JP4635418B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4635418B2 JP4635418B2 JP2003283465A JP2003283465A JP4635418B2 JP 4635418 B2 JP4635418 B2 JP 4635418B2 JP 2003283465 A JP2003283465 A JP 2003283465A JP 2003283465 A JP2003283465 A JP 2003283465A JP 4635418 B2 JP4635418 B2 JP 4635418B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor layer
- electrode
- semiconductor device
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
表面にリッジを有する半導体層上に、該半導体層の少なくともリッジ上面を露出させるようにZrO 2 からなる誘電体膜を形成し、
該誘電体膜を被覆するようにRh又はHfOからなる密着膜を積層し、
該密着膜を熱処理した後、
前記リッジ上面と接続され、前記リッジ側面において密着膜を介して配置するニッケル膜又はその合金膜を含む電極を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
この方法では、
半導体層がp型の窒化物半導体からなることが好ましい。
熱処理を、酸化雰囲気下にて400℃以上の温度で行うことが好ましい。
この半導体装置では、半導体層がp型の窒化物半導体からなることが好ましい。
以下に本発明の半導体装置の製造方法及び半導体装置の実施例を詳細に説明する。
次に、下地層の上に、Siを1×1018/cm3ドープさせたGaNからなるn型コンタクト層、In0.06Ga0.94Nからなるクラック防止層、アンドープのAlGaNからなるA層とSiを5×1018/cm3ドープしたGaNからなるB層とを交互積層させたn型クラッド層、n型光ガイド層を成長させる。これにより、n型半導体層12を形成する。
次いで、Mgを1×1019/cm3ドープしたAlGaNからなるp型電子閉じ込め層、アンドープのGaNからなるp型光ガイド層、アンドープAl0.16Ga0.84Nからなる層とMgドープGaNからなる層とを交互積層させた超格子層からなるp型クラッド層、Mgを1×1020/cm3ドープしたp型GaNからなるp型コンタクト層を成長させる。これによりp型半導体層16を形成する。その後、窒素雰囲気中でウェハを700℃でアニーリングして、p型半導体層16をさらに低抵抗化する。
その後、最上層のp型コンタクト層上に、所定形状のマスクを形成し、このマスクを用いて、p型コンタクト層にストライプ状のリッジを形成する。
その後、BHF液に20分間浸漬して、水洗、超音波洗浄及びリンスを行い、ストライプ状のリッジの上面に形成した誘電体膜18及び密着膜21を溶解除去する。
その後、150℃にて約10分間アッシャーを行う。
11 下地層
12 n型半導体層
13 n型オーミック電極
14 n型パッド電極
15 活性層
16 p型半導体層(半導体層)
17 保護膜
18 誘電体膜
19 p型オーミック電極(電極)
20 p型パッド電極
21 密着膜
Claims (5)
- 表面にリッジを有する半導体層上に、該半導体層の少なくともリッジ上面を露出させるようにZrO 2 からなる誘電体膜を形成し、
該誘電体膜を被覆するようにRh又はHfOからなる密着膜を積層し、
該密着膜を熱処理した後、
前記リッジ上面と接続され、前記リッジ側面において密着膜を介して配置するニッケル膜又はその合金膜を含む電極を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体層がp型の窒化物半導体からなる請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 熱処理を、酸化雰囲気下にて400℃以上の温度で行う請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 表面にリッジを有する半導体層における少なくともリッジ上面で電気的に接続された電極を有する半導体装置であって、前記半導体層と電極との間の一部の領域において、ZrO 2 からなる誘電体膜とRh又はHfOからなる密着膜とがこの順に積層され、前記電極はニッケル膜又はその合金膜を含んでおり、前記誘電体膜がリッジ側面において直接接触せず、かつ前記密着膜がリッジ側面においてニッケル膜又はその合金膜と接触するように介在してなることを特徴とする半導体装置。
- 半導体層がp型の窒化物半導体からなる請求項4に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003283465A JP4635418B2 (ja) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003283465A JP4635418B2 (ja) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005051137A JP2005051137A (ja) | 2005-02-24 |
JP4635418B2 true JP4635418B2 (ja) | 2011-02-23 |
Family
ID=34268346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003283465A Expired - Fee Related JP4635418B2 (ja) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4635418B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4622225B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
KR100923034B1 (ko) * | 2005-04-08 | 2009-10-22 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
JP4984821B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2012-07-25 | 三菱化学株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
KR100638818B1 (ko) * | 2005-05-19 | 2006-10-27 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 |
JP4701832B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2011-06-15 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ素子 |
JP5150149B2 (ja) * | 2007-07-03 | 2013-02-20 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
WO2009072526A1 (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-11 | Rohm Co., Ltd. | 発光素子およびその製造方法 |
JP2010093042A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 窒化物半導体装置およびその製造方法 |
JP2011071316A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体発光素子、及び照明装置 |
JP6624930B2 (ja) * | 2015-12-26 | 2019-12-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
CN107069427B (zh) * | 2017-01-24 | 2020-02-28 | 中国科学院半导体研究所 | 宽光谱晶闸管激光器的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11126947A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Sony Corp | 半導体素子および半導体発光素子 |
WO2001061804A1 (en) * | 2000-02-16 | 2001-08-23 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser device |
JP2003124576A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板及びその成長方法 |
JP2003198065A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子および光記録再生装置 |
-
2003
- 2003-07-31 JP JP2003283465A patent/JP4635418B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11126947A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Sony Corp | 半導体素子および半導体発光素子 |
WO2001061804A1 (en) * | 2000-02-16 | 2001-08-23 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser device |
JP2003124576A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板及びその成長方法 |
JP2003198065A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ素子および光記録再生装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005051137A (ja) | 2005-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4956928B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7023026B2 (en) | Light emitting device of III-V group compound semiconductor and fabrication method therefor | |
US6531383B1 (en) | Method for manufacturing a compound semiconductor device | |
JP5526712B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP7049186B2 (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
JP2005117020A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子とその製造方法 | |
JP4023121B2 (ja) | n型電極、III族窒化物系化合物半導体素子、n型電極の製造方法、及びIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
JP7146589B2 (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
JP4952534B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
WO2010071113A1 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP4635418B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP7146562B2 (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
KR101731056B1 (ko) | 오믹 전극 구조체를 갖는 반도체 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 | |
JP4857883B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
TWI401821B (zh) | Semiconductor device manufacturing method | |
JPH11177134A (ja) | 半導体素子の製造方法及び半導体素子、並びに発光素子の製造方法及び発光素子 | |
JP3665243B2 (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
JP3767863B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
JPH10335705A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 | |
JP4474887B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2002151737A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 | |
JPH11298040A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP3344296B2 (ja) | 半導体発光素子用の電極 | |
JP2007201046A (ja) | 化合物半導体及び発光素子 | |
JP2001339101A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060720 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090821 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100615 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100805 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101026 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101108 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4635418 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |