JP4618599B2 - 半導体モジュール - Google Patents
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Description
Pass Filter)を設けたメモリ・モジュールが提案されている。特許文献1のメモリ・モジュールは、LPFによりシステムボードとメモリ・モジュールとの間のノイズ伝搬をカットすることにより、第1のノイズを低減する。
Claims (17)
- 第1の参照電圧入力部を有する第1の半導体装置と、
第2の参照電圧入力部を有する第2の半導体装置と、
前記第1の参照電圧入力部及び前記第2の参照電圧入力部に参照電圧の電位を供給する参照電圧供給部とを備え、
前記参照電圧供給部は、
前記第1の参照電圧入力部に接続された第1の参照電極と、
前記第2の参照電圧入力部に接続された第2の参照電極と、
前記第1の参照電圧入力部に接続された第1のデカップリング・コンデンサと、
前記第2の参照電圧入力部に接続された第2のデカップリング・コンデンサとを有し、
前記参照電圧供給部は、前記第1の参照電圧入力部と前記第2の参照電圧入力部との間の伝達インピーダンスの周波数特性を調整して前記第1の半導体装置と前記第2の半導体装置との間におけるノイズ伝達を抑制するノイズ伝達抑制手段であって、前記第1の参照電極と前記第1のデカップリング・コンデンサとを含む回路の第1の***振周波数と前記第2の参照電極と前記第2のデカップリング・コンデンサとを含む回路の第2の***振周波数とが共に所定周波数である場合に現れる前記周波数特性上の極大値を低下させることにより、前記ノイズ伝達を抑制するノイズ伝達抑制手段を更に有し、
前記第1のデカップリング・コンデンサの等価直列インダクタンス成分の10倍以上の等価直列インダクタンス成分をもち前記第1の参照電極と前記第2の参照電極との間に接続された接続部材を更に備え、
前記ノイズ伝達抑制手段は、前記接続部材を構成要素に有する半導体モジュール。 - 前記接続部材は、抵抗部材と前記抵抗部材に直列に接続されたインダクタとを有する請求項1の半導体モジュール。
- 前記インダクタは、幅が長さの100分の1以下となる配線で形成されている請求項2の半導体モジュール。
- 前記第1の***振周波数と前記第2の***振周波数とが異なる請求項1から請求項3のいずれかの半導体モジュール。
- 前記第1の***振周波数と前記第2の***振周波数との差は、前記第1の***振周波数の基本周波数の5%以上である請求項4の半導体モジュール。
- 前記ノイズ伝達抑制手段は、前記第1の参照電極と前記第2の参照電極とを構成に有し、前記第1の参照電極の面積と前記第2の参照電極の面積との差は、前記第1の参照電極の面積の10%以上である請求項4または請求項5の半導体モジュール。
- 前記第1の参照電極及び前記第2の参照電極に対向して配置されたグランド電位層を備え、
前記ノイズ伝達抑制手段は、前記第1の参照電極と前記第2の参照電極とを構成に有し、前記第1の参照電極と前記第2の参照電極とは前記グランド電位層までの距離が異なる層に配置されている請求項4または請求項5の半導体モジュール。 - 前記ノイズ伝達抑制手段は、前記第1のデカップリング・コンデンサと前記第2のデカップリング・コンデンサとを構成に有し、前記第1のデカップリング・コンデンサの容量と前記第2のデカップリング・コンデンサの容量との差は、前記第1のデカップリング・コンデンサの容量の10%以上である請求項4または請求項5の半導体モジュール。
- 前記ノイズ伝達抑制手段は、前記第1のデカップリング・コンデンサと前記第2のデカップリング・コンデンサとを構成に有し、前記第1のデカップリング・コンデンサの直列インダクタンスと前記第2のデカップリング・コンデンサの直列インダクタンスとの差は、前記第1のデカップリング・コンデンサの等価直列インダクタンスの10%以上である請求項4または請求項5の半導体モジュール。
- 第3の参照電圧入力部を有する第3の半導体装置を更に備え、
前記第3の半導体装置は、前記第1の半導体装置に積層され、前記第1の参照電圧入力部及び前記第1のデカップリング・コンデンサに接続されており、
前記第1のデカップリング・コンデンサと前記第1の半導体装置との間の等価直列インダクタンスと、前記第1のデカップリング・コンデンサと前記第3の半導体装置との間の等価直列インダクタンスとの差は、前記第1のデカップリング・コンデンサの等価直列インダクタンスの10%以上である請求項4または請求項5の半導体モジュール。 - 前記第1の半導体装置と前記第2の半導体装置とを支持するモジュール基板を更に備え、
前記第2の半導体装置は、前記半導体モジュールにおいて前記第1の半導体装置が配置されている面と同じ側に配置されている請求項1から請求項10までのいずれかの半導体モジュール。 - 前記第1の半導体装置と前記第2の半導体装置とを支持するモジュール基板を更に備え、
前記第2の半導体装置は、前記半導体モジュールにおいて前記第1の半導体装置が配置されている面と逆側に配置されている請求項1から請求項10までのいずれかの半導体モジュール。 - 前記参照電圧供給部は、前記第1の参照電極に接続されて前記第1の参照電極に参照電圧の電位を供給するテブナン終端部を更に有し、前記第1の参照電極を介して前記第2の参照電極に参照電圧の電位を供給する請求項1から請求項12のいずれかの半導体モジュール。
- 前記参照電圧供給部は、前記第1の参照電極に接続されて前記第1の参照電極に参照電圧の電位を供給する第1のテブナン終端部と、前記第2の参照電極に接続されて前記第2の参照電極に参照電圧の電位を供給する第2のテブナン終端部とを有する請求項1から請求項12のいずれかの半導体モジュール。
- 前記参照電圧供給部は、前記第1の参照電極及び第2の参照電極に接続されて前記第1の参照電極及び第2の参照電極に参照電圧の電位を供給する第3のテブナン終端部を更に有し、前記第3のテブナン終端部と前記第1の参照電極との間に接続された第1の抵抗部材と、前記第3のテブナン終端部と前記第2の参照電極との間に接続された第2の抵抗部材とを有する請求項1から請求項12のいずれかの半導体モジュール。
- 第1の参照電圧入力部を有する第1の半導体装置と、
第2の参照電圧入力部を有する第2の半導体装置と、
前記第1の参照電圧入力部及び前記第2の参照電圧入力部に参照電圧の電位を供給する参照電圧供給部とを備え、
前記参照電圧供給部は、
前記第1の参照電圧入力部に接続された第1の参照電極と、
前記第2の参照電圧入力部に接続された第2の参照電極と、
前記第1の参照電圧入力部に接続された第1のデカップリング・コンデンサと、
前記第2の参照電圧入力部に接続された第2のデカップリング・コンデンサとを有し、
前記参照電圧供給部は、前記第1の参照電圧入力部と前記第2の参照電圧入力部との間の伝達インピーダンスの周波数特性を調整して前記第1の半導体装置と前記第2の半導体装置との間におけるノイズ伝達を抑制するノイズ伝達抑制手段であって、前記第1の参照電極と前記第1のデカップリング・コンデンサとを含む回路の第1の***振周波数と前記第2の参照電極と前記第2のデカップリング・コンデンサとを含む回路の第2の***振周波数とが共に所定周波数である場合に現れる前記周波数特性上の極大値を低下させることにより、前記ノイズ伝達を抑制するノイズ伝達抑制手段を更に有し、
前記参照電圧供給部は、前記第1の参照電極に接続されて前記第1の参照電極に参照電圧の電位を供給する第1のテブナン終端部と、前記第2の参照電極に接続されて前記第2の参照電極に参照電圧の電位を供給する第2のテブナン終端部とを有する半導体モジュール。 - 第1の参照電圧入力部を有する第1の半導体装置と、
第2の参照電圧入力部を有する第2の半導体装置と、
前記第1の参照電圧入力部及び前記第2の参照電圧入力部に参照電圧の電位を供給する参照電圧供給部とを備え、
前記参照電圧供給部は、
前記第1の参照電圧入力部に接続された第1の参照電極と、
前記第2の参照電圧入力部に接続された第2の参照電極と、
前記第1の参照電圧入力部に接続された第1のデカップリング・コンデンサと、
前記第2の参照電圧入力部に接続された第2のデカップリング・コンデンサとを有し、
前記参照電圧供給部は、前記第1の参照電圧入力部と前記第2の参照電圧入力部との間の伝達インピーダンスの周波数特性を調整して前記第1の半導体装置と前記第2の半導体装置との間におけるノイズ伝達を抑制するノイズ伝達抑制手段であって、前記第1の参照電極と前記第1のデカップリング・コンデンサとを含む回路の第1の***振周波数と前記第2の参照電極と前記第2のデカップリング・コンデンサとを含む回路の第2の***振周波数とが共に所定周波数である場合に現れる前記周波数特性上の極大値を低下させることにより、前記ノイズ伝達を抑制するノイズ伝達抑制手段を更に有し、
前記参照電圧供給部は、前記第1の参照電極及び第2の参照電極に接続されて前記第1の参照電極及び第2の参照電極に参照電圧の電位を供給する第3のテブナン終端部を更に有し、前記第3のテブナン終端部と前記第1の参照電極との間に接続された第1の抵抗部材と、前記第3のテブナン終端部と前記第2の参照電極との間に接続された第2の抵抗部材とを有する半導体モジュール。
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