JP4635478B2 - 半導体ウェハのプラズマ処理方法 - Google Patents
半導体ウェハのプラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4635478B2 JP4635478B2 JP2004168196A JP2004168196A JP4635478B2 JP 4635478 B2 JP4635478 B2 JP 4635478B2 JP 2004168196 A JP2004168196 A JP 2004168196A JP 2004168196 A JP2004168196 A JP 2004168196A JP 4635478 B2 JP4635478 B2 JP 4635478B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- semiconductor wafer
- gas
- plasma processing
- processing method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
数形成されている。これらのガス噴出孔17aは電極体15に設けられた空隙部15bと連通しており、さらに空隙部15bは支持部15a内を貫通して設けられたガス供給路15cを介してガス供給部19と接続されている。なお絶縁体17としては、ガス噴出孔17aがランダムに形成された多孔質材でもよい。
表面から除去するキャリアガスとしての役割を果たしている。
2 処理室
3 下部電極
4 上部電極
7 半導体ウェハ
19 ガス供給部
Claims (3)
- シリコンを含む半導体ウェハの表面のエッチング処理を行うプラズマ処理方法であって、前記表面は回路形成面の裏側を研磨した研磨加工面であり、プラズマ処理を行う処理室内の載置部に前記半導体ウェハを載置し、前記処理室内に6フッ化硫黄とヘリウムとを含むプラズマ発生用ガスを多孔質材に形成されたガス噴出孔から供給した状態でプラズマ放電を発生させることにより、前記研磨加工面に発生したマイクロクラックをエッチングして除去するものであり、
前記載置部に高周波電圧を印加し、この載置部に対向する位置に配置された対向電極の対向面から前記プラズマ発生用ガスを供給しながらプラズマ処理を行うことを特徴とする半導体ウェハのプラズマ処理方法。 - 前記プラズマ発生用ガスの6フッ化硫黄とヘリウムの体積比が1:1から1:10の範囲であることを特徴とする請求項1記載の半導体ウェハのプラズマ処理方法。
- 前記プラズマ発生用ガスに含まれるヘリウムによってプラズマ処理によって発生する反応生成物を前記半導体ウェハの表面から除去することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体ウェハのプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004168196A JP4635478B2 (ja) | 2004-06-07 | 2004-06-07 | 半導体ウェハのプラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004168196A JP4635478B2 (ja) | 2004-06-07 | 2004-06-07 | 半導体ウェハのプラズマ処理方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001002196A Division JP3580255B2 (ja) | 2001-01-10 | 2001-01-10 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004253820A JP2004253820A (ja) | 2004-09-09 |
JP4635478B2 true JP4635478B2 (ja) | 2011-02-23 |
Family
ID=33028742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004168196A Expired - Lifetime JP4635478B2 (ja) | 2004-06-07 | 2004-06-07 | 半導体ウェハのプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4635478B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09167757A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-06-24 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理方法及びその装置 |
JP2000150484A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-05-30 | Chemitoronics Co Ltd | プラズマエッチング装置およびエッチングの方法 |
-
2004
- 2004-06-07 JP JP2004168196A patent/JP4635478B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09167757A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-06-24 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理方法及びその装置 |
JP2000150484A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-05-30 | Chemitoronics Co Ltd | プラズマエッチング装置およびエッチングの方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004253820A (ja) | 2004-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI706460B (zh) | 電漿蝕刻方法 | |
JP3671854B2 (ja) | シリコン系基板の表面処理方法 | |
CN101920256B (zh) | 等离子体处理装置用的消耗部件的再利用方法 | |
TWI553717B (zh) | A focusing ring and a substrate processing device provided with the focusing ring | |
KR20150098197A (ko) | 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
US6239036B1 (en) | Apparatus and method for plasma etching | |
US8342121B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
KR20070098499A (ko) | 플라즈마 처리용의 전극판 및 플라즈마 처리 장치 | |
JP2003224077A (ja) | プラズマ処理装置、電極部材、バッフル板の製造方法、処理装置、および、表面処理方法 | |
US20120108072A1 (en) | Showerhead configurations for plasma reactors | |
JP2007027564A (ja) | 表面処理方法及び表面処理装置 | |
JP4456218B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4635478B2 (ja) | 半導体ウェハのプラズマ処理方法 | |
JP3580255B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2004319972A (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 | |
KR100889433B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP5525319B2 (ja) | エッチング方法およびエッチング装置 | |
JP2008235735A (ja) | 静電チャック及びこれを備えたプラズマ処理装置 | |
US6867146B2 (en) | Plasma processing method | |
JP2005072034A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2007165743A (ja) | 被加工物保持方法およびエッチング方法 | |
JP2001068452A (ja) | 回路パターン形成済シリコン基板のエッチング装置およびエッチング方法 | |
KR101262904B1 (ko) | 플라즈마 식각 장치 | |
KR100946385B1 (ko) | Icp 방식의 고밀도 반도체 몰드 금형 세정장치 | |
JP2006253222A (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071217 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20080115 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100831 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101026 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101108 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4635478 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203 Year of fee payment: 3 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |