JP4641552B2 - 微細加工方法及び微細加工装置 - Google Patents
微細加工方法及び微細加工装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4641552B2 JP4641552B2 JP2008163645A JP2008163645A JP4641552B2 JP 4641552 B2 JP4641552 B2 JP 4641552B2 JP 2008163645 A JP2008163645 A JP 2008163645A JP 2008163645 A JP2008163645 A JP 2008163645A JP 4641552 B2 JP4641552 B2 JP 4641552B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- wafer
- pressing
- workpiece
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
前記原版および前記被加工物の一方を他方に所定の押し付け力で押し付けて前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を計測し、
該計測の結果に基づいて、前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方の所定温度からのずれ量が許容範囲内になるように、前記原版および前記被加工物の一方を他方に押し付ける力を調節する、ことを特徴とする微細加工方法である。
前記原版および前記被加工物の一方を他方に前記原版と前記被加工物との距離が所定の距離となるように押し付けて前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を計測し、
該計測の結果に基づいて、前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方の所定温度からのずれ量が許容範囲内になるように、前記原版および前記被加工物の一方を他方に押し付けて制御される前記原版と前記被加工物との距離を調節する、ことを特徴とする微細加工方法である。
前記原版および前記被加工物の一方を他方に押し付ける押し付け手段と、
前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を計測する計測手段と、を有し、
前記原版および前記被加工物の一方を他方に所定の押し付け力で前記押し付け手段により押し付けて前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を前記計測手段により計測し、
該計測の結果に基づいて、前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方の所定温度からのずれ量が許容範囲内になるように、前記原版および前記被加工物の一方を他方に前記押し付け手段により押し付ける力を調節する、ことを特徴とする微細加工装置である。
また、本発明の別の一側面としての微細加工装置は、原版および被加工物の一方を他方に押し付けることにより、該原版の凹凸のパターンを反転させて該被加工物に転写する微細加工装置において、
前記原版および前記被加工物の一方を他方に押し付ける押し付け手段と、
前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を計測する計測手段と、を有し、
前記原版および前記被加工物の一方を他方に前記原版と前記被加工物との距離が所定の距離となるように前記押し付け手段により押し付けて前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を前記計測手段により計測し、
該計測の結果に基づいて、前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方の所定温度からのずれ量が許容範囲内になるように、前記原版および前記被加工物の一方を他方に前記押し付け手段により押し付けて制御される前記原版と前記被加工物との距離を調節する、ことを特徴とする微細加工装置である。
前記工程で前記パターンを転写された被加工物をエッチングする工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法である。
図4に本実施例のナノインプリント微細加工装置の構成を示す。図4において、凹凸からなる転写パターンが描かれた原版としてのモールド1を、モールド保持手段としてのモールド台2に固定する。モールド台2は、モールドステージ3に搭載されている。モールド押し付け手段としての押し付けステージ5はフレーム10に取り付けてあり、モールドステージ3を図の+Z、−Z方向に駆動することにより押し付け加工を行う。押し付けステージ5による押し付け力は、ひずみゲージやバネ秤といった力計測手段4により計測される。押し付けステージ5は、リニアモーターやエアーで駆動される。
図8に本発明の第二の実施例のナノインプリント微細加工装置の構成を示す。
なお、ウエハ面を複数の領域に分け、それぞれの領域に対して条件だしを行なっている点が、本実施例と第一の実施例の相違点である。
本実施例の特徴は、加工の制御パラメータを押し付け力、加工の補正パラメータを押し付け力、計測パラメータをモールドとウエハ間の距離としたことにある。押し付け時の距離計測結果により、押し付け力を補正する。
ウエハステージ制御部(S1405)は、全体制御部(S1401)からの指令により、ウエハステージ駆動部(S1405)を駆動制御する。本実施例を特徴づける点として、次の動作を行うことを明示しておく。
本実施例の特徴は、加工モールドを基準ターゲットに押し付けるモールド較正工程、および、被加工ウエハに基準モールドを押し付けるウエハ較正工程を有することにある。加工の制御パラメータは押し付け力である。較正工程で求めた、駆動力に対するモールドとウエハ間の距離情報により、加工の制御パラメータを補正する。
本実施例の特徴は、加工の制御パラメータを押し付け力、加工の補正パラメータを押し付け力、計測パラメータをモールド温度としたことにある。モールド温度の所定温度からのずれ量により押し付け力を補正する。
次に図17を用いて、本実施例の動作を説明する。
その他の実施の形態について記載する。
その他の実施の形態について記載する。
本実施例の特徴は、加工時に押し付け力を計測し、その計測値をあらかじめ決められた異常判断条件により判断し、必要であれば警告、もしくは加工中断の措置をとることにある。
本実施例の特徴は、加工時にモールドとターゲットの距離を計測し、その計測値をあらかじめ決められた異常判断条件により判断し、必要であれば警告、もしくは加工中断の措置をとることにある。
本実施例の特徴は、加工時にモールドとターゲットの角度を計測し、その計測値をあらかじめ決められた異常判断条件により判断し、必要であれば警告、もしくは加工中断の措置をとることにある。
本実施例の特徴は、加工時にモールドとターゲットの温度を計測し、その計測値をあらかじめ決められた異常判断条件により判断し、必要であれば警告、もしくは加工中断の措置をとることにある。
本発明の第12の実施例に係る、半導体ウエハのナノインプリント半導体ウエハ微細加工方法について、以下に説明する。
(1)モールドの硬度
(2)モールド凸凹パターンの凸部合計面積
(3)モールド凸凹の先端形状
(4)ウエハ(表面膜を含む)の表面硬度
被転写ターゲットとなるウエハ6には、パターニングを形成するレジスト7を塗布する。レジストには例えばPMMAを用いる。ウエハ6はウエハチャック8に保持され、ウエハチャック8はウエハステージ9上に搭載されている。ウエハステージ9は図のX、Y、Z、ωx、ωy、ωzの6軸に対して自由度を有しており、ウエハ位置を精密に制御することができる。
(1)モールドの硬度
(2)モールド凸凹パターンの凸部合計面積
(3)モールド凸凹の先端形状
(4)ウエハ(表面膜を含む)の表面硬度
第12の実施例は、補正する加工条件が押し付け力である場合の例であった。
(1)ターゲットに対するモールドの押し付け方向の距離
(2)ターゲット面に対するモールド面の角度
(3)ターゲットもしくは/およびモールドの温度
