JP4626041B2 - チップ型コイル部品 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上にスパイラルコイルが形成されたチップ型コイル部品に関し、特に、携帯電話等の高周波数デバイス間のインピーダンスマッチングをとるために用いて好適なチップ型コイル部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、チップ型コイル部品として基板上に渦巻き状のスパイラルコイルを設けたものが知られている。また、近年、高周波信号の処理を行う高周波デバイスでは、図１９に示すように外部ノイズの影響低減、伝送損失の低減を目的として２つの高周波デバイス１，２を２本の信号線３，４によって接続し、この信号線３，４を用いて互いに逆位相の信号を伝送させるバランス方式と呼ばれる伝送方式が用いられている。
【０００３】
そして、従来技術では、各信号線３，４に単体のチップ型コイル部品５，６、コンデンサ部品７，８等をそれぞれ接続し、２つの高周波デバイス１，２間のインピーダンスマッチングをとっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来技術による２つのチップ型コイル部品５，６を信号線３，４に接続する場合、高周波デバイス１，２等を実装する実装基板上に各チップ型コイル部品５，６を接続するための実装ランドを設ける必要があり、これらのチップ型コイル部品５，６が占める占有面積が大きくなるという問題があった。
【０００５】
また、信号線３，４には単体のチップ型コイル部品５，６をそれぞれ接続するため、製造誤差等によってチップ型コイル部品５，６との間でインダクタンス値がばらつく傾向があった。このため、このようなインダクタンス値のばらつきによって信号線３と信号線４とではマッチングが崩れ、各信号線３，４に異なる信号が伝送されることによる伝送特性の劣化や不要なノイズの混入を招くという問題もあった。
【０００６】
さらに、２つの高周波デバイス１，２を接続する場合に２つのチップ型コイル部品５，６を設ける必要があるから、多数の高周波デバイスを接続する場合には実装部品が増加し、製造コストが増大するという問題もあった。
【０００７】
本発明は上述した課題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、インダクタンス値のばらつきを低減できると共に、占有面積を少なくし、製造コストを低減することができるチップ型コイル部品を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために請求項１の発明は、基板と、該基板の表面側に設けたスパイラルコイルとからなるチップ型コイル部品において、前記基板には、当該基板を横切って直線状に延びると共に互いに平行に配置された複数本の接続配線と、該各接続配線の両端側にそれぞれ接続された入出力端子と、接地するための複数個の接地端子とを設け、前記スパイラルコイルは、前記基板の表面側に位置して同一平面上に複数個設け、該複数個のスパイラルコイルは、その一端側を互いに異なる前記接続配線に接続し、他端側を互いに異なる前記接地端子に接続する構成としたことを特徴としている。
【０００９】
このように構成したことにより、複数のスパイラルコイルを基板表面側の同一平面上に一緒に形成することができる。このため、製造工程の相違によるスパイラルコイルのインダクタンス値のばらつきを抑制することができ、基板上に設けた複数のスパイラルコイルのインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。
【００１０】
また、基板を横切って直線状に延びる接続線路を設け、該接続線路にスパイラルコイルを接続する構成としたから、例えばチップ型コイル部品をインピーダンスマッチング用として高周波デバイス間の信号線に接続するときでも、信号線の途中に入出力端子をそれぞれ接続し、２個の入出力端子間に設けた接続配線を通じて信号を伝送することができる。
【００１１】
請求項２の発明は、複数個のスパイラルコイルは同一工法によって一緒に形成する構成としたことにある。
【００１２】
これにより、基板上には同一工法によって複数個のスパイラルコイルを一緒に形成することができ、これら複数個のスパイラルコイルのインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。
【００１３】
請求項３の発明では、複数個のスパイラルコイルのうち相互に隣合う２個のスパイラルコイルの巻線部分は、互いに接近して配置された角部を有し、該角部を挟んでＬ字状に屈曲して互いに離れる方向に向けて延びる構成としている。
【００１４】
これにより、隣合う２個のスパイラルコイル間での磁気結合、静電結合を抑制でき、これらのスパイラルコイル間のクロストークを低減できると共に、磁気結合等に伴うインダクタンスのばらつきを低減することができる。
【００１５】
請求項４の発明は、基板の表面側には前記複数個のスパイラルコイルを覆って絶縁膜を設け、該絶縁膜を挟んで該絶縁膜の表面側には前記各スパイラルコイルと直列接続した他のスパイラルコイルを設け、該他のスパイラルコイルを介して前記各スパイラルコイルの他端側を前記各接地端子に接続する構成としたことにある。
【００１６】
これにより、各スパイラルコイルには他のスパイラルコイルを直列接続し、これらのインダクタンス値を増加させることができる。
【００１７】
請求項５の発明は、複数個のスパイラルコイルは、スパッタリングまたは蒸着によって金属薄膜を形成し、フォトリソグラフィを用いて該金属薄膜の平面形状を成形することによって一緒に形成したことにある。
【００１８】
これにより、複数個のスパイラルコイルは、スパッタリング、蒸着によってその膜厚を略等しい値に設定でき、フォトリソグラフィによってその平面形状を略等しい形状に設定できる。このため、複数個のスパイラルコイルのインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。
【００１９】
請求項６の発明は、基板と、バランス方式により互いに逆位相の信号を伝送するために該基板に設けられ該基板を横切って直線状に延びると共に互いに平行に配置された２本の接続配線と、前記基板に設けられ該各接続配線の両端側にそれぞれ接続された入出力端子と、接地するために前記基板に設けられた２個の接地端子と、前記基板の表面側に位置して同一平面上に設けられた２個のスパイラルコイルとを備え、前記２個のスパイラルコイルは、前記２本の接続配線を挟んだ両側位置にそれぞれ配置され、その一端側を互いに異なる前記接続配線に接続し、他端側を互いに異なる前記接地端子に接続する構成としている。
【００２０】
請求項７の発明は、２個のスパイラルコイルは、２本の接続配線にそれぞれ接続された状態を含めて互いに対称な形状に形成したことにある。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明によるチップ型コイル部品として基板に２個のスパイラルコイルを設けた場合を例に挙げ、添付図面に従って詳細に説明する。なお、以下に示す各参考例および実施の形態では従来技術と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００２２】
まず、図１ないし図９は第１の参考例によるチップ型コイル部品を示し、図において、１０は信号線３，４の途中に接続されたチップ型コイル部品で、該チップ型コイル部品１０は、後述の基板１１、外部電極１２Ａ〜１３Ｂ、スパイラルコイル１４，１５、絶縁膜１６、引出し用配線１７，１８、保護膜１９によって構成されている。
【００２３】
１１はチップ型コイル部品１０の外形をなす基板で、該基板１１は、例えばアルミナ系セラミックス、ガラス等の低誘電率な絶縁材料によって形成され、略長方形の板状に形成されている。
【００２４】
１２Ａ，１３Ａは長方形状をなす基板１１の一側の長辺に２個設けられた外部電極、１２Ｂ，１３Ｂは同じく基板１１の他側の長辺に２個設けられた他の外部電極をそれぞれ示し、該各外部電極１２Ａ〜１３Ｂは基板１１の端面（側面）から表面１１Ａに亘って形成されている。そして、外部電極１２Ａ，１２Ｂにはスパイラルコイル１４の両端側が接続され、外部電極１３Ａ，１３Ｂにはスパイラルコイル１５の両端側が接続されている。
【００２５】
１４，１５は基板１１の表面１１Ａに設けられたスパイラルコイルで、該各スパイラルコイル１４，１５は、微細加工技術としてスパッタリング、蒸着等によって形成された導電性金属材料による金属薄膜をフォトリソグラフィ等によって形成されたマスクを用いてエッチング処理を施すことによってアレイ状に形成されている。
【００２６】
そして、スパイラルコイル１４，１５は、相互に同形、同大の形状をなし、外周側に位置する一端部１４Ａ，１５Ａから内周側に位置する他端部１４Ｂ，１５Ｂに向かって例えば略四角形の渦巻き形状をなしている。また、スパイラルコイル１４，１５は、その一端部１４Ａ，１５Ａが外部電極１２Ａ，１３Ａに接続され、その他端部１４Ｂ，１５Ｂが後述の引出し用配線１７，１８に接続されている。
【００２７】
１６，１６はスパイラルコイル１４，１５を部分的に覆う絶縁膜で、該各絶縁膜１６は、スパイラルコイル１４，１５の他端部１４Ｂ，１５Ｂと外部電極１２Ｂ，１３Ｂとの間に位置し、これらの間を横切るスパイラルコイル１４，１５を覆っている。そして、絶縁膜１６は、ポリイミド等の低誘電率を有する絶縁性樹脂材料によって略四角形の薄膜状に形成され、その表面側に設けられる引出し用配線１７，１８とスパイラルコイル１４，１５との間を電気的に絶縁している。
【００２８】
１７，１８はスパイラルコイル１４，１５の他端部１４Ｂ，１５Ｂと外部電極１２Ｂ，１３Ｂとの間に直線状に延伸して設けられた引出し用配線で、該引出し用配線１７，１８は、導電性金属材料による金属薄膜からなり、絶縁膜１６の表面にスパイラルコイル１４等と同様の微細加工を施すことによって形成されている。そして、引出し用配線１７，１８は、スパイラルコイル１４，１５の他端部１４Ｂ，１５Ｂと外部電極１２Ｂ，１３Ｂとの間を電気的に接続している。
【００２９】
１９はスパイラルコイル１４，１５、引出し用配線１７，１８等を覆って基板１１の表面１１Ａ全面に形成された保護膜で、該保護膜１９は、ポリイミド等の絶縁性樹脂材料によって薄膜状に形成されている。そして、保護膜１９は、外部応力からスパイラルコイル１４，１５等を保護すると共に、スパイラルコイル１４，１５等の損傷を防ぎ、信頼性を向上させている。また、保護膜１９の誘電率は低い値に設定され、各スパイラルコイル１４，１５内で発生する浮遊容量を抑制している。
【００３０】
第１の参考例によるチップ型コイル部品１０は上述の如き構成を有するもので、次にその製造方法について図４ないし図９を参照しつつ説明する。
【００３１】
まず、図４に示すように基板１１の外周側に外部電極１２Ａ〜１３Ｂを設ける。次に、図５に示すように基板１１の表面１１Ａには、スパッタリング、真空蒸着等によって導電性金属材料からなる金属薄膜Ｍを全面に亘って形成する。
【００３２】
次に、金属薄膜Ｍの表面にフォトレジストを塗布すると共に、フォトリソグラフィを用いて外部電極１２Ａ〜１３Ｂ、スパイラルコイル１４，１５と同形状のマスクを形成する。この状態で、エッチング処理を施すことによって、基板１１の表面１１Ａには、図６に示すように２個のスパイラルコイル１４，１５を同一工法によって一緒に形成する。このとき、スパイラルコイル１４，１５の一端部１４Ａ，１５Ａは、外部電極１２Ａ，１３Ａに接続される。
【００３３】
その後、図７に示すようにスパイラルコイル１４，１５の他端部１４Ｂ，１５Ｂと外部電極１２Ｂ，１３Ｂとの間には、絶縁性樹脂材料からなる絶縁膜１６を形成する。このとき、絶縁膜１６は、スパイラルコイル１４，１５の内周側から外周側に向かって帯状に延び、スパイラルコイル１４，１５を部分的に覆う。
【００３４】
この状態で、再びスパッタリング等の微細加工を施すことによって、絶縁膜１６の表面側には、図８に示すように引出し用配線１７，１８を形成する。このとき、引出し用配線１７，１８の両端は、スパイラルコイル１４，１５の他端部１４Ｂ，１５Ｂと外部電極１２Ｂ，１３Ｂとにそれぞれ接続される。
【００３５】
最後に、図９に示すように基板１１の表面１１Ａには、全面に亘ってスパイラルコイル１４，１５等を覆う保護膜１９を形成する。
【００３６】
かくして、第１の参考例によるチップ型コイル部品１０は上述の製造方法によって形成されるものであり、図１に示すように高周波デバイス１，２間の信号線３，４に外部電極１２Ａ，１３Ａを接続すると共に、外部電極１２Ｂ，１３Ｂをアースに接続することによって高周波デバイス１，２間のインピーダンスマッチングをとることができる。
【００３７】
然るに、第１の参考例では、２個のスパイラルコイル１４，１５を基板１１の表面１１Ａ側に位置して同一平面上に設けたから、２個のスパイラルコイル１４，１５を基板１１上に一緒に形成することができる。このため、製造工程の相違によって２個のスパイラルコイル１４，１５のインダクタンス値がばらつくことがなく、スパイラルコイル１４，１５のインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。これにより、２本の信号線３，４を略等しい状態にマッチングさせることができるから、ノイズの混入を防ぎ、信号の伝送特性を向上させることができる。
【００３８】
また、第１の参考例では、単一平面をなす基板１１の表面１１Ａに２個のスパイラルコイル１４，１５を形成したから、例えば基板上に多数の層を積層してコイルを形成する積層型のコイル部品に比べて、厚さ方向に対するスパイラルコイル１４，１５のばらつきを少なくし、スパイラルコイル１４，１５のインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。
【００３９】
一方、従来技術のように２つのチップ型コイル部品を配置する場合には、各チップ型コイル部品毎に実装方向、実装位置にずれが生じることがあり、これによるインダクタンス値にばらつきが生じる傾向もあった。これに対し、第１の参考例では、単一のチップ型コイル部品１０に２個のスパイラルコイル１４，１５を備える構成としたから、チップ型コイル部品１０を取付けることによって２個のスパイラルコイル１４，１５を位置決めすることができ、実装方向、実装位置にずれによるインダクタンス値のばらつきをも防ぐことができる。
【００４０】
また、２個のスパイラルコイル１４，１５を単一の基板１１に形成したから、高周波デバイス１，２間に単一のチップ型コイル部品１０を配置すればよく、従来技術のように２つのチップ型コイル部品を配置する場合に比べてチップ型コイル部品１０による占有面積を小さくすることができる。このため、小形化が要求される携帯電話器等であっても容易に適用することができる。
【００４１】
さらに、高周波デバイス１，２間に単一のチップ型コイル部品１０を取付けるから、実装部品の点数を削減でき、製造コストを低減することができる。
【００４２】
また、２個のスパイラルコイル１４，１５を同一工法によって一緒に形成したから、製造工程の相違によるスパイラルコイル１４，１５の形状の相違をなくすことができる。
【００４３】
特に、第１の参考例では、スパイラルコイル１４，１５をスパッタリング、蒸着、フォトリソグラフィによる微細加工技術を用いて形成したから、スパイラルコイル１４，１５の膜厚をスパッタリング、蒸着によって略等しい値に設定できると共に、その平面形状（渦巻き形状）もフォトリソグラフィによって略等しい形状に設定できる。このため、スパイラルコイル１４，１５のインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。
【００４４】
次に、図１０ないし図１５は第２の参考例によるチップ型コイル部品を示し、第２の参考例の特徴は、基板の表面側には第１のスパイラルコイルを覆って絶縁膜を設け、該絶縁膜を挟んで絶縁膜の表面側には第１のスパイラルコイルと直列接続した第２のスパイラルコイルを設けたことにある。
【００４５】
２０は第２の参考例によるチップ型コイル部品で、該チップ型コイル部品２０は、後述の基板２１、外部電極２２Ａ〜２３Ｂ、第１のスパイラルコイル２４，２５、絶縁膜２６、第２のスパイラルコイル２７，２８、保護膜２９等によって構成されている。
【００４６】
２１はチップ型コイル部品２０の外形をなす基板で、該基板２１は、第１の参考例と同様に低誘電率な絶縁材料によって形成され、略長方形の板状に形成されている。
【００４７】
２２Ａ，２３Ａは基板２１の一側の長辺に２個設けられた外部電極、２２Ｂ，２３Ｂは基板２１の他側の長辺に２個設けられた他の外部電極をそれぞれ示し、外部電極２２Ａ，２３Ａには第１のスパイラルコイル２４，２５の一端部２４Ａ，２５Ａがそれぞれ接続され、外部電極２２Ｂ，２３Ｂには第２のスパイラルコイル２７，２８の他端部２７Ｂ，２８Ｂがそれぞれ接続されている。
【００４８】
２４，２５は基板２１の表面２１Ａに設けられた第１のスパイラルコイルで、該各スパイラルコイル２４，２５は、第１の参考例によるスパイラルコイル１４，１５と同様に微細加工技術を用いて一緒に形成されている。そして、スパイラルコイル２４，２５は、相互に同形、同大の形状をなし、外周側に位置する一端部２４Ａ，２５Ａから内周側に位置する他端部２４Ｂ，２５Ｂに向かって例えば略四角形の渦巻き形状をなしている。また、スパイラルコイル２４，２５は、その一端部２４Ａ，２５Ａが外部電極２２Ａ，２３Ａに接続され、その他端部２４Ｂ，２５Ｂが後述する第２のスパイラルコイル２７，２８に接続されている。
【００４９】
２６はスパイラルコイル２４，２５を覆って基板２１の表面２１Ａ全面に設けられた絶縁膜で、該絶縁膜２６は、低誘電率を有する絶縁性樹脂材料によって薄膜状に形成されている。また、絶縁膜２６には、スパイラルコイル２４，２５の他端部２４Ｂ，２５Ｂに対応する位置に貫通孔２６Ｂ，２６Ｂが設けられると共に、外部電極２２Ｂ，２３Ｂと対応する位置に貫通孔２６Ｃ，２６Ｃが設けられている。
【００５０】
２７，２８は基板２１との間に絶縁膜２６を挟み、絶縁膜２６の表面２６Ａに設けられた第２のスパイラルコイルで、該スパイラルコイル２７，２８は、微細加工技術を用いて一緒に形成され、相互に同形、同大の形状をなしている。また、第２のスパイラルコイル２７，２８は、第１のスパイラルコイル２４，２５と同一の巻線方向をなし、内周側に位置する一端部２７Ａ，２８Ａから外周側に位置する他端部２７Ｂ，２８Ｂに向かって例えば略四角形の渦巻き形状となっている。さらに、第２のスパイラルコイル２７，２８は、第１のスパイラルコイル２４，２５に重ね合わせた位置に設けられている。
【００５１】
また、スパイラルコイル２７，２８は、その一端部２７Ａ，２８Ａが貫通孔２６Ｂを通じて第１のスパイラルコイル２４，２５の他端部２４Ｂ，２５Ｂに接続され、その他端部２７Ｂ，２８Ｂが貫通孔２６Ｃを通じて外部電極２２Ｂ，２３Ｂに接続されている。これにより、第２のスパイラルコイル２７，２８は、第１のスパイラルコイル２４，２５に直列接続され、これらに発生する磁束を増加させ、インダクタンス値を増加させている。
【００５２】
２９は第２のスパイラルコイル２７，２８を覆って絶縁膜２６の表面２６Ａ全面に形成された保護膜で、該保護膜２９は、第１の参考例による保護膜１９と同様にポリイミド等の絶縁性樹脂材料によって薄膜状に形成されている。
【００５３】
第２の参考例によるチップ型コイル部品２０は上述の如き構成を有するもので、次にその製造方法について図１２ないし図１５を参照しつつ説明する。
【００５４】
まず、第１の参考例と同様に基板２１の外周側に外部電極２２Ａ〜２３Ｂを設ける。そして、図１２に示すように基板２１の表面２１Ａには、微細加工技術として第１の参考例に係る図５の場合と同様にスパッタリング、真空蒸着等によって金属薄膜（図示せず）を形成した後、該金属薄膜をフォトリソグラフィによって形成したマスクを用いてエッチング処理を施すことによって、第１のスパイラルコイル２４，２５を形成する。このとき、スパイラルコイル２４，２５の一端部２４Ａ，２５Ａは外部電極２２Ａ，２３Ａに接続する。
【００５５】
次に、図１３に示すように基板２１にはスパイラルコイル２４，２５を覆って絶縁膜２６を形成する。このとき、絶縁膜２６には、スパイラルコイル２４，２５の他端部２４Ｂ，２５Ｂに対応した位置にそれぞれ貫通孔２６Ｂを設けると共に、外部電極２２Ｂ，２３Ｂと対応した位置にそれぞれ貫通孔２６Ｃを設ける。
【００５６】
この状態で、図１４に示すように絶縁膜２６の表面２６Ａには、微細加工技術として第１の参考例に係る図５の場合と同様にスパッタリング、真空蒸着等によって金属薄膜（図示せず）を形成した後、該金属薄膜をフォトリソグラフィによって形成したマスクを用いてエッチング処理を施すことによって、第２のスパイラルコイル２７，２８を形成する。このとき、スパイラルコイル２７，２８は、その一端部２７Ａ，２８Ａが貫通孔２６Ｂを通じて第１のスパイラルコイル２４，２５の他端部２４Ｂ，２５Ｂに接続し、その他端部２７Ｂ，２８Ｂが貫通孔２６Ｃを通じて外部電極２２Ｂ，２３Ｂに接続する。
【００５７】
最後に、絶縁膜２６の表面２６Ａには、図１５に示すようにその全面に亘って第２のスパイラルコイル２７，２８を覆う保護膜２９を形成する。
【００５８】
かくして、第２の参考例でも第１の参考例と同様の作用効果を得ることができる。しかし、第２の参考例では、基板２１の表面２１Ａ側には絶縁膜２６を挟んで第１のスパイラルコイル２４，２５と直列接続した第２のスパイラルコイル２７，２８を設けたから、第１のスパイラルコイル２４，２５と第２のスパイラルコイル２７，２８とによって発生する磁束を増加でき、これらによるインダクタンス値を増加させることができる。このため、第１のスパイラルコイル２４，２５ではインダクタンス値が不足する場合でも、第２のスパイラルコイル２７，２８を接続し、容易に必要なインダクタンス値を設定することができる。
【００５９】
また、第１のスパイラルコイル２４，２５は微細加工技術を用いて一緒に形成すると共に、第２のスパイラルコイル２７，２８も微細加工技術を用いて一緒に形成する。このため、第１のスパイラルコイル２４，２５のインダクタンス値を略等しい値に設定できると共に、第２のスパイラルコイル２７，２８のインダクタンス値も略等しい値に設定することができる。このため、第１，第２のスパイラルコイル２４，２７による合成インダクタンス値と第１，第２のスパイラルコイル２５，２８による合成インダクタンス値とを略等しい値に設定できる。
【００６０】
なお、第２の参考例では第１のスパイラルコイル２４，２５と第２のスパイラルコイル２７，２８とを２層重ね合わせる構成としたが、３層以上のスパイラルコイルを重ね合わせる構成としてもよい。
【００６１】
次に、図１６は第３の参考例によるチップ型コイル部品を示し、第３の参考例の特徴は、相互に隣合う２個のスパイラルコイルの巻線部分を非平行に配置する構成したことにある。
【００６２】
３０は第３の参考例によるチップ型コイル部品で、該チップ型コイル部品３０は、第１の参考例によるチップ型コイル部品１０と同様に基板３１に４個の外部電極３２Ａ〜３３Ｂを設けた状態で、後述のスパイラルコイル３４，３５、絶縁膜３６、引出し用配線３７，３８等を形成することによって構成されている。
【００６３】
３４，３５は基板３１の表面３１Ａに設けられたスパイラルコイルで、該各スパイラルコイル３４，３５は、第１の参考例によるスパイラルコイル１４，１５と同様に微細加工技術を用いて形成され、相互に同形、同大の形状をなすと共に、外周側に位置する一端部３４Ａ，３５Ａから内周側に位置する他端部３４Ｂ，３５Ｂに向かって例えば略四角形（菱形）の渦巻き形状をなしている。また、スパイラルコイル３４，３５の表面側には絶縁膜３６を挟んで引出し用配線３７，３８が設けられている。そして、スパイラルコイル３４，３５は、その一端部３４Ａ，３５Ａが外部電極３２Ａ，３３Ａに接続され、その他端部３４Ｂ，３５Ｂが引出し用配線３７，３８を介して外部電極３２Ｂ，３３Ｂに接続されている。また、スパイラルコイル３４，３５等は絶縁性樹脂材料からなる保護膜（図示せず）によって覆われている。
【００６４】
一方、四角形状をなすスパイラルコイル３４，３５は互いにその角部３４Ｄ，３５Ｄが接近した状態で配置されている。このため、スパイラルコイル３４，３５のうち最外周側に位置して相互に隣合う巻線部分３４Ｃ，３５Ｃは、互いに非平行な状態で配置され、角部３４Ｄ，３５Ｄを挟んでＬ字状に屈曲して互いに離れる方向に向けて延びている。これにより、巻線部分３４Ｃ，３５Ｃは、接近した状態で平行に延伸する部分がなく、相互間の距離が広がっている。
【００６５】
かくして、第３の参考例でも第１の参考例と同様の作用効果を得ることができる。しかし、第３の参考例では、相互に隣合うスパイラルコイル３４，３５の巻線部分３４Ｃ，３５Ｃは、互いに接近して配置された角部３４Ｄ，３５Ｄを有し、該角部３４Ｄ，３５Ｄを挟んでＬ字状に屈曲して互いに離れる方向に向けて延びる構成としたから、相互の辺部分が平行に延伸した場合に比べて、スパイラルコイル３４，３５間の磁気結合、静電結合を抑制することができ、スパイラルコイル３４，３５間のクロストークを低減できる。また、スパイラルコイル３４，３５間の磁気結合等によるインダクタンス値のばらつきを低減できるから、スパイラルコイル３４，３５のインダクタンス値を略等しい値にすることができる。
【００６６】
次に、図１７および図１８は実施の形態によるチップ型コイル部品を示し、本実施の形態の特徴は、基板には各スパイラルコイルに対応して２個の入出力電極と１個の接地電極とを設け、前記各スパイラルコイルは、その一端部を接続配線を用いて前記２個の入出力電極間に接続し、他端部を前記接地電極に接続する構成としたことにある。
【００６７】
４０は信号線３，４の途中に接続されたチップ型コイル部品で、該チップ型コイル部品４０は、後述の基板４１、入出力電極４２Ａ〜４３Ｂ、接地電極４４，４５、接続配線４６，４７、スパイラルコイル４８，４９、絶縁膜５０、引出し用配線５１，５２、保護膜（図示せず）等によって構成されている。
【００６８】
４１はチップ型コイル部品４０の外形をなす基板で、該基板４１は、第１の参考例と同様に低誘電率な絶縁材料によって形成され、略長方形の板状に形成されている。
【００６９】
４２Ａ，４２Ｂ，４３Ａ，４３Ｂは２個のスパイラルコイル４８，４９に対応して、２個ずつ合計４個設けられた入出力電極で、該入出力電極４２Ａ，４３Ａは基板４１の一側の長辺に２個配置され、他の入出力電極４２Ｂ，４３Ｂは基板４１の他側の長辺に２個配置されている。また、入出力電極４２Ａ，４２Ｂには接続配線４６の両端側が接続され、入出力電極４３Ａ，４３Ｂには接続配線４７の両端側が接続されている。これら２本の接続配線４６，４７は、基板４１を図１７中の縦方向に横切って直線状に延びると共に、隣合う位置で互いに平行に配置されている。そして、入出力電極４２Ａ〜４３Ｂは、信号線３，４に接続され、スパイラルコイル４８，４９に対して高周波デバイス１，２間の信号を入出力するものである。
【００７０】
４４，４５は２個のスパイラルコイル４８，４９に対応して、１個ずつ合計２個設けられた接地電極で、該接地電極４４，４５は、基板４１の短辺に１個ずつ配置されている。そして、接地電極４４，４５にはスパイラルコイル４８，４９の他端側が接続されると共に、実装基板（図示せず）を通じて接地されるものである。
【００７１】
４６，４７は入出力電極４２Ａ，４３Ａと入出力電極４２Ｂ，４３Ｂとの間を接続する接続配線で、該接続配線４６，４７は、微細加工技術を用いることによってスパイラルコイル４８，４９と一緒に基板４１の表面４１Ａに形成される。また、接続配線４６，４７は、基板４１を横切って直線状に延びると共に、互いに平行に配置されている。
【００７２】
４８，４９は基板４１の表面４１Ａに設けられたスパイラルコイルで、該各スパイラルコイル４８，４９は、基板４１のうち２本の接続配線４６，４７を挟んで図１７中の横方向の両側位置にそれぞれ配置され、接続配線４６，４７と接地電極４４，４５との間にそれぞれ配置されている。また、スパイラルコイル４８，４９は、第１の参考例によるスパイラルコイル１４，１５と同様に微細加工技術を用いて形成され、相互に同形、同大の形状をなすと共に、外周側に位置する一端から内周側に位置する他端に向かって例えば略四角形の渦巻き形状をなしている。そして、スパイラルコイル４８，４９は、その一端部４８Ａ，４９Ａが接続配線４６，４７を用いて入出力電極４２Ａ，４２Ｂと入出力電極４３Ａ，４３Ｂとに接続され、その他端部４８Ｂ，４９Ｂが後述の引出し用配線５１，５２に接続されている。このとき、２個のスパイラルコイル４８，４９は、２本の接続配線４６，４７にそれぞれ接続された状態を含めて互いに対称な形状に形成されている。
【００７３】
５０，５０はスパイラルコイル４８，４９を部分的に覆う絶縁膜で、該絶縁膜５０は、絶縁性樹脂材料によって略四角形の薄膜状に形成されている。そして、絶縁膜５０は、スパイラルコイル４８，４９の他端部４８Ｂ，４９Ｂと接地電極４４，４５との間に位置し、これらの間を横切るスパイラルコイル４８，４９を覆っている。
【００７４】
５１，５２はスパイラルコイル４８，４９の他端部４８Ｂ，４９Ｂと接地電極４４，４５との間に直線状に延伸して設けられた引出し用配線で、該引出し用配線５１，５２は、導電性金属材料による金属薄膜からなり、絶縁膜５０の表面にスパイラルコイル４８，４９と同様の微細加工を施すことによって形成されている。また、基板４１の表面４１Ａには全面に亘って保護膜（図示せず）が設けられ、該保護膜によって引出し用配線５１，５２等は覆われている。
【００７５】
かくして、本実施の形態でも第１の参考例と同様の作用効果を得ることができる。しかし、本実施の形態では、スパイラルコイル４８，４９の一端部４８Ａ，４９Ａを接続配線４６，４７を用いて入出力電極４２Ａ〜４３Ｂに接続し、他端部４８Ｂ，４９Ｂを接地電極４４，４５に接続したから、信号線３，４に入出力電極４２Ａ〜４３Ｂを接続し、接地電極４４，４５をアースに接続することによって、容易に高周波デバイス１，２間のマッチングをとることができる。
【００７６】
また、入出力電極４２Ａ，４３Ａと入出力電極４２Ｂ，４３Ｂとは接続配線４６，４７によって接続する構成としたから、信号線３，４に入出力電極４２Ａ〜４３Ｂを接続したときには、接続配線４６，４７を通じて高周波デバイス１，２間の信号を伝送することができる。このため、高周波デバイス１，２間を接続するワイヤボンディング等を別途設ける必要がなく、高周波デバイス１，２間に容易にチップ型コイル部品４０を取付けることができる。
【００７７】
なお、前記実施の形態では基板４１に２個のスパイラルコイル４８，４９を設けた場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限らず、基板の表面に３個以上のスパイラルコイルを形成する構成としてもよい。また、前記実施の形態のチップ型コイル部品は、第１の参考例と同様の製造方法を用いて形成してもよい。
【００７８】
また、前記実施の形態では、２個のスパイラルコイル４８，４９に対応して２つの絶縁膜５０を設けるものとしたが、第２の参考例と同様に単一の絶縁膜を用いる構成としてもよい。この場合、第２の参考例と同様に、基板の表面側には第１のスパイラルコイルを覆って絶縁膜を設け、該絶縁膜を挟んで絶縁膜の表面側には第１のスパイラルコイルと直列接続した第２のスパイラルコイルを設ける構成としてもよく、第２の参考例と同様の製造方法を用いて形成してもよい。さらに、第３の参考例と同様に、相互に隣合う２個のスパイラルコイルの巻線部分を非平行に配置する構成としてもよい。
【００７９】
【発明の効果】
以上詳述した如く、請求項１の発明によれば、スパイラルコイルを基板の表面側に位置して同一平面上に複数個設けたから、製造工程の相違によるスパイラルコイルのインダクタンス値のばらつきを抑制することができ、基板上に設けた複数個のスパイラルコイルのインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。このため、例えばチップ型コイル部品をインピーダンスマッチング用としてバランス方式の２本の信号線に接続するときには、２本の信号線で略等しい状態にマッチングさせることができ、ノイズの混入を防ぎ、信号の伝送特性を向上させることができる。
【００８０】
また、単一のチップ型コイル部品に複数個のスパイラルコイルを備える構成としたから、チップ型コイル部品を取付けることによって複数個のスパイラルコイルを位置決めすることができ、実装方向、実装位置にずれによるインダクタンス値のばらつきをも防ぐことができる。
【００８１】
さらに、複数個のスパイラルコイルを単一の基板に形成したから、高周波デバイス間に単一のチップ型コイル部品を配置することによって複数の信号線のマッチングをとることができる。このため、従来技術のように別々のチップ型コイル部品を複数個配置する場合に比べてチップ型コイル部品による占有面積を小さくすることができ、小形化が要求される携帯電話器等であっても容易に適用することができる。また、高周波デバイス間に単一のチップ型コイル部品を取付けるから、実装部品の点数を削減でき、製造コストを低減することができる。
【００８２】
また、基板には両端側に入出力端子が接続された複数本の接続配線を設けると共に、複数個のスパイラルコイルは、その一端側を互いに異なる接続配線に接続し、他端側を互いに異なる接地端子に接続する構成とした。このため、例えばチップ型コイル部品をインピーダンスマッチング用として高周波デバイス間の信号線に接続するときでも、信号線の途中に入出力端子をそれぞれ接続し、接地端子をアースに接続することによって容易にインピーダンスマッチングをとることができる。また、接続配線を通じて信号を伝送することができるから、信号伝送用のワイヤボンディング等を別途設ける必要がなく、生産性を向上させ、製造コストを低減することができる。
【００８３】
請求項２の発明によれば、複数個のスパイラルコイルは同一工法によって一緒に形成する構成としたから、製造工法、製造条件によるインダクタンス値のばらつきを防ぎ、これら複数個のスパイラルコイルのインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。
【００８４】
請求項３の発明によれば、複数個のスパイラルコイルのうち相互に隣合う２個のスパイラルコイルの巻線部分は、互いに接近して配置された角部を有し、該角部を挟んでＬ字状に屈曲して互いに離れる方向に向けて延びる構成としたから、隣合う２個のスパイラルコイル間での磁気結合、静電結合を抑制でき、これらのスパイラルコイル間のクロストークを低減できると共に、磁気結合等に伴うインダクタンスのばらつきを低減できる。
【００８５】
請求項４の発明によれば、基板の表面側には複数個のスパイラルコイルを覆って絶縁膜を設け、該絶縁膜を挟んで該絶縁膜の表面側には前記各スパイラルコイルと直列接続した他のスパイラルコイルを設けたから、各スパイラルコイル等によって発生する磁束を増加させ、これらのインダクタンス値を増加させることができる。
【００８６】
請求項５の発明によれば、複数個のスパイラルコイルは、スパッタリングまたは蒸着によって金属薄膜を形成し、フォトリソグラフィを用いて該金属薄膜の平面形状を成形することによって一緒に形成した。これにより、スパッタリングまたは蒸着によって複数個のスパイラルコイルの膜厚を略等しい値に設定でき、フォトリソグラフィによって複数個のスパイラルコイルの平面形状を略等しい形状に設定できる。このため、複数個のスパイラルコイルのインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。
【００８７】
請求項６の発明によれば、基板には、バランス方式により互いに逆位相の信号を伝送するために当該基板を横切って直線状に延びると共に互いに平行に配置された２本の接続配線と、互いに異なる接続配線に接続された２個のスパイラルコイルとを設けた。このため、請求項６の発明でも、請求項１の発明と同様の効果を得ることができる。
【００８８】
また、請求項７の発明のように、２個のスパイラルコイルは、２本の接続配線にそれぞれ接続された状態を含めて互いに対称な形状に形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の参考例によるチップ型コイル部品を高周波デバイスに接続した状態を示す電気回路図である。
【図２】 第１の参考例によるチップ型コイル部品を示す斜視図である。
【図３】 チップ型コイル部品を図２中の矢示III−III方向からみた断面図である。
【図４】 基板に外部電極を取付けた状態を示す平面図である。
【図５】 基板に金属薄膜を形成した状態を示す平面図である。
【図６】 基板にスパイラルコイルを形成した状態を示す平面図である。
【図７】 基板にスパイラルコイルの一部を覆って絶縁膜を形成した状態を示す平面図である。
【図８】 絶縁膜を挟んで基板に引出し用配線を形成した状態を示す平面図である。
【図９】 スパイラルコイル等を覆って基板に保護膜を形成した状態を示す平面図である。
【図１０】 第２の参考例によるチップ型コイル部品を絶縁膜の位置で分解した状態で示す分解斜視図である。
【図１１】 チップ型コイル部品を図３と同様の位置からみた断面図である。
【図１２】 基板に第１のスパイラルコイルを形成した状態を示す平面図である。
【図１３】 基板全面に第１のスパイラルコイルを覆って絶縁膜を形成した状態を示す平面図である。
【図１４】 絶縁膜の表面に第２のスパイラルコイルを形成した状態を示す平面図である。
【図１５】 第２のスパイラルコイル等を覆って基板に保護膜を形成した状態を示す平面図である。
【図１６】 第３の参考例によるチップ型コイル部品を保護膜を省いた状態で示す平面図である。
【図１７】 本発明の実施の形態によるチップ型コイル部品を保護膜を省いた状態で示す平面図である。
【図１８】 実施の形態によるチップ型コイル部品を高周波デバイスに接続した状態を示す電気回路図である。
【図１９】 従来技術によるチップ型コイル部品を高周波デバイスに接続した状態を示す電気回路図である。
【符号の説明】
１０，２０，３０，４０ チップ型コイル部品
１１，２１，３１，４１ 基板
１４，１５，３４，３５，４８，４９ スパイラルコイル
２４，２５ 第１のスパイラルコイル
２６ 絶縁膜
２７，２８ 第２のスパイラルコイル（他のスパイラルコイル）
４２Ａ，４２Ｂ，４３Ａ，４３Ｂ 入出力電極（入出力端子）
４４，４５ 接地電極（接地端子）
４６，４７ 接続配線
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上にスパイラルコイルが形成されたチップ型コイル部品に関し、特に、携帯電話等の高周波数デバイス間のインピーダンスマッチングをとるために用いて好適なチップ型コイル部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、チップ型コイル部品として基板上に渦巻き状のスパイラルコイルを設けたものが知られている。また、近年、高周波信号の処理を行う高周波デバイスでは、図１９に示すように外部ノイズの影響低減、伝送損失の低減を目的として２つの高周波デバイス１，２を２本の信号線３，４によって接続し、この信号線３，４を用いて互いに逆位相の信号を伝送させるバランス方式と呼ばれる伝送方式が用いられている。
【０００３】
そして、従来技術では、各信号線３，４に単体のチップ型コイル部品５，６、コンデンサ部品７，８等をそれぞれ接続し、２つの高周波デバイス１，２間のインピーダンスマッチングをとっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来技術による２つのチップ型コイル部品５，６を信号線３，４に接続する場合、高周波デバイス１，２等を実装する実装基板上に各チップ型コイル部品５，６を接続するための実装ランドを設ける必要があり、これらのチップ型コイル部品５，６が占める占有面積が大きくなるという問題があった。
【０００５】
また、信号線３，４には単体のチップ型コイル部品５，６をそれぞれ接続するため、製造誤差等によってチップ型コイル部品５，６との間でインダクタンス値がばらつく傾向があった。このため、このようなインダクタンス値のばらつきによって信号線３と信号線４とではマッチングが崩れ、各信号線３，４に異なる信号が伝送されることによる伝送特性の劣化や不要なノイズの混入を招くという問題もあった。
【０００６】
さらに、２つの高周波デバイス１，２を接続する場合に２つのチップ型コイル部品５，６を設ける必要があるから、多数の高周波デバイスを接続する場合には実装部品が増加し、製造コストが増大するという問題もあった。
【０００７】
本発明は上述した課題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、インダクタンス値のばらつきを低減できると共に、占有面積を少なくし、製造コストを低減することができるチップ型コイル部品を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために請求項１の発明は、基板と、該基板の表面側に設けたスパイラルコイルとからなるチップ型コイル部品において、前記基板には、当該基板を横切って直線状に延びると共に互いに平行に配置された複数本の接続配線と、該各接続配線の両端側にそれぞれ接続された入出力端子と、接地するための複数個の接地端子とを設け、前記スパイラルコイルは、前記基板の表面側に位置して同一平面上に複数個設け、該複数個のスパイラルコイルは、その一端側を互いに異なる前記接続配線に接続し、他端側を互いに異なる前記接地端子に接続する構成としたことを特徴としている。
【０００９】
このように構成したことにより、複数のスパイラルコイルを基板表面側の同一平面上に一緒に形成することができる。このため、製造工程の相違によるスパイラルコイルのインダクタンス値のばらつきを抑制することができ、基板上に設けた複数のスパイラルコイルのインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。
【００１０】
また、基板を横切って直線状に延びる接続線路を設け、該接続線路にスパイラルコイルを接続する構成としたから、例えばチップ型コイル部品をインピーダンスマッチング用として高周波デバイス間の信号線に接続するときでも、信号線の途中に入出力端子をそれぞれ接続し、２個の入出力端子間に設けた接続配線を通じて信号を伝送することができる。
【００１１】
請求項２の発明は、複数個のスパイラルコイルは同一工法によって一緒に形成する構成としたことにある。
【００１２】
これにより、基板上には同一工法によって複数個のスパイラルコイルを一緒に形成することができ、これら複数個のスパイラルコイルのインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。
【００１３】
請求項３の発明では、複数個のスパイラルコイルのうち相互に隣合う２個のスパイラルコイルの巻線部分は、互いに接近して配置された角部を有し、該角部を挟んでＬ字状に屈曲して互いに離れる方向に向けて延びる構成としている。
【００１４】
これにより、隣合う２個のスパイラルコイル間での磁気結合、静電結合を抑制でき、これらのスパイラルコイル間のクロストークを低減できると共に、磁気結合等に伴うインダクタンスのばらつきを低減することができる。
【００１５】
請求項４の発明は、基板の表面側には前記複数個のスパイラルコイルを覆って絶縁膜を設け、該絶縁膜を挟んで該絶縁膜の表面側には前記各スパイラルコイルと直列接続した他のスパイラルコイルを設け、該他のスパイラルコイルを介して前記各スパイラルコイルの他端側を前記各接地端子に接続する構成としたことにある。
【００１６】
これにより、各スパイラルコイルには他のスパイラルコイルを直列接続し、これらのインダクタンス値を増加させることができる。
【００１７】
請求項５の発明は、複数個のスパイラルコイルは、スパッタリングまたは蒸着によって金属薄膜を形成し、フォトリソグラフィを用いて該金属薄膜の平面形状を成形することによって一緒に形成したことにある。
【００１８】
これにより、複数個のスパイラルコイルは、スパッタリング、蒸着によってその膜厚を略等しい値に設定でき、フォトリソグラフィによってその平面形状を略等しい形状に設定できる。このため、複数個のスパイラルコイルのインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。
【００１９】
請求項６の発明は、基板と、バランス方式により互いに逆位相の信号を伝送するために該基板に設けられ該基板を横切って直線状に延びると共に互いに平行に配置された２本の接続配線と、前記基板に設けられ該各接続配線の両端側にそれぞれ接続された入出力端子と、接地するために前記基板に設けられた２個の接地端子と、前記基板の表面側に位置して同一平面上に設けられた２個のスパイラルコイルとを備え、前記２個のスパイラルコイルは、前記２本の接続配線を挟んだ両側位置にそれぞれ配置され、その一端側を互いに異なる前記接続配線に接続し、他端側を互いに異なる前記接地端子に接続する構成としている。
【００２０】
請求項７の発明は、２個のスパイラルコイルは、２本の接続配線にそれぞれ接続された状態を含めて互いに対称な形状に形成したことにある。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明によるチップ型コイル部品として基板に２個のスパイラルコイルを設けた場合を例に挙げ、添付図面に従って詳細に説明する。なお、以下に示す各参考例および実施の形態では従来技術と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【００２２】
まず、図１ないし図９は第１の参考例によるチップ型コイル部品を示し、図において、１０は信号線３，４の途中に接続されたチップ型コイル部品で、該チップ型コイル部品１０は、後述の基板１１、外部電極１２Ａ〜１３Ｂ、スパイラルコイル１４，１５、絶縁膜１６、引出し用配線１７，１８、保護膜１９によって構成されている。
【００２３】
１１はチップ型コイル部品１０の外形をなす基板で、該基板１１は、例えばアルミナ系セラミックス、ガラス等の低誘電率な絶縁材料によって形成され、略長方形の板状に形成されている。
【００２４】
１２Ａ，１３Ａは長方形状をなす基板１１の一側の長辺に２個設けられた外部電極、１２Ｂ，１３Ｂは同じく基板１１の他側の長辺に２個設けられた他の外部電極をそれぞれ示し、該各外部電極１２Ａ〜１３Ｂは基板１１の端面（側面）から表面１１Ａに亘って形成されている。そして、外部電極１２Ａ，１２Ｂにはスパイラルコイル１４の両端側が接続され、外部電極１３Ａ，１３Ｂにはスパイラルコイル１５の両端側が接続されている。
【００２５】
１４，１５は基板１１の表面１１Ａに設けられたスパイラルコイルで、該各スパイラルコイル１４，１５は、微細加工技術としてスパッタリング、蒸着等によって形成された導電性金属材料による金属薄膜をフォトリソグラフィ等によって形成されたマスクを用いてエッチング処理を施すことによってアレイ状に形成されている。
【００２６】
そして、スパイラルコイル１４，１５は、相互に同形、同大の形状をなし、外周側に位置する一端部１４Ａ，１５Ａから内周側に位置する他端部１４Ｂ，１５Ｂに向かって例えば略四角形の渦巻き形状をなしている。また、スパイラルコイル１４，１５は、その一端部１４Ａ，１５Ａが外部電極１２Ａ，１３Ａに接続され、その他端部１４Ｂ，１５Ｂが後述の引出し用配線１７，１８に接続されている。
【００２７】
１６，１６はスパイラルコイル１４，１５を部分的に覆う絶縁膜で、該各絶縁膜１６は、スパイラルコイル１４，１５の他端部１４Ｂ，１５Ｂと外部電極１２Ｂ，１３Ｂとの間に位置し、これらの間を横切るスパイラルコイル１４，１５を覆っている。そして、絶縁膜１６は、ポリイミド等の低誘電率を有する絶縁性樹脂材料によって略四角形の薄膜状に形成され、その表面側に設けられる引出し用配線１７，１８とスパイラルコイル１４，１５との間を電気的に絶縁している。
【００２８】
１７，１８はスパイラルコイル１４，１５の他端部１４Ｂ，１５Ｂと外部電極１２Ｂ，１３Ｂとの間に直線状に延伸して設けられた引出し用配線で、該引出し用配線１７，１８は、導電性金属材料による金属薄膜からなり、絶縁膜１６の表面にスパイラルコイル１４等と同様の微細加工を施すことによって形成されている。そして、引出し用配線１７，１８は、スパイラルコイル１４，１５の他端部１４Ｂ，１５Ｂと外部電極１２Ｂ，１３Ｂとの間を電気的に接続している。
【００２９】
１９はスパイラルコイル１４，１５、引出し用配線１７，１８等を覆って基板１１の表面１１Ａ全面に形成された保護膜で、該保護膜１９は、ポリイミド等の絶縁性樹脂材料によって薄膜状に形成されている。そして、保護膜１９は、外部応力からスパイラルコイル１４，１５等を保護すると共に、スパイラルコイル１４，１５等の損傷を防ぎ、信頼性を向上させている。また、保護膜１９の誘電率は低い値に設定され、各スパイラルコイル１４，１５内で発生する浮遊容量を抑制している。
【００３０】
第１の参考例によるチップ型コイル部品１０は上述の如き構成を有するもので、次にその製造方法について図４ないし図９を参照しつつ説明する。
【００３１】
まず、図４に示すように基板１１の外周側に外部電極１２Ａ〜１３Ｂを設ける。次に、図５に示すように基板１１の表面１１Ａには、スパッタリング、真空蒸着等によって導電性金属材料からなる金属薄膜Ｍを全面に亘って形成する。
【００３２】
次に、金属薄膜Ｍの表面にフォトレジストを塗布すると共に、フォトリソグラフィを用いて外部電極１２Ａ〜１３Ｂ、スパイラルコイル１４，１５と同形状のマスクを形成する。この状態で、エッチング処理を施すことによって、基板１１の表面１１Ａには、図６に示すように２個のスパイラルコイル１４，１５を同一工法によって一緒に形成する。このとき、スパイラルコイル１４，１５の一端部１４Ａ，１５Ａは、外部電極１２Ａ，１３Ａに接続される。
【００３３】
その後、図７に示すようにスパイラルコイル１４，１５の他端部１４Ｂ，１５Ｂと外部電極１２Ｂ，１３Ｂとの間には、絶縁性樹脂材料からなる絶縁膜１６を形成する。このとき、絶縁膜１６は、スパイラルコイル１４，１５の内周側から外周側に向かって帯状に延び、スパイラルコイル１４，１５を部分的に覆う。
【００３４】
この状態で、再びスパッタリング等の微細加工を施すことによって、絶縁膜１６の表面側には、図８に示すように引出し用配線１７，１８を形成する。このとき、引出し用配線１７，１８の両端は、スパイラルコイル１４，１５の他端部１４Ｂ，１５Ｂと外部電極１２Ｂ，１３Ｂとにそれぞれ接続される。
【００３５】
最後に、図９に示すように基板１１の表面１１Ａには、全面に亘ってスパイラルコイル１４，１５等を覆う保護膜１９を形成する。
【００３６】
かくして、第１の参考例によるチップ型コイル部品１０は上述の製造方法によって形成されるものであり、図１に示すように高周波デバイス１，２間の信号線３，４に外部電極１２Ａ，１３Ａを接続すると共に、外部電極１２Ｂ，１３Ｂをアースに接続することによって高周波デバイス１，２間のインピーダンスマッチングをとることができる。
【００３７】
然るに、第１の参考例では、２個のスパイラルコイル１４，１５を基板１１の表面１１Ａ側に位置して同一平面上に設けたから、２個のスパイラルコイル１４，１５を基板１１上に一緒に形成することができる。このため、製造工程の相違によって２個のスパイラルコイル１４，１５のインダクタンス値がばらつくことがなく、スパイラルコイル１４，１５のインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。これにより、２本の信号線３，４を略等しい状態にマッチングさせることができるから、ノイズの混入を防ぎ、信号の伝送特性を向上させることができる。
【００３８】
また、第１の参考例では、単一平面をなす基板１１の表面１１Ａに２個のスパイラルコイル１４，１５を形成したから、例えば基板上に多数の層を積層してコイルを形成する積層型のコイル部品に比べて、厚さ方向に対するスパイラルコイル１４，１５のばらつきを少なくし、スパイラルコイル１４，１５のインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。
【００３９】
一方、従来技術のように２つのチップ型コイル部品を配置する場合には、各チップ型コイル部品毎に実装方向、実装位置にずれが生じることがあり、これによるインダクタンス値にばらつきが生じる傾向もあった。これに対し、第１の参考例では、単一のチップ型コイル部品１０に２個のスパイラルコイル１４，１５を備える構成としたから、チップ型コイル部品１０を取付けることによって２個のスパイラルコイル１４，１５を位置決めすることができ、実装方向、実装位置にずれによるインダクタンス値のばらつきをも防ぐことができる。
【００４０】
また、２個のスパイラルコイル１４，１５を単一の基板１１に形成したから、高周波デバイス１，２間に単一のチップ型コイル部品１０を配置すればよく、従来技術のように２つのチップ型コイル部品を配置する場合に比べてチップ型コイル部品１０による占有面積を小さくすることができる。このため、小形化が要求される携帯電話器等であっても容易に適用することができる。
【００４１】
さらに、高周波デバイス１，２間に単一のチップ型コイル部品１０を取付けるから、実装部品の点数を削減でき、製造コストを低減することができる。
【００４２】
また、２個のスパイラルコイル１４，１５を同一工法によって一緒に形成したから、製造工程の相違によるスパイラルコイル１４，１５の形状の相違をなくすことができる。
【００４３】
特に、第１の参考例では、スパイラルコイル１４，１５をスパッタリング、蒸着、フォトリソグラフィによる微細加工技術を用いて形成したから、スパイラルコイル１４，１５の膜厚をスパッタリング、蒸着によって略等しい値に設定できると共に、その平面形状（渦巻き形状）もフォトリソグラフィによって略等しい形状に設定できる。このため、スパイラルコイル１４，１５のインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。
【００４４】
次に、図１０ないし図１５は第２の参考例によるチップ型コイル部品を示し、第２の参考例の特徴は、基板の表面側には第１のスパイラルコイルを覆って絶縁膜を設け、該絶縁膜を挟んで絶縁膜の表面側には第１のスパイラルコイルと直列接続した第２のスパイラルコイルを設けたことにある。
【００４５】
２０は第２の参考例によるチップ型コイル部品で、該チップ型コイル部品２０は、後述の基板２１、外部電極２２Ａ〜２３Ｂ、第１のスパイラルコイル２４，２５、絶縁膜２６、第２のスパイラルコイル２７，２８、保護膜２９等によって構成されている。
【００４６】
２１はチップ型コイル部品２０の外形をなす基板で、該基板２１は、第１の参考例と同様に低誘電率な絶縁材料によって形成され、略長方形の板状に形成されている。
【００４７】
２２Ａ，２３Ａは基板２１の一側の長辺に２個設けられた外部電極、２２Ｂ，２３Ｂは基板２１の他側の長辺に２個設けられた他の外部電極をそれぞれ示し、外部電極２２Ａ，２３Ａには第１のスパイラルコイル２４，２５の一端部２４Ａ，２５Ａがそれぞれ接続され、外部電極２２Ｂ，２３Ｂには第２のスパイラルコイル２７，２８の他端部２７Ｂ，２８Ｂがそれぞれ接続されている。
【００４８】
２４，２５は基板２１の表面２１Ａに設けられた第１のスパイラルコイルで、該各スパイラルコイル２４，２５は、第１の参考例によるスパイラルコイル１４，１５と同様に微細加工技術を用いて一緒に形成されている。そして、スパイラルコイル２４，２５は、相互に同形、同大の形状をなし、外周側に位置する一端部２４Ａ，２５Ａから内周側に位置する他端部２４Ｂ，２５Ｂに向かって例えば略四角形の渦巻き形状をなしている。また、スパイラルコイル２４，２５は、その一端部２４Ａ，２５Ａが外部電極２２Ａ，２３Ａに接続され、その他端部２４Ｂ，２５Ｂが後述する第２のスパイラルコイル２７，２８に接続されている。
【００４９】
２６はスパイラルコイル２４，２５を覆って基板２１の表面２１Ａ全面に設けられた絶縁膜で、該絶縁膜２６は、低誘電率を有する絶縁性樹脂材料によって薄膜状に形成されている。また、絶縁膜２６には、スパイラルコイル２４，２５の他端部２４Ｂ，２５Ｂに対応する位置に貫通孔２６Ｂ，２６Ｂが設けられると共に、外部電極２２Ｂ，２３Ｂと対応する位置に貫通孔２６Ｃ，２６Ｃが設けられている。
【００５０】
２７，２８は基板２１との間に絶縁膜２６を挟み、絶縁膜２６の表面２６Ａに設けられた第２のスパイラルコイルで、該スパイラルコイル２７，２８は、微細加工技術を用いて一緒に形成され、相互に同形、同大の形状をなしている。また、第２のスパイラルコイル２７，２８は、第１のスパイラルコイル２４，２５と同一の巻線方向をなし、内周側に位置する一端部２７Ａ，２８Ａから外周側に位置する他端部２７Ｂ，２８Ｂに向かって例えば略四角形の渦巻き形状となっている。さらに、第２のスパイラルコイル２７，２８は、第１のスパイラルコイル２４，２５に重ね合わせた位置に設けられている。
【００５１】
また、スパイラルコイル２７，２８は、その一端部２７Ａ，２８Ａが貫通孔２６Ｂを通じて第１のスパイラルコイル２４，２５の他端部２４Ｂ，２５Ｂに接続され、その他端部２７Ｂ，２８Ｂが貫通孔２６Ｃを通じて外部電極２２Ｂ，２３Ｂに接続されている。これにより、第２のスパイラルコイル２７，２８は、第１のスパイラルコイル２４，２５に直列接続され、これらに発生する磁束を増加させ、インダクタンス値を増加させている。
【００５２】
２９は第２のスパイラルコイル２７，２８を覆って絶縁膜２６の表面２６Ａ全面に形成された保護膜で、該保護膜２９は、第１の参考例による保護膜１９と同様にポリイミド等の絶縁性樹脂材料によって薄膜状に形成されている。
【００５３】
第２の参考例によるチップ型コイル部品２０は上述の如き構成を有するもので、次にその製造方法について図１２ないし図１５を参照しつつ説明する。
【００５４】
まず、第１の参考例と同様に基板２１の外周側に外部電極２２Ａ〜２３Ｂを設ける。そして、図１２に示すように基板２１の表面２１Ａには、微細加工技術として第１の参考例に係る図５の場合と同様にスパッタリング、真空蒸着等によって金属薄膜（図示せず）を形成した後、該金属薄膜をフォトリソグラフィによって形成したマスクを用いてエッチング処理を施すことによって、第１のスパイラルコイル２４，２５を形成する。このとき、スパイラルコイル２４，２５の一端部２４Ａ，２５Ａは外部電極２２Ａ，２３Ａに接続する。
【００５５】
次に、図１３に示すように基板２１にはスパイラルコイル２４，２５を覆って絶縁膜２６を形成する。このとき、絶縁膜２６には、スパイラルコイル２４，２５の他端部２４Ｂ，２５Ｂに対応した位置にそれぞれ貫通孔２６Ｂを設けると共に、外部電極２２Ｂ，２３Ｂと対応した位置にそれぞれ貫通孔２６Ｃを設ける。
【００５６】
この状態で、図１４に示すように絶縁膜２６の表面２６Ａには、微細加工技術として第１の参考例に係る図５の場合と同様にスパッタリング、真空蒸着等によって金属薄膜（図示せず）を形成した後、該金属薄膜をフォトリソグラフィによって形成したマスクを用いてエッチング処理を施すことによって、第２のスパイラルコイル２７，２８を形成する。このとき、スパイラルコイル２７，２８は、その一端部２７Ａ，２８Ａが貫通孔２６Ｂを通じて第１のスパイラルコイル２４，２５の他端部２４Ｂ，２５Ｂに接続し、その他端部２７Ｂ，２８Ｂが貫通孔２６Ｃを通じて外部電極２２Ｂ，２３Ｂに接続する。
【００５７】
最後に、絶縁膜２６の表面２６Ａには、図１５に示すようにその全面に亘って第２のスパイラルコイル２７，２８を覆う保護膜２９を形成する。
【００５８】
かくして、第２の参考例でも第１の参考例と同様の作用効果を得ることができる。しかし、第２の参考例では、基板２１の表面２１Ａ側には絶縁膜２６を挟んで第１のスパイラルコイル２４，２５と直列接続した第２のスパイラルコイル２７，２８を設けたから、第１のスパイラルコイル２４，２５と第２のスパイラルコイル２７，２８とによって発生する磁束を増加でき、これらによるインダクタンス値を増加させることができる。このため、第１のスパイラルコイル２４，２５ではインダクタンス値が不足する場合でも、第２のスパイラルコイル２７，２８を接続し、容易に必要なインダクタンス値を設定することができる。
【００５９】
また、第１のスパイラルコイル２４，２５は微細加工技術を用いて一緒に形成すると共に、第２のスパイラルコイル２７，２８も微細加工技術を用いて一緒に形成する。このため、第１のスパイラルコイル２４，２５のインダクタンス値を略等しい値に設定できると共に、第２のスパイラルコイル２７，２８のインダクタンス値も略等しい値に設定することができる。このため、第１，第２のスパイラルコイル２４，２７による合成インダクタンス値と第１，第２のスパイラルコイル２５，２８による合成インダクタンス値とを略等しい値に設定できる。
【００６０】
なお、第２の参考例では第１のスパイラルコイル２４，２５と第２のスパイラルコイル２７，２８とを２層重ね合わせる構成としたが、３層以上のスパイラルコイルを重ね合わせる構成としてもよい。
【００６１】
次に、図１６は第３の参考例によるチップ型コイル部品を示し、第３の参考例の特徴は、相互に隣合う２個のスパイラルコイルの巻線部分を非平行に配置する構成したことにある。
【００６２】
３０は第３の参考例によるチップ型コイル部品で、該チップ型コイル部品３０は、第１の参考例によるチップ型コイル部品１０と同様に基板３１に４個の外部電極３２Ａ〜３３Ｂを設けた状態で、後述のスパイラルコイル３４，３５、絶縁膜３６、引出し用配線３７，３８等を形成することによって構成されている。
【００６３】
３４，３５は基板３１の表面３１Ａに設けられたスパイラルコイルで、該各スパイラルコイル３４，３５は、第１の参考例によるスパイラルコイル１４，１５と同様に微細加工技術を用いて形成され、相互に同形、同大の形状をなすと共に、外周側に位置する一端部３４Ａ，３５Ａから内周側に位置する他端部３４Ｂ，３５Ｂに向かって例えば略四角形（菱形）の渦巻き形状をなしている。また、スパイラルコイル３４，３５の表面側には絶縁膜３６を挟んで引出し用配線３７，３８が設けられている。そして、スパイラルコイル３４，３５は、その一端部３４Ａ，３５Ａが外部電極３２Ａ，３３Ａに接続され、その他端部３４Ｂ，３５Ｂが引出し用配線３７，３８を介して外部電極３２Ｂ，３３Ｂに接続されている。また、スパイラルコイル３４，３５等は絶縁性樹脂材料からなる保護膜（図示せず）によって覆われている。
【００６４】
一方、四角形状をなすスパイラルコイル３４，３５は互いにその角部３４Ｄ，３５Ｄが接近した状態で配置されている。このため、スパイラルコイル３４，３５のうち最外周側に位置して相互に隣合う巻線部分３４Ｃ，３５Ｃは、互いに非平行な状態で配置され、角部３４Ｄ，３５Ｄを挟んでＬ字状に屈曲して互いに離れる方向に向けて延びている。これにより、巻線部分３４Ｃ，３５Ｃは、接近した状態で平行に延伸する部分がなく、相互間の距離が広がっている。
【００６５】
かくして、第３の参考例でも第１の参考例と同様の作用効果を得ることができる。しかし、第３の参考例では、相互に隣合うスパイラルコイル３４，３５の巻線部分３４Ｃ，３５Ｃは、互いに接近して配置された角部３４Ｄ，３５Ｄを有し、該角部３４Ｄ，３５Ｄを挟んでＬ字状に屈曲して互いに離れる方向に向けて延びる構成としたから、相互の辺部分が平行に延伸した場合に比べて、スパイラルコイル３４，３５間の磁気結合、静電結合を抑制することができ、スパイラルコイル３４，３５間のクロストークを低減できる。また、スパイラルコイル３４，３５間の磁気結合等によるインダクタンス値のばらつきを低減できるから、スパイラルコイル３４，３５のインダクタンス値を略等しい値にすることができる。
【００６６】
次に、図１７および図１８は実施の形態によるチップ型コイル部品を示し、本実施の形態の特徴は、基板には各スパイラルコイルに対応して２個の入出力電極と１個の接地電極とを設け、前記各スパイラルコイルは、その一端部を接続配線を用いて前記２個の入出力電極間に接続し、他端部を前記接地電極に接続する構成としたことにある。
【００６７】
４０は信号線３，４の途中に接続されたチップ型コイル部品で、該チップ型コイル部品４０は、後述の基板４１、入出力電極４２Ａ〜４３Ｂ、接地電極４４，４５、接続配線４６，４７、スパイラルコイル４８，４９、絶縁膜５０、引出し用配線５１，５２、保護膜（図示せず）等によって構成されている。
【００６８】
４１はチップ型コイル部品４０の外形をなす基板で、該基板４１は、第１の参考例と同様に低誘電率な絶縁材料によって形成され、略長方形の板状に形成されている。
【００６９】
４２Ａ，４２Ｂ，４３Ａ，４３Ｂは２個のスパイラルコイル４８，４９に対応して、２個ずつ合計４個設けられた入出力電極で、該入出力電極４２Ａ，４３Ａは基板４１の一側の長辺に２個配置され、他の入出力電極４２Ｂ，４３Ｂは基板４１の他側の長辺に２個配置されている。また、入出力電極４２Ａ，４２Ｂには接続配線４６の両端側が接続され、入出力電極４３Ａ，４３Ｂには接続配線４７の両端側が接続されている。これら２本の接続配線４６，４７は、基板４１を図１７中の縦方向に横切って直線状に延びると共に、隣合う位置で互いに平行に配置されている。そして、入出力電極４２Ａ〜４３Ｂは、信号線３，４に接続され、スパイラルコイル４８，４９に対して高周波デバイス１，２間の信号を入出力するものである。
【００７０】
４４，４５は２個のスパイラルコイル４８，４９に対応して、１個ずつ合計２個設けられた接地電極で、該接地電極４４，４５は、基板４１の短辺に１個ずつ配置されている。そして、接地電極４４，４５にはスパイラルコイル４８，４９の他端側が接続されると共に、実装基板（図示せず）を通じて接地されるものである。
【００７１】
４６，４７は入出力電極４２Ａ，４３Ａと入出力電極４２Ｂ，４３Ｂとの間を接続する接続配線で、該接続配線４６，４７は、微細加工技術を用いることによってスパイラルコイル４８，４９と一緒に基板４１の表面４１Ａに形成される。また、接続配線４６，４７は、基板４１を横切って直線状に延びると共に、互いに平行に配置されている。
【００７２】
４８，４９は基板４１の表面４１Ａに設けられたスパイラルコイルで、該各スパイラルコイル４８，４９は、基板４１のうち２本の接続配線４６，４７を挟んで図１７中の横方向の両側位置にそれぞれ配置され、接続配線４６，４７と接地電極４４，４５との間にそれぞれ配置されている。また、スパイラルコイル４８，４９は、第１の参考例によるスパイラルコイル１４，１５と同様に微細加工技術を用いて形成され、相互に同形、同大の形状をなすと共に、外周側に位置する一端から内周側に位置する他端に向かって例えば略四角形の渦巻き形状をなしている。そして、スパイラルコイル４８，４９は、その一端部４８Ａ，４９Ａが接続配線４６，４７を用いて入出力電極４２Ａ，４２Ｂと入出力電極４３Ａ，４３Ｂとに接続され、その他端部４８Ｂ，４９Ｂが後述の引出し用配線５１，５２に接続されている。このとき、２個のスパイラルコイル４８，４９は、２本の接続配線４６，４７にそれぞれ接続された状態を含めて互いに対称な形状に形成されている。
【００７３】
５０，５０はスパイラルコイル４８，４９を部分的に覆う絶縁膜で、該絶縁膜５０は、絶縁性樹脂材料によって略四角形の薄膜状に形成されている。そして、絶縁膜５０は、スパイラルコイル４８，４９の他端部４８Ｂ，４９Ｂと接地電極４４，４５との間に位置し、これらの間を横切るスパイラルコイル４８，４９を覆っている。
【００７４】
５１，５２はスパイラルコイル４８，４９の他端部４８Ｂ，４９Ｂと接地電極４４，４５との間に直線状に延伸して設けられた引出し用配線で、該引出し用配線５１，５２は、導電性金属材料による金属薄膜からなり、絶縁膜５０の表面にスパイラルコイル４８，４９と同様の微細加工を施すことによって形成されている。また、基板４１の表面４１Ａには全面に亘って保護膜（図示せず）が設けられ、該保護膜によって引出し用配線５１，５２等は覆われている。
【００７５】
かくして、本実施の形態でも第１の参考例と同様の作用効果を得ることができる。しかし、本実施の形態では、スパイラルコイル４８，４９の一端部４８Ａ，４９Ａを接続配線４６，４７を用いて入出力電極４２Ａ〜４３Ｂに接続し、他端部４８Ｂ，４９Ｂを接地電極４４，４５に接続したから、信号線３，４に入出力電極４２Ａ〜４３Ｂを接続し、接地電極４４，４５をアースに接続することによって、容易に高周波デバイス１，２間のマッチングをとることができる。
【００７６】
また、入出力電極４２Ａ，４３Ａと入出力電極４２Ｂ，４３Ｂとは接続配線４６，４７によって接続する構成としたから、信号線３，４に入出力電極４２Ａ〜４３Ｂを接続したときには、接続配線４６，４７を通じて高周波デバイス１，２間の信号を伝送することができる。このため、高周波デバイス１，２間を接続するワイヤボンディング等を別途設ける必要がなく、高周波デバイス１，２間に容易にチップ型コイル部品４０を取付けることができる。
【００７７】
なお、前記実施の形態では基板４１に２個のスパイラルコイル４８，４９を設けた場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限らず、基板の表面に３個以上のスパイラルコイルを形成する構成としてもよい。また、前記実施の形態のチップ型コイル部品は、第１の参考例と同様の製造方法を用いて形成してもよい。
【００７８】
また、前記実施の形態では、２個のスパイラルコイル４８，４９に対応して２つの絶縁膜５０を設けるものとしたが、第２の参考例と同様に単一の絶縁膜を用いる構成としてもよい。この場合、第２の参考例と同様に、基板の表面側には第１のスパイラルコイルを覆って絶縁膜を設け、該絶縁膜を挟んで絶縁膜の表面側には第１のスパイラルコイルと直列接続した第２のスパイラルコイルを設ける構成としてもよく、第２の参考例と同様の製造方法を用いて形成してもよい。さらに、第３の参考例と同様に、相互に隣合う２個のスパイラルコイルの巻線部分を非平行に配置する構成としてもよい。
【００７９】
【発明の効果】
以上詳述した如く、請求項１の発明によれば、スパイラルコイルを基板の表面側に位置して同一平面上に複数個設けたから、製造工程の相違によるスパイラルコイルのインダクタンス値のばらつきを抑制することができ、基板上に設けた複数個のスパイラルコイルのインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。このため、例えばチップ型コイル部品をインピーダンスマッチング用としてバランス方式の２本の信号線に接続するときには、２本の信号線で略等しい状態にマッチングさせることができ、ノイズの混入を防ぎ、信号の伝送特性を向上させることができる。
【００８０】
また、単一のチップ型コイル部品に複数個のスパイラルコイルを備える構成としたから、チップ型コイル部品を取付けることによって複数個のスパイラルコイルを位置決めすることができ、実装方向、実装位置にずれによるインダクタンス値のばらつきをも防ぐことができる。
【００８１】
さらに、複数個のスパイラルコイルを単一の基板に形成したから、高周波デバイス間に単一のチップ型コイル部品を配置することによって複数の信号線のマッチングをとることができる。このため、従来技術のように別々のチップ型コイル部品を複数個配置する場合に比べてチップ型コイル部品による占有面積を小さくすることができ、小形化が要求される携帯電話器等であっても容易に適用することができる。また、高周波デバイス間に単一のチップ型コイル部品を取付けるから、実装部品の点数を削減でき、製造コストを低減することができる。
【００８２】
また、基板には両端側に入出力端子が接続された複数本の接続配線を設けると共に、複数個のスパイラルコイルは、その一端側を互いに異なる接続配線に接続し、他端側を互いに異なる接地端子に接続する構成とした。このため、例えばチップ型コイル部品をインピーダンスマッチング用として高周波デバイス間の信号線に接続するときでも、信号線の途中に入出力端子をそれぞれ接続し、接地端子をアースに接続することによって容易にインピーダンスマッチングをとることができる。また、接続配線を通じて信号を伝送することができるから、信号伝送用のワイヤボンディング等を別途設ける必要がなく、生産性を向上させ、製造コストを低減することができる。
【００８３】
請求項２の発明によれば、複数個のスパイラルコイルは同一工法によって一緒に形成する構成としたから、製造工法、製造条件によるインダクタンス値のばらつきを防ぎ、これら複数個のスパイラルコイルのインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。
【００８４】
請求項３の発明によれば、複数個のスパイラルコイルのうち相互に隣合う２個のスパイラルコイルの巻線部分は、互いに接近して配置された角部を有し、該角部を挟んでＬ字状に屈曲して互いに離れる方向に向けて延びる構成としたから、隣合う２個のスパイラルコイル間での磁気結合、静電結合を抑制でき、これらのスパイラルコイル間のクロストークを低減できると共に、磁気結合等に伴うインダクタンスのばらつきを低減できる。
【００８５】
請求項４の発明によれば、基板の表面側には複数個のスパイラルコイルを覆って絶縁膜を設け、該絶縁膜を挟んで該絶縁膜の表面側には前記各スパイラルコイルと直列接続した他のスパイラルコイルを設けたから、各スパイラルコイル等によって発生する磁束を増加させ、これらのインダクタンス値を増加させることができる。
【００８６】
請求項５の発明によれば、複数個のスパイラルコイルは、スパッタリングまたは蒸着によって金属薄膜を形成し、フォトリソグラフィを用いて該金属薄膜の平面形状を成形することによって一緒に形成した。これにより、スパッタリングまたは蒸着によって複数個のスパイラルコイルの膜厚を略等しい値に設定でき、フォトリソグラフィによって複数個のスパイラルコイルの平面形状を略等しい形状に設定できる。このため、複数個のスパイラルコイルのインダクタンス値を略等しい値に設定することができる。
【００８７】
請求項６の発明によれば、基板には、バランス方式により互いに逆位相の信号を伝送するために当該基板を横切って直線状に延びると共に互いに平行に配置された２本の接続配線と、互いに異なる接続配線に接続された２個のスパイラルコイルとを設けた。このため、請求項６の発明でも、請求項１の発明と同様の効果を得ることができる。
【００８８】
また、請求項７の発明のように、２個のスパイラルコイルは、２本の接続配線にそれぞれ接続された状態を含めて互いに対称な形状に形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の参考例によるチップ型コイル部品を高周波デバイスに接続した状態を示す電気回路図である。
【図２】 第１の参考例によるチップ型コイル部品を示す斜視図である。
【図３】 チップ型コイル部品を図２中の矢示III−III方向からみた断面図である。
【図４】 基板に外部電極を取付けた状態を示す平面図である。
【図５】 基板に金属薄膜を形成した状態を示す平面図である。
【図６】 基板にスパイラルコイルを形成した状態を示す平面図である。
【図７】 基板にスパイラルコイルの一部を覆って絶縁膜を形成した状態を示す平面図である。
【図８】 絶縁膜を挟んで基板に引出し用配線を形成した状態を示す平面図である。
【図９】 スパイラルコイル等を覆って基板に保護膜を形成した状態を示す平面図である。
【図１０】 第２の参考例によるチップ型コイル部品を絶縁膜の位置で分解した状態で示す分解斜視図である。
【図１１】 チップ型コイル部品を図３と同様の位置からみた断面図である。
【図１２】 基板に第１のスパイラルコイルを形成した状態を示す平面図である。
【図１３】 基板全面に第１のスパイラルコイルを覆って絶縁膜を形成した状態を示す平面図である。
【図１４】 絶縁膜の表面に第２のスパイラルコイルを形成した状態を示す平面図である。
【図１５】 第２のスパイラルコイル等を覆って基板に保護膜を形成した状態を示す平面図である。
【図１６】 第３の参考例によるチップ型コイル部品を保護膜を省いた状態で示す平面図である。
【図１７】 本発明の実施の形態によるチップ型コイル部品を保護膜を省いた状態で示す平面図である。
【図１８】 実施の形態によるチップ型コイル部品を高周波デバイスに接続した状態を示す電気回路図である。
【図１９】 従来技術によるチップ型コイル部品を高周波デバイスに接続した状態を示す電気回路図である。
【符号の説明】
１０，２０，３０，４０ チップ型コイル部品
１１，２１，３１，４１ 基板
１４，１５，３４，３５，４８，４９ スパイラルコイル
２４，２５ 第１のスパイラルコイル
２６ 絶縁膜
２７，２８ 第２のスパイラルコイル（他のスパイラルコイル）
４２Ａ，４２Ｂ，４３Ａ，４３Ｂ 入出力電極（入出力端子）
４４，４５ 接地電極（接地端子）
４６，４７ 接続配線
Claims (7)
- 基板と、該基板の表面側に設けたスパイラルコイルとからなるチップ型コイル部品において、
前記基板には、当該基板を横切って直線状に延びると共に互いに平行に配置された複数本の接続配線と、該各接続配線の両端側にそれぞれ接続された入出力端子と、接地するための複数個の接地端子とを設け、
前記スパイラルコイルは、前記基板の表面側に位置して同一平面上に複数個設け、
該複数個のスパイラルコイルは、その一端側を互いに異なる前記接続配線に接続し、他端側を互いに異なる前記接地端子に接続する構成としたことを特徴とするチップ型コイル部品。 - 前記複数個のスパイラルコイルは同一工法によって一緒に形成する構成としてなる請求項１に記載のチップ型コイル部品。
- 前記複数個のスパイラルコイルのうち相互に隣合う２個のスパイラルコイルの巻線部分は、互いに接近して配置された角部を有し、該角部を挟んでＬ字状に屈曲して互いに離れる方向に向けて延びる構成としてなる請求項１または２に記載のチップ型コイル部品。
- 前記基板の表面側には前記複数個のスパイラルコイルを覆って絶縁膜を設け、該絶縁膜を挟んで該絶縁膜の表面側に前記各スパイラルコイルと直列接続した他のスパイラルコイルを設け、該他のスパイラルコイルを介して前記各スパイラルコイルの他端側を前記各接地端子に接続する構成としてなる請求項１，２または３に記載のチップ型コイル部品。
- 前記複数個のスパイラルコイルは、スパッタリングまたは蒸着によって金属薄膜を形成し、フォトリソグラフィを用いて該金属薄膜の平面形状を成形することによって一緒に形成してなる請求項１，２，３または４に記載のチップ型コイル部品。
- 基板と、バランス方式により互いに逆位相の信号を伝送するために該基板に設けられ該基板を横切って直線状に延びると共に互いに平行に配置された２本の接続配線と、前記基板に設けられ該各接続配線の両端側にそれぞれ接続された入出力端子と、接地するために前記基板に設けられた２個の接地端子と、前記基板の表面側に位置して同一平面上に設けられた２個のスパイラルコイルとを備え、
前記２個のスパイラルコイルは、前記２本の接続配線を挟んだ両側位置にそれぞれ配置され、その一端側を互いに異なる前記接続配線に接続し、他端側を互いに異なる前記接地端子に接続する構成としたチップ型コイル部品。 - 前記２個のスパイラルコイルは、前記２本の接続配線にそれぞれ接続された状態を含めて互いに対称な形状に形成してなる請求項６に記載のチップ型コイル部品。
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