JP4637214B2

JP4637214B2 - トランスファ成形金型及びこれを用いた樹脂封止方法

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Publication number: JP4637214B2
Application number: JP2008188036A
Authority: JP
Inventors: 文夫宮島
Original assignee: Apic Yamada Corp
Current assignee: Apic Yamada Corp
Priority date: 2008-07-22
Filing date: 2008-07-22
Publication date: 2011-02-23
Anticipated expiration: 2019-09-14
Also published as: JP2008260306A

Description

発明の属する利用分野

本発明はモールド金型により被成形品がクランプされ、ポットからキャビティへ封止樹脂が充填されて成形されるトランスファ成形金型及びこれを用いた樹脂封止方法に関する。

従来、半導体ウエハに配線層が形成され該配線層に電気的に接続する金属ピラーなどの接続端子が形成されたウエハレベルの半導体装置を製造する場合には、金属ピラー間を樹脂封止するため、圧縮成形する方法が採用されている。これは、特開平１０−７９３６２号に示すように、半導体ウエハをキャビティに収容して、該半導体ウエハの金属ピラー形成面に樹脂タブレットなどの封止樹脂を搭載して圧縮成形することで樹脂封止するものである。

しかしながら、被成形品としてウエハレベルの半導体装置を樹脂封止する場合には、成形品の樹脂厚が０．１ｍｍ以下となるように圧縮成形されるため、ウエハ全体に封止樹脂を均一に行き渡らせるのが困難である。特に、半導体ウエハ上には金属ピラーが林立しており、しかも樹脂路が０．１ｍｍ程度の隙間をぬって直径φ２００〜３００ｍｍ程度のウエハ全体に充填する必要があるため、封止樹脂の流れ性が悪い上に樹脂圧がばらつき、しかも封止樹脂が途中で硬化し易いため、成形品の樹脂厚が不均一になり易かった。このように、成形品の樹脂量と樹脂圧を管理することは困難であり、封止樹脂をオーバーフローさせるとしても圧縮成形法においては樹脂圧を均一になるように管理するのは困難である。

本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、簡易な金型構成で半導体装置を樹脂封止する際の樹脂量と樹脂圧を均一に管理できるトランスファ成形金型及びこれを用いた樹脂封止方法を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明は次の構成を備える。
即ち、モールド金型により被成形品がクランプされ、ポットからキャビティへ封止樹脂が充填されて成形されるトランスファ成形金型であって、前記モールド金型は、型開閉動作によって相対的に接近可能に設けられたベース部に固定されたキャビティブロックと、前記キャビティブロックを囲んで前記ベース部にスプリングを介してフローティング支持された可動クランプ部とでキャビティ凹部が形成される一方の金型と、前記可動クランプ部が対向する金型パーティング面に押し当てられて前記キャビティ凹部が閉止される他方の金型と、前記いずれかの金型に設けられるポットと前記キャビティ凹部とを連絡する樹脂路を経て封止樹脂を圧送りする樹脂充填部とを具備し、前記一方の金型を他方の金型に接近させる型閉じ動作を開始して前記可動クランプ部を対向する金型パーティング面に押し当ててキャビティが閉止されたまま前記樹脂充填部より封止樹脂が充填され、樹脂充填後更に前記一方の金型を他方の金型に接近させて前記ベース部にフローティング支持された前記可動クランプ部のスプリングを圧縮することで前記キャビティブロックを更に他方の金型に向かって相対的に接近させて前記キャビティの容積を縮小し、当該キャビティより溢れ出した前記封止樹脂を前記樹脂充填部側へ流出させてポット内のプランジャを押し戻して、成形品を所定樹脂厚に成形することを特徴とする。

また、型閉じ動作により被成形品がクランプされ、ポットからキャビティへ封止樹脂が充填されて成形される前述したトランスファ成形金型を用いた樹脂封止方法であって、型閉じ動作を行なって一方の金型と他方の金型を相対的に接近させて被成形品をクランプし、一方の金型のベース部にスプリングを介してフローティング支持された可動クランプ部が対向する他方の金型のパーティング面に押し当てられてキャビティが閉止される工程と、前記キャビティに封止樹脂が充填された後、更に前記一方の金型の可動クランプ部が他方の金型に押し当てられたまま前記スプリングを圧縮して当該一方の金型と他方の金型を相対的に接近させることにより前記キャビティの容積を縮小して当該キャビティより溢れ出した前記封止樹脂を前記樹脂充填部側へ流出させて所定樹脂厚に成形する工程と、を含むことを特徴とする。

本発明に係るトランスファ成形金型及びこれを用いた樹脂封止方法によれば、一方の金型の可動クランプ部が対向する他方の金型のパーティング面に押し当てられるまで相対的に接近させてキャビティが閉止された状態で樹脂充填部より封止樹脂が充填される。よって、比較的キャビティ空間部を最終樹脂厚より大きく設定して封止樹脂が熱硬化する前にキャビティ内に充填することができる。
また、一方の金型の可動クランプ部が他方の金型に押し当てられたまま更に当該一方の金型と他方の金型を相対的に接近させることによりキャビティの容積が縮小されて所定樹脂厚に成形できる。
よって、封止樹脂に混入した気泡やエアーをキャビティより追い出して、成形品の樹脂量と樹脂圧を均一に管理して成形品質の高い樹脂封止が行なえる。
また、キャビティの容積を縮小するために格別な駆動源は不要であり、樹脂封止装置に通常備わる型開閉機構を通じてキャビティの容積を縮小できるので、簡易な金型構成で成形品質の高い樹脂封止が行なえる。
また、キャビティの容積を縮小して当該キャビティより溢れ出した封止樹脂を樹脂充填部側へ流出させてポット内のプランジャを押し戻して、成形品を所定樹脂厚に成形するので、余剰樹脂を収容する特別な金型構造も不要であり、スクラップ処理も既存の装置構成で行える。

以下、本発明の好適な実施の形態について添付図面と共に詳述する。なお、本実施例では、半導体ウエハに配線層が形成され該配線層に電気的に接続する金属ピラーなどの接続端子が形成されたウエハレベルの半導体装置を製造するトランスファ成形金型装置について説明する。図１はトランスファ成形金型装置の要部の構成を示す断面説明図、図２は上型の下視図、図３は下型の上視図、図４は樹脂封止動作を示す説明図、図５は樹脂封止後の成形品を示す説明図、図６（ａ）〜（ｃ）は個片に分離された半導体装置の説明図である。

図１において、１は被成形品であり、直径φ２００〜３００ｍｍ程度の半導体ウエハ上に配線層が形成され該配線層の一部に金属ピラー２が立設されている。この被成形品１は上型３（例えば他方の金型）及び下型４（例えば一方の金型）よりなるモールド金型のうち、下型４に形成されたキャビティ５に収容されてクランプされる。下型４には、封止樹脂６が装填されるポット７や、封止樹脂６をキャビティ５とポット７とを連絡する樹脂路を経てキャビティ５へ圧送して充填するプランジャ８を有する樹脂充填部Ａが設けられている。プランジャ８は、図示しないトランスファ駆動機構により上下動するようになっている。尚、封止樹脂６としては固形の樹脂タブレットであっても、顆粒状樹脂であっても、或いは液体状樹脂であっても良い。また、被成形品１は半導体ウエハの電極端子に直接電気的に接続するよう金属ピラーが立設されていても良い。

９はリリースフィルムであり、キャビティ５やポット７等の金型がじかに封止樹脂６に接触しないよう、上型３及び下型４のパーティング面を覆っている。リリースフィルム９は、モールド金型の加熱温度に耐えられる耐熱性を有するもので、金型面より容易に剥離するものであって、キャビティ５の内面にならって変形する柔軟性、伸展性を有するもの、例えば、ＰＴＦＥ、ＥＴＦＥ、ＰＥＴ、ＦＥＰフィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリジン等が好適に用いられる。リリースフィルム９は、長尺状のものをリリースフィルム供給機構（図示せず）により連続してモールド金型へ供給するようになっていても、或いは予め短冊状に切断されたものを用いても良い。

また、下型４には、キャビティ５の周囲で上下に重ね合わさるリリースフィルム９をクランプして被成形品１を密封する可動クランプ部１０が設けられている。この可動クランプ部１０は、下型ベース１１上に設けられたスプリング１２により上方へ付勢されてフローティング支持されている。可動クランプ部１０のクランプ面１３側には、キャビティ５内のエアーを外部へ逃がすためのエアーベント溝１４が形成されている。

また、被成形品１を収容するキャビティ５の一部を形成し下型ベース１１上に固定された可動キャビティブロック１６を有する可動キャビティ部Ｂがクランプ動作により上下に移動可能に設けられている。この可動キャビティ部Ｂは、可動クランプ部１０をクランプして樹脂充填部Ａにより封止樹脂６を充填したキャビティ５の容積を縮小するよう可動キャビティブロック１６により被成形品１をクランプする。このとき、キャビティ５より溢れ出した封止樹脂６を樹脂充填部Ａ側へも流出させてプランジャ８を押し戻すことにより、成形品を所定樹脂厚に形成する。尚、キャビティ５より溢れ出した封止樹脂６を収容するオーバーフロー用キャビティ１５（図３参照）を適宜設けてあっても良い。

また、図１および図３において、可動キャビティブロック１６及び該可動キャビティブロック１６に対向配置された上型３にはヒータ１７が各々内蔵されている。これらのヒータ１７は樹脂充填部Ａにより被成形品１を収容したキャビティ５へ封止樹脂６を充填する際には低温（例えば１６０°Ｃ〜１００°Ｃ程度）に加熱し、可動キャビティ部Ｂにより可動キャビティブロック１６をクランプしてキャビティ５の容積を縮小させる際には高温（例えば１８０°Ｃ程度）に加熱するのが好ましい。これによって、封止樹脂６が１．０ｍｍ程度の樹脂路をキャビティ５へ流れ込む途中で硬化するのを防止して、封止樹脂６を均一に充填することが可能となる。また、下型４の可動キャビティブロック１６や上型３のリリースフィルム９に当接するクランプ面は鏡面状ではなく、例えば放電加工により粗面状に形成されている方がリリースフィルム９の吸着性が良く好適である。

また、図２に示すように、下型４の可動キャビティブロック１６に対向する上型３のクランプ面３ａに吸引溝３ｂを形成して、リリースフィルム９の半導体ウエハ上の延びを吸引させている。また、上型３の吸引溝３ｂの周囲や、下型４のポット７に対向する部位の周囲には凹溝３ｃが形成されており、該凹溝３ｃ内にはエアー吸引孔３ｄが形成されている。この凹溝３ｃによりリリースフィルム９に若干の弛みを持たせて金型面に供給し、図示しない吸引機構を作動させてエアー吸引孔３ｄより凹溝３ｃ内にフィルムを引き込むように吸着することで、リリースフィルム９の皺を伸ばして張設できるようになっている。また、上型３のクランプ面３ａの周縁部にも、リリースフィルム９を四辺に渡って吸着保持可能なエアー吸引孔３ｅが各々形成されている。上型３のポット７に対向する金型カル面の周囲にはバックフロー用凹部３ｆが形成されている。このバックフロー用凹部３ｆは、金型をクランプして樹脂封止する際に、キャビティ５からポット７側へ逆流する樹脂圧によって、リリースフィルム９をバックフロー用凹部３ｆ内に退避させて、逆流するスペースを形成するものである。また、図１において、上型３のキャビティ５の周縁部に対向する位置に、キャビティ５のスペース以上の封止樹脂６を収容するための樹脂収容凹部３ｈが形成されている。

また、図１において、上型３には、リリースフィルム９をクランプ面３ａに吸着保持するためのエアー吸引孔３ｄやエアー吸引孔３ｅに連絡するエアー吸引路１９ａや吸引溝３ｂに連絡するエアー吸引路１９ｂが各々形成されている。また、下型４には、キャビティ５を形成する可動キャビティブロック１６の周囲にエアー吸引路２０が形成されている。

また、下型４は可動ベース２１上に下型ベース１１が支持され、該下型ベース１１上に可動キャビティブロック１６が載置されると共に可動クランプ部１０がスプリング１２によりフローティング支持されている。上型３は固定ベース２２に固定されて支持されている。また、可動ベース２１は、図示しない上下動機構により上下動する。可動ベース２１は、型閉じする際に所定量上動して可動クランプ部１０が上型３に突き当たって、被成形品１の周縁部のリリースフィルム６を上型３との間でクランプして停止する。また、封止樹脂６をキャビティ５に充填した後で更に可動ベース２１を上動させて下型ベース１１に載置した可動キャビティブロック１６を所定量上動してキャビティ５の容積が減少するようにクランプする。このとき、可動クランプ部１０は上型３に突き当たった状態で、スプリング１２のみが圧縮される。

また、図１において、モールド金型をリリースフィルム９により被覆する際に、キャビティ５の周囲のエアー吸引路２０からエア吸引してリリースフィルム９をキャビティ５の内面やパーティング面に吸着保持するようになっている。

また、図４の左側に示すように、モールド金型のパーティング面にリリースフィルム９が吸着保持された状態で、被形成品１がキャビティ５に収容され、ポット７には封止樹脂６が装填される。そして、図示しない上下動機構により可動ベース２１を所定量上動させて下型４の可動クランプ部１０と上型３とでリリースフィルム９を介して被形成品１をクランプする。このとき、被成形品１と上型３との間には樹脂路となる１．０ｍｍ程度の隙間が形成され、プランジャ８を駆動することにより該樹脂路をポット７より封止樹脂６をキャビティ５へ圧送して充填する。このとき、キャビティ５及びこれに連通する樹脂収容凹部３ｈに、封止樹脂６が充填される。また、キャビティ５内のエアーは、可動クランプ部１０に形成されたエアーベント溝１４により金型外へ排気される。

また、可動クランプ部１０と上型３とがクランプしたまま、可動ベース２１を更に上動させて可動キャビティブロック１６を所定量上動してキャビティ５の容積が減少するようにクランプする。このとき、樹脂収容凹部３ｈはリリースフィルム９どうしが重ね合わさるようクランプされるため、封止樹脂６がキャビティ５をポット７側へ向かって流れ出し、キャビティ５より溢れ出した封止樹脂６をポット７内へ流出させてプランジャ８を押し戻すことにより、樹脂圧をキャビティ内圧力に近づけて成形品を所定樹脂厚（例えば０．１ｍｍ程度）に形成できる。このように半導体ウエハの金属ピラー２が林立するウエハ面に、樹脂量と樹脂圧を均一に管理して封止樹脂６を充填できる。

また、図５に示すように、被成形品１に設けられた金属ピラー２の端面に対向する上型３のクランプ面３ａに逃げ凹部３ｇを形成しても良い。これによって、モールド金型が金属ピラー２をクランプする際の衝撃を吸収して金属ピラー２を保護することができる。また、被成形品１の各金属ピラー２間に対向する上型３のクランプ面３ａに吸引溝３ｂを形成しても良い。この吸引溝３ｂで半導体ウエハ上のリリースフィルム９の延びを吸収できる。このとき、封止樹脂６は吸引溝３ｂ内にリリースフィルム９が退避することにより盛り上げて充填される。

図６（ａ）〜（ｄ）は樹脂封止後の成形品を取り出して、半導体装置２４を個片に分離した状態を示す接続端子側の平面図及び断面図である。半導体装置２４は金属ピラー２の端面がリリースフィルム９内に若干入り込んで樹脂封止されるため、金属ピラー２の端面を確実に露出させることができる。また、図６（ｅ）に示すように、露出した金属ピラー２の端面には、はんだボール２５を接合することも可能となるため、接続端子面が確実に形成できる。尚、図６（ｃ）（ｄ）は、上型３のクランプ面３ａに吸引溝３ｂを設けない場合の、成形品の形状を示す。

また、図６（ａ）（ｂ）に示すように、金属ピラー２間に封止樹脂６を盛り上げて樹脂封止することで半導体装置２４の樹脂層を厚く形成でき、このとき金属ピラー２の端面の露出高さｔ１は凸になるようにすれば良い。これによって、半導体装置２４を位置合わせしてはんだボール２５をパッド２６ａに電気的に接合して配線基板２６に実装した際に、厚く形成した樹脂層により熱応力を緩和できる。このとき、基板２６からの実装高さｔ２を確保するようにすれば良い。

上記構成によれば、モールド金型の可動クランプ部１０によりリリースフィルム９を介して被形成品１をクランプして樹脂充填部Ａによりキャビティ５へ封止樹脂６を充填し、可動キャビティ部Ｂの可動キャビティブロック１６によりキャビティ５の容積を縮小するよう被成形品１をクランプすることにより、封止樹脂６をキャビティ５より溢れさせて、樹脂圧をキャビティ内圧力に近づけて成形品を所定樹脂厚に形成でき、成形品の樹脂量と樹脂圧を均一に管理できる。

上記実施例は、所謂ウエハレベルの半導体装置を用いて説明したが、被成形品１はこれに限らず、例えばＩＣチップが搭載された配線基板等であっても良い。以下、この場合の樹脂封止装置及び樹脂封止方法について図７〜図９を参照して説明する。尚、上記実施例と同一部材には同一番号を付して説明を援用するものとする。

図７において、被成形品１として用いる基板２７には、複数のＩＣチップ２８がマトリクス状に搭載されている。下型２９のポット７やキャビティ５を含むパーティング面には、リリースフィルム９が張設されている。下型２９のキャビティ５の周囲には可動クランプ部３１が設けられており、リリースフィルム９を上型３０との間でクランプして基板２７を密封する。下型２９には、ポット７より封止樹脂６をキャビティ５へ圧送り可能なプランジャ８を有する樹脂充填部Ａやキャビティ５の一部を形成し下型ベース３２上に固定された可動キャビティブロック３４を有する可動キャビティ部Ｂがクランプ動作により上下に移動可能に設けられている。可動キャビティブロック３４は、下型ベース３２に載置されており、該下型ベース３２は図示しない可動ベース上に支持されている。また、下型ベース３２上には、可動クランプ部３１がスプリング３３によりフローティング支持されている。

可動キャビティブロック３４のクランプ面には、キャビティ５や該キャビティ５とポット７とを連通する金型ゲートランナ３５が形成されている。この可動キャビティブロック３４は、上型３０と下型２９の可動クランプ部３１とをクランプしてポット７より封止樹脂６を充填したキャビティ５の容積を縮小するよう可動キャビティブロック３４を上動させて更に型締めを行う。このとき、キャビティ５より溢れ出した封止樹脂６を金型ゲートランナ３５を介してポット７側へ流出させてプランジャ８を押し戻すことにより、成形品を所定樹脂厚に形成する。可動キャビティブロック３４と可動クランプ部３１との間にはエアー吸引孔３６が形成されており、該エアー吸引孔３６よりエアーを吸引することで、キャビティ５内に敷設されたリリースフィルム９をキャビティ内壁面に密着させる。

