JP4637524B2 - メモリカード - Google Patents
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Description
2 ホスト機器
3,3a フラッシュメモリ(不揮発性半導体メモリ)
4 コントローラ
5 ホスト側インタフェース
6 MPU
7 バッファインタフェース
8 データバッファ
9 記憶部側インタフェース
10 テーブル制御部
11,11a RAM(揮発性半導体メモリ)
12 アドレステーブル変換テーブル管理部
13 アドレス変換テーブル格納部
14 消去テーブル管理部
15 消去テーブル格納部
16 システムデータ管理部
17 システムデータ格納部
18 I/Oインタフェース
19 周辺回路
MA メモリアレイ
MAr RAMメモリアレイ部
Bank0,Bank1 バンク
UR ユーザ領域
FR 不良登録領域
AR アドレス変換テーブル領域
SR システムデータ領域
TB テーブルブロック
D データ部
K 管理部
K1 第1管理部
K2 第2管理部
BC 良ブロックコード
SC 識別コード
KJ1〜KJ4 管理情報
LA リンク先アドレス
EC1,EC2 ECC格納部
P ポインタ
Claims (8)
- 複数の不揮発性メモリセルを有し、所定の情報を格納可能な不揮発性半導体メモリと、
外部から発行されたコマンドに基づいて前記不揮発性半導体メモリへの動作指示を行うコントローラとを備えたメモリカードであって、
前記メモリカードは、
前記不揮発性半導体メモリにおけるメモリ領域の物理アドレス毎に外部から供給される論理アドレスを対応付けし、前記メモリ領域におけるアドレス割り当て済み領域のアドレスを登録可能なアドレス変換テーブルと、
アドレス未割り当て領域のアドレスが登録された消去テーブルとを有し、
前記アドレス変換テーブルに登録されているメモリ領域のアドレスと、前記消去テーブルに登録されているアドレスとはノンオーバラップとされ、
前記コントローラは、
データの書き込み時において、前記消去テーブルからデータの書き込み先のアドレスを取得してデータを書き込み、前記書き込み先のアドレスを前記アドレス変換テーブルに登録して更新し、前記消去テーブルに、更新前のデータが書き込まれたアドレスを登録することを特徴とするメモリカード。 - 請求項1記載のメモリカードにおいて、
前記アドレス変換テーブルは、前記不揮発性半導体メモリに作成され、
前記消去テーブルは、揮発性半導体メモリに作成されることを特徴とするメモリカード。 - 請求項1または2記載のメモリカードにおいて、
前記コントローラは、前記消去テーブルを前記メモリカードのリセット処理時に作成することを特徴とするメモリカード。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のメモリカードにおいて、
前記消去テーブルに登録されている前記メモリ領域は、プレイレーズが可能であることを特徴とするメモリカード。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のメモリカードにおいて、
メモリ領域の不良ブロックアドレスを登録する不良登録テーブルを有するメモリカード。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載のメモリカードにおいて、
前記アドレス変換テーブル、および消去テーブルに格納されるアドレスは、前記不揮発性半導体メモリの物理ブロックアドレス、またはオフセットアドレスのいずれかであることを特徴とするメモリカード。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載のメモリカードにおいて、
前記アドレス変換テーブルは、前記メモリ領域における不良ブロックアドレスを管理する不良登録テーブルの格納先アドレスを有することを特徴とするメモリカード。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載のメモリカードにおいて、
前記アドレス変換テーブルにおいて管理されるアドレス割り当て済み領域が、複数のブロック、または複数のページから構成されるデータブロックよりなり、前記アドレス変換テーブルは、前記データブロックにおける前記ブロック毎、あるいは前記ページ毎に代表アドレスをそれぞれ登録することを特徴とするメモリカード。
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- 2004-07-27 JP JP2004218019A patent/JP4637524B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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