であり、図８は本発明の第３実施の形態による有機ＥＬ表示装置の駆動タイミングを示す図である。
【００７５】
図７に示したように、本発明の第３実施の形態による有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ表示装置パネル３１０、走査ドライバー３２０、データドライバー３３０及びプリチャージ手段３４０を含む。
【００７６】
有機ＥＬ表示装置パネル３１０は、画像信号を示すデータ電圧を伝達する複数のデータ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）、選択信号を伝達するための複数の走査線（Ｘ1、Ｘ2、…、ＸM）及び複数の画素回路３１２を含む。画素回路３１２は、本発明の第１実施の形態による画素回路１１２及び本発明の第１実施の形態で変形可能な画素回路を全て含む。
【００７７】
走査ドライバー３２０は走査線（Ｘ1、Ｘ2、…、ＸM）に選択信号を印加し、画素回路３１２の薄膜トランジスタ（Ｍ３）の開閉を制御する。
【００７８】
データドライバー３３０は、シフトレジスター３３２、複数のＯＲゲート（ＯＲ1、ＯＲ2、…、ＯＲN）及びＰＭＯＳトランジスタからなるデータ電圧用スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）を含む。
【００７９】
シフトレジスター３３２はスイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）を開閉するための制御信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）を順に出力し、この信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）は各々ＯＲゲート（ＯＲ1、ＯＲ2、…、ＯＲN）に制御部（図示せず）からのＯＥ信号と共に入力される。ＯＥ信号は、画像信号（Ｖｓｉｇ）のデータが変わった以降にデータ線を選択するための制御信号であり、ＯＲゲート（ＯＲ1、ＯＲ2、…、ＯＲN）の各出力がスイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）を開閉するためのスイッチング信号（Ｓ1、Ｓ2、…、ＳN）になる。
【００８０】
シフトレジスター３３２のスイッチング信号（Ｓ1、Ｓ2、…、ＳN）により、画像信号（Ｖｓｉｇ）は各データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）に順次にサンプリングされて印加される。詳細に説明すれば、データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）の一端には各々スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）の一端が連結されており、このスイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）の他端には画像信号（Ｖｓｉｇ）を伝達する画像信号線３３４が連結されている。スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）は各々スイッチング信号（Ｓ1、Ｓ2、…、ＳN）に応じて順次に画像信号（Ｖｓｉｇ）を各データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）に印加する。
【００８１】
プリチャージ手段３４０はデータ線（Ｙ2、…、ＹN）の他端に各々連結され、ＰＭＯＳトランジスタからなるプリチャージング用スイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）を含む。このスイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）は制御部からのプリチャージ制御信号（ＰＣ）に応じて、プリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）をデータ線（Ｙ2、…、ＹN）に同時に印加する。このようなプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）は、キャパシター（Ｃ１）に印加されるプリチャージ電圧（Ｖｐ）と比較して‘プリチャージ電圧（Ｖｐ）−しきい電圧（ＶTH）’と同一であるかまたはそれより画像信号（Ｖｓｉｇ）から遠く離れた値である。
【００８２】
本発明の第３実施の形態では、スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）と追加のスイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）は各々データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）の両端に形成されているが、これに限定されずにデータ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）の同じ側に形成されることもできる。
【００８３】
また、本発明の第３実施の形態では画素回路３１２のトランジスタ（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４）、スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）及びスイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）をＰＭＯＳトランジスタを使用して説明するが、これに限定されずにＮＭＯＳトランジスタまたはＰＭＯＳ及びＮＭＯＳトランジスタを混合して使用しても差し支えない。このように使用する場合に変わる回路構造及び駆動波形については本発明の属する技術分野において通常の知識を有する者には容易な内容であるので説明を省略する。
【００８４】
以下、図８を参照して本発明の第３実施の形態による有機ＥＬ表示装置の動作について説明する。
【００８５】
図８に示したように、まずローレベルのスイッチング信号（Ｓ１）及び制御信号（ＰＣ）でスイッチング素子（ＨＳＷ1）及びスイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）を導通させ、走査線（Ｘm）を選択する選択信号を印加する。そうなると走査線（Ｘm）及びデータ線（Ｙ1）に連結された画素回路３１２の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）は画像信号（Ｖｓｉｇ）がスイッチング素子（ＨＳＷ1）によってサンプリングされたデータ電圧に駆動され、データ線（Ｙ2、Ｙ3、…、ＹN）は寄生キャパシターによってプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）でプリチャージされる。
【００８６】
次に、制御信号（ＰＣ）を反転してスイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）を遮断すれば、データ線（Ｙ2、Ｙ3、…、ＹN）はフローティング（ｆｌｏａｔｉｎｇ）され、データ電圧が印加される前までプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）に維持される。以降、シフトレジスター３３２は選択信号をシフトして出力してスイッチング素子（ＨＳＷ2、ＨＳＷ3、…、ＨＳＷN）を順次に導通させ、画像信号（Ｖｓｉｇ）をデータ線（Ｙ2、Ｙ3、…、ＹN）に順次に印加して画素回路３１２の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）を駆動する。
【００８７】
このようにすれば、データ線（Ｙ2、Ｙ3、…、ＹN）は画像信号（Ｖｓｉｇ）によるデータ電圧が印加される前までプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）に維持されるので、走査線（Ｘm-1）が選択される時、キャパシター（Ｃ１）に保存されたプリチャージ電圧（Ｖｐ）とプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）との差によってトランジスタ（Ｍ２）はターンオンされず、キャパシター（Ｃ１）は継続してプリチャージ電圧（Ｖｐ）に維持することができる。したがって、前述したようにキャパシター（Ｃ１）の電圧が変わってデータ電圧が印加される時にトランジスタ（Ｍ２）がターンオンされない場合が発生しない。
【００８８】
しかし、本発明の第３実施の形態のように一つの信号線でスイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）を同時に駆動する場合には、パネルの大きさと解像度の大きくなるほど信号線の抵抗とスイッチング素子である薄膜トランジスタのゲートキャパシタンスなどが増加し、これによるＲＣディレイが大きくなる。
【００８９】
このようなＲＣディレイによってプリチャージ制御信号（ＰＣ）の上昇時間と下降時間が長くなるので、スイッチング信号（Ｈ1）とスイッチング信号（Ｈ2）のリーディングエッジ間の時間差が大きくならなければならない。したがって、スイッチング信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）のパルス幅が大きくするためにクロックを遅くしなければならず、これは結局データドライバー３３０の周波数を制限するようになる。
【００９０】
これを解決するためにプリチャージング用スイッチング素子を別に駆動することができ、以下ではこのような実施の形態について図９及び図１０を参照して説明する。
【００９１】
図９は本発明の第４実施の形態による有機ＥＬ表示装置を示す図であり、図１０は本発明の第４実施の形態による有機ＥＬ表示装置の駆動タイミングを示す図である。
【００９２】
図９に示したように本発明の第４実施の形態による有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ表示装置パネル４１０、走査ドライバー４２０、データドライバー４３０及びプリチャージ手段４４０を含む。
【００９３】
第４実施の形態での有機ＥＬ表示装置パネル４１０及び走査ドライバー４２０は第３実施の形態での有機ＥＬ表示装置パネル３１０及び走査ドライバー３２０と同一であり、有機ＥＬ表示装置パネル４１０の画素回路４１２は、本発明の第１実施の形態による画素回路１１２及び本発明の第１実施の形態で変形可能な画素回路を全て含む。
【００９４】
データドライバー４３０は、シフトレジスター４３２、データ電圧用スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）及びＯＲゲート（ＯＲ1、ＯＲ2、…、ＯＲN）を含む。
【００９５】
シフトレジスター４３２はスイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）を開閉するための制御信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）を順次に出力し、この制御信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）は各々ＯＲゲート（ＯＲ1、ＯＲ2、…、ＯＲN）に制御部（図示せず）からのＯＥ信号と共に入力される。ＯＲゲート（ＯＲ1、ＯＲ2、…、ＯＲN）の各出力がスイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）を開閉するためのスイッチング信号（Ｓ１、Ｓ２、…、ＳＮ）となる。
【００９６】
シフトレジスター４３２のスイッチング信号（Ｓ１、Ｓ２、…、ＳＮ）によって画像信号（Ｖｓｉｇ）は各データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）に順次にサンプリングされて印加される。詳細に説明すれば、データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）の一端には各々スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）の一端が連結されており、このスイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）の他端には画像信号（Ｖｓｉｇ）を伝達する画像信号線４３４が連結されている。スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）は各々スイッチング信号（Ｓ1、Ｓ2、…、ＳN）に応じて順次に画像信号（Ｖｓｉｇ）を各データ線（Ｙ1、Ｙ2、…、ＹN）に印加する。
【００９７】
プリチャージ手段４４０は、プリチャージング用スイッチング素子（ＰＳＷ2、…、ＰＳＷN）及び複数のプリチャージ制御信号生成部４４２を含む。
【００９８】
複数のプリチャージ制御信号生成部４４２は、各々シフトレジスター４３２からの制御信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN-1）と過去プリチャージ制御信号（Ｐ1、Ｐ2、…、ＰN-1）を入力として受けてプリチャージ制御信号（Ｐ2、Ｐ3、…、ＰN）を生成する。プリチャージ制御信号（Ｐ1）は常にハイレベルの値を有する信号である。このようなプリチャージ制御信号生成部４４２は本発明の第４実施の形態ではＡＮＤゲートからなる。
【００９９】
スイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）はプリチャージ制御信号（Ｐ2、…、ＰN）に応じてプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）をデータ線（Ｙ2、…、ＹN）に印加する。このようなプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）は、キャパシター（Ｃ１）に印加されるプリチャージ電圧（Ｖｐ）と比較して‘プリチャージ電圧（Ｖｐ）−しきい電圧（ＶTH）’と同一であるかまたはそれより画像信号（Ｖｓｉｇ）から遠く離れた値である。
【０１００】
以下、図１０を参照して本発明の第４実施の形態による有機ＥＬ表示装置の動作について説明する。
【０１０１】
図１０に示したように、まずローレベルの制御信号（Ｈ1）とハイレベルの制御信号（Ｈ2、Ｈ3、…、ＨN）及びハイレベルの制御信号（Ｐ1）により制御信号（Ｐ2、Ｐ3、…、ＰN）はローレベルの信号になり、この信号でスイッチング素子（ＨＳＷ1）及びスイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）を導通させ、走査線（Ｘm）を選択する選択信号を印加する。そうなると走査線（Ｘm）及びデータ線（Ｙ1）に連結された画素回路４１２の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）は、画像信号（Ｖｓｉｇ）がスイッチング素子（ＨＳＷ1）によってサンプリングされたデータ電圧で駆動され、データ線（Ｙ2、Ｙ3、…、ＹN）は寄生キャパシターによってプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）でプリチャージされる。
【０１０２】
次に、シフトレジスター４３２によって制御信号（Ｈ1）がハイレベルの信号、制御信号（Ｈ2）がローレベルの信号になれば制御信号（Ｐ2）はハイレベルの信号になり、制御信号（Ｐ3、Ｐ4、…、ＰN）は継続してローレベルの信号を維持する。この信号によってスイッチング素子（ＰＳＷ2）は遮断され、スイッチング素子（ＨＳＷ2）が導通してデータ線（Ｙ2）にデータ電圧が印加され、スイッチング素子（ＰＳＷ3、ＰＳＷ4、…、ＰＳＷN）は継続して導通してデータ線（Ｙ3、Ｙ4、…、ＹN）にはプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）が継続して印加される。
【０１０３】
このようにシフトレジスター４３２によってスイッチング素子（ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）が順次に導通し、スイッチング素子（ＰＳＷ2、ＰＳＷ3、…、ＰＳＷN）が順次に遮断されてデータ線（Ｙ2、Ｙ3、…、ＹN）にデータ電圧が順次に印加され、データ電圧が印加される前のデータ線はプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）で継続してプリチャージされる。
【０１０４】
このようにすれば、データ線（Ｙ2、Ｙ3、…、ＹN）は画像信号（Ｖｓｉｇ）によるデータ電圧が印加される前までプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）に維持されるので、走査線（Ｘm-1）が選択される時、キャパシター（Ｃ１）に保存されたプリチャージ電圧（Ｖｐ）とプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）との差によってトランジスタ（Ｍ２）はターンオンされず、キャパシター（Ｃ１）は継続してプリチャージ電圧（Ｖｐ）に維持することができる。したがって、前述したようにキャパシター（Ｃ１）の電圧が変わってデータ電圧が印加される時、トランジスタ（Ｍ２）がターンオンされない場合が発生しない。
【０１０５】
