JP4618118B2 - 受動モード同期半導体レーザ及び光クロック信号抽出装置 - Google Patents
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Description
図1(A)及び(B)を参照して、第1発明の受動モード同期半導体レーザの構造について説明する。以後、受動モード同期半導体レーザ(Mode-Locked Laser Diode)をMLLDと略記する。図1(A)は第1発明の受動モード同期半導体レーザ(以後「MLLD 10」という。)の、光導波路方向に対して垂直側面方向から見た概略的構成図であり、図1(B)は光導波路方向に対向する方向であって、光導波路18の側から見た概略的構成図である。
ΓTE・gTE>ΓTM・gTM (1)
となる。
ΓTM・gTM>0 (2)
を満たすように、TMモードに対する光学利得ΓTM・gTMを設定する。
α=ΓA(N-N0) (3)
ここで、Aは微分利得、N0は透明状態におけるキャリア密度である。
Esat=((h/2π)ω0・w・d)/(ΓA) (4)
ここで、hはプランクの定数、ω0は入力光信号の光角周波数である。
ΓTM・ATM>ΓTE・ATE (5)
このように設定すれば、TEモードに対する吸収飽和エネルギーEsat,TEより、TMモードに対する吸収飽和エネルギーEsat,TMが小さいという条件Esat,TE>Esat,TMが満たされる。
図2を参照して、第1光クロック信号抽出装置の構成について説明する。図2は、第1発明のMLLD 10を利用した第1光クロック信号抽出装置の光導波路方向に対して垂直側面方向から見た概略的構成図である。
図3を参照して、第2光クロック信号抽出装置の構成について説明する。図3は、第1発明のMLLD 10を利用した第2光クロック信号抽出装置の光導波路方向に対して垂直側面方向から見た概略的構成図である。
光クロック信号抽出動作は、次に示す条件下で行う。すなわち、抽出される光クロック信号の発振縦モード波長のいずれもが、入力光信号の周波数スペクトルのピーク波長と不一致の状態で、MLLDを駆動する。このように駆動することによって、入力光信号が、TE偏光あるいはTM偏光のいずれの偏光状態であっても、等しく時間ジッタが小さな光クロック信号を抽出することが可能となることを以下に詳説する。
fCLK=f0+(NfML)
で与えられる。ここで、Nは整数、fMLは、光クロック信号の発振縦モード間隔である。
fcarrier=f0+(N+d)fML (6)
ここで最も望ましい状態は、dの値が0.5に等しい状態である。すなわち、入力光信号の有する複数の周波数スペクトルのピーク波長が、光クロック信号の有する縦モード列の中間の位置に存在している。
MLLDの発振光の偏光状態が、入力光信号の偏光状態に依存すると、次の問題が生じる。光中継器等で光信号を再生する場合に、一旦入力光信号から光クロック信号を抽出する。そして、この光クロック信号から光信号を再生する。この光クロック信号から光信号を再生する際に用いられる光変調器が偏光無依存で動作するものに限定されるという問題が第1点である。また、MLLDの発振光の偏光状態が、入力光信号がTM偏光からTM偏光へ、あるいはTM偏光からTE偏光へと変化する遷移過程において、過渡的な動作不安定が発生するという問題が第2点である。特に第2点目として掲げた問題は、光クロック信号抽出動作の安定性を確保する目的からは、絶対に発生させてはならない現象である。
αTE(N')=ΓTEATE(N'-N0,TE) (7)
αTM(N')=ΓTMATM(N'-N0,TM) (8)
ここで、N'は、入力光信号が可飽和吸収領域32の光導波路18に存在しないときのキャリア密度である。N0,TE及びN0,TMは、それぞれ、TEモード及びTMモードに対して透明状態となるキャリア密度である。
Esat,TE=((h/2π)ω0・w・d)/(ΓTEATE) (11)
Esat,TM=((h/2π)ω0・w・d)/(ΓTMATM) (12)
PTE=Pexp(ΓTE・gTE・Lg) (13)
PTM=Pexp(ΓTM・gTM・Lg) (14)
ここで、Pは入力光信号が入力部34からMLLD 10に入力される直前の強度を示し、Lgは利得領域の長さを示す。
ΔαTE=αTE(N'+ΔN)−αTE(N')=ΓTEATEΔN (15)
また、一方、TE偏光の入力によって生じる吸収飽和による光吸収係数の変化ΔαTEは、次式(16)で与えられる。
以上説明したように、式(1)、(2)及び(5)を満足するようにMLLDを構成すれば、入力光信号の偏光方向に依存することなく、光クロック信号を抽出することが可能となる。すなわち、式(1)、(2)及び(5)を満足するMLLDを利用すれば、入力光信号の偏光方向に依存することなく、光クロック信号を抽出することが可能な光クロック信号抽出装置が実現される。
図10(A)及び(B)を参照して、第2発明のMLLDの構造について説明する。図10(A)は第2発明のMLLD70の、光導波路方向に対して垂直側面方向から見た概略的構成図であり、図10(B)は光導波路方向に対向する方向から見た概略的構成図である。
2nL=mλ (21)
ここで、mは自然数である。第2発明のMLLD 70において、共振器は光導波路100、76及び78であり、平均実効屈折率nはこれら光導波路の平均実効屈折率である。
図13を参照して、第3光クロック信号抽出装置の構成及びその動作を説明する。図13は、第1発明のMLLD 10を利用した第3光クロック信号抽出装置の概略的構成図である。図13においては、第1発明のMLLD 10を利用して構成される第3光クロック信号抽出装置について示しているが、第3光クロック信号抽出装置を構成するには、第1発明のMLLD 10に変えて、第2発明のMLLD 70を利用することも可能であることは明らかである。この場合は、光クロック信号抽出の基本動作が行われる第2発明のMLLD 70によって得られる上述した利点が得られる。
光クロック信号を偏光無依存で抽出することが可能となる。
12、72:n側共通電極
14、74:第1クラッド層
16、76:利得領域の光導波路
18、78:可飽和吸収領域の光導波路
20、80:第2クラッド層
22、82:可飽和吸収領域のp側電極
24、84:利得領域のp側電極
26、86:定電圧源
28、88:定電流源
30、96:利得領域
32、98:可飽和吸収領域
34、102、124:入力部
36:第1光アイソレータ
38:第1結合光学系
40:第2結合光学系
42:第2光アイソレータ
44、60:波長フィルタ
46、104、132:出力部
48、52、68:光伝送路
50:入出力部
54:結合光学系
58:光サーキュレータ
90:電源
92:受動導波路領域のp側電極
94:受動導波路領域
100:受動導波路領域の光導波路
126:第1偏光分離合成器
128:光減衰器
130:第2偏光分離合成器
132:光増幅器
Claims (15)
- 反転分布が形成される利得領域と、光強度を変調する機能を有する可飽和吸収領域とを含み、前記利得領域と前記可飽和吸収領域とが直列に配置されており、
前記利得領域において、偏光面が該利得領域に内在する光導波路の幅方向に平行な方向である偏光に対する光学利得が、偏光面が該利得領域に内在する光導波路の厚み方向に平行な方向である偏光に対する光学利得より大きく、
前記可飽和吸収領域において、偏光面が該可飽和吸収領域に内在する光導波路の幅方向に平行な方向である偏光に対する吸収飽和エネルギーよりも、偏光面が該可飽和吸収領域に内在する光導波路の厚み方向に平行な方向である偏光に対する吸収飽和エネルギーが小さい
ことを特徴とする受動モード同期半導体レーザ。 - 実効屈折率が可変である受動導波路領域と、反転分布が形成される利得領域と、光強度を変調する機能を有する可飽和吸収領域とを含み、前記受動導波路領域と、前記利得領域と、前記可飽和吸収領域とが直列に配置されており、
前記利得領域において、偏光面が該利得領域に内在する光導波路の幅方向に平行な方向である偏光に対する光学利得が、偏光面が該利得領域に内在する光導波路の厚み方向に平行な方向である偏光に対する光学利得より大きく、
前記可飽和吸収領域において、偏光面が該可飽和吸収領域に内在する光導波路の幅方向に平行な方向である偏光に対する吸収飽和エネルギーよりも、偏光面が該可飽和吸収領域に内在する光導波路の厚み方向に平行な方向である偏光に対する吸収飽和エネルギーが小さい
ことを特徴とする受動モード同期半導体レーザ。 - 前記利得領域に内在する光導波路がバルク結晶で形成されており、及び前記可飽和吸収領域に内在する光導波路が伸張歪を導入された量子井戸構造で形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の受動モード同期半導体レーザ。
- 前記利得領域及び前記可飽和吸収領域に内在する光導波路が伸張歪を導入された量子井戸構造で形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の受動モード同期半導体レーザ。
- 請求項1から4のいずれか一項に記載の受動モード同期半導体レーザと、
入力光信号を入力する入力部と、
該入力光信号から前記受動モード同期半導体レーザによって抽出された光クロック信号を出力する出力部と
を具えることを特徴とする光クロック信号抽出装置。 - 前記入力部が、前記入力光信号が伝送する光伝送路に戻り光を入力させないための第1光アイソレータと、前記入力光信号を前記受動モード同期半導体レーザに出力する第1結合光学系とを具えることを特徴とする請求項5に記載の光クロック信号抽出装置。
- 前記出力部が、前記受動モード同期半導体レーザに戻り光を入力させないための第2光アイソレータと、前記受動モード同期半導体レーザによって抽出された前記光クロック信号を光伝送路の入力端に出力する第2結合光学系とを具えることを特徴とする請求項5に記載の光クロック信号抽出装置。
- 前記出力部が、前記受動モード同期半導体レーザに戻り光を入力させないための第2光アイソレータと、前記受動モード同期半導体レーザによって抽出された前記光クロック信号を伝送する光伝送路の入力端に出力する第2結合光学系と、前記受動モード同期半導体レーザによって抽出された前記光クロック信号をフィルタリングする波長フィルタとを具えることを特徴とする請求項5に記載の光クロック信号抽出装置。
- 請求項1から4のいずれか一項に記載の受動モード同期半導体レーザと、
入力光信号を入力し、かつ該入力光信号から前記受動モード同期半導体レーザによって抽出された光クロック信号を出力する入出力部と
を具えることを特徴とする光クロック信号抽出装置。 - 前記入出力部が、
前記入力光信号を入力するための第1ポートと、前記入力光信号を出力しかつ前記受動モード同期半導体レーザによって抽出された前記光クロック信号を入力する第2ポートと、該光クロック信号を出力する第3ポートを有する光サーキュレータと、
前記第2ポートから出力される前記入力光信号を前記受動モード同期半導体レーザに出力し、かつ前記受動モード同期半導体レーザによって抽出された前記光クロック信号を前記第2ポートに出力する結合光学系と
を具えることを特徴とする請求項9に記載の光クロック信号抽出装置。 - 前記入出力部が、
前記入力光信号を入力する第1ポートと、前記入力光信号を出力しかつ前記受動モード同期半導体レーザによって抽出された前記光クロック信号を入力する第2ポートと、該光クロック信号を出力する第3ポートを有する光サーキュレータと、
前記第2ポートから出力される前記入力光信号を前記受動モード同期半導体レーザに出力し、かつ前記受動モード同期半導体レーザによって抽出された前記光クロック信号を前記第2ポートに出力する結合光学系と
前記受動モード同期半導体レーザによって抽出された前記光クロック信号をフィルタリングする波長フィルタと
を具えることを特徴とする請求項9に記載の光クロック信号抽出装置。 - 前記入力部が、
入力光信号を第1入力光信号と第2入力光信号とに分離する第1偏光分離合成器と、
前記第1入力光信号の強度を調整して第1調整入力光信号として出力する光減衰器と、
該光減衰器から出力された前記第1調整入力光信号と前記第2入力光信号とを合波して調整入力光信号として出力する第2偏光分離合成器と、
該第2偏光分離合成器から出力された前記調整入力光信号を前記受動モード同期半導体レーザに出力する第1結合光学系と
を具えることを特徴とする請求項5に記載の光クロック信号抽出装置。 - 前記入力部が、
入力光信号を第1入力光信号と第2入力光信号とに分離する第1偏光分離合成器と、
前記第1入力光信号の強度を調整して第1調整入力光信号として出力する光減衰器と、
該光減衰器から出力された前記第1調整入力光信号と前記第2入力光信号とを合波して調整入力光信号として出力する第2偏光分離合成器と、
該第2偏光分離合成器から出力された調整入力光信号を入力し、かつ前記入力光信号が伝送する光伝送路に戻り光を入力させないための第1光アイソレータと、
前記調整入力光信号を前記受動モード同期半導体レーザに出力する第1結合光学系と
を具えることを特徴とする請求項5に記載の光クロック信号抽出装置。 - 前記入力部が、
入力光信号を第1入力光信号と第2入力光信号とに分離する第1偏光分離合成器と、
前記第2入力光信号の強度を増幅して第2調整入力光信号として出力する光増幅器と、
該光増幅器から出力された前記第2調整入力光信号と前記第1入力光信号とを合波して調整入力光信号として出力する第2偏光分離合成器と、
該第2偏光分離合成器から出力された前記調整入力光信号を入力し、かつ前記入力光信号が伝送する光伝送路に戻り光を入力させないための第1光アイソレータと、
前記調整入力光信号を前記受動モード同期半導体レーザに出力する第1結合光学系と
を具えることを特徴とする請求項5に記載の光クロック信号抽出装置。 - 請求項5から14のいずれか一項に記載の光クロック信号抽出装置によって光クロック信号を抽出する方法であって、
抽出される該光クロック信号の発振縦モード波長のいずれもが、入力光信号の周波数スペクトルのピーク波長と不一致の状態で、前記受動モード同期半導体レーザを駆動することを特徴とする光クロック信号抽出方法。
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Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4946662B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2012-06-06 | 沖電気工業株式会社 | 光クロック信号再生装置、光クロック信号再生方法 |
US8320191B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-11-27 | Infineon Technologies Ag | Memory cell arrangement, method for controlling a memory cell, memory array and electronic device |
US7653097B2 (en) * | 2007-12-31 | 2010-01-26 | Corning Incorporated | Systems and methods for polarization modulation of an optical signal |
US8027588B2 (en) * | 2008-02-05 | 2011-09-27 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Systems and methods for optical carrier recovery |
JP5427371B2 (ja) * | 2008-06-20 | 2014-02-26 | テヒニッシェ ウニヴェルズィテート ベルリン | データ伝送光電子装置 |
WO2013173797A1 (en) * | 2012-05-17 | 2013-11-21 | Finisar Corporation | Directly modulated laser for pon application |