図38は半導体デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネルやCCD)の製造フローを示す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンを形成したモールドを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したモールドとウエハとを用いて、ウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ5よって作成されたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
2 モールド台
3 モールドステージ
4 力計測手段
5 押し付けステージ
6 ウエハ
7 レジスト
8 ウエハチャック
9 ウエハステージ
10 フレーム
11 モールド温度計測手段
12 モールド温度調整手段
13 ウエハ温度計測手段
14 ウエハ温度調整手段
15 モールドステージ駆動部
21 レーザー干渉計
22 ウエハ高さ計測手段
31 基準モールド
32 基準モールド台
33 基準ウエハ
34 レジスト
35 基準ウエハ台
41 モールド温度計測手段
Claims (5)
- 原版および被加工物の一方を他方に押し付けることにより、該原版の凹凸のパターンを反転させて該被加工物に転写する微細加工方法において、
前記原版および前記被加工物の一方を他方に所定の押し付け力で押し付けて前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を計測し、
該計測の結果に基づいて、前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方の所定温度からのずれ量が許容範囲内になるように、前記原版および前記被加工物の一方を他方に押し付ける力を調節する、ことを特徴とする微細加工方法。 - 原版および被加工物の一方を他方に押し付けることにより、該原版の凹凸のパターンを反転させて該被加工物に転写する微細加工方法において、
前記原版および前記被加工物の一方を他方に前記原版と前記被加工物との距離が所定の距離となるように押し付けて前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を計測し、
該計測の結果に基づいて、前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方の所定温度からのずれ量が許容範囲内になるように、前記原版および前記被加工物の一方を他方に押し付けて制御される前記原版と前記被加工物との距離を調節する、ことを特徴とする微細加工方法。 - 原版および被加工物の一方を他方に押し付けることにより、該原版の凹凸のパターンを反転させて該被加工物に転写する微細加工装置において、
前記原版および前記被加工物の一方を他方に押し付ける押し付け手段と、
前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を計測する計測手段と、を有し、
前記原版および前記被加工物の一方を他方に所定の押し付け力で前記押し付け手段により押し付けて前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を前記計測手段により計測し、
該計測の結果に基づいて、前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方の所定温度からのずれ量が許容範囲内になるように、前記原版および前記被加工物の一方を他方に前記押し付け手段により押し付ける力を調節する、ことを特徴とする微細加工装置。 - 原版および被加工物の一方を他方に押し付けることにより、該原版の凹凸のパターンを反転させて該被加工物に転写する微細加工装置において、
前記原版および前記被加工物の一方を他方に押し付ける押し付け手段と、
前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を計測する計測手段と、を有し、
前記原版および前記被加工物の一方を他方に前記原版と前記被加工物との距離が所定の距離となるように前記押し付け手段により押し付けて前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方を前記計測手段により計測し、
該計測の結果に基づいて、前記原版の温度および前記被加工物の温度の少なくとも一方の所定温度からのずれ量が許容範囲内になるように、前記原版および前記被加工物の一方を他方に前記押し付け手段により押し付けて制御される前記原版と前記被加工物との距離を調節する、ことを特徴とする微細加工装置。 - 請求項3または請求項4に記載の微細加工装置により被加工物にパターンを転写する工程と、
前記工程で前記パターンを転写された被加工物をエッチングする工程と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008163645A JP4641552B2 (ja) | 2008-06-23 | 2008-06-23 | 微細加工方法及び微細加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008163645A JP4641552B2 (ja) | 2008-06-23 | 2008-06-23 | 微細加工方法及び微細加工装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003190393A Division JP4217551B2 (ja) | 2003-07-02 | 2003-07-02 | 微細加工方法及び微細加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008279772A JP2008279772A (ja) | 2008-11-20 |
JP4641552B2 true JP4641552B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=40140979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008163645A Expired - Fee Related JP4641552B2 (ja) | 2008-06-23 | 2008-06-23 | 微細加工方法及び微細加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4641552B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5295870B2 (ja) | 2009-06-02 | 2013-09-18 | 株式会社東芝 | インプリントパターン形成方法 |
JP5594292B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2014-09-24 | コニカミノルタ株式会社 | ウエハレンズの製造方法 |
JP5824379B2 (ja) | 2012-02-07 | 2015-11-25 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法 |
WO2014057589A1 (ja) * | 2012-10-12 | 2014-04-17 | アイトリックス株式会社 | 多軸プレス装置及びそれを利用したインプリント装置 |
JP2014064022A (ja) * | 2013-11-11 | 2014-04-10 | Canon Inc | インプリント装置 |
JP5933060B2 (ja) * | 2015-03-13 | 2016-06-08 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および方法ならびに物品製造方法 |
DE102015108327A1 (de) * | 2015-05-27 | 2016-12-01 | Technische Universität Darmstadt | Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen einer Abformung einer Oberflächeneigenschaft |
JP6700777B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2020-05-27 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、情報処理装置および物品製造方法 |
JP6779748B2 (ja) * | 2016-10-31 | 2020-11-04 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
JP7134725B2 (ja) * | 2018-06-11 | 2022-09-12 | キヤノン株式会社 | 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、および物品の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001198979A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-24 | Ishikawa Seisakusho Ltd | パターン転写装置 |
JP2002093748A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | インプリント装置及びインプリント方法 |
JP2002100079A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Toshiba Corp | 転写装置及び転写方法 |
WO2003031158A1 (en) * | 2001-10-08 | 2003-04-17 | Consiglio Nazionale Delle Ricerche | Fabrication method at micrometer- and nanometer- scales for generation and control of anisotropy of structural, electrical, optical and optoelectronic properties of thin films of conjugated materials |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0778358A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Hitachi Ltd | ディスクの複製装置 |
-
2008
- 2008-06-23 JP JP2008163645A patent/JP4641552B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001198979A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-24 | Ishikawa Seisakusho Ltd | パターン転写装置 |
JP2002093748A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | インプリント装置及びインプリント方法 |
JP2002100079A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Toshiba Corp | 転写装置及び転写方法 |
WO2003031158A1 (en) * | 2001-10-08 | 2003-04-17 | Consiglio Nazionale Delle Ricerche | Fabrication method at micrometer- and nanometer- scales for generation and control of anisotropy of structural, electrical, optical and optoelectronic properties of thin films of conjugated materials |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008279772A (ja) | 2008-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4217551B2 (ja) | 微細加工方法及び微細加工装置 | |
JP4641552B2 (ja) | 微細加工方法及び微細加工装置 | |
JP7229686B2 (ja) | 制御装置、リソグラフィ装置、測定装置、加工装置、平坦化装置及び物品製造方法 | |
JP5342665B2 (ja) | 渦巻き状計測経路に沿って計測を行うレンズ形状加工方法およびレンズ形状加工装置 | |
JP5284212B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI615685B (zh) | 用於測量一目標結構之性質之檢測裝置、操作一光學系統之方法、製造器件之方法 | |
TWI414419B (zh) | 壓印設備和用於生產物品的方法 | |
TWI604506B (zh) | 特別是使用在遮罩對準器的夾頭 | |
JP6681933B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
US11809089B2 (en) | Control device, lithography apparatus, measurement apparatus, processing apparatus, planarizing apparatus, and article manufacturing method | |
TWI658337B (zh) | 改變蝕刻參數的方法及電腦程式產品 | |
JP6584176B2 (ja) | インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法 | |
US20150261099A1 (en) | Lithography apparatus, and method of manufacturing article | |
JP6313585B2 (ja) | 露光装置及び物品の製造方法 | |
EP3438750A1 (en) | A device manufacturing method and a computer program product | |
US11869813B2 (en) | Planarization apparatus, planarization process, and method of manufacturing an article | |
EP2869121B1 (en) | Computer-readable storage medium, generating method, generating apparatus, driving apparatus, processing apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article | |
US11815861B2 (en) | Feedback control device that suppresses disturbance vibration using machine learning, article manufacturing method, and feedback control method | |
US20230194999A1 (en) | Motion control apparatus, lithography apparatus, planarization apparatus, processing apparatus, and article manufacturing method | |
JP2023157729A (ja) | 管理装置、処理システム、管理方法、および物品製造方法 | |
Klaeger et al. | Intelligent Tools: Novel Technology for In-process Measurement of Pressure Distribution on Optical Functional Surfaces |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100201 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101124 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |