JP4635713B2 - スイッチ回路及び半導体装置並びに超音波診断装置、半導体テスタ - Google Patents
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- 複数個のMOSFETのソース端子を互いに接続し、該複数個のMOSFETのドレイン端子がそれぞれ入出力端子である主スイッチと、該主スイッチの制御信号をオン・オフし、該制御信号に対して正負双方向の値をとる電圧をオフにする逆阻止型駆動回路と、該逆阻止型駆動回路と前記主スイッチの制御端子との間に配置した保持回路とを備えたスイッチ回路において、
前記接続したMOSFETのソース端子を接地電位に接続する短絡スイッチ回路を備えていると共に、該短絡スイッチ回路は、互いにソース端子を接続した複数個のMOSFETを有し、該複数個のMOSFETのドレイン端子が、前記主スイッチのソース端子接続部と接地電位とに接続され、かつ、前記短絡スイッチ回路が、該短絡スイッチ回路の複数個のMOSFET制御端子に接続する別の逆阻止型駆動回路と、該別の逆阻止型駆動回路と短絡スイッチ回路との間に配置された別の保持回路とを備えていることを特徴とするスイッチ回路。 - 請求項1に記載のスイッチ回路において、
前記短絡スイッチ回路の別の保持回路が、容量であることを特徴とするスイッチ回路。 - 請求項1に記載のスイッチ回路において、
前記短絡スイッチ回路の別の保持回路が、複数の半導体スイッチ素子を備えたラッチ回路であることを特徴とするスイッチ回路。 - 請求項1に記載のスイッチ回路において、
前記逆阻止型駆動回路の正負双方向のそれぞれの耐電圧の絶対値が、前記制御端子への信号源と、前記入出力端子の電位差の絶対値以上であることを特徴とするスイッチ回路。 - 請求項1に記載のスイッチ回路において、
前記短絡スイッチ回路の複数個のMOSFET制御端子が、前記逆阻止型駆動回路と前記主スイッチの制御端子との間に配置された保持回路に接続されていることを特徴とするスイッチ回路。 - 複数個のMOSFETのソース端子を互いに接続し、該複数個のMOSFETのドレイン端子がそれぞれ入出力端子である主スイッチと、該主スイッチの制御信号をオン・オフし、該制御信号に対して正負双方向の値をとる電圧をオフにする逆阻止型駆動回路と、該逆阻止型駆動回路と前記主スイッチの制御端子との間に配置した保持回路とを備えたスイッチ回路を、絶縁膜で素子形成領域を分離した半導体基板に形成した半導体装置において、
前記絶縁膜で分離した素子形成領域に、前記接続したMOSFETのソース端子を接地電位に接続する短絡スイッチ回路を形成すると共に、前記絶縁膜で分離した素子形成領域に形成した短絡スイッチ回路は、互いにソース端子を接続した複数個のMOSFETを有し、該複数個のMOSFETのドレイン端子が、前記主スイッチのソース端子接続部と接地電位とに接続され、かつ、前記絶縁膜で分離した素子形成領域に形成した短絡スイッチ回路が、該短絡スイッチ回路の複数個のMOSFET制御端子に接続する別の逆阻止型駆動回路と、該別の逆阻止型駆動回路と短絡スイッチ回路との間に配置された別の保持回路とを備えていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜で分離した素子形成領域に形成した短絡スイッチ回路は、前記短絡スイッチ回路の複数個のMOSFET制御端子が、前記逆阻止型駆動回路と前記主スイッチの制御端子との間に配置した保持回路に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 被検体に超音波を照射する探触子と、該探触子に超音波信号を送信する送信回路系と、前記探触子の出力信号を受信する受信回路系と、該受信回路系の出力信号を入力して画像表示情報を出力する表示回路系と、該表示情報を入力して画像表示する画像表示器とを備えた超音波診断装置において、
前記探触子に送信回路系と受信回路系との接続を切り替えるスイッチ回路を有し、該スイッチ回路は、複数個のMOSFETのソース端子を互いに接続され、該複数個のMOSFETのドレイン端子がそれぞれ入出力端子である主スイッチ、該主スイッチの制御信号をオン・オフし、該制御信号に対して正負双方向の値をとる電圧をオフにする逆阻止型駆動回路、該逆阻止型駆動回路と前記主スイッチの制御端子との間に配置された保持回路を備えたスイッチ回路と、前記接続したMOSFETのソース端子を接地電位に接続する短絡スイッチ回路とを備え、該短絡スイッチ回路は、互いにソース端子を接続した複数個のMOSFETを有し、該短絡スイッチ回路の複数個のMOSFETのドレイン端子は、前記主スイッチのソース端子接続部と接地電位とに接続されていると共に、前記短絡スイッチ回路は、短絡スイッチ回路の複数個のMOSFET制御端子に接続する別の逆阻止型駆動回路と、該別の逆阻止型駆動回路と短絡スイッチ回路との間に配置された別の保持回路とを備えていることを特徴とする超音波診断装置。 - 請求項8に記載の超音波診断装置において、
前記短絡スイッチ回路の複数個のMOSFET制御端子は、前記逆阻止型駆動回路と前記主スイッチの制御端子との間に配置された保持回路に接続されていることを特徴とする超音波診断装置。 - 被検体に試験信号を加えるプローブと、該プローブに試験信号を送信する試験信号発生装置と、前記プローブの出力信号を測定する測定回路系とを備えた半導体テスタにおいて、
前記プローブに試験信号発生装置と測定回路系との接続を切り替えるスイッチ回路と、該スイッチ回路の制御回路とを有し、該スイッチ回路が、複数個のMOSFETのソース端子を互いに接続され、該複数個のMOSFETのドレイン端子がそれぞれ入出力端子である主スイッチ、該主スイッチの制御信号をオン・オフし、該制御信号に対して正負双方向の値をとる電圧をオフにする逆阻止型駆動回路、該逆阻止型駆動回路と前記主スイッチの制御端子との間に配置された保持回路を備えたスイッチ回路と、前記接続されたMOSFETのソース端子を接地電位に接続する短絡スイッチ回路とを有し、該短絡スイッチ回路が、互いにソース端子を接続した複数個のMOSFETを有し、該短絡スイッチ回路の複数個のMOSFETのドレイン端子が、前記主スイッチのソース端子接続部と接地電位とに接続されていると共に、前記短絡スイッチ回路は、短絡スイッチ回路の複数個のMOSFET制御端子に接続する別の逆阻止型駆動回路と、該別の逆阻止型駆動回路と短絡スイッチ回路との間に配置した別の保持回路とを備えていることを特徴とする半導体テスタ。 - 請求項10に記載の半導体テスタにおいて、
前記短絡スイッチ回路の複数個のMOSFET制御端子は、前記逆阻止型駆動回路と前記主スイッチの制御端子との間に配置された保持回路に接続されていることを特徴とする半導体テスタ。
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