JP2005266695A - Tft panel inspecting device - Google Patents
Tft panel inspecting device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005266695A JP2005266695A JP2004082884A JP2004082884A JP2005266695A JP 2005266695 A JP2005266695 A JP 2005266695A JP 2004082884 A JP2004082884 A JP 2004082884A JP 2004082884 A JP2004082884 A JP 2004082884A JP 2005266695 A JP2005266695 A JP 2005266695A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tft
- tft panel
- electron gun
- panel
- secondary electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイに使われるＴＦＴアレイ基板のパネル検査に使用するＴＦＴパネル検査装置に関する。 The present invention relates to a TFT panel inspection apparatus used for panel inspection of a TFT array substrate used in a flat panel display such as a liquid crystal display or an organic EL display.
フラットパネルディスプレイのパネルはその製造工程において、通常マザーガラス基板の上にＴＦＴアレイのパターンを含む複数のパネルを形成し、このマザーガラス基板から各パネルを切り出している。このフラットパネルディスプレイの製造、検査において、マザーガラス基板から各パネルを切り離す前に、マザーガラス基板の状態においてＴＦＴパネルを評価する必要がある。 In the manufacturing process of a flat panel display panel, a plurality of panels including a TFT array pattern are usually formed on a mother glass substrate, and each panel is cut out from the mother glass substrate. In the production and inspection of this flat panel display, it is necessary to evaluate the TFT panel in the state of the mother glass substrate before separating each panel from the mother glass substrate.
薄膜トランジスタアレイ基板（基板という）は、マザーガラス基板の各パネル上にマトリックス状に薄膜トランジスタ（ＴＦＴアレイ）が配置される。ＴＦＴアレイはアモルファスシリコンを用いるパネルと、ポリシリコンを用いるパネルが知られている。 A thin film transistor array substrate (referred to as a substrate) has thin film transistors (TFT arrays) arranged in a matrix on each panel of a mother glass substrate. As the TFT array, a panel using amorphous silicon and a panel using polysilicon are known.
ポリシリコンを用いたパネルでは、ガラス基板上にＴＦＴアレイに駆動信号を供給してパネルを駆動する駆動回路を形成することができる。 In a panel using polysilicon, a driving circuit for driving the panel can be formed on a glass substrate by supplying a driving signal to the TFT array.
ガラス基板等で形成される基板上には、ＴＦＴアレイから成る複数のパネルが形成される。各ＴＦＴアレイはマトリックス状に配列された複数の薄膜トランジスタを備え、この薄膜トランジスタは、走査信号電極端子，映像信号電極端子から入力される信号により駆動される。 A plurality of panels made of TFT arrays are formed on a substrate formed of a glass substrate or the like. Each TFT array includes a plurality of thin film transistors arranged in a matrix, and the thin film transistors are driven by signals input from scanning signal electrode terminals and video signal electrode terminals.
この基板上の各パネルに形成されるＴＦＴアレイを検査する装置としてＴＦＴパネル検査装置が知られている。 A TFT panel inspection apparatus is known as an apparatus for inspecting a TFT array formed on each panel on the substrate.
基板上には、マトリックス状に配置されて薄膜トランジスタからなるＴＦＴアレイが形成され、また、各薄膜トランジスタを駆動する信号電極端子（例えば、走査信号電極端子，映像信号電極端子）が形成され、この基板の信号電極端子に検査信号を供給する手段としてプローバフレームが設けられている。プローバフレームはプローブピンを信号電極端子に接触させ、これによってＴＦＴパネルに検査信号を供給し駆動する。 A TFT array composed of thin film transistors is formed on the substrate in a matrix, and signal electrode terminals (for example, scanning signal electrode terminals and video signal electrode terminals) for driving the thin film transistors are formed. A prober frame is provided as means for supplying an inspection signal to the signal electrode terminal. The prober frame brings the probe pin into contact with the signal electrode terminal, thereby supplying an inspection signal to the TFT panel and driving it.
ＴＦＴパネルの検査は、真空室内にＴＦＴパネルを挿入し、このＴＦＴパネルに電子銃から電子線を照射し、ＴＦＴアレイから放出する二次電子を二次電子検出器で検出することによって行う。（例えば、特許文献１参照） The TFT panel is inspected by inserting the TFT panel into a vacuum chamber, irradiating the TFT panel with an electron beam from an electron gun, and detecting secondary electrons emitted from the TFT array with a secondary electron detector. (For example, see Patent Document 1)
従来、電子銃や二次電子検出器のＴＦＴパネル検査装置への取り付けは、ＴＦＴパネル検査装置のケース等の外装部分に開口部を設け、この開口部の外装壁に、筒状の真空容器に入れた電子銃や二次電子検出器をネジ等によって固定することによって行われている。 Conventionally, an electron gun or a secondary electron detector is attached to a TFT panel inspection apparatus by providing an opening in the exterior portion of the case of the TFT panel inspection apparatus, and a cylindrical vacuum vessel on the exterior wall of the opening. This is done by fixing the inserted electron gun or secondary electron detector with screws or the like.
複数の電子銃や二次電子検出器を用いる場合には、所定間隔を開けて列状に配列し、さらに多数を配置する場合には複数列として格子状配列としている。
従来のＴＦＴパネル検査装置では、前記したように電子銃や二次電子検出器の取り付けを、装置の外装部分に開口部を形成し、この開口部分に真空容器と共に取り付けているため、電子銃や二次電子検出器の設置個数や設置位置は固定されている。そのため、設置個数や設置位置を容易に変更することができない。 In the conventional TFT panel inspection apparatus, as described above, since the electron gun and the secondary electron detector are attached to the exterior portion of the apparatus, an opening is formed together with the vacuum container. The number of installed secondary electron detectors and the installation position are fixed. Therefore, the number of installations and installation positions cannot be easily changed.
ＴＦＴパネルは、通常一枚の基板から複数のＴＦＴパネルを形成する、所謂多面取りが行われ、複数のＴＦＴパネルを多くの電子銃及び二次電子検出器を同時に駆動して、多数のＴＦＴパネルを短時間で検査することが行われている。 A TFT panel is usually a multi-sided process in which a plurality of TFT panels are formed from a single substrate, and a number of TFT panels are driven by simultaneously driving a number of electron guns and secondary electron detectors. Inspection is performed in a short time.
一本の電子銃の電子ビームが走査する走査範囲は数センチ四方であって、ＴＦＴパネルの大きさと比較して狭いため、一走査ではＴＦＴパネルの全面を走査することができない。そのため、ＴＦＴパネル移動と走査とを組み合わせることによって、ＴＦＴパネルの全面の走査を行っている。 The scanning range scanned by the electron beam of one electron gun is several centimeters square, which is narrower than the size of the TFT panel, so that the entire surface of the TFT panel cannot be scanned by one scanning. Therefore, the entire surface of the TFT panel is scanned by combining TFT panel movement and scanning.
検査基板は複数種類あり、基板上に形成される複数のＴＦＴパネルの枚数や配置位置は種々異なる。前記したように、電子銃や二次電子検出器の設置位置は、ＴＦＴパネル検査装置の外装部分に対して固定されているため、多面取りのＴＦＴパネルのパネル間の桟の部分と、隣接する電子銃の走査のつなぎ目とは必ずしも一致しない。 There are a plurality of types of inspection substrates, and the number and arrangement positions of a plurality of TFT panels formed on the substrate are variously different. As described above, since the installation position of the electron gun and the secondary electron detector is fixed with respect to the exterior part of the TFT panel inspection apparatus, it is adjacent to the crosspiece between the panels of the multi-panel TFT panel. It does not necessarily match the joint of the electron gun scan.
そのため、各電子銃及び二次電子検出器が検出する検出データは、ＴＦＴパネル毎のデータではなく、隣接するＴＦＴパネルのデータが含まれているため、一枚のＴＦＴパネルのデータを得るには各検出データをデータ処理する必要がある。 For this reason, the detection data detected by each electron gun and secondary electron detector includes not data for each TFT panel but data for adjacent TFT panels. It is necessary to process each detected data.
検出データは膨大であるため、検出されたデータをつなぎ合わせて各ＴＦＴパネルのデータを取得するには膨大な処理時間を要することになり、ＴＦＴパネルの検査時間が長くなる要因となっている。 Since the detection data is enormous, enormous processing time is required to connect the detected data and acquire the data of each TFT panel, which causes a long inspection time of the TFT panel.
図７は、ＴＦＴパネルのデータ処理を説明するための図である。図７（ａ）は、９枚のＴＦＴパネル１０１ａ〜１０１ｅが形成された基板１００を、二つの電子銃１０２ａ，１０２ｂで検出する例を示している。なお、二次電子検出器は電子銃１０２ａ，１０２ｂに対応して設けられるが、図７では図示していない。
FIG. 7 is a diagram for explaining data processing of the TFT panel. FIG. 7A shows an example in which the
図７（ｂ）は電子銃１０２ａによる走査範囲（斜線で示す部分）を示し、図７（ｃ）は電子銃１０ｂａによる走査範囲（斜線で示す部分）を示している。ここで、電子銃１０２による走査のつなぎ目と各ＴＦＴパネル１０１のパネル間の桟とは一致していないため、各ＴＦＴパネル１０１の検出データは、電子銃１０２で得られる検出データをつなぎ合わせる必要がある。
FIG. 7B shows a scanning range (a portion indicated by hatching) by the
図７（ｄ）は、電子銃の走査により得られる検出データの関係を示しており、１０４ａ〜１０４ｄの部分は隣接する２つの検出データが重なる部分を示し、１０４ｅは隣接する４つの検出データが重なる部分を示している。
FIG. 7D shows the relationship of detection data obtained by scanning with an electron gun. The
この検出データの範囲とＴＦＴパネルの範囲とは必ずしも一致しないため、ＴＦＴパネルの検出データを取得するには、いくつかの検出データの組み合わせについてデータ処理を行う必要がある。例えば、図７（ｄ）中にＴＦＴパネル１０１ｅの検出データを得るには、１０３ａ〜１０３ｄの検出データについてデータ処理を行う。 Since the detection data range and the TFT panel range do not always match, it is necessary to perform data processing for several combinations of detection data in order to obtain the detection data of the TFT panel. For example, in order to obtain detection data of the TFT panel 101e in FIG. 7D, data processing is performed on the detection data of 103a to 103d.
基板の種類によって基板上に形成されるＴＦＴパネルの枚数や位置が異なるため、一つのＴＦＴパネル検査装置によって種類の異なる基板を検査する場合には、このようなデータ処理が必要となる。 Since the number and position of TFT panels formed on the substrate differ depending on the type of substrate, such data processing is required when inspecting different types of substrates with one TFT panel inspection apparatus.
前記したように、従来のＴＦＴパネル検査装置では、電子銃や二次電子検出器は装置の外装部に固定されているため、ＴＦＴパネルの検出データを取得するために膨大なデータ処理が必要であり、ＴＦＴパネル検査に要する処理時間が長くかかるという問題がある。 As described above, in the conventional TFT panel inspection apparatus, the electron gun and the secondary electron detector are fixed to the exterior part of the apparatus, and therefore, a huge amount of data processing is required to obtain the detection data of the TFT panel. There is a problem that it takes a long processing time to inspect the TFT panel.
そこで、本発明は上記課題を解決し、ＴＦＴパネルの検出データを取得するためのデータ処理を減少させ、ＴＦＴパネル検査に要する処理時間を短縮することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-described problems, reduce data processing for obtaining detection data of a TFT panel, and shorten processing time required for TFT panel inspection.
上記目的を解決するために、本発明は、多面取りパネルを行う一つの基板に形成する枚数（面取り数）や配置に合わせて、電子銃や二次電子検出器の配置を変更することによって複数の電子銃の測定範囲と各ＴＦＴパネルとの対応付けを行い、これによって、ＴＦＴパネルの検出データを取得するためのデータ処理を減少させ、ＴＦＴパネル検査に要する処理時間を短縮する。 In order to solve the above-mentioned object, the present invention provides a plurality of electron guns and secondary electron detectors by changing the arrangement of the electron gun and the secondary electron detector in accordance with the number of sheets (the number of chamfers) formed on one substrate for performing a multi-chamfer panel. The measurement range of the electron gun is associated with each TFT panel, thereby reducing the data processing for obtaining the detection data of the TFT panel and reducing the processing time required for the TFT panel inspection.
本発明のＴＦＴパネル検査装置の第１の形態は、ＴＦＴ基板に検査信号を供給し、駆動状態を検出することによってＴＦＴ基板上のＴＦＴパネルを検査するＴＦＴパネル検査装置において、真空室内に電子銃及び／又は二次電子検出器を設置するための設置部材を備え、設置部材は電子銃及び／又は二次電子検出器を設置するための複数の設置部位を備える構成とする。複数の設置部位の中から選択した設置部位に電子銃や二次電子検出器を取り付けることにより、電子銃や二次電子検出器の真空室内での設置位置を変更することができる。このとき、検査対象の基板に形成されるＴＦＴパネルの面取り数や配置に応じて設置部位を選択することにより、電子銃の走査範囲と各ＴＦＴパネルとを対応付け、これによって、ＴＦＴパネルの検出データを取得するためのデータ処理を減少させ、ＴＦＴパネル検査に要する処理時間を短縮する。 A first form of a TFT panel inspection apparatus according to the present invention is a TFT panel inspection apparatus for inspecting a TFT panel on a TFT substrate by supplying an inspection signal to the TFT substrate and detecting a driving state. And / or an installation member for installing the secondary electron detector, and the installation member includes a plurality of installation sites for installing the electron gun and / or the secondary electron detector. By attaching an electron gun or a secondary electron detector to an installation site selected from a plurality of installation sites, the installation position of the electron gun or secondary electron detector in the vacuum chamber can be changed. At this time, the scanning area of the electron gun is associated with each TFT panel by selecting the installation site according to the number of chamfering and arrangement of the TFT panel formed on the substrate to be inspected, thereby detecting the TFT panel. Data processing for acquiring data is reduced, and processing time required for TFT panel inspection is shortened.
設置部材は、設置部に電子銃や二次電子検出器を取り付けるための開口部を備えた構成とする。設置部位の選択は、選択検査対象の基板に形成されるＴＦＴパネルの面取り数や配置に応じて行うことができる。 The installation member is configured to have an opening for attaching an electron gun and a secondary electron detector to the installation part. The installation site can be selected according to the number and arrangement of the chamfered TFT panels formed on the substrate to be selected and inspected.
また、本発明のＴＦＴパネル検査装置の第２の形態は、ＴＦＴ基板に検査信号を供給し、駆動状態を検出することによってＴＦＴ基板上のＴＦＴパネルを検査するＴＦＴパネル検査装置において、真空室内に電子銃及び／又は二次電子検出器を設置するための設置部材を着脱自在に備える。この設置部材を交換して真空室に取り付けることにより、電子銃や二次電子検出器の真空室内での設置位置を変更可能とすることができる。 A second form of the TFT panel inspection apparatus of the present invention is a TFT panel inspection apparatus for inspecting a TFT panel on a TFT substrate by supplying an inspection signal to the TFT substrate and detecting a driving state. An installation member for installing the electron gun and / or the secondary electron detector is detachably provided. By replacing this installation member and attaching it to the vacuum chamber, it is possible to change the installation position of the electron gun and the secondary electron detector in the vacuum chamber.
設置部材は、検査対象である基板に応じて設定された位置に電子銃や二次電子検出器が設置された複数の設置部材を用意しておき、これら複数の設置部材から検査対象の基板に応じた設置部材を選択し、真空室内に取り付ける。これにより、電子銃の走査範囲と各ＴＦＴパネルとを対応付け、これによって、ＴＦＴパネルの検出データを取得するためのデータ処理を減少させ、ＴＦＴパネル検査に要する処理時間を短縮する。 As the installation member, a plurality of installation members in which an electron gun or a secondary electron detector is installed at a position set according to the substrate to be inspected are prepared, and the plurality of installation members are transferred to the substrate to be inspected. Select the appropriate installation member and install it in the vacuum chamber. Accordingly, the scanning range of the electron gun is associated with each TFT panel, thereby reducing the data processing for acquiring the detection data of the TFT panel and reducing the processing time required for the TFT panel inspection.
本発明のＴＦＴパネル検査装置によれば、ＴＦＴパネルの検出データを取得するためのデータ処理を減少させ、ＴＦＴパネル検査に要する処理時間を短縮することができる。 According to the TFT panel inspection apparatus of the present invention, the data processing for acquiring the detection data of the TFT panel can be reduced, and the processing time required for the TFT panel inspection can be shortened.
以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
はじめに、本発明のＴＦＴパネル検査装置の構成について図１を用いて説明する。 First, the configuration of the TFT panel inspection apparatus of the present invention will be described with reference to FIG.
図１は本発明のＴＦＴパネル検査装置の概略構成を説明するための図である。 FIG. 1 is a diagram for explaining a schematic configuration of a TFT panel inspection apparatus according to the present invention.
基板１０はＴＦＴパネル検査装置１が検査する検査対象であり、基板１０上にはＴＦＴアレイが形成された複数のＴＦＴパネル１１が形成されている。この基板１０に形成されるＴＦＴアレイのレイアウトは、例えば液晶パネルのサイズや仕様に応じて種々に設定される。ＴＦＴパネル１１のＴＦＴアレイには薄膜トランジスタがマトリックス状に形成され、各薄膜トランジスタを駆動する電極１２（例えば、走査信号電極端子，映像信号電極端子）が形成されている。なお、図１では、電極１２は基板１０の外部と電気的に接続するための電極を兼ねているが、別に電極を設けることもできる。
The
ＴＦＴパネル検査装置１は、基板１０の電極１２とを電気的に接続し、電極１２に検査用の駆動信号を供給する電圧印加機構を備える。電圧印加機構はプローバフレーム２により構成することができる。プローバフレーム２は、基板１０の電極１２と電気的に接続する検査用プローブ３を備え、駆動回路２０から基板１０に駆動信号を供給する。
The TFT panel inspection apparatus 1 includes a voltage application mechanism that electrically connects the
プローバフレーム２はステージ９上に配置され、ステージ９上に載置された基板１０に向かって検査用プローブ３が設けられる。電極１２と検査用プローブ３とを電気的に接触させることによって、プローバフレーム２側から基板１０側にＴＦＴアレイを検査するための駆動信号を供給する。
The
基板１０は真空室（図示していない）内に配置され、当該基板１０上に形成されたＴＦＴパネルの検査は、当該真空室内に設置した電子銃４ａ，４ｂ及び二次電子検出器５ａ，５ｂによって行う。
The
電子銃４ａ，４ｂは電子をＴＦＴパネル１１に照射し、電子照射によってＴＦＴパネル１１から放出された二次電子を二次電子検出器５ａ，５ｂで検出し、検出した検出信号に基づいてＴＦＴパネルの短絡、点欠陥、断線等の検査を行う。なお、図１では、電子銃４及び二次電子検出器５を２つ設置する例を示しているが、設置個数及び設置する位置は、検査対象である基板１０の多面取りパネルを行うＴＦＴパネル１１の枚数（面取り数）や配置に合わせて設定することができる。
The
電子銃４ａ，４ｂ及び二次電子検出器５ａ，５ｂは設置部材６に設けられ、設置部材６ごと真空室内に設置される。
The
本発明のＴＦＴパネル検査装置１は、この設置部材６に取り付ける電子銃や二次電子検出器の位置を変更可能とする構成、あるいは電子銃や二次電子検出器を取り付けた設置部材６を交換可能とする構成によって、電子銃や二次電子検出器の設置位置を、基板１０の多面取りパネルを行うＴＦＴパネル１１の枚数（面取り数）や配置に合わせることができる。
In the TFT panel inspection apparatus 1 of the present invention, the position of the electron gun and secondary electron detector attached to the
本発明のＴＦＴパネル検査装置の第１の形態は、電子銃や二次電子検出器を設置するための設置部材を真空室内に備え、設置部材は電子銃や二次電子検出器を設置するための複数の設置部位を備える構成とする。 The first form of the TFT panel inspection apparatus of the present invention is provided with an installation member for installing an electron gun and a secondary electron detector in a vacuum chamber, and the installation member is for installing an electron gun and a secondary electron detector. It is set as the structure provided with several installation site | parts.
図２〜図４を用いて本発明のＴＦＴパネル検査装置の第１の形態について説明する。なお、図２〜図４では電子銃のみ示し二次電子検出器については省略している。 A first embodiment of the TFT panel inspection apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 4, only the electron gun is shown and the secondary electron detector is omitted.
図２（ａ），（ｂ）はＴＦＴパネル検査装置の第１の形態の構成例である。設置部材６Ａ，６Ｂは、電子銃（４ａ，４ｂ，４ｃ等）や二次電子検出器（図示していない）を取り付けるための複数の開口部７が設けられ、真空室内に設置される。
2A and 2B are configuration examples of the first form of the TFT panel inspection apparatus. The
開口部７は、基板１０に形成される各ＴＦＴパネル１１の電子走査に適した配置位置に電子銃や二次電子検出器と設置部材６に取り付けるための部分であり、ＴＦＴパネルの各種の枚数や配置に合わせた複数種の配置位置を組み合わせて形成される。
The
例えば、図２（ａ）に示す設置部材６は、基板１０に形成された２×２の４枚のＴＦＴパネルに対応して電子銃４ａ等を配置した例であり、設置部材６の横一列に形成した開口部６ａ〜６ｆの内で、２×２の多面取りパネルに適した開口部６ａ，６ｄに電子銃４ａ，４ｄを取り付ける。
For example, the
また、図２（ｂ）に示す設置部材６は、基板１０に形成された３×３の９枚のＴＦＴパネルに対応して電子銃４ａ等を配置した例であり、設置部材６の横一列に形成した開口部６ａ〜６ｆの内で、３×３の多面取りパネルに適した開口部６ａ，６ｃ，６ｅに電子銃４ａ，４ｃ，４ｅを取り付ける。
2B is an example in which
図３は、第１の形態における電子銃（二次電子検出器）の設置位置の選択を説明するための概略平面図である。なお、図３は２×２、３×３、及び６×６の多面取りパネルに好適な設置部材の例を示している。 FIG. 3 is a schematic plan view for explaining selection of the installation position of the electron gun (secondary electron detector) in the first embodiment. FIG. 3 shows examples of installation members suitable for 2 × 2, 3 × 3, and 6 × 6 multi-panels.
図３（ａ）は設置部材６の一例であり、横一列に配置した開口部７ａ〜７ｆを備える。図３（ｂ）は、この設置部材６を２×２のＴＦＴパネルのパネル配列に適用した例であり、開口部７ａ，７ｄの位置に電子銃４ａ，４ｄ（二次電子検出器）を配置することにより、電子銃４ａの走査範囲をＴＦＴパネル１１ａ，１１ｃの各アレイ領域に対応させ、電子銃４ｂの走査範囲をＴＦＴパネル１１ｂ，１１ｄの各アレイ領域に対応させる。
FIG. 3A is an example of the
図３（ｃ）は、設置部材６を３×３のＴＦＴパネルのパネル配列に適用した例であり、開口部７ａ，７ｃ，７ｅの位置に電子銃４ａ，４ｃ，４ｅ（二次電子検出器）を配置することにより、電子銃４ａの走査範囲をＴＦＴパネル１１ａ，１１ｄ，１１ｇの各アレイ領域に対応させ、電子銃４ｃの走査範囲をＴＦＴパネル１１ｂ，１１ｅ，１１ｈの各アレイ領域に対応させ、電子銃４ｅの走査範囲をＴＦＴパネル１１ｃ，１１ｆ，１１ｉの各アレイ領域に対応させる。
FIG. 3C shows an example in which the
また、図３（ｄ）は、設置部材６を６×６のＴＦＴパネルのパネル配列に適用した例であり、開口部７ａ〜７ｆの位置に電子銃４ａ〜４ｆ（二次電子検出器）を配置することにより、電子銃４ａの走査範囲をＴＦＴパネル１１ａ，１１ｇ，…の各アレイ領域に対応させ、電子銃４ｂの走査範囲をＴＦＴパネル１１ｂ，１１ｈの各アレイ領域に対応させる。電子銃４ｃ〜４ｆについても、同様に、走査範囲を各ＴＦＴパネル１１の各アレイ領域に対応させる。
FIG. 3D is an example in which the
また、図４は２×２と３×３の多面取りパネルに好適な設置部材の例を示している。図４（ａ）は図３（ａ）と同様の設置部材の例であり、開口部７ａ〜７ｆを備える。ここで、２×２のＴＦＴパネル１１（図４（ｃ））について検査を行う場合には、設置部材６の開口部７ａに電子銃４ａを取り付け、開口部７ｄに電子銃４ｄを取り付ける（図４（ｂ））。図４（ｄ）は設置部材６に取り付けた電子銃４ａ，４ｄとＴＦＴパネル１１との位置関係を示している。電子銃４ａ，４ｄの走査範囲は、ＴＦＴパネル１１ａ，１１ｂのアレイ領域、及びＴＦＴパネル１１ｃ，１１ｄのアレイ領域と対応にしているため、走査範囲とアレイ領域とのずれを合わせるためのデータ処理を低減させることができる。
FIG. 4 shows an example of an installation member suitable for a 2 × 2 and 3 × 3 multi-panel. Fig.4 (a) is an example of the installation member similar to Fig.3 (a), and is provided with opening
また、３×３のＴＦＴパネル１１（図４（ｆ））について検査を行う場合には、設置部材６の開口部７ａ，７ｃ，７ｅに電子銃４ａ，４ｃ，４ｅを取り付ける（図４（ｅ））。図４（ｇ）は設置部材６に取り付けた電子銃４ａ，４ｃ，４ｅとＴＦＴパネル１１との位置関係を示している。電子銃４ａ，４ｃ，４ｅの走査範囲は、ＴＦＴパネル１１ａ，１１ｂ，１１ｃのアレイ領域、ＴＦＴパネル１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ、及び１１ｇ，１１ｈ，１１ｉのアレイ領域と対応しているため、走査範囲とアレイ領域とのずれを合わせるためのデータ処理を低減させることができる。
