JP4626956B2 - 半導体製造装置、液量監視装置、半導体製造装置の液体材料監視方法、及び、液量監視方法 - Google Patents

半導体製造装置、液量監視装置、半導体製造装置の液体材料監視方法、及び、液量監視方法 Download PDF

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Description

本発明は半導体製造装置、液量監視装置、半導体製造装置の液体材料監視方法、及び、液量監視方法に係り、特に、有機液体材料や有機原料溶液を用いて成膜を行う半導体製造装置に適用する場合に好適な液量監視技術に関する。
一般に、液体有機金属や有機金属溶液などの液体材料（原料そのものが液体である場合だけでなく、固体若しくは液体の原料を溶媒に溶解してなる原料溶液である場合を含む。）を気化する原料気化供給系を用いたＣＶＤ半導体製造装置においては、原料容器から液体材料を気化器に供給し、気化器で液体材料を気化してガスを成膜室に導き、成膜室の内部にて基板上に薄膜を形成するように構成されている。この種の装置は例えば以下の特許文献１に記載されている。
上記装置においては、液体材料を容器内に収容し、容器に接続された加圧ラインを介して圧力を容器内に加えることにより、容器に接続された液体供給ラインに液体材料を押し出し、流量制御器を介して所定量の液体材料を供給する液体材料供給部が設けられている。この液体材料供給部では、容器内の液体材料の残量を管理し、液体材料がなくなる前に新たな容器に交換する必要がある。このような液体材料供給部の構成例は例えば以下の特許文献２に記載されている。
一般的に、容器内に収容された液体の量を検出するには、フロート式の残量計などの液面センサを用いる方法が知られている。しかしながら、上記のような液体材料では、センサ部の耐薬品性、センサ部への原料付着による検出精度低下、センサ部による原料汚染、液体材料の引火の危険性などの理由により、容器内に設置される一般的な液面センサを用いることができない。このため、以下の特許文献２にも記載されているように、上記装置では、上記流量制御器の流量設定値や流量検出値から容器内の液体材料の残量を推定するようにしている。すなわち、液体材料の流量積算値や液体材料の流量と供給時間の積により液体使用量を算出し、この液体使用量に基づいて容器内の液体残量を求めている。
特開平７−２６８６３４号公報 特開２００２−０９５９５５号公報
しかしながら、前述の流量検出値に基づく液体使用量や容器内の液体残量の算出方法では、流量の積算時間が長くなると液体残量の誤差が大きくなるので、早めに容器を交換しなくてはならず、高価な液体材料を無駄に廃棄することとなる場合があり、稼動コストが増大するという問題点がある。また、この方法では容器の収容容積を大きくするほど残量表示の誤差が大きくなるので、容器の大型化による液体材料の廃棄量の低減を図ることも難しい。
一方、上記とは異なり、容器の重量に起因する荷重を検出するロードセルなどを設置し、容器荷重の変化による液体材料の残量測定を行うことも考えられるが、容器は配管などへ接続されるため、容器荷重の検出誤差が大きく、上記と同様に正確な残量表示を行うことができないという問題点がある。
そこで、本発明の目的は、容器内に収容した液体の残量を正確に知ることのできる半導体製造装置、液量監視装置、液体材料監視方法、及び、液量監視方法を実現することにある。また、本発明の他の目的は、液体に対する汚染や耐薬品性の問題を回避できる半導体製造装置、液量監視装置、液体材料監視方法、及び、液量監視方法を実現することにある。
斯かる実情に鑑み、本発明の半導体製造装置は、液体材料を収容する内外面が研摩処理された胴体を備えた容器を含み、該容器から前記液体材料を供給する液体材料供給部と、前記液体材料供給部により供給された前記液体材料を気化させてガスを生成する液体気化部と、前記液体気化部から供給される前記ガスを用いて処理を行う処理部と、前記処理部を排気する排気部と、音響透過剤を介して前記胴体の底部外面に密接固定され、前記液体材料の液位を音波により検出する液位検出器と、を具備することを特徴とする。
この発明によれば、容器の底部に配置された液位検出器を用いて液体材料の液位を音波により検出することにより、検出器を液体材料に直接接触させる必要がなくなるから、液体材料の汚染、検出器の耐薬品性の確保、検出器への液体材料付着による検出精度の低下、液体材料の引火などを回避できる。また、液体材料の液位を検出できるため、液体材料の使用量或いは容器内の液体材料の残量を正確に知ることが可能になる。さらに、液位検出器が音響透過剤を介して胴体の底部外面に密接固定されることにより音波を高い効率で容器内に導入することができ、しかも、胴体の内外面が研摩処理されることで当該内外面の凹凸を低減できるために反射波の発生や反響による液面の検出可能範囲の狭小化や液面の検出精度の低下を抑制することができる。
ここで、液位検出器としては、例えば、音波を容器の底部から内部に侵入させ、液体材料の液面で反射させ、その反射波の検出時間から液体材料の液位を測定するようにしたものを用いることができる。また、液面による音波の１次反射波と２次反射波の検出間隔から液位を測定するようにしてもよい。
また、本発明の液量監視装置は、液体を収容する容器と、前記容器に接続された液体供給ラインと、前記液体供給ラインの途中に設けられた流量制御器若しくは流量検出器と、前記容器の底部に配置され、前記液体の液位を音波により検出する液位検出器と、前記流量制御器に対する流量設定値若しくは前記流量検出器による流量検出値に基づいて液体使用量若しくは前記容器内の液体残量を算出する液量算出手段と、前記液量算出手段により算出された前記液体使用量若しくは前記液体残量を、前記液位検出器により検出された液位検出値により修正する液量修正手段と、を具備することを特徴とする。
この発明によれば、液体供給ラインの流量によって液体使用量若しくは液体残量を算出する場合において、容器の底部に配置された液位検出器を用いて液体材料の液位を音波により検出し、その液位検出値によって液体使用量若しくは液体残量を修正することにより、液体材料の使用量或いは容器内の液体材料の残量を正確に知ることが可能になる。また、上記の液位検出器では、液位の検出可能範囲や高精度に液位を検出できる範囲が液体使用量や液体残量を知る必要のある範囲よりも狭い場合が考えられるが、本発明では所定範囲内で得られた液位検出値により液体使用量や液体残量を修正しておけば、液位の検出可能範囲外或いは高精度検出可能範囲外でも従来よりも正確な液体使用量や液体残量を知ることが可能になる。
