JP4657497B2 - 可変インピーダンス回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、可変インピーダンス回路に関し、特に、トランジスタを用いた可変インピーダンス回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
データの入出力回路において、その入出力回路が接続される伝送路のインピーダンスと、入出回路のインピーダンスを整合させる必要がある。その場合、トランジスタ若しくは抵抗を用いてインピーダンス整合を行なうが、素子バラツキ等により、設計値とずれた抵抗値になることがある。そのため、可変抵抗回路を用いたインピーダンスの調整手段が必要となる。
【0003】
このような、インピーダンス調整のための可変抵抗回路として、例えば特開2000−49583号公報には、図6(b)に示すような構成が開示されている。図6(b)に示すように、それぞれゲート幅が異なるMOSトランジスタを用いた可変インピーダンス回路20と、コンパレータ21と、制御回路22から構成される。
【0004】
可変抵抗回路20は、MOSトランジスタが並列に接続されて構成され、それらのトランジスタのゲートには、AND回路が接続され、AND回路の入力はシグナル線と制御線とが接続されている。シグナル線は、各AND回路の入力に共通に接続され、制御線は、制御回路22に接続されている。
【0005】
制御線がON(オン)になっているANDゲートに接続されたMOSトランジスタが、シグナル信号の値に応じて、ON、OFFを繰り返し、信号電流を発生させる。制御線がOFF(オフ)になっているANDゲートに接続されたMOSトランジスタはOFFのままである。
【0006】
ここで、MOSトランジスタの線形抵抗領域では、抵抗値がMOSトランジスタのゲート幅(W)に反比例して変化する。MOSトランジスタのオン抵抗ronは1/gmとなり、相互コンダクタンスgmはW/Lに比例する。したがって、オン状態とされているMOSトランジスタのトータルのゲート幅を変更することにより、抵抗値が変化する。
【0007】
図6に示す構成では、MOSトランジスタのゲート幅が1W、2W、4W、8Wと2の階乗で変化しているため、抵抗値は
Z = Zo/(S0*1 + S1*2 + S2*4 + S3*8)
で表される。ここで、Zoは単位ゲート幅Wの抵抗値、Si(i=0,1,2,3)はオンの時、1、オフの時、0を表す。このように、任意の制御線をオン、オフすることで様々な抵抗値を持つことが出来る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
図6(b)に示した構成では、任意の制御線をオン、オフすることで、Zo〜Zo/15の抵抗値を得ることが出来る。
【0009】
しかしながら、その抵抗値は、図6(a)に示すように、双曲線特性となる。このため、抵抗変化幅が、オンした制御線によって変わってくる。そのため、抵抗精度に関して、問題が生じる。
【0010】
例えば、抵抗が最も大きくなる場合(S0=1、S1=S2=S3=0)と2番目に大きくなる場合(S1=1、S0=S2=S3=0)を考えると、抵抗変化は
Zo - Zo/2 = Zo/2 …(1)
となる。
【0011】
しかしながら、抵抗が最も小さくなる場合(S0=S1=S2=S3=1)と2番目に小さくなる場合(S0=0、S1=S2=S3=1)を考えると、抵抗変化は
Zo/14 - Zo/15 = Zo/210 …(2)
となり、(1)の場合と比べて、抵抗変化が105倍も異なってしまう。
【0012】
このように抵抗が大きい領域では抵抗変化幅が大きくなり、制御線を設定しても、目的の抵抗範囲に入らない可能性がある。このような場合、出力回路においては、インピーダンスのミスマッチによる波形劣化が引き起される。
【0013】
したがって、本発明が解決しようとする課題は、トランジスタの並列回路の制御線の設定を変更した場合に、必ず設定された抵抗範囲内で変化することができ、バラツキに強く、抵抗精度が高い、可変インピーダンス回路を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明は、抵抗変化が変化率一定で直線的になるように、もしくは、変化率がある範囲内で任意の関数値に沿って変化するようにトランジスタの並列回路を構成することで、制御線の設定を変更した場合でも、ある抵抗範囲内で必ず変化することができ、このため、温度変動やデバイス変動で抵抗値が変動しても、精度を保ちながら抵抗を可変でき、バラツキに強く抵抗精度が高い可変インピーダンス器を実現している。すなわち、可変インピーダンス回路を構成する各トランジスタのスイッチをオンすることにより、抵抗値が、ある関数の値に沿って変化する。