US9306372B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-05 | Emcore Corporation | Method of fabricating and operating an optical modulator |
US9059801B1 (en) * | 2013-03-14 | 2015-06-16 | Emcore Corporation | Optical modulator |
US9306672B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-05 | Encore Corporation | Method of fabricating and operating an optical modulator |
CN103904544B (zh) * | 2013-11-15 | 2017-02-08 | 南通蓝诺光电科技有限公司 | 二维层状材料可饱和吸收体器件及其制备方法 |
US9564733B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-02-07 | Emcore Corporation | Method of fabricating and operating an optical modulator |
US10074959B2 (en) | 2016-08-03 | 2018-09-11 | Emcore Corporation | Modulated laser source and methods of its fabrication and operation |
US11916162B2 (en) * | 2019-10-28 | 2024-02-27 | Wright State University | Infrared light emitters based on interband tunneling in unipolar doped n-type tunneling structures |
CN113659440B (zh) * | 2021-09-10 | 2023-09-22 | 湖南汇思光电科技有限公司 | 一种超高频光学频率梳量子点锁模激光器及其制备方法 |
DE102021129880A1 (de) * | 2021-11-16 | 2023-05-17 | Realization Desal Ag | Zeitmessvorrichtung |
DE102021129877B3 (de) * | 2021-11-16 | 2023-03-16 | Realization Desal Ag | Uhr |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521903A (ja) * | 1990-06-21 | 1993-01-29 | Canon Inc | 半導体光増幅装置及びそれを用いた光通信ネツトワーク、集積型光ノード |
JPH0563294A (ja) * | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光増幅器 |
JPH0667228A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-11 | Toshiba Corp | 群遅延光等化回路 |
JPH06120595A (ja) * | 1992-10-02 | 1994-04-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光波長変換回路 |
JPH09148661A (ja) * | 1995-09-21 | 1997-06-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光雑音抑圧回路 |
JPH09237929A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Nec Corp | 光クロック抽出方法及び抽出装置 |
JPH09252159A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | モード同期半導体レーザ及び繰返し周波数の可変方法 |
JPH10117044A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Nec Corp | モード同期半導体レーザ及びその駆動方法 |
JP2000307187A (ja) * | 1999-04-26 | 2000-11-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | ハーモニック光シンクロナスモード同期半導体レーザ |
JP2000332348A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | モード同期半導体レーザ |
JP2002171027A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Fujitsu Ltd | 半導体光増幅器 |
JP2003031897A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Nec Corp | 光クロックパルス列発生装置 |
JP2004363873A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光クロック信号再生成装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1993022855A1 (en) | 1992-04-27 | 1993-11-11 | British Telecommunications Plc | Optical clock recovery |
US6542526B1 (en) * | 1996-10-30 | 2003-04-01 | Hitachi, Ltd. | Optical information processor and semiconductor light emitting device suitable for the same |
JP3434705B2 (ja) | 1998-05-07 | 2003-08-11 | 日本電気株式会社 | 注入同期型レーザ発振器およびその発振器を用いた光通信システム |
JP3496818B2 (ja) | 1999-09-22 | 2004-02-16 | 日本電気株式会社 | 光クロック抽出回路及び光通信システム |
US20060023757A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Aram Mooradian | Apparatus, system, and method for wavelength conversion of mode-locked extended cavity surface emitting semiconductor lasers |
-
2005
- 2005-12-14 JP JP2005360257A patent/JP4618118B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
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- 2006-12-13 US US11/637,926 patent/US7508852B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521903A (ja) * | 1990-06-21 | 1993-01-29 | Canon Inc | 半導体光増幅装置及びそれを用いた光通信ネツトワーク、集積型光ノード |
JPH0563294A (ja) * | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光増幅器 |
JPH0667228A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-11 | Toshiba Corp | 群遅延光等化回路 |
JPH06120595A (ja) * | 1992-10-02 | 1994-04-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光波長変換回路 |
JPH09148661A (ja) * | 1995-09-21 | 1997-06-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光雑音抑圧回路 |
JPH09237929A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Nec Corp | 光クロック抽出方法及び抽出装置 |
JPH09252159A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | モード同期半導体レーザ及び繰返し周波数の可変方法 |
JPH10117044A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Nec Corp | モード同期半導体レーザ及びその駆動方法 |
JP2000307187A (ja) * | 1999-04-26 | 2000-11-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | ハーモニック光シンクロナスモード同期半導体レーザ |
JP2000332348A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | モード同期半導体レーザ |
JP2002171027A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Fujitsu Ltd | 半導体光増幅器 |
JP2003031897A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Nec Corp | 光クロックパルス列発生装置 |
JP2004363873A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光クロック信号再生成装置 |
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