図８において、可動クランプ部３１のクランプ面には、キャビティ５内のエアーを外部へ逃がすためのエアーベント溝３７が形成されている。また、可動クランプ部３１及び可動キャビティブロック３４のクランプ面には、キャビティ５の周囲を囲むように連続的な及び断続的な凹溝２９ａが形成されており、該凹溝２９ａ内にはエアー吸引孔２９ｂが形成されている。この凹溝２９ａによりリリースフィルム９に若干の弛みを持たせて金型面に供給し、図示しない吸引機構を作動させてエアー吸引孔２９ｂより凹溝２９ａ内にフィルムを引き込むように吸着することで、リリースフィルム９の皺を伸ばして張設できるようになっている。また、下型２９の周縁部にも、リリースフィルム９を四辺に渡って吸着保持可能なエアー吸引孔２９ｃが各々形成されている。

また、下型２９の可動ベースは、図示しない上下動機構により上下動する。下型ベース３２は、型閉じする際に所定量上動して可動クランプ部３１が上型３０に突き当たって、キャビティ５の周縁部のリリースフィルム９を上型３０との間でクランプして停止する。また、封止樹脂６をキャビティ５に充填した後で更に可動ベースを上動させて下型ベース３２に載置した可動キャビティブロック３４を所定量上動してキャビティ５の容積が減少するようにクランプする。このとき、可動クランプ部３１は上型３０に突き当たった状態で、スプリング３３のみが圧縮される。また、可動キャビティブロック３４及び該可動キャビティブロック３４に対向配置された上型３０には図示しないヒータが各々内蔵されている。このヒータは樹脂充填部Ａによりキャビティ５へ封止樹脂６を充填する際には低温（例えば１６０°Ｃ〜１００°Ｃ程度）に加熱し、可動キャビティ部Ｂにより可動キャビティブロック３４をクランプしてキャビティ５の容積を縮小させる際には高温（例えば１８０°Ｃ程度）に加熱するのが好ましい。

次に樹脂封止動作について、図９（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。図９（ａ）において、型開きしたモールド金型の下型２９のパーティング面にリリースフィルム９が吸着保持されている。この状態で、ポット７に封止樹脂（樹脂タブレット）６が装填され、キャビティ５に基板２７が載置される。

次に図９（ｂ）において、図示しない上下動機構により可動ベースを介して下型ベース３２を所定量上動させて型閉じし、下型２９の可動クランプ部３１と上型３０とでキャビティ５の周囲のリリースフィルム９をクランプする。このとき、キャビティ５とポット７とは金型ゲートランナ３５により連通している。

次に図９（ｃ）において、プランジャ８を駆動することにより、ポット７より封止樹脂６を金型ランナゲート３５を介してキャビティ５へ圧送して充填する。また、キャビティ５内のエアーは、可動クランプ部３１に形成されたエアーベント溝３７により金型外へ排気される。

最後に図９（ｄ）において、可動クランプ部３１と上型３０とがクランプしたまま、可動ベースを更に上動させて可動キャビティブロック３４を所定量上動してキャビティ５の容積が減少するようにクランプする。このとき、キャビティ５より溢れ出した封止樹脂６をポット７側へも流出させてプランジャ８を押し戻すことにより、樹脂圧をキャビティ内圧力に近づけて成形品を所定樹脂厚（例えば０．１ｍｍ程度）に形成できる。このように、基板２７上にマトリクス状に搭載されたＩＣチップ２８を、樹脂量と樹脂圧を均一に管理して封止樹脂できるので、小型化した半導体装置の成形品質を高めることができる。

以上、本発明の好適な実施例について種々述べて来たが、本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、被成形品１として用いられる基板２７は樹脂基板やテープ基板など様々なものが適用でき、或いは基板にヒートシンクとなる金属板が積層されていてもよく、モールド金型に設けられるポットは下型にかぎらず上型でも良い等、発明の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのはもちろんである。

