JP4639092B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
放射の投影ビームを提供するための照明装置と、
パターン形成手段を支持するための支持構造体であって、パターン形成手段が投影ビームの断面にパターンを与えるように働く支持構造体と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターンの形成されたビームを基板のターゲット部分に投影するための投影装置と、
第1の放射源から受け取った放射を照明装置へ送るように構成される集光器とを有するリソグラフィ装置において、
前記装置が、第1の放射源からの放射を集光器が実質的に受け取っていないときに、集光器を加熱するための、少なくとも1つのヒータを含むことを特徴とするリソグラフィ装置が提供される。
基板を提供する段階と、
断続的な第1の放射源を提供する段階と、
集光器を用いて放射を第1の放射源から照明装置へ送る段階と、
照明装置を用いて放射の投影ビームを提供する段階と、
パターン形成手段を用いて投影ビームの断面にパターンを与える段階と、
パターンの形成された放射ビームを基板のターゲット部分に投影する段階とを含むデバイス製造方法において、
集光器を加熱することにより、集光器を実質的に一定の動作温度に維持するデバイス製造方法が提供される。
放射の投影ビーム(例えばUV又はEUV放射)PBを提供するための照明装置(照明器)ILと、
パターン形成手段(例えばマスク)MAを支持するための第1の支持構造体(例えばマスク・テーブル)MTであって、部材PLに対してパターン形成手段を正確に位置決めするための第1の位置決め手段PMに接続された第1の支持構造体MTと、
基板(例えばレジスト塗布ウェハ)Wを保持するための基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WTであって、部材PLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに接続された基板テーブルWTと、
パターン形成手段MAによって投影ビームPBに与えられたパターンを、基板Wの(例えば1つ又は複数のダイを含む)ターゲット部分Cに結像させるための投影装置(例えば反射投影レンズ)PLとを含む。
1.ステップ・モードでは、投影ビームに与えられたパターン全体を1回でターゲット部分Cに投影する(すなわち、ただ1回の静止露光の)間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTを実質的に静止した状態に保つ。次に、異なるターゲット部分Cを露光することができるように、基板テーブルWTをX及び/又はY方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.走査モードでは、投影ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する(すなわち、ただ1回の動的露光の)間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTを同期して走査する。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影装置PLの拡大(縮小)率、及び像の反転特性によって決まる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって1回の動的露光におけるターゲット部分の(非走査方向の)幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の(走査方向の)高さが決定される。
3.他のモードでは、投影ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する間、プログラム可能なパターン形成手段を保持しながらマスク・テーブルMTを実質的に静止した状態に保ち、基板テーブルWTの移動又は走査を行う。このモードでは、一般にパルス式の第1の放射源SOが使用され、基板テーブルWTの移動後その都度、又は走査中の連続する放射パルスの合間に、プログラム可能なパターン形成手段が必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及した種類のプログラム可能ミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン形成手段を利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することができる。
基板Wを提供する段階と、
照明装置ILを用いて放射の投影ビームPBを提供する段階と、
パターン形成手段MAを用いて投影ビームの断面にパターンを与える段階と、
パターンの形成された放射ビームPBを基板Wのターゲット部分に投影する段階とを含むデバイス製造方法として、図1による装置に使用する。
Claims (24)
- 放射の投影ビーム(PB)を提供するための照明装置(IL)と、
パターン形成手段(MA)を支持するための支持構造体(MT)であって、該パターン形成手段(MA)が前記投影ビーム(PB)の断面にパターンを与えるように働く支持構造体(MT)と、
基板(W)を保持するための基板テーブル(WT)と、
パターンの形成されたビームを前記基板(W)のターゲット部分に投影するための投影装置(PL)と、
第1の放射源(SO)から受け取った放射(R)を前記照明装置(IL)へ送るように構成された集光器(1、101、201)とを有するリソグラフィ装置において、
前記リソグラフィ装置が、前記集光器を加熱するための少なくとも1つのヒータ(2、102、202、302)と、
前記ヒータ(2、102、202、302)を制御するための制御装置(4)とを含み、
前記制御装置は、前記集光器(1、101、201、301)が、前記放射を受け取っているとき及び受け取っていないときのいずれにおいても、実質的に一定の動作温度を維持するように、前記ヒータ(2、102、202、302)を制御する、リソグラフィ装置。 - 前記ヒータが少なくとも1つの第2の放射源(2、212)を有する請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記ヒータが少なくとも1つの電気ヒータ(102、202、302)を含む請求項1又は請求項2に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記集光器(1)が、前記第1の放射源(SO)から受け取った放射(R)を、好ましくは合焦点(FP)の方へ反射するための反射用の内側表面(13)、例えばミラー・シェル、を備えたいくつかの反射要素(11、111、211)を含む請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記ヒータ(2、102、202、302)が、前記集光器(11、111、211、311)の前記反射要素(11、111、211)に熱を供給するように構成されている請求項4に記載されたリソグラフィ装置。
- 少なくともいくつかの放射反射要素(211)が熱伝導要素(212、218)に結合され、前記ヒータ(202)が、少なくとも、前記熱伝導要素(212、218)による熱伝達によって前記反射要素(211)を加熱するように構成されている請求項4又は請求項5に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記制御装置(4)が、前記第1の放射源(SO)を作動させていないとき、前記ヒータ(2、102、202、302)を作動させるように構成されている請求項1に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記制御装置(4)が、前記集光器(1)の温度低下が検知されたとき、前記ヒータ(2、102、202、302)を作動させるように構成されている請求項1又は請求項7に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記ヒータ(2、102、202、302)が、前記集光器(1、101、201、301)の少なくとも一部(11、111、211、311)を所定の平均動作温度から所定の範囲内に維持するように構成されている請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記集光器(1、101、201、301)が前記放射源(SO)から放射(R)を受け取っているときにも、前記ヒータ(2、102、202、302)が、前記集光器(1、101、201、301)の少なくとも一部(11、111、211、311)を加熱するように構成されている請求項1から請求項9までのいずれか1項に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記集光器(1、101、201、311)の少なくとも一部(11、111、211、311)の、少なくとも温度を測定するための1つ又は複数の温度センサ(6)を含む請求項1から請求項10までのいずれか1項に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記第1の放射源(SO)が、放射(R)を断続的に発生させるように構成された断続的な放射源である請求項1から請求項11までのいずれか1項に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記ヒータ(2、302)が、異なる集光器部分を加熱するために異なる熱量を発生させるように構成され、前記異なる熱量が、前記異なる集光器部分が前記第1の放射源(SO)から受け取る放射(R)の量と相関している請求項1から請求項12までのいずれか1項に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記ヒータが、加熱電流(I)を伝導するための少なくとも1つの電気加熱層(302)を有し、前記加熱層(302)の局所的な抵抗を変化させるために前記加熱層(302)の厚さが変化させられている請求項13に記載されたリソグラフィ装置。
- 前記加熱層(302)が、少なくとも1種の、真空に対応した物質、例えばニッケルを含む請求項14に記載されたリソグラフィ装置。
- 基板(W)を提供する段階と、
第1の放射源(SO)を提供する段階と、
集光器(1、101、201)を用いて放射(R)を前記第1の放射源(SO)から照明装置(IL)へ送る段階と、
前記照明装置(IL)を用いて放射の投影ビーム(PB)を提供する段階と、
パターン形成手段(MA)を用いて前記投影ビームの断面にパターンを与える段階と、
パターンの形成された放射ビーム(PB)を前記基板(W)のターゲット部分に投影する段階とを含むデバイス製造方法において、
前記集光器(1、101、201)を加熱することにより、前記放射を受け取っているとき及び受け取っていないときのいずれにおいても、前記集光器(1、101、201)を実質的に一定の動作温度に維持するデバイス製造方法。 - 前記動作温度を実質的に一定に保つように、実質的に前記集光器(1、101、201)が前記第1の放射源(SO)から放射を実質的に受け取っていないときのみ、前記集光器(1、101、201)を加熱する請求項16に記載されたデバイス製造方法。
- 前記第1の放射源(SO)からの放射(R)の吸収によって引き起こされる更なる加熱による前記集光器(1、101、201)の温度変化が実質的に生じないか、若しくはわずかしか生じないような動作温度まで、前記集光器(1、101、201)を連続的に加熱する請求項16又は請求項17に記載されたデバイス製造方法。
- 前記集光器(1、101、201)が、前記第1の放射源(SO)から放射パルスを受け取る請求項16から請求項18までのいずれか1項に記載されたデバイス製造方法。
- 前記集光器(1、101、201)を電気的に加熱する請求項16から請求項19までのいずれか1項に記載されたデバイス製造方法。
- 前記集光器(1、101、201)を、少なくとも1つの他の放射源(2、212)によって加熱する請求項16から請求項20までのいずれか1項に記載されたデバイス製造方法。
- 前記集光器(1、101、201)の温度を、所定の平均動作温度から所定の範囲内に維持する請求項16から請求項21までのいずれか1項に記載されたデバイス製造方法。
- 異なる集光器部分を加熱するために異なる熱量を発生させ、前記異なる熱量を、前記集光器部分が前記第1の放射源(SO)から受け取る放射(R)の量と相関させる請求項16から請求項22までのいずれか1項に記載されたデバイス製造方法。
- 前記第1の放射源(SO)が断続的な放射源である請求項16から請求項23までのいずれか1項に記載されたデバイス製造方法。
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