【0015】
本発明は、外部端子からみた内部インピーダンスを選択的に切り換えられ、さらに、切り換える場合のインピーダンスの変化が一定若しくは任意の関数に沿って、設定した値の範囲内で変化する構成とされる。
【0016】
本発明においては、前記可変インピーダンス回路は、複数のゲート長及びゲート幅が異なるn個のMOSトランジスタを並列に接続し、それぞれのゲート端子には、各々の前記MOSトランジスタをオン、オフさせるための1からnまでの制御端子が接続され、前記n個の制御端子のうち、1からi-1までの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗と、1からiまでの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗の差がiの値にかかわらず一定になるように構成されている。
【0017】
本発明においては、前記可変インピーダンス回路は1からi-1までの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗と、1からiまでの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗の差がiの値にかかわらず一定になるように、トランジスタのゲート幅を変化させている。
【0018】
本発明においては、前記可変インピーダンス回路は1からi-1までの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗と、1からiまでの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗の差がiの値にかかわらず一定になるように、トランジスタのゲート長を変化させている。
【0019】
本発明においては、前記可変インピーダンス回路のインピーダンスがiを変数の要素とした任意の連続関数上で変化し、なおかつ前記トランジスタ並列回路の1からi-1までの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗と、1からiまでの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗の差が任意のiに対して、ある範囲内にあるようにゲート長及びゲート幅を変化させている。
【0020】
本発明においては、可変インピーダンス回路に一定電流を流し、その端子電圧を参照電圧と比較し、端子電圧が参照電圧に近くなるように前記可変インピーダンス回路を選択的に切り換えることで、参照電圧と一定電流から求められるインピーダンスに近接するように制御できるようにしている。
【0021】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について説明する。本発明の実施の形態に係る可変インピーダンス回路は、第1端子(Ta)と第2端子(Tb)間に並列に接続され、ゲートにそれぞれ制御信号が入力されてなる複数(n+1)個のMOSトランジスタ(図1の2n0〜2nn)よりなるトランジスタ並列回路(図1の1)を備え、トランジスタ並列回路のn+1個のMOSトランジスタについて、MOSトランジスタがi個オンした場合の第1端子(Ta)と第2端子(Tb)間の端子間抵抗と、MOSトランジスタがi+1個(ただし、iは1〜nの整数)オンした場合の端子間抵抗との抵抗値の差が、前記iを可変させた場合に、一定とされるか(端子間抵抗値は、iに線形に変化する)、所定の範囲内にあるように、トランジスタ並列回路(図1の1)のn+1個のMOSトランジスタ(図1の2n0〜2nn)のゲート長がそれぞれ異なった値に設定されているか(ゲート幅は一定)、ゲート幅それぞれ異なった値に設定されている(ゲート長は一定)。あるいはn+1個のMOSトランジスタ(図1の2n0〜2nn)のゲート長とゲート幅の組が、それぞれ異なった値に設定されている。
【0022】
【実施例】
本発明の実施例について図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施例の構成を示す図である。図1を参照すると、本発明の一実施例の可変インピーダンス回路は、互いにゲート幅、若しくはゲート長が異なるn+1個のMOSトランジスタ(nチャネルMOSトランジスタ)2n0〜2nnが並列接続されて構成されるトランジスタ並列回路1を備えている。トランジスタ並列回路1の各々のMOSトランジスタのゲート端子には、制御線(Vci、0≦i≦n)が接続されており、この制御線に電圧を加えることで、トランジスタのオン、オフを行なう。
【0023】
i番目の抵抗の設定は、制御線VC0〜VCiの制御端子に電圧を加えることで任意の抵抗値を得る。
【0024】
ここで、0番目〜i−1番目の制御線VC0〜VCi -1をオン(Highレベルとする)したときと、0番目〜i番目の制御線VC0〜VCiをオンした時の抵抗変化をある値にするためのi番目のMOSトランジスタ(2ni)の抵抗値について考察する。
【0025】
VC0〜VCi -1をオンしたときの抵抗値をRi -1、抵抗変化の値をdRiとする。
【0026】
抵抗の並列接続の場合の式から、i番目のMOSトランジスタ(2ni)の抵抗値riに関して、
ri= Ri -1*(Ri -1/ dRi -1) …(3)
となるように、i番目のMOSトランジスタ(2ni)のゲート長(L)又はゲート幅(W)を変化させる。
【0027】
MOSトランジスタの抵抗の値は、ゲート長(L)のみを変化させる場合、Lに比例する。そこで、抵抗変化の値をdRと一定にし、(3)式を用いて、0〜n番目のMOSトランジスタの抵抗値を決定し、その抵抗値になるように、各トランジスタのLの値を調整することで、抵抗変化が一定なトランジスタアレイ1が実現できる。
【0028】
図2(a)に、あるMOSトランジスタに関して、ゲート長(L)の値と可変インピーダンス回路の抵抗値(ohm)の変化を示すグラフ(ゲート幅(W)は10umで一定)を示す。図2(b)は、トランジスタ並列回路1の21個のMOSトランジスタのゲート長の寸法(単位マイクロメートル)を示したものである。
【0029】
また、MOSトランジスタの抵抗の値は、ゲート幅(W)のみを変化させる場合、ゲート幅(W)に反比例する。そこで、抵抗変化の値をdRと一定にし、(1)式を用いて、0〜n番目のMOSトランジスタの抵抗値を決定し、その抵抗値になるように、各トランジスタのゲート幅(W)の値を調整することで、抵抗変化が一定なトランジスタアレイ(1)が実現できる。図3(a)は、あるMOSトランジスタに関して、ゲート幅(W)の値と可変インピーダンス回路の抵抗値の変化を示すグラフ(ゲート長(L)は4umで一定)を示す図である。図3(b)は、トランジスタ並列回路1の21個のMOSトランジスタのゲート幅の寸法(単位マイクロメートル)を示したものである。
【0030】
ここで、トランジスタのゲート長(L)のみを変化させた場合、あるトランジスタでは抵抗を高くするためLが大きくなり、動作スピードが遅くなる可能性がある。この場合は、ゲート幅(W)を小さくすることで、ゲート長を大きくする必要なく高抵抗が得られる。また、トランジスタのゲート幅のみを変化させた場合、あるトランジスタでは抵抗を小さくするためにゲート幅が大きくなりレイアウトサイズの制限から実現できない可能性がある。この場合、トランジスタのゲート長を小さくすることで、ゲート幅を大きくする必要なく低抵抗が得られる。以上のようにゲート長とゲート幅を適切に変化させることで、特性を劣化させることなく、図1のトランジスタアレイ1を構成することが出来る。
【0031】
上記では、抵抗変化幅が一定の場合について説明したが、抵抗変化幅が、iの一次関数で変化するようにして、トランジスタアレイ1を構成することも出来る。すなわち、
dRi = Rd0-i/Rd …(4)
というように、抵抗変化幅をiの値により変化させる。この場合、iが小さいときは抵抗変化幅が大きく、iが大きいときは抵抗変化幅が小さくなる。
【0032】
このようにして、トランジスタアレイを構成した場合、ターゲットとするインピーダンス付近での抵抗変化幅が、デバイスのバラツキに対しても強くすることが出来るという利点が得られる。
【0033】
例えば、図4に示すように、標準の状態のおいて、ターゲットとするインピーダンスが、50Ω付近で2Ω間隔になるように、トランジスタアレイ1を構成したとする。ところが、デバイスのバラツキにより、相互コンダクタンスgmが小さいMOSトランジスタが製造されたものとする。この場合、MOSトランジスタの抵抗値は高くなるため、標準状態で設定した抵抗変化幅は大きくなってしまう。しかし、50Ω付近は、iの値が大きいところであり、その場合は、(4)式より、元々抵抗変化幅が小さいところであるため、バラツキにより、単体トランジスタの抵抗値が高くなっても、抵抗変化幅は、2Ω程度となる。
【0034】
逆に、バラツキにより、相互コンダクタンスgmが大きいMOSトランジスタが製造されたものとする。この場合、MOSトランジスタの抵抗値は低くなるため、標準状態で設定した抵抗変化幅は小さくなってしまう。しかしながら、50Ω付近はiの値が小さいところであり、その場合は、(4)式より、元々、抵抗変化幅が大きいところであるため、バラツキにより、単体トランジスタの抵抗値が低くなっても、抵抗変化幅は2Ω程度となる。
【0035】
このように、本発明を適用することで、トランジスタの特性がばらついても、抵抗変化幅のバラツキが小さくなるように、可変インピーダンス回路を構成できる。このため、精度が高く、より少ないトランジスタ数で、効率良く、可変インピーダンス回路が構成できる。
【0036】
図5は、本発明の他の実施例の構成を示す図である。この実施例では、前述したトランジスタアレイ1よりなる可変インピーダンス回路に制御回路が付加されており、インピーダンスが一定になるように制御を行なっている。図5を参照すると、端子Tb(図1参照)が低位側電源VSSに接続されているトランジスタアレイ1と、高位側電源VDDとトランジスタアレイ1の端子Ta(図1参照)間に接続される定電流源10と、トランジスタアレイ1の端子Taの端子電圧と参照電圧(Vref)を入力とする比較回路11と、トランジスタアレイ1を制御するための制御回路12とを備えている。定電流源10によりトランジスタアレイ1に一定電流(Io)を流し、その出力電圧を、比較回路11で、参照電圧(Vref)と比較する。比較回路11の比較結果が制御回路12に入力され、出力電圧が参照電圧(Vref)になるべく近くなるように、制御回路12により、トランジスタアレイ内のトランジスタがオンされる。この場合、可変インピーダンスのインピーダンス値は
Z = Vref/Io
で表される値に近くなる。このような構成により、デバイス、温度、電源等がばらついていてもある精度内でトランジスタアレイの抵抗値が変化でき、全体として精度が良いインピーダンス制御回路が可能になる。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、トランジスタを並列接続したインピーダンス制御回路において、抵抗変化が一定になるように構成することが出来るという効果を奏する。このため、本発明によれば、任意の抵抗値における制御範囲が常に一定になるため、精度の高いインピーダンス制御を可能としている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の可変インピーダンス回路の構成を示す図である。
【図2】(a)は、本発明の一実施例において、抵抗変化幅を一定にした時の可変インピーダンス回路のインピーダンス特性を示すグラフであり、(b)は、トランジスタ並列回路のMOSトランジスタのゲート長(L)の寸法を示した表である。
【図3】(a)は、本発明の一実施例において、抵抗変化幅を関数に沿って変化させた場合の可変インピーダンス回路のインピーダンス特性を示すグラフであり、(b)は、トランジスタ並列回路のMOSトランジスタのゲート幅(W)の寸法を示した表である。
【図4】本発明の一実施例における、可変インピーダンス回路のインピーダンス特性を示す図である。
【図5】本発明の他の実施例の構成を示す図である。
【図6】(a)は、従来の可変抵抗回路のインピーダンス特性を示すグラフ、(b)は可変抵抗回路を説明するための図である。
【符号の説明】
1 可変インピーダンス回路(トランジスタ並列回路)
2n0〜2ni トランジスタ
10 定電流源
11 コンパレータ(比較回路)
12 制御回路
20 従来の可変インピーダンス回路
21 コンパレータ
22 制御回路
Claims (9)
- 外部端子からみた内部インピーダンスが選択的に切り換え自在とされ、前記内部インピーダンスを切り換える場合のインピーダンスの変化が一定とされる可変インピーダンス回路において、
ゲート長及び/又はゲート幅が異なる複数(n)個のMOSトランジスタが並列に接続されてなるトランジスタ並列回路を備え、
前記n個のMOSトランジスタのゲート端子はそれぞれn個の制御端子に接続され、
前記n個の制御端子のうち1番目からi-1番目(但しiは2以上n以下の整数)までの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗と、1番目からi番目までの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗との差が、iの値にかかわらず、一定となるように構成されている、ことを特徴とする可変インピーダンス回路。 - 請求項1記載の可変インピーダンス回路において、
前記n個の制御端子のうち1番目からi-1番目までの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗と、1番目からi番目までの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗の差が、iの値にかかわらず一定になるように、前記各MOSトランジスタのゲート幅を変化させた構成とされている、ことを特徴とする可変インピーダンス回路。 - 請求項1記載の可変インピーダンス回路において、
前記n個の制御端子のうち1番目からi-1番目までの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗と、1番目からi番目までの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗の差が、iの値にかかわらず一定になるように、前記各MOSトランジスタのゲート長を変化させた構成とされている、ことを特徴とする可変インピーダンス回路。 - 請求項1記載の可変インピーダンス回路において、
前記可変インピーダンス回路のインピーダンスが、2乃至nの整数iを変数の要素とした任意の連続関数上で変化し、
前記トランジスタ並列回路のn本の制御端子のうち1番目からi-1番目までの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗と、1番目からi番目までの制御端子をオンしたときの前記トランジスタ並列回路の端子間抵抗の差が、前記iに対して、所定の範囲内にあるように、前記各MOSトランジスタのゲート長及びゲート幅を変化させた構成とされている、ことを特徴とする可変インピーダンス回路。 - 請求項1記載の可変インピーダンス回路において、
前記トランジスタ並列回路に一定電流を流し、
前記トランジスタ並列回路の端子電圧を、参照電圧と比較する比較回路を備え、
前記比較回路の比較結果を受けて、前記端子電圧が前記参照電圧に近くなるように、前記トランジスタ並列回路の制御端子のオン、オフを選択的に切り換えることで、参照電圧と前記一定電流から求められるインピーダンスに近接するように制御できるようにしたことを特徴とする可変インピーダンス回路。 - 第1端子と第2端子間に並列に接続され、ゲートにそれぞれ制御信号が入力されてなる複数(n)個のMOSトランジスタよりなるトランジスタ並列回路を備え、
前記トランジスタ並列回路のn個のMOSトランジスタのうち、MOSトランジスタがi個をオンした場合の前記第1端子と前記第2端子間の抵抗値と、MOSトランジスタがi+1個(ただし、iは1〜n−1の整数)オンした場合の前記第1端子と前記第2端子の抵抗値との差が、前記iのいくつかの値又は1乃至(n−1)に関して、一定とされるか、所定の範囲内にあるように、前記トランジスタ並列回路のn個のMOSトランジスタのゲート長、及び/又は、ゲート幅が、それぞれ、所定の寸法に設定されている、ことを特徴とする可変インピーダンス回路。 - 前記n個のMOSトランジスタのゲートに接続される前記n本の制御信号が、それぞれ、前記トランジスタ並列回路に設けられたn個の制御端子に接続されており、前記n本の制御端子のうち1番目からi-1番目までの制御端子をオンしたときの前記第1端子と前記第2端子の抵抗値と、1番目からi番目までの制御端子をオンしたときの前記第1端子と前記第2端子の抵抗値の差が、前記iに対して、所定の範囲内にあるように、前記トランジスタ並列回路のn個のMOSトランジスタについて、各MOSトランジスタのゲート幅を一定としゲート長をそれぞれ可変させるか、又は、ゲート長を一定としゲート幅を可変させるか、あるいは、ゲート長とゲート幅の組が、それぞれ可変に設定されている、ことを特徴とする請求項6記載の可変インピーダンス回路。
- 請求項6又は7記載の前記トランジスタ並列回路と、
高位側電源と前記トランジスタ並列回路の前記第1端子間に接続された定電流源と、
を備え、
前記トランジスタ並列回路の前記第2端子は低位側電源に接続され、
前記第1端子の端子電圧と参照電圧とを入力とする比較回路と、
前記比較回路の比較結果出力を入力とし、前記端子電圧が前記参照電圧に近くなるように、前記トランジスタ並列回路のn個のMOSトランジスタのゲートに接続する前記制御信号の値を決定する制御回路と、
を備えている、ことを特徴とする可変インピーダンス回路。 - 前記可変インピーダンス回路が、半導体基板上に搭載可能である、ことを特徴とする請求項1乃至8記載の可変インピーダンス回路。
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