樹脂封止装置の要部の構成を示す断面説明図である。上型の下視図である。下型の上視図である。樹脂封止動作を示す説明図である。樹脂封止後の成形品を示す説明図である。個片に分離された半導体装置の説明図である。他例に係る樹脂封止装置の要部の構成を示す断面説明図である。下型の上視図である。樹脂封止工程を示す説明図である。

符号の説明

１被成形品
２金属ピラー
３，３０上型
３ａ，１３クランプ面
３ｂ吸引溝
３ｃ，２９ａ凹溝
３ｄ，３ｅ，２９ｂ，２９ｃ，３６エアー吸引孔
３ｆバックフロー用凹部
３ｇ逃げ凹部
３ｈ樹脂収容凹部
４，２９下型
５キャビティ
６封止樹脂
７ポット
８プランジャ
９リリースフィルム
１０，３１可動クランプ部
１１，３２下型ベース
１２，３３スプリング
１４，３７エアーベント溝
１５オーバーフロー用キャビティ
１６，３４可動キャビティブロック
１７ヒータ
１９ａ，１９ｂ，２０エアー吸引路
２１可動ベース
２２固定ベース
２４半導体装置
２５はんだボール
２６配線基板
２７基板
２８ＩＣチップ
３５金型ゲートランナ

Claims

モールド金型により被成形品がクランプされ、ポットからキャビティへ封止樹脂が充填されて成形されるトランスファ成形金型であって、
前記モールド金型は、型開閉動作によって相対的に接近可能に設けられたベース部に固定されたキャビティブロックと、前記キャビティブロックを囲んで前記ベース部にスプリングを介してフローティング支持された可動クランプ部とでキャビティ凹部が形成される一方の金型と、
前記可動クランプ部が対向する金型パーティング面に押し当てられて前記キャビティ凹部が閉止される他方の金型と、
前記いずれかの金型に設けられるポットと前記キャビティ凹部とを連絡する樹脂路を経て封止樹脂を圧送りする樹脂充填部とを具備し、
前記一方の金型を他方の金型に接近させる型閉じ動作を開始して前記可動クランプ部を対向する金型パーティング面に押し当ててキャビティが閉止されたまま前記樹脂充填部より封止樹脂が充填され、樹脂充填後更に前記一方の金型を他方の金型に接近させて前記ベース部にフローティング支持された前記可動クランプ部のスプリングを圧縮することで前記キャビティブロックを更に他方の金型に向かって相対的に接近させて前記キャビティの容積を縮小し、当該キャビティより溢れ出した前記封止樹脂を前記樹脂充填部側へ流出させてポット内のプランジャを押し戻して、成形品を所定樹脂厚に成形することを特徴とするトランスファ成形金型。
前記モールド金型のうちポット及びキャビティが形成された金型パーティング面にはリリースフィルムが吸着保持されており、該キャビティの周囲の金型クランプ面には前記リリースフィルムの皺を伸ばす吸引溝が設けられている請求項１記載のトランスファ成形金型。
型閉じ動作により被成形品がクランプされ、ポットからキャビティへ封止樹脂が充填されて成形される請求項１又は請求項２記載のトランスファ成形金型を用いた樹脂封止方法であって、
型閉じ動作を行なって一方の金型と他方の金型を相対的に接近させて被成形品をクランプし、一方の金型のベース部にスプリングを介してフローティング支持された可動クランプ部が対向する他方の金型のパーティング面に押し当てられてキャビティが閉止される工程と、
前記キャビティに封止樹脂が充填された後、更に前記一方の金型の可動クランプ部が他方の金型に押し当てられたまま前記スプリングを圧縮して当該一方の金型と他方の金型を相対的に接近させることにより前記キャビティの容積を縮小して当該キャビティより溢れ出した前記封止樹脂を前記樹脂充填部側へ流出させて所定樹脂厚に成形する工程と、を含むことを特徴とするトランスファ成形金型を用いた樹脂封止方法。