一方、本発明の第４実施の形態で図１１に示したように制御信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）が一部重なって出力されるシフトレジスター４３２を用いると前述した問題点が再び発生する虞がある。つまり、データ線（Ｙ1）にデータを書く間に制御信号（Ｈ2）によってデータ線（Ｙ2）が画像信号（Ｖｓｉｇ）を伝達する画像信号線に連結される。そうなると画像信号（Ｖｓｉｇ）がデータ線（Ｙ2）に該当する値になってデータ線（Ｙ2）にデータを記録しなければならない時、データ線（Ｙ1）にデータを書く間、データ線（Ｙ2）に記録されたデータにより、前述したようにトランジスタ（Ｍ２）がターンオンされない問題点が発生することがある。
【０１０６】
以下では、制御信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）が一部重なって出力されるシフトレジスター４３２を使用する場合の実施の形態について図１１乃至図１３を参照して詳しく説明する。
【０１０７】
図１１は本発明の第５及び第６実施の形態による有機ＥＬ表示装置の駆動タイミングを示す図である。図１２及び図１３は各々本発明の第５及び第６実施の形態による有機ＥＬ表示装置でプリチャージ制御信号生成部を示す図である。
【０１０８】
したがって本発明の第５実施の形態では、図１１に示したようなプリチャージ制御信号（Ｈ1、Ｈ2、…、ＨN）が出力される場合に図１２に示したようなプリチャージ制御信号生成部４４２がプリチャージ制御信号（Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3、…、ＰN）を生成する。
【０１０９】
以下では、このような複数のプリチャージ制御信号生成部４４２からデータ線（Ｙn）に印加されるプリチャージ制御信号（Ｐn）を生成するプリチャージ制御信号生成部４４２について説明する。
【０１１０】
プリチャージ制御信号（Ｐn）を生成するプリチャージ制御信号生成部４４２はインバータ、ＯＲゲート及びＡＮＤゲートを含む。ＯＲゲートは、次のデータ線（Ｙn+1）に該当する制御信号（Ｈn+1）の反転信号（／Ｈn+1）と、現在データ線（Ｙn）に該当する制御信号（Ｈn）とを入力として有する。そしてこのＯＲゲート出力が過去プリチャージ制御信号（Ｐn-1）と共にＡＮＤゲートに入力され、プリチャージ制御信号（Ｐn）を生成する。
【０１１１】
このように生成されたプリチャージ制御信号（Ｐ1、Ｐ2、…、ＰN）は図１１に示したようになる。例えば、制御信号（Ｈ1）によってデータ線（Ｙ1）に該当するデータ電圧が印加される間、ローレベルの制御信号（Ｈ2）によってスイッチング素子（ＨＳＷ2）が導通する区間が生じる。この時、画像信号（Ｖｓｉｇ）がデータ線（Ｙ2）に該当する値になるまで、第５実施の形態によるプリチャージ制御信号（Ｐ2）でスイッチング素子（ＰＳＷ2）を導通させてプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）を印加することができる。
【０１１２】
このようにスイッチング素子（ＨＳＷ2、ＰＳＷ2）が導通する区間でプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）をデータ線（Ｙ2）に印加する場合には、画像信号（Ｖｓｉｇ）とプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）によってデータ線（Ｙ2）に印加される電圧が‘プリチャージ電圧（Ｖｐ）−しきい電圧（ＶTH）’と同一であるかまたはそれより画像信号（Ｖｓｉｇ）から遠く離れた値となるように、プリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）を定めなければならない。
【０１１３】
このような第５実施の形態によれば、プリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）と画像信号（Ｖｓｉｇ）電圧との差が大きくなり、スイッチング素子（ＰＳＷ2、ＨＳＷ2）の駆動電圧が大きくなる虞がある。このように駆動電圧が大きくなればデータドライバーで消費電力が増加するという問題点がある。
【０１１４】
したがって本発明の第６実施の形態では、第５実施の形態でのようなシフトレジスターの出力を調節して出力がオーバーラップされないシフトレジスターを構成する。
【０１１５】
図１３に示したように、スイッチング素子（ＨＳＷ1、ＨＳＷ2、…、ＨＳＷN）がＰＭＯＳトランジスタである場合にシフトレジスター４３２の隣接した二つの出力をＯＲゲートでＯＲ演算して、出力が重ならないシフトレジスターを形成することができる。
【０１１６】
例えば、シフトレジスター４３２の出力（Ｈ１、Ｈ2）をＯＲゲートでＯＲ演算した結果を新たな出力（Ｈ１´）とする。つまり、二つの出力（Ｈ１、Ｈ2）が全てローレベルの信号である場合にだけＯＲゲートの出力（Ｈ１´）がローレベルになり、同様に出力（Ｈ2、Ｈ3）が全てローレベルの信号であれば出力（Ｈ2´）がローレベルになって、重ならないシフトレジスターを形成することができる。
【０１１７】
本発明の第１乃至第６実施の形態でスイッチング素子としてＰＭＯＳトランジスタを使用して説明したが、スイッチング素子としてＮＭＯＳ、ＣＭＯＳトランジスタはもちろんこれらを混合して使用することもできる。このようにした場合に変わる構造及び駆動波形は本発明の属する技術分野にて通常の知識を有する者には容易な内容であるので、説明を省略する。
【０１１８】
また、本発明の第２乃至第６実施の形態でも図３ｂに示したように、別途のリセット信号をトランジスタ（Ｍ４）のゲートに印加してトランジスタ（Ｍ４）を駆動し、画素回路１１２のキャパシター（Ｃ１）をプリチャージ電圧（Ｖｐ）で充電することができる。
【０１１９】
以上本発明の実施の形態では４つのトランジスタを有する画素回路を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されずにプリチャージ電圧（Ｖｐ）が印加される全ての画素回路にも適用することができる。また、本発明の実施の形態では有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されずに画素回路に形成されたキャパシター（Ｃ１）にプリチャージ電圧（Ｖｐ）を印加する全ての表示装置に適用することができる。つまり、表示装置の画素回路がゲート線とデータ線に通じて印加される信号に応じて駆動するトランジスタとプリチャージ電圧（Ｖｐ）を印加するためのトランジスタとを含む場合に、本発明の実施の形態で説明したようにプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）をデータ線に印加することにより、画質不良を解決することができる。
【０１２０】
以上で本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されることでなく、上記の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者のいろいろな変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属するものである。
【０１２１】
【発明の効果】
このように本発明によれば、データ線にデータ電圧を印加する前に予めプリチャージ電圧（Ｖｐｒｅ）を印加することによって、過去走査線の選択信号に応じて画素回路のキャパシター（Ｃ１）に充電されたプリチャージ電圧（Ｖｐ）とデータ線の寄生キャパシターに保存された過去データ電圧とによってスイッチング素子が導通して生じ得るキャパシター（Ｃ１）の電荷再分配を防止することができる。したがって、キャパシター（Ｃ１）の電荷再分配による画質不良を解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の技術による有機電界発光表示装置の画素回路を示す図である。
【図２】 本発明の第１実施の形態による有機電界発光表示装置を示す図である。
【図３】 本発明の第１実施の形態（図３ａ）及びその変形例（図３ｂ）による有機電界発光表示装置の画素回路を示す図である。
【図４】 本発明の第２実施の形態による有機電界発光表示装置を示す図である。
【図５】 本発明の第２実施の形態による有機電界発光表示装置の逆多重化部を示す図である。
【図６】 本発明の第２実施の形態による有機電界発光表示装置の駆動タイミングを示す図である。
【図７】 本発明の第３実施の形態による有機電界発光表示装置を示す図である。
【図８】 各々本発明の第３実施の形態による有機電界発光表示装置の駆動タイミングを示す図である。
【図９】 本発明の第４実施の形態による有機電界発光表示装置を示す図である。
【図１０】 本発明の第４実施の形態による有機電界発光表示装置の駆動タイミングを示す図である。
【図１１】 本発明の第５及び第６実施の形態による有機電界発光表示装置の駆動タイミングを示す図である。
【図１２】 本発明の第５実施の形態による有機電界発光表示装置でのプリチャージ制御信号生成部を示す図である。
【図１３】 本発明の第６実施の形態による有機電界発光表示装置でのシフトレジスターの出力部を示す図である。
【符号の説明】
１１０、２１０、３１０、４１０ 有機ＥＬ表示装置パネル
１１２、２１２、３１２、４１２ 画素回路
１２０、２２０、３２０、４２０ 走査ドライバー
１３０、２３０、３３０、４３０ データドライバー
２００ 有機ＥＬ表示装置
２４０ 逆多重化部
２４１、２４３、２４５ スイッチング用信号線
３３２、４３２ シフトレジスター
３３４ フリチャージ制御信号生成部
３４０、４４０ プリチャージ手段
４３４ 画像信号線
４４２ 制御信号生成部
Claims (31)
- データ電圧を伝達する複数のデータ線と、
選択信号を伝達する複数の走査線と、
隣接する二つのデータ線と隣接する二つの走査線によって定義される画素領域に形成され、前記走査線に印加される選択信号に応じて前記データ線に印加されるデータ電圧を伝達する第１スイッチング素子、前記第１スイッチング素子を通じてゲートに入力される前記データ電圧に対応して有機電界発光素子に電流を供給する第１薄膜トランジスタ、前記データ電圧を一定の時間維持するためのキャパシター、及び過去走査線に選択信号が印加される間、制御信号に応じて前記キャパシターに第１プリチャージ電圧を印加する第２スイッチング素子、前記第１薄膜トランジスタのゲートにそのゲートが連結され、前記第１及び第２スイッチング素子の間にダイオード連結された第２薄膜トランジスタを含む複数の画素回路と、
前記複数のデータ線を複数のグループに分け、データ電圧をグループ単位に前記各グループに選択的に印加するデータドライバーと、
前記データドライバーから選択的に印加されるデータ電圧を該当する複数のデータ線に印加し、前記画素回路が連結された走査線に前記選択信号が印加される前に、前記グループのうちの少なくとも一つのグループのデータ線に第２プリチャージ電圧を印加する逆多重化部と、を含み、
前記第２プリチャージ電圧は前記第１プリチャージ電圧−前記第２薄膜トランジスタのしきい電圧と同一であるかまたは前記第２薄膜トランジスタがターンオンされない値である、有機電界発光表示装置。 - 前記逆多重化部は、
前記複数のデータ線と、前記データドライバーが前記データ電圧を印加する信号線との間に連結され、連結されたデータ線に該当するデータ電圧が印加される場合に導通する複数の第３スイッチング素子と、
前記第２プリチャージ電圧を伝達する信号線と前記少なくとも一つのグループのデータ線との間に各々連結され、前記画素回路が連結された走査線に前記選択信号が印加される前に導通し、前記連結されたデータ線に該当するデータ電圧が印加される時に遮断される複数の第４スイッチング素子とを含む請求項１に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記データドライバーは、複数のデータ線を各々第１乃至第３色に該当するデータ電圧が印加されるデータ線の３個のグループに分けて前記第１乃至第３色に該当するデータ電圧を順次に出力し、
前記複数の第４スイッチング素子は、前記第１乃至第３色のうちの少なくとも一つの色に該当する複数のデータ線に各々連結される請求項２に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記制御信号は過去走査線に印加される選択信号である請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記制御信号に代えて別途リセット信号を前記第２スイッチング素子に印加する請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第２プリチャージ電圧は固定された値を有する請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
- データ電圧を伝達する複数のデータ線と、
選択信号を伝達する複数の走査線と、
隣接する二つのデータ線と隣接する二つの走査線によって定義される画素領域に形成され、各々前記走査線に印加される選択信号に応じて前記データ線に印加されるデータ電圧を伝達する第１スイッチング素子、前記第１スイッチング素子を通じてゲートに入力される前記データ電圧に対応して有機電界発光素子に電流を供給する第１薄膜トランジスタ、前記データ電圧を一定の時間維持するためのキャパシター、及び過去走査線に選択信号が印加される間、制御信号に応じて前記キャパシターに第１プリチャージ電圧を印加する第２スイッチング素子、前記第１薄膜トランジスタのゲートにそのゲートが連結され、前記第１及び第２スイッチング素子の間にダイオード連結された第２薄膜トランジスタを含む複数の画素回路と、
データ電圧を各データ線に順次に印加するデータドライバーと、
前記画素回路に連結された走査線に、前記選択信号が印加される前に複数のデータ線に第２プリチャージ電圧を印加し、前記第２プリチャージ電圧が印加されたデータ線のうちのいずれか一つにデータ電圧が印加されると同時に前記第２プリチャージ電圧の供給を遮断するプリチャージ手段と、を含み、
前記第２プリチャージ電圧は前記第１プリチャージ電圧−前記第２薄膜トランジスタのしきい電圧と同一であるかまたは前記第２薄膜トランジスタがターンオンされない値である、有機電界発光表示装置。 - 前記データドライバーは、データ電圧を示す画像信号を伝達する少なくとも一つの第１信号線と前記複数のデータ線との間に各々連結され、スイッチング信号により前記第１信号線の前記画像信号を前記データ線に印加するためのスイッチング動作をする複数の第３スイッチング素子と、前記複数の第３スイッチング素子を各々駆動する複数の前記スイッチング信号を順次に出力するシフトレジスターとを含み、前記プリチャージ手段は、前記第２プリチャージ電圧を伝達する第２信号線と前記複数のデータ線との間に各々連結され、前記画素回路が連結された走査線に前記選択信号が印加される前に同時に導通し、連結されたデータ線のうちのいずれか一つにデータ電圧が印加されると同時に遮断される複数の第４スイッチング素子を含む請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記複数のデータ線は、Ｒ、Ｇ、Ｂ用の３つのデータ線であり、前記複数の第４スイッチング素子は、前記３つのデータ線のうちの少なくとも２つのデータ線に各々連結される請求項８に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記制御信号は過去走査線に印加される選択信号である請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記制御信号に代えて別途リセット信号を第２スイッチング素子に印加する請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第２プリチャージ電圧は固定された値を有する請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
- データ電圧を伝達する複数のデータ線と、
選択信号を伝達する複数の走査線と、
隣接する二つのデータ線と隣接する二つの走査線によって定義される画素領域に形成され、各々前記走査線に印加される選択信号に応じて前記データ線に印加されるデータ電圧を伝達する第１スイッチング素子、前記第１スイッチング素子を通じてゲートに入力される前記データ電圧に対応して有機電界発光素子に電流を供給する第１薄膜トランジスタ、前記データ電圧を一定の時間維持するためのキャパシター、及び過去走査線に選択信号が印加される間、制御信号に応じて前記キャパシターに第１プリチャージ電圧を印加する第２スイッチング素子、前記第１薄膜トランジスタのゲートにそのゲートが連結され、前記第１及び第２スイッチング素子の間にダイオード連結された第２薄膜トランジスタを含む複数の画素回路と、
データ電圧を各データ線に順次に印加するデータドライバーと、
前記画素回路が連結された走査線に、前記選択信号が印加される前に複数のデータ線に第２プリチャージ電圧を印加し、前記各データ線に順次にデータ電圧が印加される前に前記各データ線に印加される第２プリチャージ電圧の供給を順次に遮断するプリチャージ手段と、を含み、
前記第２プリチャージ電圧は前記第１プリチャージ電圧−前記第２薄膜トランジスタのしきい電圧と同一であるかまたは前記第２薄膜トランジスタがターンオンされない値である、有機電界発光表示装置。 - 前記データドライバーは、データ電圧を示す画像信号を伝達する少なくとも一つの第１信号線と前記複数のデータ線との間に各々連結され、スイッチング信号により前記第１信号線の前記画像信号を前記データ線に印加するためのスイッチング動作をする複数の第３スイッチング素子と、前記複数の第３スイッチング素子を各々駆動する複数の前記スイッチング信号を順次に出力するシフトレジスターとを含み、
前記プリチャージ手段は、前記第２プリチャージ電圧を伝達する第２信号線と複数のデータ線との間に各々連結される複数の第４スイッチング素子と、過去データ線に連結された前記第４スイッチング素子を駆動するプリチャージ制御信号、及び前記過去データ線に連結された前記第３スイッチング素子を駆動する前記スイッチング信号の入力を受け、現在データ線に連結された前記第４スイッチング素子を駆動するプリチャージ制御信号を生成する複数のプリチャージ制御信号生成部とを含む請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記プリチャージ制御信号生成部は、
前記過去データ線に連結された前記第３スイッチング素子を駆動する前記スイッチング信号と前記過去データ線に連結された前記第４スイッチング素子を駆動する前記プリチャージ制御信号の入力を受けるＡＮＤゲートからなる請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。 - データ電圧を伝達する複数のデータ線と、
選択信号を伝達する複数の走査線と、
隣接する二つのデータ線と隣接する二つの走査線によって定義される画素領域に形成され、各々前記走査線に印加される選択信号に応じて前記データ線に印加されるデータ電圧を伝達する第１スイッチング素子、前記第１スイッチング素子を通じてゲートに入力される前記データ電圧に対応して有機電界発光素子に電流を供給する第１薄膜トランジスタ、前記データ電圧を一定の時間維持するためのキャパシター、及び過去走査線に選択信号が印加される間、制御信号に応じて前記キャパシターに第１プリチャージ電圧を印加する第２スイッチング素子、前記第１薄膜トランジスタのゲートにそのゲートが連結され、前記第１及び第２スイッチング素子の間にダイオード連結された第２薄膜トランジスタを含む複数の画素回路と、
データ電圧を各データ線に順次に印加するデータドライバーと、
前記画素回路が連結された走査線に、前記選択信号が印加される前に複数のデータ線に第２プリチャージ電圧を印加し、前記各データ線に順次にデータ電圧が印加される前に前記各データ線に印加される第２プリチャージ電圧の供給を順次に遮断するプリチャージ手段と、を含み、
前記データドライバーは、データ電圧を示す画像信号を伝達する少なくとも一つの第１信号線と前記複数のデータ線との間に各々連結され、スイッチング信号により前記第１信号線の前記画像信号を前記データ線に印加するためのスイッチング動作をする複数の第３スイッチング素子と、前記複数の第３スイッチング素子を各々駆動する複数の前記スイッチング信号を一部が重なるように順次に出力するシフトレジスターとを含み、
前記プリチャージ手段は、前記第２プリチャージ電圧を伝達する第２信号線と複数のデータ線との間に各々連結される複数の第４スイッチング素子と、現在データ線に連結された前記第３スイッチング素子を駆動する前記スイッチング信号、前記現在データ線の次に駆動されるデータ線に連結された前記第３スイッチング素子を駆動する前記スイッチング信号、及び過去に駆動されたデータ線に連結された前記第４スイッチング素子を駆動するプリチャージ制御信号の入力を受け、現在データ線に連結された前記第４スイッチング素子を駆動するプリチャージ制御信号を生成する複数のプリチャージ制御信号生成部とを含み、
前記第２プリチャージ電圧は前記第１プリチャージ電圧−前記第２薄膜トランジスタのしきい電圧と同一であるかまたは前記第２薄膜トランジスタがターンオンされない値である、有機電界発光表示装置。 - 前記プリチャージ制御信号生成部は、
前記現在データ線の次に駆動されるデータ線に連結された前記第３スイッチング素子を駆動するスイッチング信号の反転された値と現在データ線に連結された前記第３スイッチング素子を駆動するスイッチング信号の入力を受けるＯＲゲートと、
前記ＯＲゲートの出力と過去プリチャージ制御信号の入力を受けるＡＮＤゲートとを含み、
前記ＡＮＤゲートの出力がプリチャージ制御信号となる請求項１６に記載の有機電界発光表示装置。 - データ電圧を伝達する複数のデータ線と、
選択信号を伝達する複数の走査線と、
隣接する二つのデータ線と隣接する二つの走査線によって定義される画素領域に形成され、各々前記走査線に印加される選択信号に応じて前記データ線に印加されるデータ電圧を伝達する第１スイッチング素子、前記第１スイッチング素子を通じてゲートに入力される前記データ電圧に対応して有機電界発光素子に電流を供給する第１薄膜トランジスタ、前記データ電圧を一定の時間維持するためのキャパシター、及び過去走査線に選択信号が印加される間、制御信号に応じて前記キャパシターに第１プリチャージ電圧を印加する第２スイッチング素子、前記第１薄膜トランジスタのゲートにそのゲートが連結され、前記第１及び第２スイッチング素子の間にダイオード連結された第２薄膜トランジスタを含む複数の画素回路と、
データ電圧を各データ線に順次に印加するデータドライバーと、
前記画素回路が連結された走査線に、前記選択信号が印加される前に複数のデータ線に第２プリチャージ電圧を印加し、前記各データ線に順次にデータ電圧が印加される前に前記各データ線に印加される第２プリチャージ電圧の供給を順次に遮断するプリチャージ手段と、を含み、
前記データドライバーは、データ電圧を示す画像信号を伝達する少なくとも一つの第１信号線と前記複数のデータ線との間に各々連結され、スイッチング信号により前記第１信号線の前記画像信号を前記データ線に印加するためのスイッチング動作をする複数の第３スイッチング素子と、前記複数の第３スイッチング素子を各々駆動する複数の前記スイッチング信号を一部が重なるように順次に出力するシフトレジスターとを含み、
前記プリチャージ手段は、前記第２プリチャージ電圧を伝達する第２信号線と複数のデータ線との間に各々連結される複数の第４スイッチング素子と、過去データ線に連結された前記第４スイッチング素子を駆動するプリチャージ制御信号、及び前記過去データ線に連結された前記第３スイッチング素子を駆動する前記スイッチング信号の入力を受け、現在データ線に連結された前記第４スイッチング素子を駆動するプリチャージ制御信号を生成する複数のプリチャージ制御信号生成部とを含み、
前記プリチャージ制御信号生成部は、前記シフトレジスターの隣接する二つの出力が全て前記第３スイッチング素子を駆動するレベルを有する場合にのみ、前記第３スイッチング素子を駆動する前記スイッチング信号として出力するためのＯＲゲートを含み、前記入力される前記第３スイッチング素子を駆動する前記スイッチング信号として、当該ＯＲゲートからの出力を受けるものであり、
前記第２プリチャージ電圧は前記第１プリチャージ電圧−前記第２薄膜トランジスタのしきい電圧と同一であるかまたは前記第２薄膜トランジスタがターンオンされない値である、有機電界発光表示装置。 - 前記制御信号は過去走査線に印加される選択信号である請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記制御信号に代えて別途リセット信号を第２スイッチング素子に印加する請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第２プリチャージ電圧は固定された値を有する請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
- データ電圧を伝達する複数のデータ線、選択信号を伝達する複数の走査線、及び隣接する二つのデータ線と隣接する二つの走査線によって定義される画素領域に形成され、前記走査線に印加される選択信号に応じて前記データ線に印加されるデータ電圧を伝達する第１スイッチング素子、前記第１スイッチング素子を通じてゲートに入力される前記データ電圧に対応して有機電界発光素子に電流を供給する第１薄膜トランジスタ、前記データ電圧を一定の時間維持するためのキャパシター、及び過去走査線に選択信号が印加される間、制御信号に応じて前記キャパシターに第１プリチャージ電圧を印加する第２スイッチング素子、前記第１薄膜トランジスタのゲートにそのゲートが連結され、前記第１及び第２スイッチング素子の間にダイオード連結された第２薄膜トランジスタを含む複数の画素回路を含む有機電界発光表示装置を駆動する方法において、
（ｉ−１）番目走査線に選択信号が印加される間、ｉ番目走査線に連結された前記画素回路の前記キャパシターが第１プリチャージ電圧によって充電される第１段階と、
前記ｉ番目走査線に選択信号が印加される前に、複数の前記データ線に、前記第１プリチャージ電圧−前記第２薄膜トランジスタのしきい電圧と同一であるかまたは前記第２薄膜トランジスタがターンオンされない値を有する第２プリチャージ電圧を印加する第２段階と、
少なくとも一つのデータ線を一つのグループとして前記各グループに該当するデータ電圧を順次に印加すると同時に、前記第２プリチャージ電圧が印加されたデータ線にデータ電圧が印加される時に前記第２プリチャージ電圧の供給を遮断する第３段階とを含む有機電界発光表示装置の駆動方法。 - 前記第２段階は前記複数のデータ線に前記第２プリチャージ電圧を同時に印加する請求項２２に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
- 前記第３段階は、前記第２プリチャージ電圧が印加されたグループのうちのいずれか一つにデータ電圧が印加される前に前記第２プリチャージ電圧の供給を同時に遮断する請求項２２に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
- 前記第３段階は、前記第２プリチャージ電圧が印加されたグループにデータ電圧が順次に印加される前に前記各グループに印加される前記第２プリチャージ電圧の供給を順次に遮断する請求項２２に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
- 前記第２プリチャージ電圧は固定された値を有する請求項２２に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
- 前記第２スイッチング素子は、
前記第１段階において、前記制御信号に代わる別途のリセット信号によって前記キャパシターを前記第１プリチャージ電圧で充電する請求項２２に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。 - 画像信号を示すデータ電圧を伝達する複数のデータ線と、
選択信号を伝達する複数の走査線と、
隣接する二つのデータ線と隣接する二つの走査線によって定義される画素領域に形成され、各々前記走査線に印加される選択信号に応じて前記データ線に印加されるデータ電圧を伝達する第１スイッチング素子、前記第１スイッチング素子を通じてゲートに入力される前記データ電圧に対応して有機電界発光素子に電流を供給する第１薄膜トランジスタ、前記データ電圧を一定の時間維持するためのキャパシター、及び過去走査線に選択信号が印加される間制御信号に応じて前記キャパシターに第１プリチャージ電圧を印加する第２スイッチング素子、前記第１薄膜トランジスタのゲートにそのゲートが連結され、前記第１及び第２スイッチング素子の間にダイオード連結された第２薄膜トランジスタを含む複数の画素回路と、
前記複数のデータ線を、少なくとも一つのデータ線を一つのグループとする複数のグループに分けて、各グループに該当するデータ電圧を順次に前記データ線に印加するデータドライバーと、
前記画素回路が連結された走査線に、前記選択信号が印加される前に少なくとも一つのグループのデータ線に第２プリチャージ電圧を印加し、前記グループに該当するデータ電圧が印加される時に前記第２プリチャージ電圧の供給を遮断するプリチャージ手段と、を含み、
前記第２プリチャージ電圧は前記第１プリチャージ電圧−前記第２薄膜トランジスタのしきい電圧と同一であるかまたは前記第２薄膜トランジスタがターンオンされない値である、表示装置。 - 前記第２プリチャージ電圧は固定された値を有する請求項２８に記載の表示装置。
- 前記制御信号は過去走査線に印加される選択信号である請求項２８に記載の表示装置。
- 前記制御信号に代えて別途リセット信号を第２スイッチング素子に印加する請求項２８に記載の表示装置。
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