When the inspection is performed on the 3 × 3 TFT panel 11 (FIG. 4F), the
なお、前記した例では、設置部材に電子銃や二次電子検出器を取り付ける設置部位に開口部を形成した例を示しているが、設置部位において電子銃や二次電子検出器を取り付ける構成は開口部に限らず、他の機構とすることもできる。 In the example described above, an example is shown in which an opening is formed in the installation site where the electron gun or secondary electron detector is attached to the installation member, but the configuration in which the electron gun or secondary electron detector is installed in the installation site Not only an opening part but another mechanism can be used.
また、設置部材に設ける設置部位は等間隔に限らず任意の間隔とすることができ、ＴＦＴパネルの面取りの個数や配置によって定まる間隔で設定することができる。 Moreover, the installation site | part provided in an installation member can be set not only at equal intervals but arbitrary intervals, and can be set by the space | interval determined by the number and arrangement | positioning of the chamfering of a TFT panel.
本発明のＴＦＴパネル検査装置の第２の形態は、電子銃や二次電子検出器を設置するための設置部材を真空室に対して着脱自在な構成とし、真空室内に設置する設置部材を交換可能とする。 In the second form of the TFT panel inspection apparatus of the present invention, the installation member for installing the electron gun and the secondary electron detector is detachable from the vacuum chamber, and the installation member installed in the vacuum chamber is replaced. Make it possible.
図５を用いて本発明のＴＦＴパネル検査装置の第２の形態について説明する。なお、図５では電子銃のみ示し二次電子検出器については省略している。 A second embodiment of the TFT panel inspection apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 5, only the electron gun is shown and the secondary electron detector is omitted.
図５（ａ），（ｂ）はＴＦＴパネル検査装置の第２の形態の構成例である。設置部材６Ｃ，６Ｄには、所定の設定位置に電子銃（４ａ，４ｂ，４ｃ）や二次電子検出器（図示していない）が真空室に対して着脱自在に設置される。
FIGS. 5A and 5B are configuration examples of the second embodiment of the TFT panel inspection apparatus. On the
設置部材６Ｃ，６Ｄは、ＴＦＴパネルの面取り枚数や配置に合わせて配置位置がそれぞれ設定される。例えば、図５（ａ）に示す設置部材６Ｃは、基板１０に形成された２×２の４枚のＴＦＴパネルに対応して電子銃４ａ，４ｂを配置した例であり、２×２の多面取りパネルに適した設置部位に電子銃４ａ，４ｂを取り付ける。
The placement positions of the
また、図５（ｂ）に示す設置部材６Ｄは、基板１０に形成された３×３の９枚のＴＦＴパネルに対応して電子銃４ａ，４ｃを配置した例であり、３×３の多面取りパネルに適した設置部位に電子銃４ａ，４ｂ，４ｃを取り付ける。
Further, the
第２の形態のＴＦＴパネル検査装置によってＴＦＴパネル検査を行う場合には、検査対象の基板上に形成されるＴＦＴパネルの面取り数や配置に適した設置部材６を選択し、選択した設置部材６を真空室内に設置する。
When performing TFT panel inspection by the TFT panel inspection apparatus according to the second embodiment, an
前記した各構成例は、電子銃及び二次電子検出器を一列に配列した構成例を示しているが、電子銃及び二次電子検出器を格子状に配列する構成としてもよい。 Each of the configuration examples described above shows a configuration example in which the electron guns and the secondary electron detectors are arranged in a line, but the electron guns and the secondary electron detectors may be arranged in a grid pattern.
図６は、電子銃及び／又は二次電子検出器を格子状に配列した設置部材の構成例を説明するための図である。 FIG. 6 is a diagram for explaining a configuration example of an installation member in which electron guns and / or secondary electron detectors are arranged in a grid pattern.
図６（ａ），（ｂ）は、２×２の４枚のＴＦＴパネルに対応した例である。図６（ａ）の構成例は、設置部材６Ｅに設けられている開口部７から各ＴＦＴパネル１１ａ〜１１ｃ（ＴＦＴパネル１１ｄは示していない）に対応した開口部を選択し、各開口部に電子銃４（及び／又は二次電子検出器）を取り付けることによって、格子状配列を構成している。
FIGS. 6A and 6B are examples corresponding to 2 × 2 four TFT panels. In the configuration example of FIG. 6A, an opening corresponding to each of the
また、図６（ｂ）の構成例は、設置部材６Ｆの各ＴＦＴパネル１１ａ〜１１ｃ（ＴＦＴパネル１１ｄは示していない）に対応した設置部位に、それぞれに電子銃４（及び／又は二次電子検出器）を取り付けることによって、格子状配列を構成している。
In addition, in the configuration example of FIG. 6B, an electron gun 4 (and / or a secondary electron) is provided at each installation site corresponding to each of the
格子状配列とすることによって、ステージの移動量を低減させることができ、走査時間を短縮することができるという効果や、装置を小型化することができるという効果を奏することができる。 By adopting the lattice arrangement, it is possible to reduce the amount of movement of the stage and to shorten the scanning time and to reduce the size of the apparatus.
また、上記例では、１ＴＦＴパネルに１つの電子銃及び／又は二次電子検出器を設ける構成としているが、１ＴＦＴパネルに対して複数の電子銃及び／又は二次電子検出器を設ける構成としてもよい。この構成によれば、さらに走査時間を短縮することができる。 Further, in the above example, one electron gun and / or secondary electron detector is provided in one TFT panel, but a plurality of electron guns and / or secondary electron detectors may be provided in one TFT panel. Good. According to this configuration, the scanning time can be further shortened.
なお、図６では、２×２の４枚のＴＦＴパネルに対応した例について示しているが、３×３の多面取りパネルなど他の多面取りパネルに対応させて格子状に配列することもできる。 FIG. 6 shows an example corresponding to 2 × 2 four TFT panels, but it can also be arranged in a grid pattern corresponding to another multi-panel such as a 3 × 3 multi-panel. .
本発明の液晶アレイ基板のほか、有機ＥＬアレイ基板の検査等に適用することができる。 In addition to the liquid crystal array substrate of the present invention, it can be applied to inspection of an organic EL array substrate.
１…ＴＦＴパネル検査装置、２…プローバフレーム、３…プローバフレームピン、４，４ａ〜４ｅ…電子銃、５，５ａ，５ｂ…二次電子検出器、６，６Ａ〜６Ｆ…設置部材、７，７ａ〜７ｆ…開口部、９…ステージ、１０…基板、１１，１１ａ〜１１ｉ…パネル、１２…電極、２０…駆動回路、１００…基板、１０１ａ〜１０１ｉ…ＴＦＴパネル、１０２ａ，１０２ｂ…電子銃（二次電子検出器）、１０３ａ，１０３ｂ…走査範囲。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... TFT panel inspection apparatus, 2 ... Prober frame, 3 ... Prober frame pin, 4, 4a-4e ... Electron gun, 5, 5a, 5b ... Secondary electron detector, 6, 6A-6F ... Installation member, 7, 7a-7f ... opening, 9 ... stage, 10 ... substrate, 11, 11a-11i ... panel, 12 ... electrode, 20 ... drive circuit, 100 ... substrate, 101a-101i ... TFT panel, 102a, 102b ... electron gun ( Secondary electron detector), 103a, 103b... Scanning range.
Claims (3)
真空室内に電子銃及び／又は二次電子検出器を設置するための設置部材を備え
前記設置部材は、前記電子銃及び／又は二次電子検出器を設置するための複数の設置部位を備え、
前記設置部位の選択により、前記電子銃及び／又は二次電子検出器の真空室内での設置位置を変更可能とすることを特徴とするＴＦＴパネル検査装置。 In a TFT panel inspection apparatus for inspecting a TFT panel on a TFT substrate by supplying an inspection signal to the TFT substrate and detecting a driving state.
An installation member for installing an electron gun and / or a secondary electron detector in a vacuum chamber, and the installation member comprises a plurality of installation sites for installing the electron gun and / or the secondary electron detector;
A TFT panel inspection apparatus, wherein the installation position of the electron gun and / or the secondary electron detector in the vacuum chamber can be changed by selecting the installation site.
真空室内に電子銃及び／又は二次電子検出器を設置するための設置部材を着脱自在に備え、
前記設置部材の交換により、前記電子銃及び／又は二次電子検出器の真空室内での設置位置を変更可能とすることを特徴とするＴＦＴパネル検査装置。 In a TFT panel inspection apparatus for inspecting a TFT panel on a TFT substrate by supplying an inspection signal to the TFT substrate and detecting a driving state.
An installation member for installing an electron gun and / or a secondary electron detector in the vacuum chamber is detachably provided,
A TFT panel inspection apparatus, wherein the installation position of the electron gun and / or the secondary electron detector in the vacuum chamber can be changed by exchanging the installation member.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004082884A JP2005266695A (en) | 2004-03-22 | 2004-03-22 | Tft panel inspecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004082884A JP2005266695A (en) | 2004-03-22 | 2004-03-22 | Tft panel inspecting device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005266695A true JP2005266695A (en) | 2005-09-29 |
Family
ID=35091260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004082884A Withdrawn JP2005266695A (en) | 2004-03-22 | 2004-03-22 | Tft panel inspecting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005266695A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006244746A (en) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Kyocera Corp | Mask structure, depositing method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting element |
| KR100753867B1 (en) | 2006-05-04 | 2007-09-03 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | Measuring apparatus for characteristic of oled panel |
| JP2007334262A (en) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Shimadzu Corp | Method for detecting defect of tft array substrate, and defect detector of tft array substrate |
-
2004
- 2004-03-22 JP JP2004082884A patent/JP2005266695A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006244746A (en) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Kyocera Corp | Mask structure, depositing method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting element |
| JP4616667B2 (en) * | 2005-03-01 | 2011-01-19 | 京セラ株式会社 | Mask structure, vapor deposition method using the same, and method for manufacturing organic light emitting device |
| KR100753867B1 (en) | 2006-05-04 | 2007-09-03 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | Measuring apparatus for characteristic of oled panel |
| JP2007334262A (en) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Shimadzu Corp | Method for detecting defect of tft array substrate, and defect detector of tft array substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7265572B2 (en) | Image display device and method of testing the same | |
| TWI273700B (en) | Transfer base substrate and method of semiconductor device | |
| JP2006013444A (en) | Thin film transistor array substrate, display using the same, and method of manufacturing display | |
| JPWO2008015738A1 (en) | Substrate inspection / correction device and substrate evaluation system | |
| US7330583B2 (en) | Integrated visual imaging and electronic sensing inspection systems | |
| TW201740118A (en) | Systems and methods for facilitating inspection of a device under test comprising a plurality of panels | |
| JPWO2012120973A1 (en) | Defect inspection method, defect inspection apparatus, and substrate manufacturing method | |
| KR101553290B1 (en) | system for inspection and repair for substrate of OLED display | |
| JP4831525B2 (en) | TFT array inspection method and TFT array inspection apparatus | |
| US7053649B1 (en) | Image display device and method of testing the same | |
| JP2009503495A (en) | Micro pattern and shape inspection equipment using micro column | |
| JP2008151954A (en) | Method of manufacturing display device, and display device | |
| JP2005266695A (en) | Tft panel inspecting device | |
| KR102103840B1 (en) | System and method of testing organic light emitting display device capable of testing automatically contact between probe and pad | |
| KR20050097986A (en) | Active matrix display circuit substrate, display panel including the same, inspection method thereof, inspection device thereof | |
| JP2008089476A (en) | Electron beam scanning method in tft (thin film transistor) array inspection | |
| JP2007271585A (en) | Tft array substrate inspection device | |
| US20070023656A1 (en) | Method for inspecting substrate, and method and apparatus for inspecting array substrates | |
| KR20060020652A (en) | Array substrate inspecting method | |
| JP5316977B2 (en) | Electron beam scanning method and TFT array inspection apparatus for TFT array inspection | |
| JP2007227807A (en) | Inspection method of tft array, and tft array inspection apparatus | |
| CN110967570B (en) | Probe card, automatic optical detection device and method | |
| JP2011007647A (en) | Inspection device of prober frame for tft substrate inspection device | |
| JP2769372B2 (en) | LCD probe device | |
| JP4748360B2 (en) | Prober frame and LCD substrate inspection equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070605 |