JP4619201B2 - ウェハレベル気密パッケージの製造方法および気密パッケージ - Google Patents

Description

この発明は、素子を気密封止するウェハレベル気密パッケージの製造方法および気密パッケージに関する。

近年、マイクロマシニング技術を用いた気密パッケージが提案されている。特許文献１にはその気密パッケージの一例が開示されている。特許文献１に開示された気密パッケージは、基板と、基板上に形成されたデバイスと、配線と、金属または半導体からなるキャップとを備えている。そして、基板に形成される基板側接合部およびキャップに形成されるキャップ側接合部を金属で構成している。この基板側接合部とキャップ側接合部との間は、ＡｕＳｎ系はんだで封止されている。
特開２００４−２０２６０４号公報

上記のように、特許文献１に記載のパッケージにおいては、基板側接合部とキャップ側接合部との間を、ＡｕＳｎ系はんだで封止している。このＡｕＳｎ系はんだは、鉛はんだや鉛フリーはんだよりは高融点であるため、パッケージ化した後においてはんだ工程が可能となる。しかし、はんだ工程で加熱されたときに、ＡｕＳｎ系はんだが軟化した場合には、気密が破れる恐れがあった。

また、ウェハレベルで気密封止を行なった後に、両者が貼り合わされていない部分を切断すると、ウェハの端部にチッピングが生じることがあった。ウェハにチッピングが生じた場合には、パッケージの強度が低下するという問題点があった。

この発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、確実に気密を保持することができ、また、切断時のチッピングの発生を抑制することができる、ウェハレベル気密パッケージの製造方法および気密パッケージを提供することを目的とする。

この発明に基づいたウェハレベル気密パッケージの製造方法に従えば、複数の素子がアレイ状に実装された第一のウェハと、第一のウェハの実装面側に対向配置された第二のウェハと、上記第一のウェハと第二のウェハとの間にアレイ状に配設され、それぞれ一個または複数個の上記素子を囲んで気密封止する複数の接合材とを備えた、ウェハレベル気密パッケージ準備体を準備する工程と、上記ウェハレベル気密パッケージ準備体の上記接合材の外周側に充填材を充填する工程とを備えている。

この発明に基づいた気密パッケージに従えば、素子が実装された素子側基板と、上記素子側基板の実装面に対向して配置された蓋側基板と、上記素子を囲むように上記素子側基板と上記蓋側基板との間に配設され、上記素子を気密封止する接合材と、上記接合材の外周側かつ上記素子側基板と上記蓋側基板との間に充填された充填材とを備えている。

本発明に係るウェハレベル気密パッケージの製造方法および気密パッケージによると、気密を確実に保持することができ、また、気密パッケージの製造時におけるチッピングの発生を抑制することができる。

以下、この発明に基づいた各実施の形態におけるウェハレベル気密パッケージの製造方法および気密パッケージの構造について、図を参照しながら説明する。なお、各実施の形態において、同一または相当箇所については同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さないこととする。

（実施の形態１）
本発明に係る実施の形態１について、図１から図７を参照して説明する。なお、図１は、本実施の形態におけるウェハレベル気密パッケージの構造を示す平面図であり、図２は、図１におけるII−II矢視断面図であり、図３は、気密パッケージの構造を示す縦断面図である。

本実施の形態のウェハレベル気密パッケージは、図１および図２に示すように、素子７がアレイ状に配置された素子側基板４と、素子側基板４の実装面に対向して配置された蓋側基板３とを有している。素子側基板４および蓋側基板３としては、Ｓｉ基板、ガラス基板、ＳｉＣ基板、ＧａＡｓ基板など種々の基板を用いることができる。また、素子７としては、あくまでも一例であるが、ＲＦ−ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）スイッチや赤外線センサなどを構成する素子を用いることができる。また、以下の説明では、各気密パッケージ内にそれぞれ一個の素子７が配置される場合について説明するが、各気密パッケージ内に複数個の素子７を配置するようにしてもよい。

素子側基板４と蓋側基板３の内表面には、素子７を囲むように四角形状に延びるメタル層６が設けられている。メタル層６は、はんだと基板とを接合するものであるので、本実施の形態では、基板側から、基板との密着力を強化するＣｒ層、はんだと接合し合金を形成するＮｉ層、およびＮｉの酸化を防止するＡｕ層で構成している。密着力を強化する層は、Ｔｉ層でもよい。また、はんだと接合する層としては、Ｃｕ層、Ｆｅ層、Ｆｅ−Ｎｉ層、Ｐｔ層、Ｐｄ層、Ａｇ層など、はんだと接合できるものであればいずれの材料でもよい。また、メタル層６の形状は、四角形に限定されず、必要に応じて種々の形状とすることができる。

素子側基板４および蓋側基板３の対向するメタル層６，６の間には、はんだからなる接合材５が設けられ、これにより素子７が気密封止されている。この接合材５としては、各種のはんだを適用することができる。たとえば、例えば、鉛入りはんだでも良いし、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系などの鉛フリーはんだでも良いし、ＡｕＳｎ系はんだでもよい。また、接合材５は、はんだに限定されず、金属系の封止材であればいずれの材料でもよい。

素子７を囲むメタル層６および接合材５も図１に示すように、アレイ状に配置されている。ここでは、３×３個のマトリックス状に配置しているが、これに限定されるものではない。後に個別の気密パッケージに切り分けることができるように整列して配置されていればよい。

複数個設けられた接合材５相互の間隙には、充填材１が充填されている。充填材１は、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂など熱硬化性樹脂で、封止に適した樹脂であればいずれの材料でもよい。

本実施の形態のウェハレベル気密パッケージは、上記のような構造を有しているので、破線２で示す切断線で切断して、個別の気密パッケージに切り分ける工程において、素子側基板４および蓋側基板３の両方の内表面側に充填材１が位置している。ウェハレベル気密パッケージを切り分ける工程においては、０．０５ｍｍ程度の厚みの、ダイヤモンド粒が凝着したブレードなどが使用されるが、このような薄いブレードを使用しても、ブレードが空洞部を通過することが無いので、ブレードの先端がぶれにくくなる。その結果、素子側基板４および蓋側基板３のチッピングを抑制することができる。

また、切り分けた後の気密パッケージは図３に示すような構造となり、接合材５の外周側には、充填材１が位置している。これにより、後のはんだ付け工程などにより加熱されて、接合材５が軟化もしくは溶融したような場合でも、充填材１により内部の気密を保持することができる。

次に、本実施の形態のウェハレベル気密パッケージの製造方法について説明する。まず、素子７および素子７を囲むメタル層６がアレイ状に配設された素子側基板４と、素子側基板４のメタル層６に対応する位置にメタル層６が設けられた蓋側基板３とを準備する。

素子側基板４のメタル層６および蓋側基板３のメタル層６の一方または両方に、接合材５となるはんだを搭載する。このはんだを搭載する方法は、めっき、印刷、プリフォーム、溶融金属吐出法など種々の方法を用いることができる。

この素子側基板４および蓋側基板３を、真空封止装置に供給し、高真空下ではんだリフローを行なう。はんだが再溶融した後で、素子側基板４および蓋側基板３を重ね合わせて両者を接合材５で接合する。これにより内部が高真空の状態で封止された、ウェハレベル気密パッケージ準備体が完成する。

続いて、このウェハレベル気密パッケージ準備体を、充填材１となる樹脂材料の中に浸漬することで、接合材５，５相互の間隙に充填材１が充填される。単に浸漬するだけでは充填性が悪い場合には、浸漬後、真空ポンプで真空引きすることにより、空隙を生じることなく充填材１を充填することができる。

充填した充填材１を硬化させることで、ウェハレベル気密パッケージが完成する。このウェハレベル気密パッケージをブレードで切り分けることで、接合材５の外周側に充填材１が充填された気密パッケージを製造することができる。

次に、この気密パッケージを外部に電気的に接続する構造について説明する。図４は、貫通配線を介して接続する構造を示す縦断面図であり、図５は、フィードスルー配線を用いて接続する構造を示す平面図であり、図６は、同図５におけるVI−VI矢視断面図であり、図７は、同正面図である。

図４に示す気密パッケージにおいては、貫通配線１１を素子側基板４に設けている。この貫通配線１１の上端側は、図示しないワイヤ、導電性シートなどの配線により素子７に電気的に接続されている。貫通配線１１を素子７の真下に設け、ＢＧＡ（Ball Grid Array）により接続しても良い。

貫通配線１１の下端は、はんだボール１０により、実装基板１２上の図示しない配線に接続されている。また、気密パッケージは、アンダーフィル樹脂９によっても、実装基板１２に固定されている。このような貫通配線１１を用いた接続構造を採用することにより、少ない実装面積で気密パッケージを実装基板１２に実装することができる。

図５から図７に示す気密パッケージにおいては、予め素子側基板４にフィードスルー電極１６を設けており、このフィードスルー電極１６を介して外部に電気的に接続することができる。フィードスルー電極１６の上面および側面は、絶縁層１５に囲まれて絶縁されている。メタル層６は、図６および図７に示すように、その絶縁層１５の上面に設けられている。

フィードスルー電極１６を設けたウェハレベル気密パッケージを気密パッケージに切り分ける場合には、二段階で切断する。すなわち、はじめに比較的厚いブレードを用いて、フィードスルー電極１６を切断してしまわない程度の厚みまで切り込む。続いて、薄いブレードを用いて、ウェハレベル気密パッケージを気密パッケージに切り分ける。これにより、気密パッケージ本体からフィードスルー電極１６の先端が突出した気密パッケージを製造することができる。なお、図５から図７においては、素子側基板４が外周側の四方に突出した構造としているが、その構造は任意であり、必ずしもそのように構成する必要は無い。なお、ここで説明した配線構造は、以下に説明する各実施の形態にも適用可能である。

上記の説明においては、ウェハレベル気密パッケージを切り分けて、気密パッケージを製造する場合について説明したが、必ずしもそのように製造する必要は無い。すなわち、予め気密パッケージの大きさに切断した素子側基板４と蓋側基板３とを相互に接合材５で封止し、接合材５の外周側に充填材１を充填するようにしてもよい。この点は、以下に説明する各実施の形態においても同様である。

このように製造した気密パッケージにおいても、上記のウェハレベル気密パッケージを切り分けて製造した気密パッケージと同様に、充填材１により気密性が向上するという効果が得られる。

（実施の形態２）
次に、実施の形態２について、図８および図９を参照して説明する。図８は、本実施の形態のウェハレベル気密パッケージの縦断面図であり、図９は、同気密パッケージの縦断面図である。

本実施の形態においては、実施の形態１で説明した、ウェハレベル気密パッケージ準備体の蓋側基板３のみを破線２で示す切断線で切断し、その後で、接合材５，５相互の間に充填材１を充填している。蓋側基板３の切断は、比較的幅広のブレードにより行なうことで、蓋側基板３の側から充填材１を充填する流路を形成することができる。一例としては、０．２ｍｍ程度の厚みのブレードを用いることができる。

この構造においては、蓋側基板３を切断して広い流路を形成した後で充填材１を充填するので、充填材１を端部のみでなく蓋側基板３の隙間からも充填できる。これにより、充填効率が向上する。

また、充填材１を充填するときの流路が広く確保されるので、フィラーが混入した粘度の高い充填材１を用いることも可能となり、充填材１の線膨張係数を、素子側基板４および蓋側基板３の線膨張係数に近づけることができる。

フィラーとしては、たとえばシリカフィラーを用いることができる。基板がシリコン基板の場合、その線膨張係数αはα＝３．５ｐｐｍ（３．５×１０^-7１／Ｋ）程度である。エポキシ樹脂の線膨張係数αは通常、α＝５０〜６０ｐｐｍ程度であるが、直径１０μｍのシリカフィラーをエポキシ樹脂に５０ｗｔ％混入させた場合αは、α＝３０ｐｐｍに低下し、８０〜９０ｗｔ％混入させた場合αは、α＝１０ｐｐｍに低下する。このようなフィラーを混入させた充填剤を用いることで、基板の線膨張係数と、充填材の線膨張係数とが近づくので、温度変化に強い気密パッケージを構成することができる。

図８に示すウェハレベル気密パッケージを、破線２で示す切断線で切断して個別の気密パッケージに切り分けると、図９に示すような気密パッケージとなる。この気密パッケージにおいては、充填材１が、蓋側基板３の外周も覆うように設けられている。これにより蓋側基板３と充填材１との境界部分（図９に矢印で示す）の外周側が充填材１で覆われるので、この境界部分における亀裂を発生しにくくすることができる。

本実施の形態においては、蓋側基板３のみを切断したが、逆に素子側基板４のみを切断するようにしてもよい。

（実施の形態３）
次に、実施の形態３について、図１０および図１１を参照して説明する。図１０は、本実施の形態のウェハレベル気密パッケージの縦断面図であり、図１１は、気密パッケージの縦断面図である。

本実施の形態においては、実施の形態１で説明した、ウェハレベル気密パッケージ準備体の蓋側基板３のみを破線２で示す位置で切断し、その後で、接合材５，５相互の間に充填材１を充填し硬化させる。その後、素子側基板４も破線２で示す位置で切断し、切断箇所に充填材１を充填している。

本実施の形態のウェハレベル気密パッケージを破線２の位置で切断して、個別の気密パッケージに切り分けると、図１１に示すような構造の気密パッケージを製造することができる。この気密パッケージにおいては、図１１に矢印で示す、素子側基板４と充填材１との境界部および蓋側基板３と充填材１との境界部の側面側が共に充填材１で覆われるので、この両方の境界部分における亀裂の発生を抑制することができる。

（実施の形態４）
次に、実施の形態４について、図１２および図１３を参照して説明する。図１２は、本実施の形態のウェハレベル気密パッケージの構造を示す縦断面図であり、図１３は、気密パッケージの構造を示す縦断面図である。

本実施の形態においては、実施の形態１で説明した、ウェハレベル気密パッケージ準備体の蓋側基板３のみを破線２で示す位置で切断すると同時に、素子側基板４の内表面側をハーフカットしている。ここでハーフカットとは、完全に切断せず、連続する部分を残すように切断することを意味する。

その後で、接合材５，５相互の間に充填材１を充填して、図１２に示すウェハレベル気密パッケージが完成する。このとき、ハーフカットした素子側基板の溝部分にも充填材１が充填される。

本実施の形態のウェハレベル気密パッケージを破線２で示す切断線で切断して、個別の気密パッケージに切り分けると、図１３に示すような構造の気密パッケージを製造することができる。この気密パッケージにおいては、蓋側基板３の外周面が充填材１に覆われる。また、ハーフカットにより形成された素子側基板４の外周部の内表面側に形成された切り欠き部にも充填材１が充填されている。その結果、図１３に矢印で示す、素子側基板４と充填材１との境界部および蓋側基板３と充填材１との境界部の側面側がともに充填材１で覆われるので、この両方の境界部分における亀裂の発生を抑制することができる。

さらに、実施の形態４においては、実施の形態３のように、ウェハレベル気密パッケージを蓋側基板３と素子側基板４の両側から切断する必要は無く、いずれか一方から切断すればよいので、製造工程の増加を最小限にすることができ、低コスト化を実現することができる。

（実施の形態５）
次に、実施の形態５について、図１４を参照して説明する。図１４は、本実施の形態のウェハレベル気密パッケージの構造を示す縦断面図である。

図１４に示す実施の形態においては、内表面に窪み８を設けた蓋側基板３を用いている。窪み８は、ウェハレベル気密パッケージの各空間部の天井部、すなわち、素子７に対向する面に設けられており、各気密パッケージの内部空間を拡大している。この窪み８は、たとえば蓋側基板３がシリコン基板の場合には、メタル層６を形成した後で、ＫＯＨやＴＭＡＨなどのエッチャントを利用したウェットエッチングにより形成することができる。

接合材５の厚みを拡大することなく、気密パッケージの内部空間を拡大することができる。これにより素子７が積層したチップで構成されている場合など、厚みが大きい場合にも対応することができる。

（実施の形態６）
次に、実施の形態６について、図１５を参照して説明する。図１５は、本実施の形態のウェハレベル気密パッケージの構造を示す縦断面図である。

図１５に示す実施の形態においては、実施の形態５で示したウェハレベル気密パッケージと同様に、各気密パッケージの内部空間を拡大するように窪み８を設け、さらに、充填材１が充填される接合材５，５に挟まれる間隙部分にも窪みを設けている。

充填材１は、メタル層６を介して接合材５により素子側基板４と蓋側基板３との間を封止した後に充填される。これにより、充填材１を充填する間隙の断面積が拡大し、充填材１の充填を容易に行なうことができる。

（実施の形態７）
次に、実施の形態７について、図１６を参照して説明する。図１６は、本実施の形態のウェハレベル気密パッケージの構造を示す縦断面図である。

図１６に示す実施の形態においては、実施の形態６で示したウェハレベル気密パッケージと同様に、各気密パッケージの内部空間を拡大するように窪み８を設け、充填材１が充填される接合材５，５に挟まれる間隙部分にも窪みを設けている。

さらに、実施の形態７においては、充填材１を充填する前に、蓋側基板３のみを破線２で示す切断線で切断する。蓋側基板３の切断は、比較的幅広のブレードにより行なうことで、蓋側基板３の側から充填材１を充填する流路を形成することができる。一例としては、０．２ｍｍ程度の厚みのブレードを用いることができる。

この構造においては、蓋側基板３を切断して広い流路を形成した後で充填材１を充填するので、充填材１を端部のみでなく蓋側基板３の隙間からも充填できる。これにより、充填効率がさらに向上する。

また、充填材１を充填するときの流路が広く確保されるので、フィラーが混入した粘度の高い充填材１を用いることも可能となり、充填材１の線膨張係数を、素子側基板４および蓋側基板３の線膨張係数に近づけることができる。これにより温度変化に強い気密パッケージを構成することができる。

本実施の形態のウェハレベル気密パッケージを破線２の位置で切断して、個別の気密パッケージに切り分けると、蓋側基板３と充填材１との境界部の側面側が充填材で覆われているので、この境界部での亀裂の進展を防止することができる。

（実施の形態８）
次に、実施の形態８について、図１７を参照して説明する。図１７は、本実施の形態のウェハレベル気密パッケージを示す縦断面図である。

本実施の形態においては、実施の形態７で説明した、ウェハレベル気密パッケージの素子側基板４も破線２で示す位置で切断し、切断箇所に充填材１を充填している。

本実施の形態のウェハレベル気密パッケージを破線２の位置で切断して、個別の気密パッケージに切り分けると、素子側基板４と充填材１との境界部および蓋側基板３と充填材１との境界部の側面側が共に充填材１で覆われる。これにより、実施の形態７で説明した効果に加えて、この両方の境界部分における亀裂の発生を抑制することができるという効果が得られる。

（実施の形態９）
次に、実施の形態９について、図１８を参照して説明する。図１８は、本実施の形態のウェハレベル気密パッケージを示す縦断面図である。

本実施の形態においては、実施の形態７で説明した、蓋側基板３のみを破線２で示す位置で切断する工程において、同時に素子側基板４の内表面側をハーフカットしている。

この工程の後に、接合材５，５相互の間に充填材１を充填して、図１２に示すウェハレベル気密パッケージを製造している。このとき、素子側基板のハーフカットした溝部分にも充填材１が充填される。

本実施の形態のウェハレベル気密パッケージを破線２で示す切断線で切断して、個別の気密パッケージに切り分けると、素子側基板４と充填材１との境界部および蓋側基板３と充填材１との境界部の側面側がともに充填材１で覆われるので、この両方の境界部分における亀裂の発生を抑制することができる。

さらに、実施の形態９においては、実施の形態８のように、ウェハレベル気密パッケージを蓋側基板３と素子側基板４の両方の側から切断する必要は無く、いずれか一方の側から切断すればよいので、製造工程の増加を最小限にすることができ、低コスト化を実現することができる。

なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施の形態のみによって解釈されるのではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

この発明に基づいた実施の形態１におけるウェハレベル気密パッケージの構造を示す平面図である。 この発明に基づいた実施の形態１におけるウェハレベル気密パッケージの構造を示す、図１におけるII−II矢視断面図である。 この発明に基づいた実施の形態１における気密パッケージの構造を示す縦断面図である。 この発明に基づいた実施の形態１における気密パッケージを、貫通配線を介して接続する構造を示す縦断面図である。 この発明に基づいた実施の形態１における気密パッケージを、フィードスルー配線を用いて接続する構造を示す平面図である。 この発明に基づいた実施の形態１における気密パッケージを、フィードスルー配線を用いて接続する構造を示す、図５におけるVI−VI矢視断面図である。 この発明に基づいた実施の形態１における気密パッケージを、フィードスルー配線を用いて接続する構造を示す正面図である。 この発明に基づいた実施の形態２におけるウェハレベル気密パッケージの構造を示す縦断面図である。 この発明に基づいた実施の形態２における気密パッケージの構造を示す縦断面図である。 この発明に基づいた実施の形態３におけるウェハレベル気密パッケージの構造を示す縦断面図である。 この発明に基づいた実施の形態３における気密パッケージの構造を示す縦断面図である。 この発明に基づいた実施の形態４におけるウェハレベル気密パッケージの構造を示す縦断面図である。 この発明に基づいた実施の形態４における気密パッケージの構造を示す縦断面図である。 この発明に基づいた実施の形態５における気密パッケージの構造を示す縦断面図である。 この発明に基づいた実施の形態６における気密パッケージの構造を示す縦断面図である。 この発明に基づいた実施の形態７における気密パッケージの構造を示す縦断面図である。 この発明に基づいた実施の形態８における気密パッケージの構造を示す縦断面図である。 この発明に基づいた実施の形態９における気密パッケージの構造を示す縦断面図である。

符号の説明

１ 充填材、３ 蓋側基板、４ 素子側基板、５ 接合材、６ メタル層、７ 素子。

Claims (6)

1. 複数の素子がアレイ状に実装された第一のウェハと、第一のウェハの実装面側に対向配置された第二のウェハと、前記第一のウェハと第二のウェハとの間にアレイ状に配設され、それぞれ一個または複数個の前記素子を囲んで気密封止する複数の接合材とを備えた、ウェハレベル気密パッケージ準備体を準備する工程と、
   前記ウェハレベル気密パッケージ準備体の前記第一のウェハまたは第二のウェハの一方を、前記複数の接合材の間隙に対応する位置で切断する切断工程と、
   前記切断工程の後に前記ウェハレベル気密パッケージ準備体の前記複数の接合材の外周側に充填材を充填する工程と、を備えた、ウェハレベル気密パッケージの製造方法。
2. 前記切断工程を経て前記複数の接合材の外周側に充填材を充填した後、前記切断工程で切断していない前記第一のウェハまたは第二のウェハを、前記複数の接合材の間隙に対応する位置で切断し、該切断箇所に充填材を充填する工程を更に備える、請求項１に記載のウェハレベル気密パッケージの製造方法。
3. 複数の素子がアレイ状に実装された第一のウェハと、第一のウェハの実装面側に対向配置された第二のウェハと、前記第一のウェハと第二のウェハとの間にアレイ状に配設され、それぞれ一個または複数個の前記素子を囲んで気密封止する複数の接合材とを備えた、ウェハレベル気密パッケージ準備体を準備する工程と、
   前記ウェハレベル気密パッケージ準備体の前記第一のウェハまたは第二のウェハの一方を前記複数の接合材の間隙に対応する位置で切断すると共に他方の内表面側をハーフカットする工程と、
   該切断およびハーフカットする工程の後に前記ウェハレベル気密パッケージ準備体の前記複数の接合材の外周側に充填材を充填する工程と、を備えた、ウェハレベル気密パッケージの製造方法。
4. 素子が実装された素子側基板と、
   前記素子側基板の実装面に対向して配置された蓋側基板と、
   前記素子を囲むように前記素子側基板と前記蓋側基板との間に配設され、前記素子を気密封止する接合材と、
   前記接合材の外周側かつ前記素子側基板と前記蓋側基板との間に充填された充填材とを備え、
   前記充填材が、前記素子側基板および前記蓋側基板の一方の外周面も覆っている、気密パッケージ。
5. 素子が実装された素子側基板と、
   前記素子側基板の実装面に対向して配置された蓋側基板と、
   前記素子を囲むように前記素子側基板と前記蓋側基板との間に配設され、前記素子を気密封止する接合材と、
   前記接合材の外周側かつ前記素子側基板と前記蓋側基板との間に充填された充填材とを備え、
   前記充填材が、前記素子側基板および前記蓋側基板の両方の外周面も覆っている、気密パッケージ。
6. 素子が実装された素子側基板と、
   前記素子側基板の実装面に対向して配置された蓋側基板と、
   前記素子を囲むように前記素子側基板と前記蓋側基板との間に配設され、前記素子を気密封止する接合材と、
   前記接合材の外周側かつ前記素子側基板と前記蓋側基板との間に充填された充填材とを備え、
   前記素子側基板または前記蓋側基板の外周部の内表面側に切り欠き部が設けられ、前記切り欠き部にも前記充填材が充填されており、
   前記充填材は、前記切り欠き部が設けられていない前記素子側基板または前記蓋側基板の外周面も覆っている、気密パッケージ。

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