本発明において、前記液量修正手段は、前記液体使用量若しくは前記液体残量を前記液位検出値に基づいて導出された値に更新する手段であるため、きわめて簡単な方法で液体使用量若しくは液体残量の精度を向上できる。
本発明において、前記液量修正手段は、前記液体使用量若しくは前記液体残量が既定値になったときに修正を行うことが好ましい。この場合には、液体使用量若しくは液体残量の修正を行う液体使用量や液体残量の値を予め設定しておくので、この既定値を液位検出器の検出可能範囲内或いは高精度検出可能範囲内に設定しておくことにより、修正を確実に行うことができるようになり、また、液位検出値も高精度化されるので、液体使用量若しくは液体残量の修正精度を高めることが可能になる。
本発明において、前記液量修正手段は、前記液体使用量若しくは前記液体残量及び前記液位検出値に基づいて修正パラメータを予め算出し、その後、該修正パラメータを前記液体使用量若しくは前記液体残量に適用して修正を行う。これによれば、予め算出した修正パラメータの適用により液体使用量若しくは液体残量を修正することにより、液体使用量若しくは液体残量を逐次修正パラメータによって修正していくことができるため、液位検出の頻度を少なくすることができ、また、液位検出による修正パラメータの取得時から時間が経過しても液体使用量若しくは液体残量の精度を或る程度維持することができる。
本発明において、前記液量修正手段は、前記液体使用量若しくは前記液体残量の既定範囲における前記液体使用量若しくは前記液体残量の変化量と前記液位検出値の変化量とを比較して前記修正パラメータを算出する。これによれば、変化率の差を修正パラメータとして用いることが可能になるので、時間の経過とともに液体使用量若しくは液体残量のずれが増大するといったことを防止でき、液位検出による修正パラメータの取得時から時間が経過しても、高い精度を維持できる。
次に、本発明の半導体製造装置の液体材料監視方法は、液体材料を収容する胴体を備えた容器から前記液体材料を送り出して気化させてガスを生成し、前記ガスを処理部に送って処理を行う半導体製造装置の液体材料監視方法であって、前記胴体の内外面を研摩処理し、音響透過剤を介して前記胴体の底部外面に前記液体材料の液位を音波により検出する液位検出器を密接固定し、該液位検出器の液位検出値に基づいて前記容器内の前記液体材料の残量を確認することを特徴とする。
この発明によれば、容器の底部に配置された液位検出器を用いて液体材料の液位を音波により検出することにより、検出器を液体材料に直接接触させる必要がなくなるから、液体材料の汚染、検出器の耐薬品性の確保、検出器への液体材料付着による検出精度の低下、液体材料の引火などを回避できる。また、液体材料の液位を検出できるため、液体材料の使用量或いは容器内の液体材料の残量を正確に知ることが可能になる。さらに、液位検出器が音響透過剤を介して胴体の底部外面に密接固定されることにより音波を高い効率で容器内に導入することができ、しかも、胴体の内外面が研摩処理されることで当該内外面の凹凸を低減できるために反射波の発生や反響による液面の検出可能範囲の狭小化や液面の検出精度の低下を抑制することができる。
ここで、液位検出器としては、例えば、音波を容器の底部から内部に侵入させ、液体材料の液面で反射させ、その反射波の検出時間から液体材料の液位を測定するようにしたものを用いることができる。また、液面による音波の１次反射波と２次反射波の検出間隔から液位を測定するようにしてもよい。
また、本発明の液量監視方法は、液体を収容する容器に接続された液体供給ラインを介して前記液体を供給する過程において前記容器内の前記液体の残量を監視する液量監視方法であって、前記液体供給ラインにおける前記液体の流量に基づいて液体使用量若しくは前記容器内の液体残量を算出し、前記容器の底部に前記液体の液位を音波により検出する液位検出器を配置し、前記液体使用量若しくは前記液体残量を、前記液位検出器により検出された液位検出値に基づいて修正することを特徴とする。
この発明によれば、液体供給ラインの流量によって液体使用量若しくは液体残量を算出する場合において、容器の底部に配置された液位検出器を用いて液体材料の液位を音波により検出し、その液位検出値によって液体使用量若しくは液体残量を修正することにより、液体材料の使用量或いは容器内の液体材料の残量を正確に知ることが可能になる。また、上記の液位検出器では、液位の検出可能範囲や高精度検出範囲が液体使用量や液体残量を知る必要のある範囲よりも狭い場合が考えられるが、本発明では液位の検出可能範囲内或いは高精度検出可能範囲において液体使用量や液体残量を修正しておけば、液位の検出可能範囲外或いは高精度検出可能範囲外でも従来よりも正確な液体使用量や液体残量を知ることが可能になる。
本発明において、前記液体使用量若しくは前記液体残量は、前記液位検出値に基づいて導出された値に更新することにより修正される。また、前記液体使用量若しくは前記液体残量は、既定値になったときに修正されることが好ましい。さらに、本発明において、前記液体使用量若しくは前記液体残量及び前記液位検出値に基づいて修正パラメータを予め算出し、その後、該修正パラメータを前記液体使用量若しくは前記液体残量に適用することにより修正を行う。この場合に、前記修正パラメータは、既定範囲における前記液体使用量若しくは前記液体残量の変化量と前記液位検出値の変化量との比較により算出される。
本発明によれば、容器内に収容した液体の実際の残量を正確に知ることができ、残量を最小限に抑制することで高価な液体を無駄にすることが少なくなるため、半導体の製造コストを抑制できるという優れた効果を奏し得る。
以下、本発明に係る半導体製造装置、液量監視装置、液体材料監視方法、及び、液量監
視方法の実施形態を図示例と共に説明する。図１は、本実施形態の半導体製造装置１００
の全体構成を示す概略構成図である。この半導体製造装置１００は、液体有機金属若しく
は有機金属溶液を液体材料とし、この液体材料を気化して供給する液体材料気化供給系を
備えたＭＯＣＶＤ装置である。ただし、本発明の半導体製造装置は、ＭＯＣＶＤ装置以外
の各種の半導体製造装置、例えば、有機金属原料以外の液体材料を用いたバッチ式、枚葉
式などの各種のＣＶＤ装置、或いは、ドライエッチング装置などの各種の半導体製造用装
置にも適用できる。
［装置の構成］
半導体製造装置１００は、液体有機金属や有機金属溶液などの液体材料を供給する液体
材料供給部１１０と、液体材料供給部１１０から供給された液体材料を気化してガスを生
成する気化器（液体気化部）１２０と、気化器１２０から供給されたガスに基づいて成膜
を行う処理部１３０と、気化器１２０、処理部１３０及び液体材料供給部１１０を排気す
るための排気部１４０とを備えている。
液体材料供給部１１０の構成例は、図２に示されている。この液体材料供給部１１０で
は、溶媒容器Ｘｂに対して不活性ガスなどの加圧ガスを供給する加圧ラインＸａ、有機溶
媒を収容する溶媒容器Ｘｂ、及び、溶媒容器Ｘｂから有機溶媒を供給する供給ライン１１
０Ｘを含む溶媒供給部と、同様の加圧ラインＡａ、液体有機原料若しくは有機原料溶液を
収容する原料容器Ａｂ、及び、原料容器Ａｂから液体材料を供給する供給ライン１１０Ａ
を含むＡ材料供給部と、同様の加圧ラインＢａ、液体有機原料若しくは有機原料溶液を収
容する原料容器Ｂｂ、及び、原料容器Ｂｂから液体材料を供給する供給ライン１１０Ｂを
含むＢ材料供給部と、同様の加圧ラインＣａ、液体有機原料若しくは有機原料溶液を収容
する原料容器Ｃｂ、及び、原料容器Ｃｂから液体材料を供給する供給ライン１１０Ｃを含
むＣ材料供給部とを備えている。なお、本実施形態の場合、上記の溶媒容器や原料容器は
通常、０．５〜５０リットル程度の容積を備えたものである。
ここで、ＰＺＴ（Ｐｂ［Ｚｒ１−ｘＴｉｘ］Ｏ３）の誘電薄膜を成膜する場合には、液
体材料の一つである上記有機溶媒として酢酸ブチルなどを用いることができ、上記Ａ材料
供給部が供給する液体材料としてはＰｂ（ＤＰＭ）２などの有機Ｐｂ原料を用いることが
でき、上記Ｂ材料供給部が供給する液体材料としてはＺｒ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）４などの有機
Ｚｒ原料を用いることができ、上記Ｃ材料供給部が供給する液体材料としてはＴｉ（Ｏ−
ｉ−Ｐｒ）４などの有機Ｔｉ原料を用いることができる。なお、本発明は上記液体材料に
限定されるものではなく、例えば、ＴｉＮを成膜する場合には液体材料としてＴｉＣｌ４
を用いるなど、液体であれば種々の材料を用いることができる。
上記の溶媒供給部、Ａ材料供給部、Ｂ材料供給部及びＣ材料供給部においては、それぞ
れ、上記供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃに開閉弁Ｘｈ，Ａｈ，Ｂｈ
，Ｃｈ、開閉弁Ｘｉ，Ａｉ，Ｂｉ，Ｃｉ、フィルタＸｊ，Ａｊ，Ｂｊ，Ｃｊ，Ａｐ，Ｂｐ
，Ｃｐ、マスフローメータ及び流量制御弁などで構成される流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ
，Ｃｃ、並びに、開閉弁Ｘｄ，Ａｄ，Ｂｄ，Ｃｄがそれぞれ下流側に向けて順に設けられ
、原料混合部１１３に接続されている。また、上記加圧ラインＸａ，Ａａ，Ｂａ，Ｃａに
は、逆止弁Ｘｅ，Ａｅ，Ｂｅ，Ｃｅ、開閉弁Ｘｆ，Ａｆ，Ｂｆ，Ｃｆ、及び、開閉弁Ｘｇ
，Ａｇ，Ｂｇ，Ｃｇが下流側に向けて順に設けられている。
また、上記加圧ラインＸａ，Ａａ，Ｂａ，Ｃａにおける上記開閉弁Ｘｆ，Ａｆ，Ｂｆ，
Ｃｆと開閉弁Ｘｇ，Ａｇ，Ｂｇ，Ｃｇとの間の部分と、供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，
１１０Ｂ，１１０Ｃにおける上記開閉弁Ｘｉ，Ａｉ，Ｂｉ，Ｃｉと上記開閉弁Ｘｈ，Ａｈ
，Ｂｈ，Ｃｈとの間の部分とは、開閉弁Ｘｋ，Ａｋ，Ｂｋ，Ｃｋを介して接続されている
。さらに、供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃにおける上記開閉弁Ｘｉ
，Ａｉ，Ｂｉ，Ｃｉと上記開閉弁Ｘｈ，Ａｈ，Ｂｈ，Ｃｈとの間の部分は、それぞれ開閉
弁Ｘｌ，Ａｌ，Ｂｌ，Ｃｌを介して排気ライン１１０Ｄに接続されている。
そして、供給ライン１１０Ｘにおける上記フィルタＸｊと上記流量制御器Ｘｃとの間の
部分は、開閉弁Ｘｍ及びＡｎ，Ｂｎ，Ｃｎを介して加圧ラインＡａ，Ｂａ，Ｃａに接続さ
れ、また、開閉弁Ｘｍ及びＡｏ，Ｂｏ，Ｃｏを介して供給ライン１１０Ａ，１１０Ｂ，１
１０Ｃに接続されている。
上記加圧ラインＸａ，Ａａ，Ｂａ，Ｃａの上流部は相互に連結され、開閉弁１１５を介
して不活性ガスなどの加圧ガス源に接続されている。また、開閉弁１１５の下流側には圧
力計Ｐ２が接続されている。さらに、上記排気ライン１１０Ｄはバイパスライン１１６に
接続され、開閉弁１１７を介して原料混合部１１３に接続されている。この原料混合部１
１３の下流端は開閉弁１１４を介して気化器１２０に導入される原料供給ライン１１０Ｓ
に接続されている。また、この原料混合部１１３の上流端は、開閉弁１１１及び流量制御
器１１２を介して不活性ガスなどのキャリアガス源に接続されている。さらに、排気ライ
ン１１０Ｄは、開閉弁１１８を介してドレンタンクＤに接続され、このドレンタンクは開
閉弁１１９を介して原料供給排気ライン１４０Ｃに接続されている。
図１に示すように、気化器１２０は、液体材料供給部１１０から導出された原料供給ラ
イン１１０Ｓと、不活性ガスなどの噴霧ガスを供給する噴霧ガスライン１２０Ｔとが接続
された噴霧ノズル１２１とを有し、この噴霧ノズル１２１で液体材料のミストを加熱され
た気化器１２０の内部に噴霧することで、液体材料を気化し、原料ガスを生成するように
構成されている。気化器１２０はガス供給ライン１２０Ｓに接続され、ガス供給ライン１
２０Ｓは、ガス導入弁１３１を介して処理部１３０に接続されている。このガス供給ライ
ン１２０Ｓには、不活性ガスなどのキャリアガスを供給するキャリア供給ライン１３０Ｔ
が接続され、ガス供給ライン１３０Ｓを介して処理部１３０にキャリアガスを導入できる
ようになっている。
処理部１３０は、気密な密閉容器によって構成された成膜室１３２を有し、この成膜室
１３２は、上記ガス供給ライン１３０Ｓと、Ｏ２，Ｏ３，ＮＯ２などの酸化性の反応ガス
を供給する反応ガスライン１３０Ｖとが接続されたガス導入部１３３を備えている。この
ガス導入部１３３は、原料ガス及び反応ガスを微細な細孔から成膜室１３２の内部に導入
するシャワーヘッド構造を備えている。また、成膜室１３２の内部には、上記ガス導入部
１３３に対向配置されたサセプタ１３４が設けられ、このサセプタ１３４上に処理対象と
なる基板Ｗを載置できるように構成されている。なお、圧力計Ｐ１は成膜室１３２の内部
の圧力を計測するものである。
排気部１４０は、成膜室１３２に接続された主排気ライン１４０Ａを備えている。この
主排気ライン１４０Ａには、下流側に向けて、圧力調整弁１４１、開閉弁１４２、排気ト
ラップ１４３、開閉弁１４４が順次に設けられている。圧力調整弁１４１はその弁開度に
よって成膜室１３２の内部の圧力を調整する機能を有し、上記圧力計Ｐ１の検出圧力に応
じて圧力調整弁１４１の弁開度を制御し、成膜室１３２の内部の圧力を自動的に設定値に
調整する自動圧力調整手段を構成している。
また、排気部１４０には、上記ガス供給ライン１２０Ｓと、主排気ライン１４０Ａとの
間に接続されたバイパス排気ライン１４０Ｂが設けられている。このバイパス排気ライン
１４０Ｂの上流端は、気化器１２０とガス導入弁１３１との間に接続され、その下流端は
、排気トラップ１４３と開閉弁１４４との間に接続されている。バイパス排気ライン１４
０Ｂには、下流側に向けて、開閉弁１４６、排気トラップ１４７が順次に設けられている
。
排気部１４０には、上記液体材料供給部１１０から導出される上記の原料供給排気ライ
ン１４０Ｃが設けられている。この原料供給排気ライン１４０Ｃは、上記主排気ライン１
４０Ａの開閉弁１４４と、排気装置１４５との間に接続されている。排気装置１４５は２
段直列構成を有し、例えば、初段部分１４５Ａがメカニカルブースターポンプ、次段部分
１４５Ｂがドライポンプで構成される。
図３は、本実施形態の制御系の主要部分の構成を示す概略構成図である。本実施形態で
は、ＭＰＵ（マイクロプロセシングユニット）などで構成される制御部１００Ｘと、制御
部１００Ｘに接続され、制御部１００Ｘに対して各種の操作入力を行うことができるよう
に構成された操作部１００Ｐと、制御部１００Ｘに接続され、装置内の各部に設けられた
開閉弁を制御する開閉弁制御部１００Ｙと、制御部１００Ｘに接続され、装置内の各部に
設けられた流量制御器を制御し、流量検出器からの信号を受ける流量制御部１００Ｚと、
制御部１００Ｘに接続され、装置内に設けられた液位検出器を制御し、液位検出を行う液
位測定部１００Ｗとを備えている。
流量制御部１００Ｚは、上記流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃに接続され、これらの
流量設定を行うとともに、上記流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃから出力される流量検
出値を受けるように構成されている。流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃは、例えば、Ｍ
ＦＭ（マスフローメータ）などの流量検出器と、高精度流量可変バルブなどの流量調整弁
とによって構成することができる。
液位測定部１００Ｗは、上記容器Ｘｂ，Ａｂ，Ｂｂ，Ｃｂの底部に外側から密接配置さ
れてなる液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓに接続されている。液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，
Ｂｓ，Ｃｓは、音波により容器Ｘｂ，Ａｂ，Ｂｂ，Ｃｂ内の溶媒や液体材料の液位を検出
することができるものである。すなわち、これらの液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓは
、音波を容器の底壁を介して内部の液体中に導入し、音波が液体中を進行して液面で反射
されることにより生ずる反射波を検出することによって、液位を知ることができるように
構成されている。なお、液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓの詳細については後述する。
図４は、本実施形態の容器Ｘｂ，Ａｂ，Ｂｂ，Ｃｂの構造を示す概略断面図である。こ
の容器は、ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）などで構成された有底円筒状の胴体１１を備え
、この胴体１１の上部開口１１ａの開口縁にフランジ１２を固着（溶接固定）し、このフ
ランジ１２と着脱可能に構成された蓋部１３に、上記加圧ラインＸａ，Ａａ，Ｂａ，Ｃａ
に接続された加圧管１５、及び、上記供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０
Ｃに接続された供給管１６を貫通固定し、加圧管１５は胴体１１の上部に開口し、供給管
１６は胴体１１の内底部の近傍に開口するように構成したものである。胴体１１の底部１
１ｂには円環状の脚部１４が固定されている。この底部１１ｂは外側に向けて凸曲面状に
構成されていることが好ましい。
胴体１１の底部１１ｂには、上記液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓを構成する検出器
本体１７が固定されている。検出器本体１７は、圧電振動体などで構成される環状の加振
部１７Ａと、この加振部１７Ａの内側（中心部）に突出した温度検出部１７Ｂとを有する
。そして、検出器本体１７は、グリースやゲルシートなどのゲル状の音響透過剤１８を介
して底部１１ｂの外面に密接固定されている。この音響透過剤１８は、加振部１７Ａで発
生する超音波を胴体１１内へ高い効率で導入するためのものである。なお、検出器本体１
７は、図示しない取付構造によって胴体１１の底部１１ｂに対して着脱可能に取り付けら
れることが好ましい。この取付構造としては、例えば、胴体１１に対して固定された保持
枠と、この保持枠と検出器本体１７との間に介挿された加圧ばねなどの弾性部材とを含む
ものが挙げられる。
図５は、上記胴体１１の下部（底部１１ｂ側部分）を拡大して示す拡大部分断面図であ
る。検出器本体１７においては、図示しない発振部に設けられた圧電体などに交流電圧を
印加することなどにより、所定期間内において加振部１７Ａに振動が誘起される。所定期
間が経過すると加振部１７Ａに対する駆動が停止され、加振部１７Ａは自由振動状態とさ
れる。加振部１７Ａの振動は、胴体１１の底部１１ｂに侵入する音波（超音波）ＵＳを生
じさせ、底部１１ｂの底壁を通して内部に収容された液体Ｌ中を音波ＵＳが伝播していき
、上方にある液面Ｌａに向かう。そして、液面Ｌａで音波ＵＳが反射され、その反射波Ｒ
Ｓが下方に向けて液体Ｌ中を伝播し、この反射波ＲＳはやがて底壁を通して加振部１７Ａ
を振動させるので、図示しない受信部に設けられた圧電体などで発生する電位を測定する
ことなどにより反射波ＲＳが検出器本体１７にて検出される。
図６は、上記のようにして音波ＵＳを放射し、反射波ＲＳを受信したときの音波の波形
を示すグラフである。ここで、音波は実線で一部を省略して示し、音波の包絡線を図示点
線で示してある。音波ＵＳの周波数は５０ｋＨｚ〜１ＭＨｚ程度である。図６には、送信
波の次に一次受信波、二次受信波が順次に検出されている。送信波を発生させてから一次
受信波（一次反射波）が検出されるまでの時間をδｔｉ、一次受信波が検出されてから二
次受信波（二次反射波）が検出されるまでの時間をδｔｓとすると、液位（液面の高さ）
ＬＨ＝ＶＬ×（δｔｉ−２ｄ／ＶＳ）／２となる。ここで、ＶＬは音波の液体Ｌ中の速度
（音速）、ＶＳは音波の胴体１１中の速度（音速）、ｄは胴体１１の底部１１ｂの壁面の
厚さである。したがって、δｔｉを測定することで、液位ＬＨを求めることができる。こ
の方法は、液位ＬＨが大きい領域で高い感度を有する。この場合、液面Ｌａが下がること
により、液位ＬＨが小さくなり、一次受信波の検出時間δｔｉがｔｘより小さくなると、
送信波自身や検出ノイズ（送信波の残響や液面Ｌａ以外の反射等に起因する音波）との区
別ができなくなり、一次受信波の検出ができなくなる。
一方、液位ＬＨ＝ＶＬ×（δｔｓ−２ｄ／ＶＳ）／４となることにより、δｔｓを測定
することで、液位ＬＨを求めることもできる。この方法は、液位ＬＨが小さい領域で高い
感度を有する。この場合、液面Ｌａが上がることにより液位ＬＨが大きくなり過ぎると、
音波の減衰により、二次受信波などの高次の受信波が検出しにくくなる。ここで、上記の
いずれの方法でも、上記の音速ＶＬやＶＳを温度検出部１７Ｂによる温度検出値で補正す
ることにより、正確な液位を検出することができる。
上記のように、２つの方法のうちいずれの方法を用いても、或いは、上記の２つの方法
を組み合わせて検出しても、液位検出器による液位の検出は、或る上限と下限の間の所定
範囲でのみ可能になる。この所定範囲を広げるためには、上記の検出ノイズを減らすこと
が必要になる。この検出ノイズは、各部での反射波や残響波などにより発生する。
例えば、上記の検出ノイズは、胴体１１の表面で音波が反射されることにより生ずる場
合がある。この反射波を減らすためには、胴体１１の内面及び外面の表面粗さを低減する
ことが有効である。すなわち、胴体１１の表面に凹凸が存在すると、その凹凸部分によっ
て反射波が発生し、或いは、この反射波が凹凸間で反響し、これらがノイズとなることに
より、液面の検出可能範囲の狭小化や液面の検出精度の低下をもたらす。このため、本実
施形態では、胴体１１の表面を表面粗さＲｙ（最大高さ）が１０μｍ以下、好ましくは１
．０μｍより小さい値（例えば０．７μｍ程度）になるように形成している。このような
容器の内外面の平滑性は、研磨処理（バフ研磨、化学研磨、電解研磨など）によって実現
できる。特に、機械研磨と電解研磨とを組み合わせた複合電解研磨を用いることによって
、平坦性と平滑性を高次元で両立できる。また、表面の加工変質層による影響を低減する
ために、研磨後に真空若しくは不活性ガス雰囲気中で焼鈍などの熱処理を施すことが好ま
しい。
また、図５に示すように、胴体１１の内部を伝播する音波ＴＳの反射波が存在し、この
反射波によっても上記の検出ノイズが発生する。特に、胴体１１を円筒材と鏡板との接合
により形成する場合、円筒材と鏡板の端部に開先加工を行い、突合せ溶接を行った後に、
接合部の外側から肉盛り溶接を行い、外面を研磨により平滑に仕上げる。このように、胴
体１１に溶接などによる固着部１１ｘが存在する場合には、固着部１１ｘの組織が周囲と
異なることにより、固着部１１ｘで反射波が発生することがある。すなわち、溶接により
固着部１１ｘに高熱が加わると、熱影響により組織が変質し、音波ＴＳに対する伝播特性
が変化して検出ノイズを増大させる。例えば、ステンレス鋼の場合には、熱により結晶粒
界にクロム炭化物が析出するので、音波ＴＳの伝播を乱し、反射波を増大させる要因とな
る。したがって、本実施形態では、ＴＩＧ（Tungsten Inert Gas Welding）溶接などの熱
負荷の大きな溶接方法を用いる代わりに、プラズマ溶接、電子ビーム溶接などの熱負荷の
低い溶接方法を用いる。また、溶棒などを使用せずに、母材同士を継ぎ目なく溶接するこ
とがさらに好ましい。さらに、溶接部分の変質を防止するために真空減圧下、若しくは不
活性ガス雰囲気中で溶接を行うことが望ましい。もちろん、最も好ましいのは、胴体１１
の材質を均一化するために、溶接などの接合処理を行わずに胴体１１を一体成形する（胴
体１１の上部と底部１１ｂとを接合するのではなく、一体成形品として形成する）ことで
ある。すなわち、容器の底部から内部の液面Ｌａが存在する位置までの胴体１１の壁面の
素材が継ぎ目なく、均質に構成されていることが最も好ましい。上記の胴体１１の一体成
形は、例えば、絞り加工（深絞り加工）などによって行うことができる。
また、上述のように液位検出器による液位の検出可能範囲が制限されることから、液位
検出のみで液量管理を行うことは必ずしも容易ではないが、本実施形態では、液位検出器
を用いた液位測定と、流量検出値に基づく液体使用量若しくは液体残量の算出とを組み合
わせることにより、液体使用量若しくは液体残量の高精度な監視を可能にしている。これ
は、液量監視プログラムなどによって実行される後述する液量監視方法により実現される
。
［装置の動作］
次に、本実施形態の動作について説明する。本実施形態では、図３に示す制御部１００
Ｘにおいて動作プログラムを実行することにより、装置全体を自動的に動作させることが
できるように構成されている。例えば、動作プログラムはＭＰＵの内部メモリに格納され
、この動作プログラムは内部メモリから読み出され、ＣＰＵによって実行される。また、
動作プログラムは種々の動作パラメータを有し、操作部１００Ｐからの入力操作により、
上記の動作パラメータを適宜に設定できるように構成することが好ましい。
図７は、半導体製造装置１００の各部の動作タイミングを示すタイミングチャートであ
る。ここで、溶媒流量は、図２に示す上記供給ライン１１０Ｘで供給される溶媒の流量で
あり、上記流量制御器１１０ｘで制御される。また、原料流量は、図２に示す上記供給ラ
イン１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃで供給される液体原料の流量であり、上記流量制御器
Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃで制御される。さらに、Ｃ１流量は、図２に示す原料混合部１１３に供
給されるキャリアガスの流量であり、上記流量制御器１１２で制御される。このキャリア
ガスはそのまま上記ガス供給ライン１１０Ｓに導入される。また、Ｃ２流量は、図１に示
す噴霧ガスライン１２０Ｔにより供給される噴霧ガス（キャリアガス）の流量であり、図
示しない流量制御器で制御される。さらに、ガス導入弁は図１に示す上記ガス導入弁１３
１であり、具体的にはその駆動信号を示す。
当初は、図７の溶媒流量及びＣ１流量にて示すように、キャリアガスと溶媒のみを気化
器１２０に供給し、気化器１２０の流通状態及び気化状態を安定させる（以下、単に「準
備期間」という。）。例えば、溶媒流量を１．２ｍｌ／ｍｉｎ（ガス換算で２００ｍｌ／
ｍｉｎ）とし、Ｃ１流量を２５０ｍｌ／ｍｉｎとし、Ｃ２流量を５０ｍｌ／ｍｉｎとする
。ここで、Ｃ２流量は常時一定とする。この準備期間においては、液体原料は供給されて
いないので、原料ガスは生成されていない。
次に、図７の原料流量で示すように液体原料を流し、その代わりに、溶媒流量を減少さ
せる（以下、単に「アイドリング期間」という。）。例えば、液体材料を０．５ｍｌ／ｍ
ｉｎとし、溶媒流量を０．７ｍｌ／ｍｉｎとし、Ｃ１流量及びＣ２流量は不変とする。こ
のように、上記の準備期間とこのアイドリング期間とで溶媒と液体材料とを合算した液体
総供給量は不変であることが好ましい。このアイドリング期間においては液体原料が供給
されているので、原料ガスが気化器１２０内で生成されている。また、このアイドリング
期間においては、図１に示すガス導入弁１３１は閉鎖されており、その代わりに開閉弁１
４６が開放され、これにより原料ガスはバイパス排気ライン１４０Ｂを介して排気されて
いる。
次に、原料ガスの流量が安定した後に、ガス導入弁１３１を開放し、開閉弁１４６を閉
鎖して、原料ガスを成膜室１３２へ導入する（以下、単に「成膜期間」という。）。そし
て、成膜室１３２内において基板Ｗ上で成膜が行われる。成膜が完了すると（既定の成膜
時間が満了すると）、ガス導入弁１３１は閉鎖され、開閉弁１４６が開放されて、再びア
イドリング期間に戻る。
次に、液体原料の供給を停止し、上記の準備期間に戻る。そして、この準備期間の後に
、再びアイドリング期間、成膜期間、アイドリング期間を繰り返すことによって、複数の
成膜処理工程を順次に行うことができる。図７では、２つの成膜処理工程を行った後に処
理を終了するように記載してあるが、実際には、成膜処理工程を１回のみ行うだけでもよ
く、また、連続して３以上の成膜処理工程を行うこともできる。また、アイドリング期間
の間に設けられた準備期間は適宜の長さに設定でき、省略することも可能である。例えば
、準備期間、アイドリング期間、成膜期間、アイドリング期間、成膜期間、・・・・・（
アイドリング期間と成膜期間の任意数の繰り返し）、アイドリング期間、準備期間といっ
た具合である。
上記のような各部の動作タイミングは、上記制御部１００Ｘに予め設定されていてもよ
く、或いは、操作部１００Ｐに対する操作により適宜に設定されるように構成してもよい
。そして、動作タイミングが一旦設定されれば、制御部１００Ｘにより、開閉弁制御部１
００Ｙ及び流量制御部１００Ｚを介して装置全体が自動的に制御され、上記の動作手順が
実行される。
上記の動作プログラムには、容器Ｘｂ，Ａｂ，Ｂｂ，Ｃｂに収容された溶媒や液体材料
の使用量或いは残量を測定するための液量監視プログラムが含まれる。この液量監視プロ
グラムにより、流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃから上記流量制御部１００Ｚを介して
流量検出値（或いは、流量制御値でもよい。）を読み出し、この流量検出値から液体使用
量（或いは、容器内の液体残量でもよい。）を算出することができる。また、液位検出器
Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓから上記液位測定部１００Ｗを介して液位検出値を読み出し、こ
の液位検出値から液体使用量若しくは液体残量を測定することもできる。
図８は、液量監視プログラムを用いた制御部の動作手順の一例を示す概略フローチャー
トである。この液量監視プログラムでは、複数の動作モードのいずれかで液量監視が行わ
れるように構成されている。最初に、この動作モードの設定を操作部１００Ｐにて行うと
、その設定された動作モードが記録される（Ｓ１）。また、容器の液体量の初期値を操作
部１００Ｐにて入力すると、容器内の液体残量の初期値を入力値とする初期化処理を行う
（Ｓ２）。次に、動作モードの設定を読み込み、その設定に応じて第１動作モードＳ１０
か第２動作モードＳ２０を選択する（Ｓ３）。なお、液量監視プログラムは、以下に説明
する動作モードのうちのいずれか一方の動作モードでのみ動作するように構成されていて
もよい。
第１動作モードＳ１０では、流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃから上記流量制御部１
００Ｚを介して流量検出値若しくは流量制御値を読み出し（Ｓ１１）、この流量検出値若
しくは流量設定値から液体使用量若しくは液体残量を算出してモニタなどの画面上に表示
する（Ｓ１２）。この手順は、液体使用量若しくは液体残量が既定値に到達するまで逐次
（或いは所定時間毎）に行われる。液体使用量若しくは液体残量が既定値に到達すると（
Ｓ１４）、液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓから上記液位測定部１００Ｗを介して液位
検出値を読み出し、この液位検出値から液体使用量若しくは液体残量を測定する（Ｓ１５
）。そして、このようにして測定した液体使用量若しくは液体残量で、上記の流量検出値
から求めた液体使用量若しくは液体残量を置換し、モニタなどの画面上に表示する（Ｓ１
６）。上記の手順は、最終的に液体使用量若しくは液体残量が下限値（容器の交換時期）
に達するまで逐次、或いは所定時間毎に繰り返し行われ、最終的に下限値に到達する（Ｓ
１３）と、終了処理が行われる（Ｓ３０）。この終了処理は、装置動作の停止処理、或い
は、液量の不足を表示や音声などにより報知する報知処理などである。
上記の既定値は、液位検出器による液位検出が容易かつ高精度に行うことのできる範囲
に設定することが好ましい。例えば、上記範囲が液位１００〜１５０ｍｍの範囲であると
すれば、この範囲内の液位に対応する液体使用量若しくは液体残量（例えば液位１２０ｍ
ｍ）を上記の既定値とする。これによって、上記範囲を外れた領域（液位が１００ｍｍ未
満、或いは、１５０ｍｍ超の領域）では検出ノイズ等により液位検出器による液位検出が
実施できない場合、或いは、液位検出の誤差が大きい場合でも、既定値による修正処理に
より上記領域において従来よりも正確な液量測定を行うことが可能になる。なお、上記の
既定値は１つのみ設定されていてもよく、複数設定されていてもよい。
次に、第２動作モードＳ２０について説明する。この場合には、流量制御器Ｘｃ，Ａｃ
，Ｂｃ，Ｃｃから上記流量制御部１００Ｚを介して流量検出値（或いは、流量制御値でも
よい。以下同様。）を読み出し（Ｓ２１）、この流量検出値から液体使用量を算出して、
液体使用量若しくは液体残量を内部メモリ等に記録するとともにモニタなどの画面上に表
示する（Ｓ２２）。また、液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓから上記液位測定部１００
Ｗを介して液位検出値を読み出し、この液位検出値は逐次内部メモリ等に記録される（Ｓ
２３）。上記の手順Ｓ２１〜Ｓ２３は、既定の測定範囲が終了するまで繰り返し行われ、
既定の測定範囲が終了したら（Ｓ２４）、上記の液体使用量若しくは液体残量の記録及び
液位検出値の記録に基づいて修正パラメータを算出する（Ｓ２５）。
上記のように修正パラメータを算出した以降は、流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃか
ら上記流量制御部１００Ｚを介して流量検出値を読み出し（Ｓ２６）、液体使用量若しく
は液体残量を算出して（Ｓ２７）、これに上記修正パラメータによる修正処理を施して、
モニタ等の画面上に表示を行う（Ｓ２８）。そして、上記の手順を液体残量が下限値に達
するまで繰り返し、下限値に達すると、上記と同様の終了処理Ｓ３０に移行する。
上記の修正パラメータは、例えば、流量検出値により求めた液体使用量若しくは液体残
量と、液位検出値とを上記既定の測定範囲内において比較することによって得られるパラ
メータである。具体的には、流量検出値により求めた液体使用量若しくは液体残量の変化
量と、液位検出値により測定した液体使用量若しくは液体残量の変化量とを比較して、変
化態様の修正を行うパラメータを導出する。例えば、流量検出値により求めた液体使用量
若しくは液体残量をＸとし、液位検出値で測定した液体使用量若しくは液体残量をＹとし
たとき、ＸとＹの関係が一次関数で表されるとすると、上記既定の測定範囲において変化
量の比較を行うことにより、Ｙ＝ａＸ＋ｂの係数ａ及びｂを求め、この係数ａ及びｂを修
正パラメータとする。この場合は、それ以降、Ｘを算出した後に修正パラメータａ及びｂ
を適用してＹ＝ａＸ＋ｂの計算によってＹを求め、このＹを表示する。なお、上記修正パ
ラメータとしては、上記のａのみ、或いは、ｂのみを用いてもよく、また、上記の一次関
数の代わりに高次関数を用い、この高次関数を特定するための係数を修正パラメータとし
てもよい。
なお、本実施形態の装置において、制御部１００Ｘにより、液位検出値から直接液体使
用量若しくは液体残量を求め、これをモニタ等の画面上に表示することも可能である。こ
れは、例えば、操作部１００Ｐに対する操作によって行うように構成することもでき、或
いは、自動で逐次（又は定期的に）行うように構成することもできる。このような構成は
、液位検出器による液位検出が液量監視上必要とされる全ての範囲に亘って実施可能であ
る場合に特に有効であるが、上記のように一部範囲でのみ液位検出が可能である場合や一
部範囲でのみ高精度な液位検出が可能である場合でも、液体使用量若しくは液体残量を直
接知ることができる点で好ましい。
以上説明した本実施形態では、従来装置或いは従来方法に較べて、以下の利点を有する
。
（１）半導体製造装置において、音波を用いて液位を検出する液位検出器を容器底部に
配置し、液体材料と非接触で液位を検出できるように構成したことにより、容器内の液体
材料の実際の残量を正確に検出することができ、実際の液面を適時に確認して残量推定値
のずれを防止ことなどが可能になるため、高価な液体材料の無駄を低減でき、半導体の製
造コストの削減を図ることが可能になる。
（２）液位検出器により容器に収容されている液体材料の液面を検出するので、流量検
出値に基づいて液体使用量若しくは液体残量を算出する従来方法に較べて、より確実かつ
高い精度で液量を監視することができる。特に、従来方法に較べて累積的な算出誤差を解
消することができるため、液体材料の廃棄量を大幅に低減できる。液体材料が高価なもの
であったり、廃棄処理が困難なものであったりする場合にはコスト上でもきわめて効果が
高い。
（３）液位検出器の測定可能範囲や高精度検出範囲が或る程度限定されていても、流量
検出値に基づく液体使用量若しくは液体残量の算出を併用することで、広い範囲において
液量を監視することが可能になる。すなわち、流量検出値に基づく液体使用量若しくは液
体残量の算出誤差を液位検出器による液位検出値による修正処理によって低減するととも
に、液位検出器の検出範囲の制限を、流量検出値に基づく液体使用量若しくは液体残量の
算出によって補うことができる。
（４）さらに、液体材料に対するセンサ構造による汚染を防止することができ、センサ
構造の液体材料による腐食などを避けるための耐薬品性に起因する対策を不要とすること
が可能になり、センサ構造への材料の付着による検出精度の低下を防止でき、引火しやす
い液体材料（例えば上記の有機溶媒など）に対する安全性の向上を図ることが可能になる
など、液体材料と接触する従来の液面センサに較べて材料品位の向上、材料特性に対する
対応の容易化、安全性の向上、検出の高精度化などを図ることが可能になる。
尚、本発明の半導体製造装置、液量監視装置、液体材料監視方法、及び、液量監視方法
は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内にお
いて種々変更を加え得ることは勿論である。
本発明に係る実施形態の半導体製造装置の全体構成を示す概略構成図。 実施形態の液体材料供給部の構成を示す概略構成図。 実施形態の制御系の主要部の構成を示す概略構成図。 実施形態の容器構造を示す縦断面図。 実施形態の容器底部の拡大部分断面図。 実施形態の液位検出器の検出波形例を示すグラフ。 実施形態の各部の動作タイミングを示すタイミングチャート。 実施形態の液量監視プログラムの手順を示す概略フローチャート。
１００…半導体製造装置、１００Ｘ…制御部、１００Ｐ…操作部、１００Ｙ…開閉弁制御
部、１００Ｚ…流量制御部、１００Ｗ…液位測定部、１１０…液体材料供給部、１２０…
気化器（液体気化部）、１３０…処理部、１４０…排気部、１１…胴体、１１ｂ…底部、
Ｌ…液体（液体材料）、Ｌａ…液面

Claims (8)

  1. 液体材料を収容する内外面が研摩処理された胴体を備えた容器を含み、該容器から前記液体材料を供給する液体材料供給部と、
    前記液体材料供給部により供給された前記液体材料を気化させてガスを生成する液体気化部と、
    前記液体気化部から供給される前記ガスを用いて処理を行う処理部と、
    前記処理部を排気する排気部と、
    音響透過剤を介して前記胴体の底部外面に密接固定され、前記液体材料の液位を音波により検出する液位検出器と、
    を具備することを特徴とする半導体製造装置。
  2. 液体を収容する容器と、
    前記容器に接続された液体供給ラインと、
    前記液体供給ラインの途中に設けられた流量制御器若しくは流量検出器と、
    前記容器の底部に配置され、前記液体の液位を音波により検出する液位検出器と、
    前記流量制御器に対する流量設定値若しくは前記流量検出器による流量検出値に基づいて液体使用量若しくは前記容器内の液体残量を算出する液量算出手段と、
    前記液量算出手段により算出された前記液体使用量若しくは前記液体残量を、前記液位検出器により検出された液位検出値により修正する液量修正手段と、
    を具備し、
    前記液量修正手段は、前記液体使用量若しくは前記液体残量を前記液位検出値に基づいて導出された値に更新する手段であることを特徴とする液量監視装置。
  3. 前記液量修正手段は、前記液体使用量若しくは前記液体残量が既定値になったときに修正を行うことを特徴とする請求項２に記載の液量監視装置。
  4. 液体を収容する容器と、
    前記容器に接続された液体供給ラインと、
    前記液体供給ラインの途中に設けられた流量制御器若しくは流量検出器と、
    前記容器の底部に配置され、前記液体の液位を音波により検出する液位検出器と、
    前記流量制御器に対する流量設定値若しくは前記流量検出器による流量検出値に基づいて液体使用量若しくは前記容器内の液体残量を算出する液量算出手段と、
    前記液量算出手段により算出された前記液体使用量若しくは前記液体残量を、前記液位検出器により検出された液位検出値により修正する液量修正手段と、
    を具備し、
    前記液量修正手段は、前記液体使用量若しくは前記液体残量及び前記液位検出値に基づいて修正パラメータを予め算出し、その後、該修正パラメータを前記液体使用量若しくは前記液体残量に適用して修正を行うとともに、前記液体使用量若しくは前記液体残量の既定範囲における前記液体使用量若しくは前記液体残量の変化量と前記液位検出値の変化量とを比較して前記修正パラメータを算出することを特徴とする液量監視装置。
  5. 液体材料を収容する胴体を備えた容器から前記液体材料を送り出して気化させてガスを生成し、前記ガスを処理部に送って処理を行う半導体製造装置の液体材料監視方法であって、
    前記胴体の内外面を研摩処理し、音響透過剤を介して前記胴体の底部外面に前記液体材料の液位を音波により検出する液位検出器を密接固定し、該液位検出器の液位検出値を用いて前記容器内の前記液体材料の残量を確認することを特徴とする半導体製造装置の液体材料監視方法。
  6. 液体を収容する容器に接続された液体供給ラインを介して前記液体を供給する過程において前記容器内の前記液体を監視する液量監視方法であって、
    前記液体供給ラインにおける前記液体の流量に基づいて液体使用量若しくは前記容器内の液体残量を算出し、
    前記容器の底部に前記液体の液位を音波により検出する液位検出器を配置し、
    前記液体使用量若しくは前記液体残量を、前記液位検出器により検出された液位検出値に基づいて修正し、
    前記液体使用量若しくは前記液体残量は、前記液位検出値に基づいて導出された値に更新することにより修正されることを特徴とする液量監視方法。
  7. 前記液体使用量若しくは前記液体残量は、既定値になったときに修正されることを特徴とする請求項６に記載の液量監視方法。
  8. 液体を収容する容器に接続された液体供給ラインを介して前記液体を供給する過程において前記容器内の前記液体を監視する液量監視方法であって、
    前記液体供給ラインにおける前記液体の流量に基づいて液体使用量若しくは前記容器内の液体残量を算出し、
    前記容器の底部に前記液体の液位を音波により検出する液位検出器を配置し、
    前記液体使用量若しくは前記液体残量を、前記液位検出器により検出された液位検出値に基づいて修正し、
    前記液体使用量若しくは前記液体残量及び前記液位検出値に基づいて修正パラメータを予め算出し、その後、該修正パラメータを前記液体使用量若しくは前記液体残量に適用することにより修正を行うとともに、前記修正パラメータは、既定範囲における前記液体使用量若しくは前記液体残量の変化量と前記液位検出値の変化量との比較により算出されることを特徴とする液量監視方法。
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