JP4614054B2 - Dye-containing resist composition and color filter using the same - Google Patents

Description

本願発明は染料含有レジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルターに関する。   The present invention relates to a dye-containing resist composition and a color filter using the same.

固体撮像素子または液晶表示素子等の撮像素子用カラーフィルターは、主に、微細なパターン形成ができることにより高精細なカラーフィルターを作製することが可能であることから、色素を添加したフォトレジストによりパターンを形成する方法を用いて作製されている。この方法では、色素と高分子樹脂とを含むレジスト組成物を用いて、それを基板上に塗布成膜した後、着色層をフォトリソグラフィー法でパターニング、現像することで一つの着色パターンを形成し、各色毎にこの工程を繰り返し行い、カラーフィルターを作製する。   Color filters for image sensors such as solid-state image sensors or liquid crystal display elements can be used to produce high-definition color filters mainly because fine patterns can be formed. It is manufactured using the method of forming. In this method, a resist composition containing a dye and a polymer resin is used, applied to a substrate, and then a colored layer is patterned and developed by a photolithography method to form a single colored pattern. This process is repeated for each color to produce a color filter.

その際、着色剤として用いられる色素には、一般的に耐熱性や耐光性に優れる顔料が用いられ、顔料を分散させたレジストが提案されている。例えば、酸により硬化し得る樹脂系材料と、光酸発生剤と、顔料とを含有してなることを特徴とする感光性着色樹脂組成物が開示されている。そこには樹脂系材料がフェノールを含む樹脂とＮ−メチロール構造を持つ架橋剤が開示されている。（例えば、特許文献１）
しかしながら、顔料は顔料自体が１μｍ前後の粒子を含んでいるため、その粒子が影響して微細なパターンを形成することができない。そのため、高解像度が要求される電荷結合素子（ＣＣＤ）用カラーフィルターの作製が困難な状況となってきている。
これに対して、色素として染料を用いた場合、染料は有機溶剤に対して可溶であることから均一なレジスト組成物が得られる。そのため、顔料を分散させたレジスト組成物に比べて微細なパターンを形成することが可能である。例えば、酸により硬化し得る樹脂、架橋剤、光酸発生剤、染料及び溶剤を含有してなるネガ型レジスト組成物が開示されている。上記の溶剤としては、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸メチル、乳酸エチル、ピルピン酸エチル、ジメチルホルムアミド等が例示されている。（例えば、特許文献２）。
特開平４−１６３５５２号公報 特開平６−５１５１４号公報 In that case, a pigment having excellent heat resistance and light resistance is generally used as a coloring agent used as a colorant, and a resist in which the pigment is dispersed has been proposed. For example, a photosensitive colored resin composition comprising a resin-based material that can be cured by an acid, a photoacid generator, and a pigment is disclosed. There is disclosed a crosslinking agent having a resin-based material containing phenol and a N-methylol structure. (For example, Patent Document 1)
However, since the pigment itself contains particles of about 1 μm, the fine particles cannot be formed due to the influence of the particles. Therefore, it has become difficult to produce a color filter for a charge coupled device (CCD) that requires high resolution.
On the other hand, when a dye is used as the pigment, since the dye is soluble in an organic solvent, a uniform resist composition can be obtained. Therefore, it is possible to form a fine pattern as compared with a resist composition in which a pigment is dispersed. For example, a negative resist composition comprising a resin curable with an acid, a crosslinking agent, a photoacid generator, a dye and a solvent is disclosed. Examples of the solvent include methyl cellosolve, ethyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, propylene glycol monomethyl ether, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone, Examples include cyclohexanone, ethyl acetate, n-butyl acetate, propylene glycol monoethyl ether, methyl lactate, ethyl lactate, ethyl pyruvate, dimethylformamide and the like. (For example, patent document 2).
JP-A-4-163552 JP-A-6-51514

染料は一般的に有機溶剤への溶解性が低いため、レジスト組成物中の染料濃度を高めることが困難である。特にカラーフィルターの薄膜化がさらに進んだ場合、所定の分光スペクトルを発現させるためにはレジスト組成物中の染料濃度を高める必要がある。加えて、染料と樹脂との相溶性が低い場合、染料、樹脂および有機溶剤を用いてレジスト組成物を調整中に染料が不溶化または析出し、さらに、レジスト組成物を保存中に有機溶剤への溶解性が低い染料が再沈殿、再結晶しやすくなり異物が発生しやすくなる等の問題がある。   Since dyes generally have low solubility in organic solvents, it is difficult to increase the dye concentration in the resist composition. In particular, when the color filter is further thinned, it is necessary to increase the dye concentration in the resist composition in order to develop a predetermined spectral spectrum. In addition, when the compatibility between the dye and the resin is low, the dye is insolubilized or precipitated during the preparation of the resist composition using the dye, the resin and the organic solvent, and further, the resist composition is added to the organic solvent during storage. There is a problem that a dye having low solubility is easily reprecipitated and recrystallized to easily generate foreign matters.

本願発明はカラーフィルターの薄膜化に対応すべく、染料濃度を高めても異物発生等の問題が発生しないカラーレジスト組成物を提供することである。   The present invention is to provide a color resist composition that does not cause problems such as the generation of foreign matter even when the dye concentration is increased in order to cope with the reduction in the thickness of the color filter.

本願発明は第１観点として、ケトール系溶剤を含む染料含有レジスト組成物、
第２観点として、樹脂（ａ−１）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（ｂ−１）、架橋性化合物（ｃ−１）、染料（ｄ）、及びケトール系溶剤（ｅ）を含有するネガ型レジスト組成物、
第３観点として、樹脂（ａ−２）、光ラジカル発生剤（ｂ−２）、架橋性化合物（ｃ−２）、染料（ｄ）及びケトール系溶剤（ｅ）を含有するネガ型レジスト組成物、
第４観点として、樹脂（ａ−３）、光酸発生剤（ｂ−３）、架橋性化合物（ｃ−３）、染料（ｄ）及びケトール系溶剤（ｅ）を含有するポジ型レジスト組成物、
第５観点として、溶剤が、溶媒全体に対してケトールを少なくとも１重量％含有するものである第１観点乃至第４観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第６観点として、ケトールがβ−ヒドロキシケトンである第１観点乃至第５観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第７観点として、ケトールが４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンである第１観点乃至第５観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第８観点として、第１観点乃至第７観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物を基板上に塗布、乾燥、露光、そして現像する工程を含むカラーフィルターの製造方法、
第９観点として、第８観点に記載の方法で製造されたカラーフィルター、
第１０観点として、第８観点に記載の方法で製造されたカラーフィルターを有する固体撮像素子、
第１１観点として、第８観点に記載の方法で製造されたカラーフィルターを有する液晶表示素子、及び
第１２観点として、第８観点に記載の方法で製造されたカラーフィルターを有する発光ダイオード表示素子である。 As a first aspect of the present invention, a dye-containing resist composition containing a ketol-based solvent,
As a second aspect, containing a resin (a-1), a photoacid generator or a photobase generator (b-1), a crosslinkable compound (c-1), a dye (d), and a ketol-based solvent (e) Negative resist composition,
As a third aspect, a negative resist composition containing a resin (a-2), a photoradical generator (b-2), a crosslinkable compound (c-2), a dye (d), and a ketol-based solvent (e) ,
As a fourth aspect, a positive resist composition containing a resin (a-3), a photoacid generator (b-3), a crosslinkable compound (c-3), a dye (d) and a ketol solvent (e) ,
As a fifth aspect, the resist composition according to any one of the first to fourth aspects, wherein the solvent contains at least 1% by weight of ketol relative to the whole solvent,
As a sixth aspect, the resist composition according to any one of the first to fifth aspects, in which ketol is β-hydroxyketone,
As a seventh aspect, the resist composition according to any one of the first aspect to the fifth aspect, in which ketol is 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone,
As an eighth aspect, a method for producing a color filter comprising the steps of coating, drying, exposing, and developing the resist composition according to any one of the first to seventh aspects on a substrate,
As a ninth aspect, a color filter manufactured by the method according to the eighth aspect,
As a tenth aspect, a solid-state imaging device having a color filter manufactured by the method according to the eighth aspect,
As an eleventh aspect, a liquid crystal display element having a color filter manufactured by the method described in the eighth aspect, and as a twelfth aspect, a light emitting diode display element having a color filter manufactured by the method described in the eighth aspect. is there.

本願発明はカラーフィルターの薄膜化に対応すべく、染料濃度を高めても充分な染料の溶解性を確保し、長期保存下でも染料の沈殿に伴う異物発生等の問題がなく、保存安定性の高いカラーレジスト組成物を提供するために、溶剤としてケトール系溶剤、好ましくはβ−ヒドロキシケトン、特に好ましくは４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを用いることをみいだした。   The invention of the present application ensures sufficient dye solubility even when the dye concentration is increased in order to cope with the thinning of the color filter, and there is no problem such as generation of foreign matter due to dye precipitation even under long-term storage, and storage stability is improved. In order to provide a high color resist composition, it has been found that a ketol-based solvent, preferably β-hydroxyketone, particularly preferably 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, is used as a solvent.

ケトールはヒドロキシケトンとも呼ばれ、水酸基を有するケトンの総称である。ケトールの中でも特にβ−ヒドロキシケトンが好ましい。分子内で水酸基とケトンのカルボニル基とが特定の位置関係（β位）に存在することで染料分子との相互作用が高まり溶解性が向上し、温度変化や長期間の保存に対しても染料成分の沈殿に伴う異物等の発生がないものである。β−ヒドロキシケトンの中でも特に４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンがこれらの効果の点で優れている。   Ketol is also called hydroxyketone and is a general term for ketones having a hydroxyl group. Among the ketols, β-hydroxyketone is particularly preferable. The presence of the hydroxyl group and the carbonyl group of the ketone in a specific positional relationship (β position) in the molecule increases the interaction with the dye molecule and improves the solubility, and the dye is resistant to temperature changes and long-term storage. There is no generation of foreign matter or the like due to precipitation of components. Among the β-hydroxy ketones, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone is particularly excellent in terms of these effects.

その結果、染料の溶解性および染料と樹脂との相溶性が高まり、所定の染料濃度を確保する事ができるので、所望の分光スペクトルを発現できるカラーフィルターを作製できる。   As a result, the solubility of the dye and the compatibility between the dye and the resin are increased, and a predetermined dye concentration can be secured, so that a color filter capable of expressing a desired spectral spectrum can be produced.

本願発明は、ケトール系溶剤を含む染料含有レジスト組成物である。   The present invention is a dye-containing resist composition containing a ketol-based solvent.

更に詳しくは、本願発明のレジスト組成物はネガ型とポジ型に適用可能である。   More specifically, the resist composition of the present invention can be applied to a negative type and a positive type.

ネガ型レジスト組成物としては第一に、樹脂（ａ−１）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（ｂ−１）、架橋性化合物（ｃ−１）、染料（ｄ）、及びケトール系溶剤（ｅ）を含有するネガ型レジスト組成物であり、第二に樹脂（ａ−２）、光ラジカル発生剤（ｂ−２）、架橋性化合物（ｃ−２）、染料（ｄ）及びケトール系溶剤（ｅ）を含有するネガ型レジスト組成物である。   As a negative resist composition, first, resin (a-1), photoacid generator or photobase generator (b-1), crosslinkable compound (c-1), dye (d), and ketol series A negative resist composition containing a solvent (e), and secondly a resin (a-2), a photoradical generator (b-2), a crosslinkable compound (c-2), a dye (d) and a ketol It is a negative resist composition containing a system solvent (e).

また、ポジ型レジスト組成物としては、樹脂（ａ−３）、光酸発生剤（ｂ−３）、架橋性化合物（ｃ−３）、染料（ｄ）及びケトール系溶剤（ｅ）を含有するポジ型レジスト組成物である。   The positive resist composition contains a resin (a-3), a photoacid generator (b-3), a crosslinkable compound (c-3), a dye (d), and a ketol-based solvent (e). It is a positive resist composition.

ネガ型レジスト組成物に使用される樹脂は、熱又は光照射により発生する酸若しくは塩基により硬化する樹脂（ａ−１）、熱又は光照射により架橋する感光性樹脂（ａ−２）であり、該樹脂中の未露光部の塗膜が現像液により除去できるものであれば特に限定されない。   The resin used in the negative resist composition is a resin (a-1) that is cured by an acid or base generated by heat or light irradiation, or a photosensitive resin (a-2) that is crosslinked by heat or light irradiation, If the coating film of the unexposed part in this resin can be removed with a developing solution, it will not specifically limit.

樹脂（ａ−１）としては、例えば水酸基、又はカルボキシル基を有する樹脂等が挙げられる。   Examples of the resin (a-1) include a resin having a hydroxyl group or a carboxyl group.

例えばポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸およびポリメタクリル酸等のアクリル系樹脂、ポリアミド酸、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレン誘導体、ポリメタクリレートとマレイン酸無水物との共重合体、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、水酸基および／またはカルボキシル基を含むポリイミド、セルロース、セルロース誘導体、スターチ、キチン、キトサン、ゼラチン、ゼイン、糖骨格高分子化合物、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリウレタンおよびポリシロキサンが挙げられる。これらの樹脂は、単独で、または２種類以上組み合わせて用いられる。   For example, acrylic resins such as polyvinyl alcohol, polyacrylamide, polyacrylic acid and polymethacrylic acid, polyamic acid, polyhydroxystyrene, polyhydroxystyrene derivatives, copolymers of polymethacrylate and maleic anhydride, phenol resins, novolak resins , Polyimides containing a hydroxyl group and / or a carboxyl group, cellulose, cellulose derivatives, starch, chitin, chitosan, gelatin, zein, sugar skeleton polymer compound, polyamide, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyurethane and polysiloxane. These resins are used alone or in combination of two or more.

特に好ましくは、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレン誘導体、フェノール樹脂およびノボラック樹脂である。   Particularly preferred are polyhydroxystyrene, polyhydroxystyrene derivatives, phenolic resins and novolac resins.

カルボキシル基含有アクリル系樹脂としては、（メタ）アクリル酸エステルを主成分とし、エチレン性不飽和カルボン酸と必要に応じて他のモノマーを共重合したアクリル系共重合体が挙げられる。   Examples of the carboxyl group-containing acrylic resin include an acrylic copolymer having (meth) acrylic acid ester as a main component and copolymerized with an ethylenically unsaturated carboxylic acid and other monomers as required.

（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノ（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレートが挙げられる。   (Meth) acrylic acid esters include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, cyclohexyl Examples include (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, dimethylamino (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, and glycidyl (meth) acrylate.

エチレン性不飽和カルボン酸としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、およびそれらの酸無水物やハーフエステルが用いられる。これらのなかでは、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸が好ましい。   Examples of the ethylenically unsaturated carboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, and acid anhydrides and half esters thereof. Of these, acrylic acid, methacrylic acid, and maleic acid are preferred.

上記アクリル系共重合体は重量平均分子量で１０００〜１０万であり、好ましくは、現像性、密着性の点から、２０００〜３万である。これらは必要に応じて組み合わせることができ、単独で用いることも、２種類以上組み合わせて用いることもできる。   The acrylic copolymer has a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000, and preferably 2000 to 30,000 from the viewpoint of developability and adhesion. These can be combined as necessary, and can be used alone or in combination of two or more.

ポリヒドロキシスチレンおよびポリヒドロキシスチレン誘導体としては、ビニルフェノールの単独重合体、ビニルフェノールと他化合物とを共重合して得られる共重合体がある。この際の他化合物としては、アクリル酸誘導体、アクリロニトリル、メタクリル酸誘導体、メタクリロ二トリル、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−クロロスチレン等のスチレン誘導体が挙げられる。   Examples of polyhydroxystyrene and polyhydroxystyrene derivatives include vinylphenol homopolymers and copolymers obtained by copolymerizing vinylphenol and other compounds. Other compounds at this time include acrylic acid derivatives, acrylonitrile, methacrylic acid derivatives, methacrylonitrile, styrene, α-methylstyrene, p-methylstyrene, o-methylstyrene, p-methoxystyrene, p-chlorostyrene, etc. Examples thereof include styrene derivatives.

上記ポリヒドロキシスチレンおよびポリヒドロキシスチレン誘導体は重量平均分子量で１０００〜１０万であり、好ましくは、現像性、密着性の点から、２０００〜３万である。これらは必要に応じて組み合わせることができ、単独で、又は２種類以上組み合わせて用いる事が出来る。   The polyhydroxystyrene and the polyhydroxystyrene derivative have a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000, preferably 2000 to 30,000 from the viewpoint of developability and adhesion. These can be combined as necessary, and can be used alone or in combination of two or more.

ノボラック樹脂としては、フェノール化合物とアルデヒド化合物またはケトン化合物とを酸触媒の存在下で縮合して得られるものが挙げられる。   Examples of the novolak resin include those obtained by condensing a phenol compound and an aldehyde compound or a ketone compound in the presence of an acid catalyst.

フェノール化合物としては、フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフェノール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，５−トリエチルフェノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２−tert−ブチル−５−メチルフェノール、ｐ−メトキシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ−プロポキシフェノール、ｏ−イソプロペニルフェノール、ｐ−イソプロペニルフェノール、２−メチル−４−イソプロペニルフェノール、２−エチル−４−イソプロペニルフェノール、２，３−キシレノール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、３，４−キシレノール、レゾルシノ−ル、ヒドロキノン、４，４−ジヒドロキシビフェニル、フェ二ルフェノール、カテコール、ピロガノール、ナフトール、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＡ等が挙げられる。これらのフェノール化合物は、単独で、または２種類以上組み合わせて用いることができる。   Phenol compounds include phenol, m-cresol, p-cresol, o-cresol, m-ethylphenol, p-ethylphenol, o-ethylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, 2,3,5-triethyl. Phenol, 4-tert-butylphenol, 3-tert-butylphenol, 2-tert-butylphenol, 2-tert-butyl-4-methylphenol, 2-tert-butyl-5-methylphenol, p-methoxyphenol, m-methoxy Phenol, p-ethoxyphenol, m-ethoxyphenol, p-propoxyphenol, m-propoxyphenol, o-isopropenylphenol, p-isopropenylphenol, 2-methyl-4-isopropenylphenol, 2-ethyl-4- I Sopropenylphenol, 2,3-xylenol, 2,5-xylenol, 3,5-xylenol, 3,4-xylenol, resorcinol, hydroquinone, 4,4-dihydroxybiphenyl, phenylphenol, catechol, pyroganol, Examples include naphthol, bisphenol C, and bisphenol A. These phenol compounds can be used alone or in combination of two or more.

アルデヒド化合物としては、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、トリオキサン、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、トリメチルアセトアルデヒド、アクロレイン、クロトンアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、フルフラール、フリルアクロレイン、ベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ケイ皮酸アルデヒド等が挙げられる。これらのアルデヒド化合物は、単独で、または２種類以上組み合わせて用いることができる。   Examples of the aldehyde compound include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, trioxane, propionaldehyde, butyraldehyde, trimethylacetaldehyde, acrolein, crotonaldehyde, cyclohexanealdehyde, furfural, furylacrolein, benzaldehyde, terephthalaldehyde, phenylacetaldehyde, α-phenylpropylaldehyde, β-phenylpropylaldehyde, o-hydroxybenzaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, o-methylbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde, p-methylbenzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde, m-chlorobenzaldehyde, p-chlorobenzaldehyde Alude cinnamic acid Hydride and the like. These aldehyde compounds can be used alone or in combination of two or more.

ケトン化合物としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケトン等が挙げられる。これらのケトン化合物は、単独で、または２種類以上組み合わせて用いることができる。   Examples of the ketone compound include acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, diphenyl ketone, and the like. These ketone compounds can be used alone or in combination of two or more.

縮合反応時に用いられる酸触媒としては、塩酸、硫酸、蟻酸、シュウ酸、ｐ−トルエンスルホン酸等が挙げられる。   Examples of the acid catalyst used in the condensation reaction include hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid, oxalic acid, p-toluenesulfonic acid and the like.

上記ノボラック樹脂は重量平均分子量で１０００〜１０万であり、好ましくは、現像性、密着性の点から、２０００〜３万である。これらは必要に応じて組み合わせることができ、単独で用いても、２種類以上組み合わせて用いても良い。   The novolak resin has a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000, preferably 2000 to 30,000 from the viewpoint of developability and adhesion. These may be combined as necessary, and may be used alone or in combination of two or more.

熱または光照射により架橋する感光性基を有する樹脂（ａ−２）としては、カルボキシル基含有アクリル系樹脂を用いることができる。すなわち、（メタ）アクリル酸エステルを主成分とし、エチレン性不飽和カルボン酸と必要に応じて他のモノマーを共重合したアクリル系共重合体である。   As the resin (a-2) having a photosensitive group that is cross-linked by heat or light irradiation, a carboxyl group-containing acrylic resin can be used. That is, it is an acrylic copolymer comprising (meth) acrylic acid ester as a main component and copolymerizing an ethylenically unsaturated carboxylic acid and other monomers as required.

（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノ（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレートが挙げられる。   (Meth) acrylic acid esters include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, cyclohexyl Examples include (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, dimethylamino (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, and glycidyl (meth) acrylate.

エチレン性不飽和カルボン酸としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、およびそれらの酸無水物やハーフエステルが用いられる。これらのなかでは、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸が好ましい。   Examples of the ethylenically unsaturated carboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, and acid anhydrides and half esters thereof. Of these, acrylic acid, methacrylic acid, and maleic acid are preferred.

他のモノマーとしては、アクリルアミド、メタクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリロ二トリル、スチレン、αーメチルスチレン、酢酸ビニル、アルキルビニルエーテル等が挙げられる。   Examples of other monomers include acrylamide, methacrylamide, acrylonitrile, methacrylonitrile, styrene, α-methylstyrene, vinyl acetate, alkyl vinyl ether, and the like.

上記アクリル系共重合体は重量平均分子量で１０００〜１０万であり、好ましくは、現像性、密着性の点から、２０００〜３万である。これらは必要に応じて組み合わせることができ、単独で用いても、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。   The acrylic copolymer has a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000, and preferably 2000 to 30,000 from the viewpoint of developability and adhesion. These can be combined as necessary, and can be used alone or in combination of two or more.

樹脂（ａ−１）を用いた際に使用する光開始剤（ｂ−１）の中で、光酸発生剤としては、光照射により直接もしくは間接的に酸を発生するものであれば特に限定されない。具体例としては、トリアジン系化合物、アセトフェノン誘導体化合物、ジスルホン系化合物、ジアゾメタン系化合物、スルホン酸誘導体化合物、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、トリアリールホスホニウム塩、鉄アレーン錯体などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。具体的には、例えばジフェニルヨードニウムクロライド、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムメシレート、ジフェニルヨードニウムトシレート、ジフェニルヨードニウムブロミド、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムメシレート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトシレート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムクロリド、ビス（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムクロライド、ビス（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムクロリド、トリフェニルスルホニウムブロミド、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムテトラフルオロボレート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリ（ｐ−エトキシフェニル）スルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルホスホニウムクロリド、トリフェニルホスホニウムブロミド、トリ（ｐ−メトキシフェニル）ホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）ホスホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリ（ｐ−エトキシフェニル）ホスホニウムテトラフルオロボレートが挙げられる。   Among the photoinitiators (b-1) used when the resin (a-1) is used, the photoacid generator is particularly limited as long as it generates an acid directly or indirectly by light irradiation. Not. Specific examples include triazine compounds, acetophenone derivative compounds, disulfone compounds, diazomethane compounds, sulfonic acid derivative compounds, diaryliodonium salts, triarylsulfonium salts, triarylphosphonium salts, iron arene complexes, and the like. However, it is not limited to these. Specifically, for example, diphenyliodonium chloride, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium mesylate, diphenyliodonium tosylate, diphenyliodonium bromide, diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluoroantimonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, Bis (p-tert-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium mesylate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium tosylate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium Trifluoromethanesulfonate, bis (p-tert-butylphenyl) Donium tetrafluoroborate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium chloride, bis (p-chlorophenyl) iodonium chloride, bis (p-chlorophenyl) iodonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium chloride, triphenylsulfonium bromide, tri (P-methoxyphenyl) sulfonium tetrafluoroborate, tri (p-methoxyphenyl) sulfonium hexafluorophosphonate, tri (p-ethoxyphenyl) sulfonium tetrafluoroborate, triphenylphosphonium chloride, triphenylphosphonium bromide, tri (p-methoxy Phenyl) phosphonium tetrafluoroborate, tri (p-methoxyphenyl) phosphonium hexafluorophosphonate , Tri (p- ethoxyphenyl) phosphonium tetrafluoroborate and the like.

また式（１）〜式（６８）に挙げられる光酸発生剤も使用する事が出来る。   Moreover, the photo-acid generator mentioned by Formula (1)-Formula (68) can also be used.

これら光酸発生剤は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。また、その導入量は、樹脂（ａ−１）成分１００重量部に対して１〜１００重量部の範囲で選ばれる。この量が１重量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンを得にくくなり、また１００重量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、光酸発生剤の導入量は樹脂（ａ−１）成分１００重量部に対して１〜１００重量部であることが好ましい。   These photoacid generators can be used alone or in combination of two or more. Moreover, the introduction amount is selected in the range of 1 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin (a-1) component. When this amount is less than 1 part by weight, the crosslinking reaction does not proceed sufficiently, making it difficult to obtain a desired resist pattern, and when it exceeds 100 parts by weight, the storage stability of the resist composition is poor. Therefore, the introduction amount of the photoacid generator is preferably 1 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin (a-1) component.

光塩基発生剤としては、光照射により直接もしくは間接的に塩基を発生するものであれば特に限定されない。例えば、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニルへキサン−１，６−ジアミン］、ニトロベンジルシクロへキシルカルバメート、ジ（メトキシベンジル）ヘキサメチレンジカルバメート、および以下の式（６９）〜式（７１）の構造の化合物が挙げられる。   The photobase generator is not particularly limited as long as it generates a base directly or indirectly by light irradiation. For example, bis [[(2-nitrobenzyl) oxy] carbonylhexane-1,6-diamine], nitrobenzylcyclohexyl carbamate, di (methoxybenzyl) hexamethylene dicarbamate, and the following formulas (69)- And a compound having the structure (71).

ただし、式（６９）〜式（７１）において、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３は水素原子、置換または無置換のアルキル基、および置換または無置換のフェニル基を示す。 However, in Formula (69)-Formula (71), R < ₁ >, R < ₂ > and R < ₃ > show a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, and a substituted or unsubstituted phenyl group.

これら光塩基発生剤は光酸発生剤と同様に、単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。またその導入量は、上記と同様の理由で、樹脂（ａ−１）成分１００重量部に対して１〜１００重量部であることが好ましい。   These photobase generators can be used alone or in combination of two or more, like the photoacid generator. Moreover, it is preferable that the introduction amount is 1-100 weight part with respect to 100 weight part of resin (a-1) components for the same reason as the above.

樹脂（ａ−２）に用いられる光ラジカル発生剤（ｂ−２）は、例えば、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ−iso−ブタレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ベンゾイルジオキシ）へキサン、１，４−ビス［α−（tert−ブチルジオキシ）−iso−プロポキシ］ベンゼン、ジ−tert−ブチルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（tert−ブチルジオキシ）へキセンヒドロペルオキシド、α−（isoープロピルフェニル）−iso−プロピルヒドロペルオキシド、２，５−ジメチルへキサン、tert−ブチルヒドロペルオキシド、１，１−ビス（tert−ブチルジオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロへキサン、ブチル−４，４−ビス（tert−ブチルジオキシ）バレレート、シクロへキサノンペルオキシド、２，２’，５，５’−テトラ（tert−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（tert−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（tert−アミルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（tert−ヘキシルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’−ビス（tert−ブチルペルオキシカルボニル）−４，４’−ジカルボキシベンゾフェノン、tert−ブチルペルオキシベンゾエート、ジ−tert−ブチルジペルオキシイソフタレート等の有機過酸化物や、９，１０−アントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−クロロアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン等のキノン類や、ベンゾインメチル、ベンゾインエチルエーテル、α−メチルベンゾイン、α−フェニルベンゾイン等のベンゾイン誘導体などを挙げることができる。   Examples of the photo radical generator (b-2) used for the resin (a-2) include tert-butylperoxy-iso-butarate, 2,5-dimethyl-2,5-bis (benzoyldioxy) hexane, 1,4-bis [α- (tert-butyldioxy) -iso-propoxy] benzene, di-tert-butyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-bis (tert-butyldioxy) hexene hydroperoxide, α- (Iso-propylphenyl) -iso-propylhydroperoxide, 2,5-dimethylhexane, tert-butylhydroperoxide, 1,1-bis (tert-butyldioxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, butyl -4,4-bis (tert-butyldioxy) valerate, cyclohexanone peroxide, 2,2 ', 5,5'-tetra (tert-butylpe Oxycarbonyl) benzophenone, 3,3 ′, 4,4′-tetra (tert-butylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3 ′, 4,4′-tetra (tert-amylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3 ′, 4,4′-tetra (tert-hexylperoxycarbonyl) benzophenone, 3,3′-bis (tert-butylperoxycarbonyl) -4,4′-dicarboxybenzophenone, tert-butylperoxybenzoate, di-tert-butyldi Organic peroxides such as peroxyisophthalate, quinones such as 9,10-anthraquinone, 1-chloroanthraquinone, 2-chloroanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, benzoin methyl, benzoin ethyl ether, α-methylbenzoin, - and the like benzoin derivatives such as phenyl benzoin.

これら光ラジカル発生剤は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。また、その導入量は、上記と同様の理由で樹脂（ａ−２）成分１００重量部に対して１〜１００重量部であることが好ましい。   These photo radical generators can be used alone or in combination of two or more. Moreover, it is preferable that the introduction amount is 1-100 weight part with respect to 100 weight part of resin (a-2) components for the same reason as the above.

さらに光増感剤として、従来から公知の光増感剤を用いることができる。例えば、チオキサンテン系、キサンテン系、ケトン系、チオピリリウム塩系、ベーススチリル系、メロシアニン系、３−置換クマリン系、３，４−置換クマリン系、シアニン系、アクリジン系、チアジン系、フェノチアジン系、アントラセン系、コロネン系、ベンズアントラセン系、ぺリレン系、メロシアニン系、ケトクマリン系、フマリン系、ボレート系が挙げられる。これらは、単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。   Further, conventionally known photosensitizers can be used as photosensitizers. For example, thioxanthene, xanthene, ketone, thiopyrylium salt, base styryl, merocyanine, 3-substituted coumarin, 3,4-substituted coumarin, cyanine, acridine, thiazine, phenothiazine, anthracene , Coronene, benzanthracene, perylene, merocyanine, ketocoumarin, fumarine, and borate. These can be used alone or in combination of two or more.

樹脂（ａ−１）に用いられる架橋性化合物（ｃ−１）としては、ヒドロキシル基、ヒドロキシアルキル基、低級アルコキシアルキル基からなる群より選ばれる少なくとも１種の架橋形成基を有する化合物であれば特に限定されない。   The crosslinkable compound (c-1) used for the resin (a-1) is a compound having at least one crosslinkable group selected from the group consisting of a hydroxyl group, a hydroxyalkyl group, and a lower alkoxyalkyl group. There is no particular limitation.

例えば、ヒドロキシル基またはアルコキシル基を有するアミノ樹脂、例えばメラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂、グリコールウリル−ホルムアルデヒド樹脂、スクシニルアミド−ホルムアルデヒド樹脂、エチレン尿素−ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。   For example, amino resins having a hydroxyl group or an alkoxyl group, such as melamine resin, urea resin, guanamine resin, glycoluril-formaldehyde resin, succinylamide-formaldehyde resin, ethyleneurea-formaldehyde resin and the like can be mentioned.

この架橋性化合物（ｃ−１）は例えば、アミノ基の水素原子がメチロール基又はアルコキシメチル基又はその両方で置換されたメラミン誘導体、ベンゾグアナミン誘導体又はグリコールウリルを用いることができる。このメラミン誘導体及びベンゾグアナミン誘導体は二量体又は三量体として存在していても良い。これらはトリアジン環１個当たり、メチロール基又はアルコキシメチル基を平均３個以上６個以下有するものが好ましい。   As the crosslinkable compound (c-1), for example, a melamine derivative, a benzoguanamine derivative or glycoluril in which a hydrogen atom of an amino group is substituted with a methylol group or an alkoxymethyl group or both can be used. This melamine derivative and benzoguanamine derivative may exist as a dimer or a trimer. These preferably have an average of 3 to 6 methylol groups or alkoxymethyl groups per triazine ring.

このようなメラミン誘導体又はベンゾグアナミン誘導体の例としては、市販品のトリアジン環１個当たりメトキシメチル基が平均３．７個置換されているＭＸ−７５０、トリアジン環１個当たりメトキシメチル基が平均５．８個置換されているＭＷ−３０（以上、三和ケミカル製）や、サイメル３００、３０１、３０３、３５０、３７０、７７１、３２５、３２７、７０３、７１２などのメトキシメチル化メラミン、サイメル２３５、２３６、２３８、２１２、２５３、２５４などのメトキシメチル化ブトキシメチル化メラミン、サイメル５０６、５０８などのブトキシメチル化メラミン、サイメル１１４１のようなカルボキシル基含有メトキシメチル化イソブトキシメチル化メラミン、サイメル１１２３のようなメトキシメチル化エトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２３−１０のようなメトキシメチル化ブトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２８のようなブトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２５−８０のようなカルボキシル基含有メトキシメチル化エトキシメチル化ベンゾグアナミン（以上、三井サイテック製）が挙げられる。また、グリコールウリルの例として、サイメル１１７０のようなブトキシメチル化グリコールウリル、サイメル１１７２のようなメチロール化グリコールウリル等が挙げられる。   As an example of such a melamine derivative or a benzoguanamine derivative, MX-750 in which an average of 3.7 methoxymethyl groups is substituted per one triazine ring in a commercially available product, and an average of 5. methoxymethyl groups per one triazine ring. Eight-substituted MW-30 (from Sanwa Chemical Co., Ltd.), Cymel 300, 301, 303, 350, 370, 771, 325, 327, 703, 712 and other methoxymethylated melamines, Cymel 235, 236 Methoxymethylated butoxymethylated melamine such as 238, 212, 253, 254, butoxymethylated melamine such as Cymel 506, 508, carboxyl group-containing methoxymethylated isobutoxymethylated melamine such as Cymel 1141, Cymel 1123 and the like Methoxymethylated ethoxy Mitylated benzoguanamine, methoxymethylated butoxymethylated benzoguanamine such as Cymel 1123-10, butoxymethylated benzoguanamine such as Cymel 1128, carboxyl group-containing methoxymethylated ethoxymethylated benzoguanamine such as Cymel 1125-80 Cytec). Examples of glycoluril include butoxymethylated glycoluril such as Cymel 1170, methylolated glycoluril such as Cymel 1172, and the like.

また、ヒドロキシル基またはアルコキシル基を有するベンゼンまたはフェノール性化合物、例えば１，３，５−トリス（メトキシメトキシ）ベンゼン、１，２，４−トリス（イソプロポキシメトキシ）ベンゼン、１，４−ビス（ｓｅｃ−ブトキシメトキシ）ベンゼン、２，６−ジヒドロキシメチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール等が挙げられる。   Also, benzene or phenolic compounds having a hydroxyl group or an alkoxyl group, such as 1,3,5-tris (methoxymethoxy) benzene, 1,2,4-tris (isopropoxymethoxy) benzene, 1,4-bis (sec -Butoxymethoxy) benzene, 2,6-dihydroxymethyl-p-tert-butylphenol and the like.

また、エポキシ基、イソシアネート基を含み、架橋形成基を有する化合物を用いる事ができる。具体例としては、例えばビスフェノールアセトングリシジルエーテル、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、テトラグリシジルアミノジフェニレン、テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、テトラグリシジル−１，３−ビス（アミノエチル）シクロヘキサン、テトラフェニルグリシジルエーテルエタン、トリフェニルグリシジルエーテルエタン、ビスフェノールヘキサフルオロアセトジグリシジルエーテル、１，３−ビス（１−（２，３−エポキシプロポキシ）−１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロメチル）ベンゼン、４，４−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）オクタフルオロビフェニル、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、テトラグリシジルメタキシレンジアミン、２−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−２−（４−（１，１−ビス（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）エチル）フェニル）プロパン、１，３−ビス（４−（１−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−１−（４−（１−（４−（２，３−エポキシプロポキシフェニル）−１−メチルエチル）フェニル）エチル）フェノキシ）−２−プロパノール等が挙げられる。   Moreover, the compound which contains an epoxy group and an isocyanate group and has a bridge | crosslinking formation group can be used. Specific examples include bisphenolacetone glycidyl ether, phenol novolac epoxy resin, cresol novolac epoxy resin, triglycidyl isocyanurate, tetraglycidylaminodiphenylene, tetraglycidyl-m-xylenediamine, tetraglycidyl-1,3-bis (amino). Ethyl) cyclohexane, tetraphenyl glycidyl ether ethane, triphenyl glycidyl ether ethane, bisphenol hexafluoroacetodiglycidyl ether, 1,3-bis (1- (2,3-epoxypropoxy) -1-trifluoromethyl-2,2 , 2-trifluoromethyl) benzene, 4,4-bis (2,3-epoxypropoxy) octafluorobiphenyl, triglycidyl-p-aminophenol, tetrag Sidylmetaxylenediamine, 2- (4- (2,3-epoxypropoxy) phenyl) -2- (4- (1,1-bis (4- (2,3-epoxypropoxy) phenyl) ethyl) phenyl) propane 1,3-bis (4- (1- (4- (2,3-epoxypropoxy) phenyl) -1- (4- (1- (4- (2,3-epoxypropoxyphenyl) -1-methyl) And ethyl) phenyl) ethyl) phenoxy) -2-propanol.

これらの架橋性化合物（ｃ−１）は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事もできる。また、その導入量は樹脂（ａ−１）成分１００重量部に対して１〜２００重量部の範囲で選ばれる。この量が１重量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンを得にくくなり、また２００重量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、架橋性化合物の導入量は樹脂成分１００重量部に対して１〜２００重量部であることが好ましい。   These crosslinkable compounds (c-1) can be used alone or in combination of two or more. The amount introduced is selected in the range of 1 to 200 parts by weight per 100 parts by weight of the resin (a-1) component. When this amount is less than 1 part by weight, the crosslinking reaction does not proceed sufficiently, making it difficult to obtain a desired resist pattern, and when it exceeds 200 parts by weight, the storage stability of the resist composition is poor. Therefore, the introduction amount of the crosslinkable compound is preferably 1 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin component.

樹脂（ａ−２）に用いられる架橋性化合物（ｃ−２）としては、次の重合性不飽和基を有する化合物が挙げられる。具体的には、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリ（メタ）アクリロイルオキシエトキシトリメチロールプロパン、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）アクリレート等の重合性不飽和基を分子内に３個有する化合物、さらに、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、エチレンオキサイドビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート、プロピレンオキサイドビスフェノール型ジ（メタ）アクリレート、１，６−へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フタル酸ジグリシジルエステルジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート等の重合性不飽和基を分子内に２個有する化合物、加えて、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロピルフタレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルリン酸エステル、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド等の重合性不飽和基を分子内に１個有する化合物が挙げられる。   Examples of the crosslinkable compound (c-2) used for the resin (a-2) include compounds having the following polymerizable unsaturated groups. Specifically, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, tri (meth) acryloyloxyethoxytrimethylolpropane, glycerin polyglycidyl ether poly (meth) Compounds having three polymerizable unsaturated groups in the molecule such as acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate , Propylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, butylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (Meth) acrylate, ethylene oxide bisphenol A type di (meth) acrylate, propylene oxide bisphenol type di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, glycerin di (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) ) Acrylate, ethylene glycol diglycidyl ether di (meth) acrylate, diethylene glycol diglycidyl ether di (meth) acrylate, phthalic acid diglycidyl ester di (meth) acrylate, hydroxypivalic acid neopentyl glycol di (meth) acrylate, etc. A compound having two unsaturated groups in the molecule, in addition, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (Meth) acrylate, 2-phenoxy-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2- (meth) acryloyloxy-2-hydroxypropyl phthalate, 3-chloro-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, glycerol mono (meta) ) Acrylate, 2- (meth) acryloyloxyethyl phosphate ester, N-methylol (meth) acrylamide, etc., and a compound having one polymerizable unsaturated group in the molecule.

これらの架橋性化合物は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。また、その導入量は、樹脂（ａ−２）成分１００重量部に対して１〜２００重量部の範囲で選ばれる。この量が１重量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンを得にくくなり、また２００重量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、架橋性化合物の導入量は樹脂（ａ−２）成分１００重量部に対して１〜２００重量部であることが好ましい。   These crosslinkable compounds can be used alone or in combination of two or more. The amount of introduction is selected in the range of 1 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin (a-2) component. When this amount is less than 1 part by weight, the crosslinking reaction does not proceed sufficiently, making it difficult to obtain a desired resist pattern, and when it exceeds 200 parts by weight, the storage stability of the resist composition is poor. Therefore, the amount of the crosslinkable compound introduced is preferably 1 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin (a-2) component.

ポジ型レジスト組成物に用いられる樹脂（ａ−３）は、熱により硬化する樹脂であり、熱又は光照射により発生する酸により樹脂が分解することで、極性や分子量が変化し、現像液に対して溶解性を示すようになるものであり、該樹脂中の露光部の塗膜が現像液により除去できるものであれば特に限定されない。   The resin (a-3) used in the positive resist composition is a resin that is cured by heat, and the polarity and molecular weight change due to decomposition of the resin by an acid generated by heat or light irradiation. However, it is not particularly limited as long as it exhibits solubility and the coating film of the exposed portion in the resin can be removed by a developer.

樹脂（ａ−３）は、例えば水酸基又はカルボキシル基を有する樹脂等が挙げられる。具体的には、例えばポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアミド酸、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレン誘導体、ポリメタクリレートとマレイン酸無水物との共重合体、フェノール樹脂およびノボラック樹脂、水酸基および／またはカルボキシル基を含むポリイミド、セルロース誘導体、糖骨格高分子化合物、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリウレタンおよびポリシロキサンが挙げられる。より具体的には、上述した樹脂（ａ−１）で示した樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、単独で、または２種類以上組み合わせて用いる事が出来る。   Examples of the resin (a-3) include a resin having a hydroxyl group or a carboxyl group. Specifically, for example, polyvinyl alcohol, polyacrylamide, polyacrylic acid, polymethacrylic acid, polyamic acid, polyhydroxystyrene, polyhydroxystyrene derivative, copolymer of polymethacrylate and maleic anhydride, phenol resin and novolac resin , A polyimide containing a hydroxyl group and / or a carboxyl group, a cellulose derivative, a sugar skeleton polymer compound, polyamide, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyurethane, and polysiloxane. More specifically, the resin shown with the resin (a-1) mentioned above is mentioned. These resins can be used alone or in combination of two or more.

また、カルボキシル基含有アクリル系樹脂を用いることもできる。すなわち、（メタ）アクリル酸エステルを主成分とし、エチレン性不飽和カルボン酸と必要に応じて他のモノマーを共重合したアクリル系共重合体である。具体的には、上述した樹脂（ａ−２）で示した樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、単独で、または２種類以上組み合わせて用いられる。   A carboxyl group-containing acrylic resin can also be used. That is, it is an acrylic copolymer comprising (meth) acrylic acid ester as a main component and copolymerizing an ethylenically unsaturated carboxylic acid and other monomers as required. Specifically, the resin shown by the resin (a-2) mentioned above is mentioned. These resins are used alone or in combination of two or more.

ポジ型レジスト組成物に用いられる光酸発生剤（ｂ−３）は、ナフトキノンジアジド化合物が挙げられる。一般的に１，２−キノンジアジド化合物が用いられる。例えば、１，２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、１，２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸アミド、および１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド等が挙げられる。より具体的には、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンアジド−４−スルホン酸エステル、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，４，６−トリヒドロキシリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，３，４，３’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，３，４，３’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，３，４，２’−テトラヒドロキシ−４’−メチルベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，３，４，２’−テトラヒドロキシ−４’−メチルベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシ−３’−メトキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，３，４，４’−テトラヒドロキシ−３’−メトキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，３，４，２’，６−ペンタヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，３，４，２’，６−ペンタヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，４，６，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，４，６，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、３，４，５，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、３，４，５，３’，４’，５’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）エタン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）エタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，２−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）プロパン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，２−ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）プロパン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインデン−５，６，７，５’，６’，７’−ヘキサノール−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインデン−５，６，７，５’，６’，７’−ヘキサノール−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，２，４−トリメチル−７，２’，４’−トリヒドロキシフラバン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，２，４−トリメチル−７，２’，４’−トリヒドロキシフラバン−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸アミド等が挙げられる。   Examples of the photoacid generator (b-3) used in the positive resist composition include a naphthoquinone diazide compound. In general, 1,2-quinonediazide compounds are used. Examples include 1,2-benzoquinone diazide sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester, 1,2-benzoquinone diazide sulfonic acid amide, and 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid amide. More specifically, 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone azido-4-sulfonic acid ester, 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid Ester, 2,4,6-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,4,6-trihydroxylihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5 Sulfonic acid ester, 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzofe -1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,3′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,4,4′- Tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,4,2 '-Tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5 -Sulfonic acid ester, 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzof Non-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,4′-tetrahydroxy-3′-methoxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,4 4,2 ′, 6-pentahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4,2 ′, 6-pentahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid Ester, 2,4,6,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,4,6,3 ′, 4 ′, 5′-hexa Hydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 3,4,5,3 ′, 4 ′, 5′-hexahi Droxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 3,4,5,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, bis (p -Hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (p-hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, tri (p-hydroxyphenyl) methane- 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, Li (p-hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) ethane-1,2-naphthoquinonediazide-4 -Sulfonic acid ester, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) ethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane- 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphene) ) Propane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane-1,2-naphthoquinonediazide-4 -Sulfonic acid ester, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 4,4 '-[1 -[4- [1- [4-Hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 4,4 ′-[1- [4- [ 1- [4-Hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfo Acid ester, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) 2-hydroxyphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 3,3,3 ′, 3′-tetramethyl-1,1′-spirobiindene-5,6,7,5 ′ , 6 ′, 7′-hexanol-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 3,3,3 ′, 3′-tetramethyl-1,1′-spirobiindene-5,6,7, 5 ', 6', 7'-Hexanol-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,2,4-trimethyl-7,2 ', 4'-trihydroxyflavan- , 2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,2,4-trimethyl-7,2 ′, 4′-trihydroxyflavan-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,4 -Trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid amide etc. are mentioned.

これらナフトキノンジアジド化合物は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。また、その導入量は、樹脂（ａ−３）成分１００重量部に対して１〜５０重量部の範囲で選ばれる。この量が１重量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンを得にくくなり、また５０重量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、ナフトキノンジアジド化合物の導入量は樹脂成分１００重量部に対して１〜５０重量部であることが好ましい。   These naphthoquinonediazide compounds can be used alone or in combination of two or more. Moreover, the introduction amount is selected in the range of 1 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin (a-3) component. When this amount is less than 1 part by weight, the crosslinking reaction does not proceed sufficiently, making it difficult to obtain a desired resist pattern, and when it exceeds 50 parts by weight, the storage stability of the resist composition is poor. Therefore, the amount of the naphthoquinone diazide compound introduced is preferably 1 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin component.

ポジ型レジスト組成物に用いられる架橋性化合物（ｃ−３）としては、ヒドロキシル基、ヒドロキシアルキル基、及び低級アルコキシアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の架橋形成基を有する化合物、または、エポキシ基、イソシアネート基を含み、架橋形成基を有するもの、さらに重合性不飽和基を有する化合物を使用することができる。具体的には上述のネガ型レジスト組成物で示した（ｃ−１）が挙げられる。   As the crosslinkable compound (c-3) used in the positive resist composition, a compound having at least one crosslink forming group selected from the group consisting of a hydroxyl group, a hydroxyalkyl group, and a lower alkoxyalkyl group, or A compound containing an epoxy group and an isocyanate group, having a crosslink forming group, and further having a polymerizable unsaturated group can be used. Specifically, (c-1) shown by the above-mentioned negative resist composition is mentioned.

これらの架橋性化合物（ｃ−３）は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事もできる。また、その導入量は樹脂（ａ−３）成分１００重量部に対して１〜２００重量部の範囲で選ばれる。この量が１重量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンを得にくくなり、また２００重量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、架橋性化合物の導入量は樹脂成分１００重量部に対して１〜２００重量部であることが好ましい。   These crosslinkable compounds (c-3) can be used alone or in combination of two or more. Moreover, the amount introduced is selected in the range of 1 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin (a-3) component. When this amount is less than 1 part by weight, the crosslinking reaction does not proceed sufficiently, making it difficult to obtain a desired resist pattern, and when it exceeds 200 parts by weight, the storage stability of the resist composition is poor. Therefore, the introduction amount of the crosslinkable compound is preferably 1 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin component.

本願発明のネガ型及びポジ型レジスト組成物に用いられる染料（ｄ）は、カラーフィルターとして望ましい分光スペクトルを有し、かつ溶剤にそのまま溶解する、あるいは染料を変性した形で溶解するものを用いることができる。これらの染料としては、酸性染料、油溶性染料、分散染料、反応性染料、直接染料等が挙げられる。例えば、アゾ系染料、ベンゾキノン系染料、ナフトキノン系染料、アントラキノン系染料、シアニン系染料、スクアリリウム系染料、クロコニウム系染料、メロシアニン系染料、スチルベン系染料、ジフェニルメタン系染料、トリフェニルメタン系染料、フルオラン系染料、スピロピラン系染料、フタロシアニン系染料、インジゴ系染料、フルギド系染料、ニッケル錯体系染料、及びアズレン系染料が挙げられる。具体的には、カラーインデックス番号で以下のものが挙げられる。Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ２、３、７、１２、１３、１４、１６、１８、１９、２１、２５、２５：１、２７、２８、２９、３０、３３、３４、３６、４２、４３、４４、４７、５６、６２、７２、７３、７７、７９、８１、８２、８３、８３：１、８８、８９、９０、９３、９４、９６、９８、１０４、１０７、１１４、１１６、１１７、１２４、１３０、１３１、１３３、１３５、１４１、１４３、１４５、１４６、１５７、１６０：１、１６１、１６２、１６３、１６７、１６９、１７２、１７４、１７５、１７６、１７９、１８０、１８１、１８２、１８３、１８４、１８５、１８６、１８７、１８９、１９０、１９１、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Orange１、２、３、４、５、７、１１、１４、２０、２３、２５、３１、４０：１、４１、４５、５４、５６、５８、６０、６２、６３、７０、７５、７７、８０、８１、８６、９９、１０２、１０３、１０５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２、１１３、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Red１、２、３、４、８、１６、１７、１８、１９、２３、２４、２５、２６、２７、３０、３３、３５、４１、４３、４５、４８、４９、５２、６８、６９、７２、７３、８３：１、８４：１、８９、９０、９０：１、９１、９２、１０６、１０９、１１０、１１８、１１９、１２２、１２４、１２５、１２７、１３０、１３２、１３５、１４１、１４３、１４５、１４６、１４９、１５０、１５１、１５５、１６０、１６１、１６４、１６４：１、１６５、１６６、１６８、１６９、１７２、１７５、１７９、１８０、１８１、１８２、１９５、１９６、１９７、１９８、２０７、２０８、２１０、２１２、２１４、２１５、２１８、２２２、２２３、２２５、２２７、２２９、２３０、２３３、２３４、２３５、２３６、２３８、２３９、２４０、２４１、２４２、２４３、２４４、２４５、２４７、２４８、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Violet２、８、９、１１、１３、１４、２１、２１：１、２６、３１、３６、３７、３８、４５、４６、４７、４８、４９、５０、５１、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６１、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Blue２、３、４、５、７、１８、２５、２６、３５、３６、３７、３８、４３、４４、４５、４８、５１、５８、５９、５９：１、６３、６４、６７、６８、６９、７０、７８、７９、８３、９４、９７、９８、１００、１０１、１０２、１０４、１０５、１１１、１１２、１２２、１２４、１２８、１２９、１３２、１３６、１３７、１３８、１３９、１４３、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Green１、３、４、５、７、２８、２９、３２、３３、３４、３５、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Brown１、３、４、５、１２、２０、２２、２８、３８、４１、４２、４３、４４、５２、５３、５９、６０、６１、６２、６３、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Black３、５、５：２、７、１３、２２、２２：１、２６、２７、２８、２９、３４、３５、４３、４５、４６、４８、４９、５０、C．I．Acid Red ６、１１、２６、６０、８８、１１１、１８６、２１５、Ｃ．Ｉ．Acid Green ２５、２７、C．I．Acid Blue ２２、２５、４０、７８、９２、１１３、１２９、１６７、２３０、Ｃ．Ｉ．Acid Yellow １７、２３、２５、３６、３８、４２、４４、７２、７８、Ｃ．Ｉ．Ｂａｓｉｃ Ｒｅｄ １、２、１３、１４、２２、２７、２９、３９、Ｃ．Ｉ．Ｂａｓｉｃ Ｇｒｅｅｎ ３、４、Ｃ．Ｉ．Ｂａｓｉｃ Ｂｌｕｅ ３、９、４１、６６、Ｃ．Ｉ．Ｂａｓｉｃ Ｖｉｏｌｅｔ １、３、１８、３９、６６、Ｃ．Ｉ．Ｂａｓｉｃ Ｙｅｌｌｏｗ １１、２３、２５、２８、４１、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｒｅｄ ４、２３、３１、７５、７６、７９、８０、８１、８３、８４、１４９、２２４、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｇｒｅｅｎ ２６、２８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｌｕｅ ７１、７８、９８、１０６、１０８、１９２、２０１、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｖｉｏｌｅｔ ５１、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｙｅｌｌｏｗ ２６、２７、２８、３３、４４、５０、８６、１４２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ Ｏｒａｎｇｅ ２６、２９、３４、３７、７２、Ｃ．Ｉ．Ｓｕｌｐｈｕｒ Ｒｅｄ ５、６、７、Ｃ．Ｉ．Ｓｕｌｐｈｕｒ Ｇｒｅｅｎ ２、３、６、Ｃ．Ｉ．Ｓｕｌｐｈｕｒ Ｂｌｕｅ ２、３、７、９、１３、１５、Ｃ．Ｉ．Ｓｕｌｐｈｕｒ Ｖｉｏｌｅｔ ２、３、４、Ｃ．Ｉ．Ｓｕｌｐｈｕｒ Ｙｅｌｌｏｗ ４、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ Ｒｅｄ １３、２１、２３、２８、２９、４８、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ Ｇｒｅｅｎ ３、５、８、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ Ｂｌｕｅ ６、１４、２６、３０、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ Ｖｉｏｌｅｔ １、３、９、１３、１５、１６、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ Ｙｅｌｌｏｗ ２、１２、２０、３３、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ Ｏｒａｎｇｅ ２、５、１１、１５、１８、２０、Ｃ．Ｉ．Ａｚｏｉｃ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ ２、３、４、５、７、８、９、１０、１１、１３、３２、３７、４１、４８、Ｃ．Ｉ．Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｒｅｄ ８、２２、４６、１２０、Ｃ．Ｉ．Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｂｌｕｅ １、２、７、１９、Ｃ．Ｉ．Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｖｉｏｌｅｔ ２、４、Ｃ．Ｉ．Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｙｅｌｌｏｗ １、２、４、１４、１６、Ｃ．Ｉ．Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｏｒａｎｇｅ １、４、７、１３、１６、２０、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｒｅｄ ４、１１、５４、５５、５８、６５、７３、１２７、１２９、１４１、１９６、２１０、２２９、３５４、３５６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ ３、２４、７９、８２、８７、１０６、１２５、１６５、１８３、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｖｉｏｌｅｔ １、６、１２、２６、２７、２８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｙｅｌｌｏｗ ３、４、５、７、２３、３３、４２、６０、６４、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｏｒａｎｇｅ １３、２９、３０。これらの染料は、所望の分光スペクトルを発現させるために、単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事もできる。   The dye (d) used in the negative and positive resist compositions of the present invention should have a spectral spectrum desirable as a color filter and can be dissolved in a solvent as it is or in a modified form of the dye. Can do. Examples of these dyes include acid dyes, oil-soluble dyes, disperse dyes, reactive dyes, and direct dyes. For example, azo dye, benzoquinone dye, naphthoquinone dye, anthraquinone dye, cyanine dye, squarylium dye, croconium dye, merocyanine dye, stilbene dye, diphenylmethane dye, triphenylmethane dye, fluoran dye Examples include dyes, spiropyran dyes, phthalocyanine dyes, indigo dyes, fulgide dyes, nickel complex dyes, and azulene dyes. Specific examples of color index numbers include the following. C. I. Solvent Yellow 2, 3, 7, 12, 13, 14, 16, 18, 19, 21, 25, 25: 1, 27, 28, 29, 30, 33, 34, 36, 42, 43, 44, 47, 56 62, 72, 73, 77, 79, 81, 82, 83, 83: 1, 88, 89, 90, 93, 94, 96, 98, 104, 107, 114, 116, 117, 124, 130, 131 133, 135, 141, 143, 145, 146, 157, 160: 1, 161, 162, 163, 167, 169, 172, 174, 175, 176, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185 186, 187, 189, 190, 191, C.I. I. Solvent Orange 1, 2, 3, 4, 5, 7, 11, 14, 20, 23, 25, 31, 40: 1, 41, 45, 54, 56, 58, 60, 62, 63, 70, 75, 77 80, 81, 86, 99, 102, 103, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, C.I. I. Solvent Red 1, 2, 3, 4, 8, 16, 17, 18, 19, 23, 24, 25, 26, 27, 30, 33, 35, 41, 43, 45, 48, 49, 52, 68, 69 72, 73, 83: 1, 84: 1, 89, 90, 90: 1, 91, 92, 106, 109, 110, 118, 119, 122, 124, 125, 127, 130, 132, 135, 141 143, 145, 146, 149, 150, 151, 155, 160, 161, 164, 164: 1, 165, 166, 168, 169, 172, 175, 179, 180, 181, 182, 195, 196, 197 , 198, 207, 208, 210, 212, 214, 215, 218, 222, 223, 225, 227, 229, 230, 233, 234, 235, 236 238,239,240,241,242,243,244,245,247,248, C. I. Solvent Violet 2, 8, 9, 11, 13, 14, 21, 21: 1, 26, 31, 36, 37, 38, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 55, 56, 57, 58 59, 60, 61, C.I. I. Solvent Blue 2, 3, 4, 5, 7, 18, 25, 26, 35, 36, 37, 38, 43, 44, 45, 48, 51, 58, 59, 59: 1, 63, 64, 67, 68 69, 70, 78, 79, 83, 94, 97, 98, 100, 101, 102, 104, 105, 111, 112, 122, 124, 128, 129, 132, 136, 137, 138, 139, 143 , C.I. I. Solvent Green 1, 3, 4, 5, 7, 28, 29, 32, 33, 34, 35, C.I. I. Solvent Brown 1, 3, 4, 5, 12, 20, 22, 28, 38, 41, 42, 43, 44, 52, 53, 59, 60, 61, 62, 63, C.I. I. Solvent Black 3, 5, 5: 2, 7, 13, 22, 22: 1, 26, 27, 28, 29, 34, 35, 43, 45, 46, 48, 49, 50, C.I. I. Acid Red 6, 11, 26, 60, 88, 111, 186, 215, C.I. I. Acid Green 25, 27, C.I. I. Acid Blue 22, 25, 40, 78, 92, 113, 129, 167, 230, C.I. I. Acid Yellow 17, 23, 25, 36, 38, 42, 44, 72, 78, C.I. I. Basic Red 1, 2, 13, 14, 22, 27, 29, 39, C.I. I. Basic Green 3, 4, C.I. I. Basic Blue 3, 9, 41, 66, C.I. I. Basic Violet 1, 3, 18, 39, 66, C.I. I. Basic Yellow 11, 23, 25, 28, 41, C.I. I. Direct Red 4, 23, 31, 75, 76, 79, 80, 81, 83, 84, 149, 224, C.I. I. Direct Green 26, 28, C.I. I. Direct Blue 71, 78, 98, 106, 108, 192, 201, C.I. I. Direct Violet 51, C.I. I. Direct Yellow 26, 27, 28, 33, 44, 50, 86, 142, C.I. I. Direct Orange 26, 29, 34, 37, 72, C.I. I. Sulfur Red 5, 6, 7, C.I. I. Sulfur Green 2, 3, 6, C.I. I. Sulfur Blue 2, 3, 7, 9, 13, 15, C.I. I. Sulfur Violet 2, 3, 4, C.I. I. Sulfur Yellow 4, C.I. I. Vat Red 13, 21, 23, 28, 29, 48, C.I. I. Vat Green 3, 5, 8, C.I. I. Vat Blue 6, 14, 26, 30, C.I. I. Vat Violet 1, 3, 9, 13, 15, 16, C.I. I. Vat Yellow 2, 12, 20, 33, C.I. I. Vat Orange 2, 5, 11, 15, 18, 20, C.I. I. Azoic Coupling Component 2, 3, 4, 5, 7, 8, 9, 10, 11, 13, 32, 37, 41, 48, C.I. I. Reactive Red 8, 22, 46, 120, C.I. I. Reactive Blue 1, 2, 7, 19, C.I. I. Reactive Violet 2, 4, C.I. I. Reactive Yellow 1, 2, 4, 14, 16, C.I. I. Reactive Orange 1, 4, 7, 13, 16, 20, C.I. I. Disperse Red 4, 11, 54, 55, 58, 65, 73, 127, 129, 141, 196, 210, 229, 354, 356, C.I. I. Disperse Blue 3, 24, 79, 82, 87, 106, 125, 165, 183, C.I. I. Disperse Violet 1, 6, 12, 26, 27, 28, C.I. I. Disperse Yellow 3, 4, 5, 7, 23, 33, 42, 60, 64, C.I. I. Disperse Orange 13, 29, 30. These dyes can be used alone or in combination of two or more in order to develop a desired spectral spectrum.

染料含有ネガ型レジスト組成物では、染料（ｄ）の導入量は、樹脂（ａ−１））、光酸発生剤又は光塩基発生剤（ｂ−１）、架橋性化合物（ｃ−１）および染料（ｄ）からなる固形分全体（１００％）に対して、１〜９０重量％の範囲で選ばれる。染料の導入量が少ない場合、レジスト膜が薄膜化した際に所望の分光スペクトルを発現することが困難となり、染料の導入量が多い場合、レジスト組成物の保存安定性に劣る。しかし、本願発明のネガ型レジスト組成物においては、ケトール系溶剤（ｅ）を用いた事により、上記の染料の導入量（固形分中の染料濃度）が数重量％の低濃度で使用できることはもちろんであるが、３０〜９０重量％の高濃度に設定しても染料は充分に溶解性を確保できる。
また、同様に、樹脂（ａ−２）、光ラジカル発生剤（ｂ−２）、架橋性化合物（ｃ−２）および染料（ｄ）からなる染料含有ネガ型レジスト組成物では、染料（ｄ）の導入量は、上記からなる固形分全体（１００％）に対して、１〜９０重量％の範囲で選ばれる。染料の導入量が少ない場合、レジスト膜が薄膜化した際に所望の分光スペクトルを発現することが困難となり、染料の導入量が多い場合、レジスト組成物の保存安定性に劣る。しかし、本願発明のネガ型レジスト組成物においては、ケトール系溶剤（ｅ）を用いた事により、上記の染料の導入量（固形分中の染料濃度）が数重量％の低濃度で使用できることはもちろんであるが、３０〜９０重量％の高濃度に設定しても染料は充分に溶解性を確保できる。 In the dye-containing negative resist composition, the amount of dye (d) introduced is resin (a-1)), photoacid generator or photobase generator (b-1), crosslinkable compound (c-1) and It is selected in the range of 1 to 90% by weight with respect to the entire solid content (100%) comprising the dye (d). When the amount of the dye introduced is small, it becomes difficult to develop a desired spectral spectrum when the resist film is thinned, and when the amount of the dye introduced is large, the storage stability of the resist composition is poor. However, in the negative resist composition of the present invention, the use of the ketol-based solvent (e) allows the introduction amount of the above dye (the concentration of the dye in the solid content) to be used at a low concentration of several weight percent. However, even if the concentration is set to a high concentration of 30 to 90% by weight, the dye can sufficiently ensure solubility.
Similarly, in the dye-containing negative resist composition comprising the resin (a-2), the photoradical generator (b-2), the crosslinkable compound (c-2) and the dye (d), the dye (d) Is introduced in the range of 1 to 90% by weight with respect to the entire solid content (100%). When the amount of the dye introduced is small, it becomes difficult to develop a desired spectral spectrum when the resist film is thinned, and when the amount of the dye introduced is large, the storage stability of the resist composition is poor. However, in the negative resist composition of the present invention, the use of the ketol-based solvent (e) allows the introduction amount of the above dye (the concentration of the dye in the solid content) to be used at a low concentration of several weight percent. However, even if the concentration is set to a high concentration of 30 to 90% by weight, the dye can sufficiently ensure solubility.

さらに、染料含有ポジ型レジスト組成物では、染料（ｄ）の導入量は、樹脂（ａ−３）、光酸発生剤（ｂ−３）、架橋性化合物（ｃ−３）および染料（ｄ）からなる固形分全体（１００％）に対して、１〜９０重量％の範囲で選ばれる。染料の導入量が少ない場合、レジスト膜が薄膜化した際に所望の分光スペクトルを発現することが困難となり、染料の導入量が多い場合、レジスト組成物の保存安定性に劣る。しかし、本願発明のポジ型レジスト組成物においては、ケトール系溶剤（ｅ）を用いた事により、上記の染料の導入量（固形分中の染料濃度）が数重量％の低濃度で使用できることはもちろんであるが、３０〜９０重量％の高濃度に設定しても染料は充分に溶解性を確保できる。   Further, in the dye-containing positive resist composition, the amount of the dye (d) introduced is the resin (a-3), the photoacid generator (b-3), the crosslinkable compound (c-3) and the dye (d). Is selected in the range of 1 to 90% by weight with respect to the entire solid content (100%). When the amount of the dye introduced is small, it becomes difficult to develop a desired spectral spectrum when the resist film is thinned, and when the amount of the dye introduced is large, the storage stability of the resist composition is poor. However, in the positive resist composition of the present invention, the use of the ketol-based solvent (e) enables the introduction amount of the above dye (the concentration of the dye in the solid content) to be used at a low concentration of several weight percent. However, even if the concentration is set to a high concentration of 30 to 90% by weight, the dye can sufficiently ensure solubility.

本願発明のネガ型及びポジ型レジスト組成物に用いられる溶剤（ｅ）は、ケトール系溶剤である。その中でも、β−ヒドロキシケトンが好ましく、β−ヒドロキシケトンとしては、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−エチル−２−ヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ヘプタノン、４−ヒドロキシ−４−エチル−２−ヘプタノン、４−ヒドロキシ−４−プロピル−２−ヘプタノン、２−メチル−２−ヒドロキシ−４−ヘキサノン、２−メチル−２−ヒドロキシ−４−ペンタノン、２,３−ジメチル−３−ヒドロキシ−５−ヘキサノン及び２,６−ジメチル−２−ヒドロキシ−４−ヘプタノン等が挙げられる。   The solvent (e) used in the negative and positive resist compositions of the present invention is a ketol solvent. Among these, β-hydroxyketone is preferable, and as β-hydroxyketone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-hexanone, 4-hydroxy-4-ethyl-2 -Hexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-heptanone, 4-hydroxy-4-ethyl-2-heptanone, 4-hydroxy-4-propyl-2-heptanone, 2-methyl-2-hydroxy-4-hexanone 2-methyl-2-hydroxy-4-pentanone, 2,3-dimethyl-3-hydroxy-5-hexanone, 2,6-dimethyl-2-hydroxy-4-heptanone, and the like.

中でも染料の溶解性および入手性という点で、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンが最も好ましい。   Of these, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone is most preferable in terms of solubility and availability of the dye.

本願発明でケトール系溶剤とは、ケトール、好ましくはβ−ヒドロキシケトン、特に好ましくは４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（ジアセトンアルコール）を単独で用いることを基本とするが、これらケトールにその他の溶剤を混合して使用する事を意味するものである。染料の溶解性および染料と樹脂との相溶性を高める点から、溶剤全体を１００％とした時に、ケトール、好ましくはβ−ヒドロキシケトン、特に好ましくは４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンの導入量は、１〜１００重量％であり、好ましくは１０〜１００重量％である。   In the present invention, the ketol solvent is based on the use of ketol, preferably β-hydroxyketone, particularly preferably 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone (diacetone alcohol) alone. It means that other solvents are mixed and used. From the viewpoint of enhancing the solubility of the dye and the compatibility between the dye and the resin, when the total solvent is 100%, ketol, preferably β-hydroxyketone, particularly preferably 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone The amount introduced is 1 to 100% by weight, preferably 10 to 100% by weight.

ケトールに混合するその他の溶剤としては、例えばアセトン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、メトキシメチルペンタノール、ジペンテン、エチルアミルケトン、メチルノニルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトール、エチルカルビトール、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノプロピルエーテル、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、トリプロピレングリコールメチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、ジイソプロピルエーテル、エチルイソブチルエーテル、ジイソブチレン、アミルアセテート、ブチルブチレート、ブチルエーテル、ジイソブチルケトン、メチルシクロへキセン、プロピルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、ｎ−へキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−オクタン、ジエチルエーテル、シクロヘキサノン、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸メチルエチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、ジグライムなどが挙げられる。これらはケトールと単独で、また２種類以上の組み合わせで使用することができる。   Examples of other solvents mixed with ketol include acetone, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, methoxymethylpentanol, dipentene, ethyl amyl ketone, methyl nonyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl isoamyl ketone, methyl isopropyl ketone, methyl cellosolve, and ethyl. Cellosolve, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, butyl carbitol, ethyl carbitol, ethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol, propylene glycol monoacetate, propylene glycol monomethyl ether , Propylene glycol-tert-butyl ether Dipropylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, diethylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol monoacetate monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monoacetate monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl Ether, dipropylene glycol monoacetate monopropyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monoacetate monopropyl ether, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, tripropylene glycol methyl ether, 3-methyl-3-methoxy Butanol, diisopre Pyrether, ethyl isobutyl ether, diisobutylene, amyl acetate, butyl butyrate, butyl ether, diisobutyl ketone, methylcyclohexene, propyl ether, dihexyl ether, dioxane, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide , N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone, n-hexane, n-pentane, n-octane, diethyl ether, cyclohexanone, methyl lactate, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, n-butyl acetate, propylene glycol monoethyl acetate Ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl 3-methoxypropionate, methyl ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, 3-ethoxypropio Examples include acid, 3-methoxypropionic acid, propyl 3-methoxypropionate, butyl 3-methoxypropionate, and diglyme. These can be used alone or in combination of two or more with ketol.

本願発明の染料含有ネガ型及びポジ型レジスト組成物において、樹脂（ａ−１、ａ−２またはａ−３）、光開始剤（ｂ−１、ｂ−２またはｂ−３）、架橋性化合物（ｃ−１、ｃ−２またはｃ−３）および染料（ｄ）の含有割合、すなわち固形分濃度は、５〜５０重量％であり、好ましくは、１０〜３０重量％である。   In the dye-containing negative and positive resist compositions of the present invention, resin (a-1, a-2 or a-3), photoinitiator (b-1, b-2 or b-3), crosslinkable compound The content ratio of (c-1, c-2 or c-3) and the dye (d), that is, the solid content concentration is 5 to 50% by weight, preferably 10 to 30% by weight.

この割合が５重量％未満である場合には、塗膜の膜厚が過小になり、ピンホールの発生が問題となる。また、５０重量％を超える場合には、レジスト組成物の粘度が過大となり、塗膜の膜厚均一性が損なわれる。   When this ratio is less than 5% by weight, the film thickness of the coating film becomes too small, and the occurrence of pinholes becomes a problem. On the other hand, when it exceeds 50% by weight, the viscosity of the resist composition becomes excessive, and the film thickness uniformity of the coating film is impaired.

本願発明の染料含有ネガ型レジスト組成物およびポジ型レジスト組成物には、レジスト膜の塗れ性や平坦化性を高める目的で、界面活性剤を含有する事が出来る。このような界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ノ二オン系界面活性剤等が挙げられる。   The dye-containing negative resist composition and the positive resist composition of the present invention can contain a surfactant for the purpose of improving the wettability and flatness of the resist film. Examples of such surfactants include fluorine-based surfactants, silicone-based surfactants, and nonionic surfactants.

より具体的には、例えばエフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ製））、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｒ−３０（大日本インキ製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ1０５、ＳＣ１０６（旭硝子製）等が挙げられる。
これらの界面活性剤の使用割合は、樹脂成分１００重量部に対して、好ましくは０．０１〜２重量部、より好ましくは０．０１〜１重量部である。界面活性剤の含有量が２重量部よりも多くなるとレジスト膜がムラになりやすく、０．０１重量部未満では、レジスト膜にストリエーションが発生しやすくなる。 More specifically, for example, Ftop EF301, EF303, EF352 (manufactured by Tochem Products)), MegaFuck F171, F173, R-30 (manufactured by Dainippon Ink), Florard FC430, FC431 (manufactured by Sumitomo 3M), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106 (manufactured by Asahi Glass) and the like.
The use ratio of these surfactants is preferably 0.01 to 2 parts by weight, more preferably 0.01 to 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the resin component. When the surfactant content is more than 2 parts by weight, the resist film tends to be uneven, and when it is less than 0.01 part by weight, striations are likely to occur in the resist film.

また、現像後の基板との密着性を向上させる目的で、密着促進剤を含有する事が出来る。このような密着促進剤の具体例としては、例えばトリメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジフェニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン等のクロロシラン類、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリメチルシリル）ウレア、ジメチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダゾール類のシラザン類、ビニルトリクロロシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン類、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン等の複素環状化合物や、１，１−ジメチレンウレア、１，３−ジメチルウレア等の尿素、またはチオ尿素化合物を挙げることができる。   Moreover, an adhesion promoter can be contained for the purpose of improving the adhesion to the substrate after development. Specific examples of such adhesion promoters include chlorosilanes such as trimethylchlorosilane, dimethylvinylchlorosilane, methyldiphenylchlorosilane, chloromethyldimethylchlorosilane, trimethylmethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, methyldimethoxysilane, dimethylvinylethoxysilane. , Alkoxysilanes such as diphenyldimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, hexamethyldisilazane, N, N′-bis (trimethylsilyl) urea, dimethyltrimethylsilylamine, trimethylsilylimidazole silazanes, vinyltrichlorosilane, γ-chloropropyl Trimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxyp Silanes such as pyrtrimethoxysilane, heterocyclic groups such as benzotriazole, benzimidazole, indazole, imidazole, 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzoxazole, urazole, thiouracil, mercaptoimidazole, mercaptopyrimidine A compound, urea, such as 1, 1- dimethylene urea and 1, 3- dimethyl urea, or a thiourea compound can be mentioned.

これらの密着促進剤の使用割合は、樹脂成分１００重量部に対して、通常、２０重量部以下、好ましくは０．０５〜１０重量部、特に好ましくは１〜１０重量部である。   The use ratio of these adhesion promoters is usually 20 parts by weight or less, preferably 0.05 to 10 parts by weight, particularly preferably 1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin component.

本願発明の染料含有ネガ型及びポジ型レジスト組成物には、さらにレジスト組成物と混和性のある添加物類を加えることができる。例えば、耐光性を高める紫外線吸収剤や酸化防止剤、染料の析出を抑制する相溶化剤などが挙げられる。染料の析出を抑制する相溶化剤の具体例としては、ポリオキシエチレンオクチルエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリルエーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキル（炭素数12〜13）エーテル化合物、ポリオキシエチレン２級アルキル（炭素数12〜14）エーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキル（炭素数13）エーテル化合物、ポリオキシエチレンセチルエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリルエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイルエーテル化合物、ポリオキシエチレンデシルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンアルキル（炭素数11〜15）エーテル化合物、ポリオキシアルキレン２級アルキル（炭素数12〜14）エーテル化合物、ポリオキシアルキレンセチルエーテル化合物等のアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイルアミノエーテル化合物等のアルキルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリン酸アミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリン酸アミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイン酸アミドエーテル化合物、ラウリン酸ジエタノールアミド化合物、ステアリン酸ジエタノールアミド化合物、オレイン酸ジエタノールアミド化合物等のアルキルアミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンポリスチルフェニルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンポリスチルフェニルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンポリスチルフェニルエーテルホルムアミド縮合物、ポリオキシエチレンモノスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシエチレンジスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシエチレンナフチルエーテル化合物等のアリルフェニルエーテル化合物、グリセリンモノラウレート化合物、グリセリンモノステアレート化合物、グリセリンモノオレート化合物、グリセリントリオレート化合物等のグリセリン脂肪酸エステル化合物、ソルビタンモノラウレート化合物、ソルビタンモノパルミテート化合物、ソルビタンモノステアレート化合物、ソルビタントリステアレート化合物、ソルビタンモノオレート化合物、ソルビタントリオレート化合物等のソルビタン酸エステル化合物、ポリオキシエチレンジラウレート化合物、ポリオキシエチレンラウレート化合物、ポリオキシエチレンステアレート化合物、ポリオキシエチレンジステアレート化合物、ポリオキシエチレンジオレート化合物、ポリオキシエチレンオレート化合物等の脂肪酸エーテルエステル化合物、ポリオキシエチレンヒマシ油エーテル化合物、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油エーテル化合物等の植物油エーテルエステル化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレート化合物、ポリオキシエチレンスルビタントリオレート化合物等のソルビタンエーテルエステル化合物、ポリオキシアルキレンブチルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンオクチルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンアルキル（炭素数14〜15）エーテル化合物、ポリオキシアルキレンオレイルエーテル化合物等のモノオール型ポリエーテル化合物、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン縮合物等のジオール型ポリエーテル化合物、トリメチロールプロパントリス（ポリオキシアルキレン）エーテル化合物、ポリオキシアルキレングリセリルエーテル化合物等のポリオール型ポリエーテル化合物、メチルラウレート化合物、メチルオレート化合物、イソプロピルミリステート化合物、ブチルステアレート化合物、オクチルパルミテート化合物、オクチルステアレート化合物、ラウリルオレート化合物、イソトリデシルステアレート化合物、オレイルオレート化合物、ジオレイルアジペート化合物、トリメチロールプロパントリデカノエート化合物、トリメチロールプロパントリラウレート化合物、ペンタエリスリトールジオレート化合物、ペンタエリスリトールモノステアレート化合物、ペンタエリスリトールジステアレート化合物等の脂肪酸アルキルエステル化合物、アルキルスルホネート化合物、長鎖アルキルベンゼンスルホン酸化合物、分岐アルキルベンゼンスルホン酸化合物、長鎖アルキルベンゼンスルホネート化合物、分岐アルキルベンゼンスルホネート化合物、分岐アルキルジフェニルエーテルジスルホネート化合物、モノイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、ジイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、トリイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、ジブチルナフタレンスルホネート化合物、ジオクチルスルホサクシネート化合物等のスルホン酸型化合物、オレイン酸硫酸化油化合物、ヒマシ硫酸化化合物、オクチルサルフェート化合物、ラウリルサルフェート化合物、アルキルサルフェート化合物、アルキルエーテルサルフェート化合物等の硫酸エステル化合物、セルロース、セルロース誘導体、糖骨格高分子化合物が挙げられる。   Additives miscible with the resist composition can be further added to the dye-containing negative and positive resist compositions of the present invention. For example, ultraviolet absorbers and antioxidants that improve light resistance, compatibilizers that suppress dye precipitation, and the like can be mentioned. Specific examples of the compatibilizing agent that suppresses the precipitation of the dye include a polyoxyethylene octyl ether compound, a polyoxyethylene lauryl ether compound, a polyoxyethylene alkyl (carbon number 12 to 13) ether compound, a polyoxyethylene secondary alkyl ( C12-14) ether compound, polyoxyethylene alkyl (carbon number 13) ether compound, polyoxyethylene cetyl ether compound, polyoxyethylene stearyl ether compound, polyoxyethylene oleyl ether compound, polyoxyethylene decyl ether compound, poly Alkyl ether compounds such as oxyalkylene alkyl (carbon number 11-15) ether compounds, polyoxyalkylene secondary alkyl (carbon numbers 12-14) ether compounds, polyoxyalkylene cetyl ether compounds, polyoxy Tylene lauryl amino ether compound, polyoxyethylene stearyl amino ether compound, alkylamino ether compound such as polyoxyethylene oleyl amino ether compound, polyoxyethylene lauric acid amide ether compound, polyoxyethylene stearic acid amide ether compound, polyoxyethylene olein Alkylamide ether compounds such as acid amide ether compounds, lauric acid diethanolamide compounds, stearic acid diethanolamide compounds, oleic acid diethanolamide compounds, polyoxyethylene polystilphenyl ether compounds, polyoxyalkylene polystilphenyl ether compounds, polyoxyalkylenes Polystilphenyl ether formamide condensate, polyoxyethylene monostyryl Nyl ether compounds, polyoxyethylene distyryl phenyl ether compounds, allyl phenyl ether compounds such as polyoxyethylene naphthyl ether compounds, glycerol monolaurate compounds, glycerol monostearate compounds, glycerol monooleate compounds, glycerol trioleate compounds, etc. Sorbitan acid ester compounds such as ester compounds, sorbitan monolaurate compounds, sorbitan monopalmitate compounds, sorbitan monostearate compounds, sorbitan tristearate compounds, sorbitan monooleate compounds, sorbitan trioleate compounds, polyoxyethylene dilaurate compounds, poly Oxyethylene laurate compound, polyoxyethylene stearate compound, polyoxyethylene diste Fatty acid ether ester compounds such as allate compounds, polyoxyethylene diolate compounds, polyoxyethylene oleate compounds, vegetable oil ether ester compounds such as polyoxyethylene castor oil ether compounds, polyoxyethylene hydrogenated castor oil ether compounds, polyoxyethylene sorbitan mono Laurate compounds, polyoxyethylene sorbitan monostearate compounds, polyoxyethylene sorbitan monooleate compounds, sorbitan ether ester compounds such as polyoxyethylene sulfitan trioleate compounds, polyoxyalkylene butyl ether compounds, polyoxyalkylene octyl ether compounds, poly Mono, such as oxyalkylene alkyl (carbon number 14-15) ether compound, polyoxyalkylene oleyl ether compound Polyol compounds such as all-type polyether compounds, diol-type polyether compounds such as polyoxyethylene polyoxypropylene condensates, trimethylolpropane tris (polyoxyalkylene) ether compounds, polyoxyalkylene glyceryl ether compounds, methyl laur Rate compounds, methyl oleate compounds, isopropyl myristate compounds, butyl stearate compounds, octyl palmitate compounds, octyl stearate compounds, lauryl oleate compounds, isotridecyl stearate compounds, oleyl oleate compounds, dioleyl adipate compounds, trimethylolpropane Tridecanoate compound, trimethylolpropane trilaurate compound, pentaerythritol diolate compound, pentaerythritol Fatty acid alkyl ester compounds, alkyl sulfonate compounds, long-chain alkyl benzene sulfonate compounds, branched alkyl benzene sulfonate compounds, long-chain alkyl benzene sulfonate compounds, branched alkyl benzene sulfonate compounds, branched alkyl diphenyl ethers, such as alkyl monostearate compounds and pentaerythritol distearate compounds Disulfonate compounds, monoisopropyl naphthalene sulfonate compounds, diisopropyl naphthalene sulfonate compounds, triisopropyl naphthalene sulfonate compounds, dibutyl naphthalene sulfonate compounds, dioctyl sulfosuccinate compounds and other sulfonic acid type compounds, oleic acid sulfated oil compounds, castor sulfate compounds, Octyl sulfate compounds, lauryl sulfate Compounds, alkyl sulfates compounds, sulfate compounds such as alkyl ether sulfate compounds, cellulose, cellulose derivatives, sugar backbone polymer compound.

これら相溶化剤の使用割合は、樹脂成分１００重量部に対して、０．００１〜２０重量部である。使用量が少ない場合は多く使用した場合に比べて染料の析出の抑制能に劣り、多い場合は良好なパターン形状が得られにくくなる。しかしながら、相溶化剤がパターン形状を阻害しない場合は２０重量部以上使用できる。   The use ratio of these compatibilizers is 0.001 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin component. When the amount used is small, the ability to suppress the precipitation of the dye is inferior to when many are used, and when it is large, it is difficult to obtain a good pattern shape. However, when the compatibilizing agent does not inhibit the pattern shape, 20 parts by weight or more can be used.

次に本願発明のカラーフィルター用染料含有ネガ型レジスト組成物およびポジ型レジスト組成物を用いたカラーフィルター作製方法を説明する。   Next, a method for preparing a color filter using the dye-containing negative resist composition for color filter and the positive resist composition of the present invention will be described.

本願発明の染料含有ネガ型レジスト組成物およびポジ型レジスト組成物を、スピンコート法などで所望のレジスト膜厚を得る回転数でシリコンウエハーやガラス基板上に塗布し、ソフトベーク（焼成）を行う。ソフトベークは溶剤を蒸発させれば良く、５０〜１５０℃の温度範囲で、３０秒〜１０分間で行うことが好ましい。その後、マスクを介して、露光量１００〜２０００ｍＪ／ｃｍ^２程度で露光する。露光には、例えば水銀ランプ等の紫外線、遠紫外線、電子線、もしくはＸ線等が用いられる。露光後、染料含有ネガ型レジスト組成物を用いてネガ型のパターを形成する場合、加熱（ＰＥＢ（ポストエクスポージャーベーク））を行うことが好ましい。ＰＥＢにより、露光により発生した酸または塩基による架橋がさらに進行し、より未露光部との現像液溶解度に対する差が広がり、コントラストが向上する。ＰＥＢは５０〜１５０℃の温度範囲で、３０秒から５分間行うのが好ましい。 The dye-containing negative resist composition and the positive resist composition of the present invention are applied onto a silicon wafer or glass substrate at a rotational speed to obtain a desired resist film thickness by spin coating or the like, and soft baking (baking) is performed. . The soft baking may be performed by evaporating the solvent, and is preferably performed in a temperature range of 50 to 150 ° C. for 30 seconds to 10 minutes. Then, it exposes with the exposure amount of about 100-2000mJ / cm < ² > through a mask. For the exposure, for example, ultraviolet rays such as a mercury lamp, far ultraviolet rays, electron beams, or X-rays are used. When a negative pattern is formed using a dye-containing negative resist composition after exposure, heating (PEB (post-exposure baking)) is preferably performed. By PEB, the crosslinking by the acid or base generated by exposure further proceeds, and the difference in the developer solubility from the unexposed area widens, and the contrast is improved. PEB is preferably performed in a temperature range of 50 to 150 ° C. for 30 seconds to 5 minutes.

次に、現像を行う。現像方法としては、特に制限はなく、パドル法、ディップ法、スプレー法等の公知の方法により行うことができる。現像温度は２０℃〜３０℃の間が好ましく、現像液に１０秒〜１０分間浸漬することが好ましい。   Next, development is performed. There is no restriction | limiting in particular as a image development method, It can carry out by well-known methods, such as a paddle method, a dip method, and a spray method. The development temperature is preferably between 20 ° C. and 30 ° C., and is preferably immersed in the developer for 10 seconds to 10 minutes.

現像液としては、有機溶剤またはアルカリ性水溶液などを用いることができる。具体的には、イソプロピルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチルアミン水溶液、ｎ−プロピルアミン水溶液、ジエチルアミン水溶液、ジ−ｎ−プロピルアミン水溶液、トリエチルアミン水溶液、メチルジエチルアミン水溶液、ジエタノールアミン水溶液、トリエタノールアミン水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、重炭酸ナトリウム水溶液、ケイ酸ナトリウム水溶液、メタケイ酸ナトリウム水溶液などが挙げられる。   As the developer, an organic solvent or an alkaline aqueous solution can be used. Specifically, isopropyl alcohol, propylene glycol monomethyl ether, ethylamine aqueous solution, n-propylamine aqueous solution, diethylamine aqueous solution, di-n-propylamine aqueous solution, triethylamine aqueous solution, methyldiethylamine aqueous solution, diethanolamine aqueous solution, triethanolamine aqueous solution, tetramethyl Ammonium hydroxide aqueous solution, sodium hydroxide aqueous solution, potassium hydroxide aqueous solution, sodium carbonate aqueous solution, sodium bicarbonate aqueous solution, sodium silicate aqueous solution, sodium metasilicate aqueous solution and the like can be mentioned.

さらに、現像液には未露光部の除去性を高めるために、界面活性剤を添加することが好ましい。具体例としては、ポリオキシエチレンオクチルエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリルエーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキル（炭素数12〜13）エーテル化合物、ポリオキシエチレン２級アルキル（炭素数12〜14）エーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキル（炭素数13）エーテル化合物、ポリオキシエチレンセチルエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリルエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイルエーテル化合物、ポリオキシエチレンデシルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンアルキル（炭素数11〜15）エーテル化合物、ポリオキシアルキレン２級アルキル（炭素数12〜14）エーテル化合物、ポリオキシアルキレンセチルエーテル化合物等のアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイルアミノエーテル化合物等のアルキルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリン酸アミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリン酸アミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイン酸アミドエーテル化合物、ラウリン酸ジエタノールアミド化合物、ステアリン酸ジエタノールアミド化合物、オレイン酸ジエタノールアミド化合物等のアルキルアミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンポリスチルフェニルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンポリスチルフェニルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンポリスチルフェニルエーテルホルムアミド縮合物、ポリオキシエチレンモノスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシエチレンジスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシエチレンナフチルエーテル化合物等のアリルフェニルエーテル化合物、グリセリンモノラウレート化合物、グリセリンモノステアレート化合物、グリセリンモノオレート化合物、グリセリントリオレート化合物等のグリセリン脂肪酸エステル化合物、ソルビタンモノラウレート化合物、ソルビタンモノパルミテート化合物、ソルビタンモノステアレート化合物、ソルビタントリステアレート化合物、ソルビタンモノオレート化合物、ソルビタントリオレート化合物等のソルビタン酸エステル化合物、ポリオキシエチレンジラウレート化合物、ポリオキシエチレンラウレート化合物、ポリオキシエチレンステアレート化合物、ポリオキシエチレンジステアレート化合物、ポリオキシエチレンジオレート化合物、ポリオキシエチレンオレート化合物等の脂肪酸エーテルエステル化合物、ポリオキシエチレンヒマシ油エーテル化合物、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油エーテル化合物等の植物油エーテルエステル化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレート化合物、ポリオキシエチレンスルビタントリオレート化合物等のソルビタンエーテルエステル化合物、ポリオキシアルキレンブチルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンオクチルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンアルキル（炭素数14〜15）エーテル化合物、ポリオキシアルキレンオレイルエーテル化合物等のモノオール型ポリエーテル化合物、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン縮合物等のジオール型ポリエーテル化合物、トリメチロールプロパントリス（ポリオキシアルキレン）エーテル化合物、ポリオキシアルキレングリセリルエーテル化合物等のポリオール型ポリエーテル化合物、メチルラウレート化合物、メチルオレート化合物、イソプロピルミリステート化合物、ブチルステアレート化合物、オクチルパルミテート化合物、オクチルステアレート化合物、ラウリルオレート化合物、イソトリデシルステアレート化合物、オレイルオレート化合物、ジオレイルアジペート化合物、トリメチロールプロパントリデカノエート化合物、トリメチロールプロパントリラウレート化合物、ペンタエリスリトールジオレート化合物、ペンタエリスリトールモノステアレート化合物、ペンタエリスリトールジステアレート化合物等の脂肪酸アルキルエステル化合物、アルキルスルホネート化合物、長鎖アルキルベンゼンスルホン酸化合物、分岐アルキルベンゼンスルホン酸化合物、長鎖アルキルベンゼンスルホネート化合物、分岐アルキルベンゼンスルホネート化合物、分岐アルキルジフェニルエーテルジスルホネート化合物、モノイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、ジイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、トリイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、ジブチルナフタレンスルホネート化合物、ジオクチルスルホサクシネート化合物等のスルホン酸型化合物、オレイン酸硫酸化油化合物、ヒマシ硫酸化化合物、オクチルサルフェート化合物、ラウリルサルフェート化合物、アルキルサルフェート化合物、アルキルエーテルサルフェート化合物等の硫酸エステル化合物が挙げられる。アルカリ現像液の好ましい濃度は、アルカリ成分が０．００１〜１０重量％、界面活性剤成分が０．００１〜１０重量％である。アルカリ成分が高すぎると現像能力が強すぎ、ネガ型では未露光部、ポジ型では露光部まで浸透してしまいパターン表面の荒れが起こりやすく、低すぎると現像能力が得られない。また、界面活性剤成分が高すぎると泡立ちやすく現像ムラが発生しやすくなり、低すぎると現像能力が得られない。   Furthermore, it is preferable to add a surfactant to the developer in order to improve the removability of the unexposed area. Specific examples include polyoxyethylene octyl ether compounds, polyoxyethylene lauryl ether compounds, polyoxyethylene alkyl (carbon number 12-13) ether compounds, polyoxyethylene secondary alkyl (carbon numbers 12-14) ether compounds, poly Oxyethylene alkyl (carbon number 13) ether compound, polyoxyethylene cetyl ether compound, polyoxyethylene stearyl ether compound, polyoxyethylene oleyl ether compound, polyoxyethylene decyl ether compound, polyoxyalkylene alkyl (carbon number 11-15) Ether compounds, polyoxyalkylene secondary alkyl (C12-14) ether compounds, alkyl ether compounds such as polyoxyalkylene cetyl ether compounds, polyoxyethylene lauryl amino ether Compounds, alkylamino ether compounds such as polyoxyethylene stearyl amino ether compounds, polyoxyethylene oleyl amino ether compounds, polyoxyethylene lauric acid amide ether compounds, polyoxyethylene stearic acid amide ether compounds, polyoxyethylene oleic acid amide ethers Compounds, alkylamide ether compounds such as lauric acid diethanolamide compound, stearic acid diethanolamide compound, oleic acid diethanolamide compound, polyoxyethylene polystilphenyl ether compound, polyoxyalkylene polystilphenyl ether compound, polyoxyalkylene polystilphenyl Ether formamide condensate, polyoxyethylene monostyryl phenyl ether compound, polyoxy Allyl phenyl ether compounds such as ethylene distyryl phenyl ether compounds and polyoxyethylene naphthyl ether compounds, glycerin monolaurate compounds, glycerin monostearate compounds, glycerin monooleate compounds, glycerin fatty acid ester compounds such as glycerin trioleate compounds, sorbitan mono Sorbitanate compounds such as laurate compounds, sorbitan monopalmitate compounds, sorbitan monostearate compounds, sorbitan tristearate compounds, sorbitan monooleate compounds, sorbitan trioleate compounds, polyoxyethylene dilaurate compounds, polyoxyethylene laurate compounds , Polyoxyethylene stearate compound, polyoxyethylene distearate compound, polyoxyethylene Fatty acid ether ester compounds such as range oleate compounds, polyoxyethylene oleate compounds, vegetable oil ether ester compounds such as polyoxyethylene castor oil ether compounds, polyoxyethylene hydrogenated castor oil ether compounds, polyoxyethylene sorbitan monolaurate compounds, polyoxy Sorbitan ether ester compounds such as ethylene sorbitan monostearate compound, polyoxyethylene sorbitan monooleate compound, polyoxyethylene sulfitan trioleate compound, polyoxyalkylene butyl ether compound, polyoxyalkylene octyl ether compound, polyoxyalkylene alkyl (carbon number) 14-15) Monool-type polyether compounds such as ether compounds and polyoxyalkylene oleyl ether compounds, Diol-type polyether compounds such as reoxyethylene polyoxypropylene condensate, polyol-type polyether compounds such as trimethylolpropane tris (polyoxyalkylene) ether compound, polyoxyalkylene glyceryl ether compound, methyl laurate compound, methyl oleate compound , Isopropyl myristate compound, butyl stearate compound, octyl palmitate compound, octyl stearate compound, lauryl oleate compound, isotridecyl stearate compound, oleyl oleate compound, dioleyl adipate compound, trimethylolpropane tridecanoate compound, tri Methylolpropane trilaurate compound, pentaerythritol dioleate compound, pentaerythritol monostearate compound, Fatty acid alkyl ester compounds such as intererythritol distearate compounds, alkyl sulfonate compounds, long chain alkyl benzene sulfonate compounds, branched alkyl benzene sulfonate compounds, long chain alkyl benzene sulfonate compounds, branched alkyl benzene sulfonate compounds, branched alkyl diphenyl ether disulfonate compounds, monoisopropyl Sulfonic acid type compounds such as naphthalene sulfonate compound, diisopropyl naphthalene sulfonate compound, triisopropyl naphthalene sulfonate compound, dibutyl naphthalene sulfonate compound, dioctyl sulfosuccinate compound, oleic acid sulfated oil compound, castor sulfate compound, octyl sulfate compound, lauryl sulfate Compound, alkyl sulfate Things, sulfate compounds such as alkyl ether sulfate compounds. The preferred concentration of the alkali developer is 0.001 to 10% by weight for the alkali component and 0.001 to 10% by weight for the surfactant component. If the alkali component is too high, the developing ability is too strong. In the negative type, the unexposed area and the exposed area in the positive type are likely to penetrate into the exposed area, and the pattern surface is likely to be roughened. On the other hand, if the surfactant component is too high, foaming is likely to occur and uneven development tends to occur. If it is too low, the developing ability cannot be obtained.

現像後、水あるいは一般有機溶剤でリンスすることが好ましい。その後、乾燥することでパターンが形成される。染料含有ネガ型レジスト組成物を用いた場合には、露光部が硬化し未露光部が溶解するネガ型のパターンが形成され、染料含有ポジ型レジスト組成物を用いた場合には、露光部が溶解するポジ型のパターンが形成される。
以上の一連の工程を、各色およびマスクを替え、必要な数だけ繰り返すことで必要な色数が組み合わされた着色パターンを得ることができる。また、パターン形成後、パターン中に残存する重合あるいは縮合可能な官能基を完全に反応させるために、加熱（ポストベーク）を行っても良い。ポストベークは各色のパターンを形成する毎に行っても、すべての着色パターンを形成した後に行っても良く、１５０〜５００℃の温度範囲で、３０分〜２時間行うのが好ましい。 After development, it is preferable to rinse with water or a general organic solvent. Then, a pattern is formed by drying. When the dye-containing negative resist composition is used, a negative pattern is formed in which the exposed portion is cured and the unexposed portion is dissolved, and when the dye-containing positive resist composition is used, the exposed portion is A dissolving positive pattern is formed.
By repeating the above-described series of steps for each color and mask and repeating the necessary number of times, a colored pattern in which the necessary number of colors are combined can be obtained. In addition, after pattern formation, heating (post-baking) may be performed in order to completely react the polymerizable or condensable functional groups remaining in the pattern. The post-baking may be performed every time a pattern of each color is formed or after all the colored patterns are formed, and is preferably performed at a temperature range of 150 to 500 ° C. for 30 minutes to 2 hours.

（染料含有ネガ型レジスト組成物の調整）
ノボラック樹脂：フェノールとホルムアルデヒドを縮合させて得られたフェノールノボラック樹脂Ａ（数平均分子量９０００（ポリスチレン換算））
ポリヒドロキシスチレン樹脂：ＶＰ８０００（日本曹達製）
ポリヒドロキシスチレン共重合体：マルカーリンカーＣＨＭ（ｐ−ビニルフェノールおよびメタクリル酸２−ヒドロキシエチルの共重合体でモル比が１：１）（丸善石油製）
アクリル系樹脂：アクリル樹脂Ａ（（メタ）アクリル酸、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートおよびメチル（メタ）アクリレートの共重合体でモル比が９：２５．５：６５．５のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液、固形分濃度：２２．０重量％、重量平均分子量６０００（ポリスチレン換算））
実施例１
５０ｍｌナス型フラスコに、ノボラック樹脂としてフェノールノボラック樹脂Ａを１．７６ｇ、赤系染料としてＶａｌｉｆａｓｔＲｅｄ１３５５（オリエント化学製）を１．１０ｇ、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを９．４３ｇ入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。その後、架橋性化合物としてメトキシメチル化メラミン系架橋性化合物（商品名サイメル３０３、三井サイテック製）を０．１８ｇ、光酸発生剤としてトリアジン系光酸発生剤（商品名ＴＡＺ−１０８、みどり化学製）を０．０９ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０、大日本インキ化学製）を０．００９ｇ加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（１）を得た。溶液中には不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。 (Adjustment of dye-containing negative resist composition)
Novolak resin: phenol novolac resin A obtained by condensing phenol and formaldehyde (number average molecular weight 9000 (polystyrene conversion))
Polyhydroxystyrene resin: VP8000 (Nippon Soda)
Polyhydroxystyrene copolymer: Marker linker CHM (a copolymer of p-vinylphenol and 2-hydroxyethyl methacrylate in a molar ratio of 1: 1) (manufactured by Maruzen Petroleum)
Acrylic resin: Acrylic resin A (Propylene glycol monomethyl ether acetate solution having a molar ratio of 9: 25.5: 65.5, which is a copolymer of (meth) acrylic acid, hydroxyethyl (meth) acrylate and methyl (meth) acrylate) Solid content concentration: 22.0% by weight, weight average molecular weight 6000 (polystyrene conversion))
Example 1
In a 50 ml eggplant-shaped flask, 1.76 g of phenol novolac resin A as a novolak resin, 1.10 g of VarifastRed 1355 (manufactured by Orient Chemical) as a red dye, and 9.43 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone as a solvent And stirred at room temperature. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform. Thereafter, 0.18 g of a methoxymethylated melamine-based crosslinkable compound (trade name: Cymel 303, manufactured by Mitsui Cytec) as a crosslinkable compound, and a triazine photoacid generator (trade name: TAZ-108, manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.) 0.09 g), 0.009 g of a fluorosurfactant (trade name: Mega-Fac R-30, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals) as a surfactant, and further stirred at room temperature to obtain a dye-containing negative resist composition ( 1) was obtained. Insoluble matter was not found in the solution, and a uniform solution was obtained. Part of the obtained dye-containing negative resist composition (1) was filtered using a 0.2 μm filter and left in a cleaned sample bottle at room temperature for 1 week. There wasn't.

実施例２
５０ｍｌナス型フラスコに、ノボラック樹脂としてフェノールノボラック樹脂Ａを１．７６ｇ、赤系染料としてＶａｌｉｆａｓｔＲｅｄ１３５５を１．１０ｇ、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを９．４３ｇ入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。その後、架橋性化合物としてブトキシメチル化グリコールウリル系架橋性化合物（商品名サイメル１１７０、三井サイテック製）を０．３５ｇ、光酸発生剤としてスルホネート系光酸発生剤（商品名ＮＡＩ−１０５、みどり化学製）を０．１８ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．０１２ｇ加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（２）を得た。溶液中には不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（２）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。 Example 2
In a 50 ml eggplant-shaped flask, 1.76 g of phenol novolac resin A as a novolak resin, 1.10 g of ValifastRed 1355 as a red dye, 9.43 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone as a solvent are stirred at room temperature. did. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform. Thereafter, 0.35 g of a butoxymethylated glycoluril-based crosslinkable compound (trade name Cymel 1170, manufactured by Mitsui Cytec) as a crosslinkable compound, and a sulfonate photoacid generator (trade name NAI-105, Midori Chemical) as a photoacid generator. 0.18 g of a product) and 0.012 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) as a surfactant were added, and the mixture was further stirred at room temperature to obtain a dye-containing negative resist composition (2). . Insoluble matter was not found in the solution, and a uniform solution was obtained. Part of the obtained dye-containing negative resist composition (2) was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle at room temperature for 1 week. There wasn't.

実施例３
５０ｍｌナス型フラスコに、ノボラック樹脂としてフェノールノボラック樹脂Ａを１．７６ｇ、赤系染料としてＶａｌｉｆａｓｔＲｅｄ１３５５を１．１０ｇ、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを９．４３ｇ入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。その後、架橋性化合物としてエポキシ系架橋性化合物（商品名ＧＴ−４０１、ダイセル化学製）を０．２５ｇ、光酸発生剤としてスルホニウム塩型光酸発生剤（商品名ＤＴＳ−１０５、みどり化学製）を０．１２ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．０１０ｇ加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（３）を得た。溶液中には不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（３）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。 Example 3
In a 50 ml eggplant-shaped flask, 1.76 g of phenol novolac resin A as a novolak resin, 1.10 g of ValifastRed 1355 as a red dye, 9.43 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone as a solvent are stirred at room temperature. did. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform. Thereafter, 0.25 g of an epoxy-based crosslinkable compound (trade name GT-401, manufactured by Daicel Chemical) as a crosslinkable compound, and a sulfonium salt type photoacid generator (trade name DTS-105, manufactured by Midori Chemical) as a photoacid generator. 0.12 g and 0.010 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) as a surfactant were added and stirred at room temperature to obtain a dye-containing negative resist composition (3). Insoluble matter was not found in the solution, and a uniform solution was obtained. Part of the obtained dye-containing negative resist composition (3) was filtered using a 0.2 μm filter and left in a cleaned sample bottle at room temperature for 1 week. There wasn't.

実施例４
５０ｍｌナス型フラスコに、ノボラック樹脂としてフェノールノボラック樹脂Ａを１．００ｇ、赤系染料としてＶａｌｉｆａｓｔＲｅｄ１３５５を２．００ｇ、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを４．１４ｇおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルを６．２１ｇ入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。その後、架橋性化合物としてメトキシメチル化メラミン系架橋性化合物（商品名サイメル３０３）を０．３０ｇ、光酸発生剤としてトリアジン系光酸発生剤（商品名ＴＡＺ−１０７、みどり化学製）を０．１５ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．００９ｇ加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（４）を得た。溶液中には不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（４）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。 Example 4
In a 50 ml eggplant type flask, 1.00 g of phenol novolak resin A as novolak resin, 2.00 g of VarifastRed 1355 as red dye, 4.14 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone as solvent and propylene glycol monomethyl ether 6.21 g was added and stirred at room temperature. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform. Thereafter, 0.30 g of a methoxymethylated melamine-based crosslinkable compound (trade name Cymel 303) was used as the crosslinkable compound, and a triazine photoacid generator (trade name TAZ-107, manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.) was used as the photoacid generator. 15 g and 0.009 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) as a surfactant were added and further stirred at room temperature to obtain a dye-containing negative resist composition (4). Insoluble matter was not found in the solution, and a uniform solution was obtained. Part of the obtained dye-containing negative resist composition (4) was filtered using a 0.2 μm filter and left in a cleaned sample bottle at room temperature for 1 week. There wasn't.

実施例５
５０ｍｌナス型フラスコに、ノボラック樹脂としてフェノールノボラック樹脂Ａを１．００ｇ、赤系染料としてＶａｌｉｆａｓｔＲｅｄ１３５５を２．００ｇ、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを３．１１ｇおよびエチルラクテートを７．２５ｇ入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。その後、架橋性化合物としてメトキシメチル化メラミン系架橋性化合物（商品名サイメル３０３）を０．１５ｇ、光酸発生剤としてトリアジン系光酸発生剤（商品名ＴＡＺ−１０８）を０．０７ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．００９ｇ加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（５）を得た。溶液中には不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（５）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。 Example 5
In a 50 ml eggplant type flask, 1.00 g of phenol novolak resin A as novolak resin, 2.00 g of VarifastRed 1355 as red dye, 3.11 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone as solvent, and 7 of ethyl lactate .25 g was added and stirred at room temperature. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform. Thereafter, 0.15 g of a methoxymethylated melamine-based crosslinkable compound (trade name Cymel 303) as a crosslinkable compound, 0.07 g of a triazine photoacid generator (trade name TAZ-108) as a photoacid generator, and surface activity 0.009 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) was added as an agent, and the mixture was further stirred at room temperature to obtain a dye-containing negative resist composition (5). Insoluble matter was not found in the solution, and a uniform solution was obtained. Part of the obtained dye-containing negative resist composition (5) was filtered using a 0.2 μm filter and left in a cleaned sample bottle at room temperature for 1 week. There wasn't.

実施例６
１００ｍｌナス型フラスコに、アクリル系樹脂としてアクリル樹脂Ａを７．０７ｇ、赤系染料としてＲｅｄＧＳ（日成化成製）を０．２７ｇ、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを３６．８０ｇ入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。その後、架橋性化合物（商品名ＫＡＹＡＲＡＤＤＰＨＡ−４０Ｈ、日本化薬製）を３．３１ｇ、光ラジカル発生剤（商品名Ｉ−３６９、チバスペシャリティーケミカルズ製）を０．３０ｇ、光増感剤（商品名ＩＴＸ、ファーストケミカルコーポレーション製）を０．２０ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．０１５ｇ加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（６）を得た。溶液中には不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（６）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。 Example 6
In a 100 ml eggplant-shaped flask, 7.07 g of acrylic resin A as an acrylic resin, 0.27 g of RedGS (manufactured by Nissei Kasei) as a red dye, and 36. 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone as a solvent. 80 g was added and stirred at room temperature. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform. Thereafter, 3.31 g of a crosslinkable compound (trade name KAYARDADDHA-40H, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 0.30 g of a photo radical generator (trade name I-369, manufactured by Ciba Specialty Chemicals), a photosensitizer (product) 0.20 g of name ITX, manufactured by First Chemical Corporation), 0.015 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) as a surfactant, and further stirred at room temperature, and a dye-containing negative resist composition (6) was obtained. Insoluble matter was not found in the solution, and a uniform solution was obtained. Part of the obtained dye-containing negative resist composition (6) was filtered using a 0.2 μm filter and left in a cleaned sample bottle at room temperature for 1 week. There wasn't.

実施例７
５０ｍｌナス型フラスコに、ノボラック樹脂としてフェノールノボラック樹脂Ａを１．００ｇ、赤系染料としてＳａｖｉｎｙｌＦｉｒｅＲｅｄＧＬＳ（クラリアント製）を２．００ｇ、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを１０．３５ｇ入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。その後、架橋性化合物としてメトキシメチル化メラミン系架橋性化合物（商品名サイメル３０３）を０．３０ｇ、光酸発生剤としてトリアジン系光酸発生剤（商品名ＴＡＺ−１０７）を０．１５ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．００９ｇ加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（７）を得た。溶液中には不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（７）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。 Example 7
In a 50 ml eggplant-shaped flask, 1.00 g of phenol novolak resin A as novolak resin, 2.00 g of SavinylFireRedGLS (manufactured by Clariant) as red dye, and 10.35 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone as solvent And stirred at room temperature. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform. Thereafter, 0.30 g of a methoxymethylated melamine-based crosslinkable compound (trade name Cymel 303) as a crosslinkable compound, 0.15 g of a triazine photoacid generator (trade name TAZ-107) as a photoacid generator, and surface activity 0.009 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) was added as an agent, and the mixture was further stirred at room temperature to obtain a dye-containing negative resist composition (7). Insoluble matter was not found in the solution, and a uniform solution was obtained. Part of the obtained dye-containing negative resist composition (7) was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle at room temperature for 1 week. There wasn't.

実施例８
５０ｍｌナス型フラスコに、ノボラック樹脂としてフェノールノボラック樹脂Ａを１．００ｇ、赤系染料としてＳａｖｉｎｙｌＦｉｒｅＲｅｄＧＬＳを５．８０ｇ、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを１３．５１ｇ入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。その後、架橋性化合物としてメトキシメチル化架橋性化合物（商品名サイメル３０３）を０．４０ｇ、光酸発生剤としてトリアジン系光酸発生剤（商品名ＴＡＺ−１０８）を０．１８ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．０１ｇ加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（８）を得た。溶液中には不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（８）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。 Example 8
In a 50 ml eggplant-shaped flask, 1.00 g of phenol novolac resin A as novolak resin, 5.80 g of SavinylFireRedGLS as red dye, and 13.51 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone as solvent are stirred at room temperature. did. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform. Thereafter, 0.40 g of a methoxymethylated crosslinkable compound (trade name Cymel 303) as a crosslinkable compound, 0.18 g of a triazine photoacid generator (trade name TAZ-108) as a photoacid generator, and a surfactant 0.01 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) was added, and the mixture was further stirred at room temperature to obtain a dye-containing negative resist composition (8). Insoluble matter was not found in the solution, and a uniform solution was obtained. Part of the obtained dye-containing negative resist composition (8) was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle at room temperature for 1 week. There wasn't.

実施例９
５０ｍｌナス型フラスコに、ポリヒドロキシスチレンとしてＶＰ８０００を１．７６ｇ、緑系染料としてＶａｌｉｆａｓｔＧｒｅｅｎ１５０１（オリエント化学製）を１．１０ｇ、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを９．４３ｇ入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。その後、架橋性化合物としてメトキシメチル化メラミン系架橋性化合物（商品名サイメル３０３）を０．１８ｇ、光酸発生剤としてトリアジン系光酸発生剤（商品名ＴＡＺ−１０８）を０．０９ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．００９ｇ加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（９）を得た。溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（９）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。 Example 9
In a 50 ml eggplant-shaped flask, 1.76 g of VP8000 as polyhydroxystyrene, 1.10 g of VarifastGreen 1501 (manufactured by Orient Chemical) as a green dye, and 9.43 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone as a solvent, Stir at room temperature. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform. Thereafter, 0.18 g of a methoxymethylated melamine-based crosslinkable compound (trade name Cymel 303) as a crosslinkable compound, 0.09 g of a triazine photoacid generator (trade name TAZ-108) as a photoacid generator, and surface activity 0.009 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) was added as an agent, and the mixture was further stirred at room temperature to obtain a dye-containing negative resist composition (9). No insoluble matter was found in the solution, and a uniform solution was obtained. Part of the obtained dye-containing negative resist composition (9) was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle at room temperature for 1 week. There wasn't.

実施例１０
５０ｍｌナス型フラスコに、ポリヒドロキシスチレンとしてＶＰ８０００を１．００ｇ、緑系染料としてＶａｌｉｆａｓｔＧｒｅｅｎ１５０１を２．００ｇ、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを４．１４ｇおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを６．２１ｇ入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。その後、架橋性化合物としてメトキシメチル化メラミン化合物（商品名サイメル３０３）を０．５０ｇ、光酸発生剤としてトリアジン系光酸発生剤（商品名ＴＡＺ−１０７）を０．２５ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．００９ｇ加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（１０）を得た。溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１０）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。 Example 10
In a 50 ml eggplant-shaped flask, 1.00 g of VP8000 as polyhydroxystyrene, 2.00 g of Varifast Green 1501 as a green dye, 4.14 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone and propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent 6.21 g was added and stirred at room temperature. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform. Thereafter, 0.50 g of a methoxymethylated melamine compound (trade name Cymel 303) as a crosslinkable compound, 0.25 g of a triazine photoacid generator (trade name TAZ-107) as a photoacid generator, and fluorine as a surfactant 0.009 g of a surface active agent (trade name Megafax R-30) was added, and the mixture was further stirred at room temperature to obtain a dye-containing negative resist composition (10). No insoluble matter was found in the solution, and a uniform solution was obtained. Part of the obtained dye-containing negative resist composition (10) was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle for 1 week at room temperature. There wasn't.

実施例１１
５０ｍｌナス型フラスコに、ポリヒドロキシスチレン共重合体としてマルカーリンカーＣＨＭを１．７６ｇ、青系染料としてＶａｌｉｆａｓｔＢｌｕｅ１６２１（オリエント化学製）を１．１０ｇ、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを９．４３ｇ入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。その後、架橋性化合物としてメトキシメチル化メラミン系架橋性化合物（商品名サイメル３０３）を０．１８ｇ、光酸発生剤としてトリアジン系光酸発生剤（商品名ＴＡＺ−１０８）を０．０９ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．００９ｇ加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（１１）を得た。溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１１）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。 Example 11
In a 50 ml eggplant-shaped flask, 1.76 g of Marker linker CHM as a polyhydroxystyrene copolymer, 1.10 g of VarifastBlue 1621 (manufactured by Orient Chemical) as a blue dye, and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone as a solvent 9.43 g was added and stirred at room temperature. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform. Thereafter, 0.18 g of a methoxymethylated melamine-based crosslinkable compound (trade name Cymel 303) as a crosslinkable compound, 0.09 g of a triazine photoacid generator (trade name TAZ-108) as a photoacid generator, and surface activity 0.009 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) was added as an agent, and the mixture was further stirred at room temperature to obtain a dye-containing negative resist composition (11). No insoluble matter was found in the solution, and a uniform solution was obtained. Part of the obtained dye-containing negative resist composition (11) was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle at room temperature for 1 week. There wasn't.

実施例１２
５０ｍｌナス型フラスコに、ポリヒドロキシスチレン共重合体としてマルカーリンカーＣＨＭを１．００ｇ、青系染料としてＶａｌｉｆａｓｔＢｌｕｅ１６２１を５．８０ｇ、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを１３．５１ｇ入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。その後、架橋性化合物としてメトキシメチル化メラミン系架橋性化合物（商品名サイメル３０３）を０．５０ｇ、光酸発生剤としてトリアジン系光酸発生剤（商品名ＴＡＺ−１０８）を０．２０ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．０１ｇ加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（１２）を得た。溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１２）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。 Example 12
In a 50 ml eggplant-shaped flask, 1.00 g of Marker linker CHM as a polyhydroxystyrene copolymer, 5.80 g of Varifast Blue 1621 as a blue dye, and 13.51 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone as a solvent are placed. And stirred at room temperature. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform. Thereafter, 0.50 g of a methoxymethylated melamine-based crosslinkable compound (trade name Cymel 303) as a crosslinkable compound, 0.20 g of a triazine photoacid generator (trade name TAZ-108) as a photoacid generator, and surface activity 0.01 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) was added as an agent, and the mixture was further stirred at room temperature to obtain a dye-containing negative resist composition (12). No insoluble matter was found in the solution, and a uniform solution was obtained. Part of the obtained dye-containing negative resist composition (12) was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle at room temperature for 1 week. There wasn't.

実施例１３
５０ｍｌナス型フラスコに、ポリヒドロキシスチレン共重合体としてマルカーリンカーＣＨＭを１．００ｇ、青系染料としてＶａｌｉｆａｓｔＢｌｕｅ２６２０（オリエント化学製）を２．００ｇ、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを１０．３５ｇ入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。その後、架橋性化合物としてメトキシメチル化メラミン系架橋性化合物（商品名サイメル３０３）を０．３０ｇ、光酸発生剤としてトリアジン系光酸発生剤（商品名ＴＡＺ−１０８）を０．１５ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．０１２ｇ加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（１３）を得た。溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１３）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。 Example 13
In a 50 ml eggplant type flask, 1.00 g of Marker Linker CHM as a polyhydroxystyrene copolymer, 2.00 g of VariFastBlue 2620 (manufactured by Orient Chemical) as a blue dye, and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone as a solvent Was added and stirred at room temperature. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform. Thereafter, 0.30 g of a methoxymethylated melamine-based crosslinkable compound (trade name Cymel 303) as a crosslinkable compound, 0.15 g of a triazine photoacid generator (trade name TAZ-108) as a photoacid generator, and surface activity 0.012 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) was added as an agent, and the mixture was further stirred at room temperature to obtain a dye-containing negative resist composition (13). No insoluble matter was found in the solution, and a uniform solution was obtained. Part of the obtained dye-containing negative resist composition (13) was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle for 1 week at room temperature. There wasn't.

実施例１４
５０ｍｌナス型フラスコに、ポリヒドロキシスチレン共重合体としてマルカーリンカーＣＨＭを１．００ｇ、青系染料としてＶａｌｉｆａｓｔＢｌｕｅ２６２０を２．００ｇ、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを４．１４ｇおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルを６．２１ｇ入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。その後、架橋性化合物としてメトキシメチル化メラミン系架橋性化合物（商品名サイメル３０３）を０．３０ｇ、光酸発生剤としてトリアジン系光酸発生剤（商品名ＴＡＺ−１０７）を０．１５ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．００９ｇ加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（１４）を得た。溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１４）の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。 Example 14
In a 50 ml eggplant type flask, 1.00 g of Marker Linker CHM as a polyhydroxystyrene copolymer, 2.00 g of VariFastBlue 2620 as a blue dye, 4.14 g of 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone as a solvent, and 6.21 g of propylene glycol monomethyl ether was added and stirred at room temperature. No insoluble matter was found in the reaction solution, and the solution was uniform. Thereafter, 0.30 g of a methoxymethylated melamine-based crosslinkable compound (trade name Cymel 303) as a crosslinkable compound, 0.15 g of a triazine photoacid generator (trade name TAZ-107) as a photoacid generator, and surface activity 0.009 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) was added as an agent, and the mixture was further stirred at room temperature to obtain a dye-containing negative resist composition (14). No insoluble matter was found in the solution, and a uniform solution was obtained. Part of the obtained dye-containing negative resist composition (14) was filtered using a 0.2 μm filter and left in a cleaned sample bottle at room temperature for 1 week. There wasn't.

比較例１
５０ｍｌナス型フラスコに、ノボラック樹脂としてフェノールノボラック樹脂Ａを１．７６ｇ、赤系染料としてＶａｌｉｆａｓｔＲｅｄ１３５５を１．１０ｇ、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルを９．４３ｇ入れ、室温で攪拌したところ、反応溶液中に染料が析出した。その後、架橋性化合物としてメトキシメチル化メラミン系架橋性化合物（商品名サイメル３０３）を０．１８ｇ、光酸発生剤としてトリアジン系光酸発生剤（商品名ＴＡＺ−１０８）を０．０９ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．００９ｇ加え、さらに、室温で攪拌したが染料が溶解せずに均一な溶液が得られなかった。さらに、得られた不均一な染料含有ネガ型レジスト組成物（１５）中に析出した染料を濾取したところ、染料０．５４ｇが得られた。結果、所定の染料濃度を含む染料含有ネガ型レジスト組成物を得ることができなかった。さらに、同様の調整方法で得られた不均一な染料含有ネガ型レジスト組成物（１５）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に放置したところ、１日目で目視観察において異物が見られた。 Comparative Example 1
A 50 ml eggplant-shaped flask was charged with 1.76 g of phenol novolac resin A as a novolak resin, 1.10 g of VarifastRed 1355 as a red dye, and 9.43 g of propylene glycol monomethyl ether as a solvent, and stirred at room temperature. Dye precipitated. Thereafter, 0.18 g of a methoxymethylated melamine-based crosslinkable compound (trade name Cymel 303) as a crosslinkable compound, 0.09 g of a triazine photoacid generator (trade name TAZ-108) as a photoacid generator, and surface activity 0.009 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) was added as an agent, and the mixture was further stirred at room temperature, but the dye did not dissolve and a uniform solution could not be obtained. Further, when the dye deposited in the resulting heterogeneous dye-containing negative resist composition (15) was collected by filtration, 0.54 g of a dye was obtained. As a result, a dye-containing negative resist composition containing a predetermined dye concentration could not be obtained. Further, the non-uniform dye-containing negative resist composition (15) obtained by the same adjustment method was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle. Foreign objects were observed in the visual observation.

比較例２
５０ｍｌナス型フラスコに、ポリヒドロキシスチレンとしてＶＰ８０００を１．７６ｇ、緑系染料としてＶａｌｉｆａｓｔＧｒｅｅｎ１５０１を１．１０ｇ、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルを９．４３ｇ入れ、室温で攪拌したところ、反応溶液中に染料が析出した。その後、架橋性化合物としてメトキシメチル化メラミン系架橋性化合物（商品名サイメル３０３）を０．１８ｇ、光酸発生剤としてトリアジン系光酸発生剤（商品名ＴＡＺ−１０８）を０．０９ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．００９ｇ加え、さらに、室温で攪拌したが染料が溶解せずに均一な溶液が得られなかった。さらに、得られた不均一な染料含有ネガ型レジスト組成物（１６）中に析出した染料を濾取したところ、染料０．４６ｇが得られた。結果、所定の染料濃度を含む染料含有ネガ型レジスト組成物を得ることができなかった。さらに、同様の調整方法で得られた不均一な染料含有ネガ型レジスト組成物（１６）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に放置したところ、１日目で目視観察において異物の発生が見られた。 Comparative Example 2
In a 50 ml eggplant type flask, 1.76 g of VP8000 as polyhydroxystyrene, 1.10 g of VarifastGreen 1501 as a green dye, and 9.43 g of propylene glycol monomethyl ether as a solvent were stirred and stirred at room temperature. Precipitated. Thereafter, 0.18 g of a methoxymethylated melamine-based crosslinkable compound (trade name Cymel 303) as a crosslinkable compound, 0.09 g of a triazine photoacid generator (trade name TAZ-108) as a photoacid generator, and surface activity 0.009 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) was added as an agent, and the mixture was further stirred at room temperature, but the dye did not dissolve and a uniform solution could not be obtained. Furthermore, when the deposited dye in the obtained nonuniform dye-containing negative resist composition (16) was collected by filtration, 0.46 g of dye was obtained. As a result, a dye-containing negative resist composition containing a predetermined dye concentration could not be obtained. Further, the non-uniform dye-containing negative resist composition (16) obtained by the same adjustment method was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle. Generation of foreign matters was observed in visual observation.

比較例３
５０ｍｌナス型フラスコに、ポリヒドロキシスチレン共重合体としてマルカーリンカーＣＨＭを１．７６ｇ、青系染料としてＶａｌｉｆａｓｔＢｌｕｅ１６２１を１．１０ｇ、溶媒としてエチルラクテートを９．４３ｇ入れ、室温で攪拌したところ、反応溶液中に染料が析出した。その後、架橋性化合物としてメトキシメチル化メラミン系架橋性化合物（商品名サイメル３０３）を０．１８ｇ、光酸発生剤としてトリアジン系光酸発生剤（商品名ＴＡＺ−１０８）を０．０９ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．００６ｇ加え、さらに、室温で攪拌したが染料が溶解せずに均一な溶液が得られなかった。さらに、得られた不均一な染料含有ネガ型レジスト組成物（１７）中に析出した染料を濾取したところ、染料０．５５ｇが得られた。結果、所定の染料濃度を含む染料含有ネガ型レジスト組成物を得ることができなかった。さらに、同様の調整方法で得られた不均一な染料含有ネガ型レジスト組成物（１７）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で放置したところ、１日目で目視観察において異物の発生が見られた。 Comparative Example 3
A 50 ml eggplant type flask was charged with 1.76 g of Marker linker CHM as a polyhydroxystyrene copolymer, 1.10 g of VarifastBlue 1621 as a blue dye, and 9.43 g of ethyl lactate as a solvent, and stirred at room temperature. Dye deposited inside. Thereafter, 0.18 g of a methoxymethylated melamine-based crosslinkable compound (trade name Cymel 303) as a crosslinkable compound, 0.09 g of a triazine photoacid generator (trade name TAZ-108) as a photoacid generator, and surface activity 0.006 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) was added as an agent, and the mixture was further stirred at room temperature, but the dye did not dissolve and a uniform solution could not be obtained. Further, when the dye deposited in the obtained heterogeneous dye-containing negative resist composition (17) was collected by filtration, 0.55 g of a dye was obtained. As a result, a dye-containing negative resist composition containing a predetermined dye concentration could not be obtained. Further, the non-uniform dye-containing negative resist composition (17) obtained by the same adjustment method was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle at room temperature for 1 day. The generation of foreign matters was observed by visual observation with the eyes.

比較例４
５０ｍｌナス型フラスコに、ポリヒドロキシスチレン共重合体としてマルカーリンカーＣＨＭを１．７６ｇ、青系染料としてＶａｌｉｆａｓｔＢｌｕｅ１６２１を１．１０ｇ、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルを４．７２ｇおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを４．７２ｇ入れ、室温で攪拌したところ、反応溶液中に染料が析出した。その後、架橋性化合物としてメトキシメチル化メラミン系架橋性化合物（商品名サイメル３０３）を０．１８ｇ、光酸発生剤としてトリアジン系光酸発生剤（商品名ＴＡＺ−１０８）を０．０９ｇ、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤（商品名メガファックＲ−３０）を０．００９ｇ加え、さらに、室温で攪拌したが染料が溶解せずに均一な溶液が得られなかった。さらに、得られた不均一な染料含有ネガ型レジスト組成物（１８）中に析出した染料を濾取したところ、染料０．６５ｇが得られた。結果、所定の染料濃度を含む染料含有ネガ型レジスト組成物を得ることができなかった。さらに、同様の調整方法で得られた不均一な染料含有ネガ型レジスト組成物（１８）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で放置したところ、１日目で目視観察において異物の発生が見られた。 Comparative Example 4
In a 50 ml eggplant-shaped flask, 1.76 g of Marker linker CHM as a polyhydroxystyrene copolymer, 1.10 g of Varifast Blue 1621 as a blue dye, 4.72 g of propylene glycol monomethyl ether and 4 of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent When 0.72 g was added and stirred at room temperature, the dye precipitated in the reaction solution. Thereafter, 0.18 g of a methoxymethylated melamine-based crosslinkable compound (trade name Cymel 303) as a crosslinkable compound, 0.09 g of a triazine photoacid generator (trade name TAZ-108) as a photoacid generator, and surface activity 0.009 g of a fluorosurfactant (trade name Megafac R-30) was added as an agent, and the mixture was further stirred at room temperature, but the dye did not dissolve and a uniform solution could not be obtained. Further, when the dye deposited in the resulting heterogeneous dye-containing negative resist composition (18) was collected by filtration, 0.65 g of a dye was obtained. As a result, a dye-containing negative resist composition containing a predetermined dye concentration could not be obtained. Further, the non-uniform dye-containing negative resist composition (18) obtained by the same adjustment method was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle at room temperature for 1 day. The generation of foreign matters was observed by visual observation with the eyes.

（カラーフィルターの作製）
実施例１５乃至実施例２８および比較例５乃至比較例８で用いたシリコンウエハーはすべて同じサイズであった。 (Production of color filter)
The silicon wafers used in Examples 15 to 28 and Comparative Examples 5 to 8 were all the same size.

なお、シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上に存在する異物の有無の観察において、ナトリウムランプでの目視観察は、暗室においてシリコンウエハー面から３０ｃｍ離れた位置からの観察により異物の確認を行った。異物が確認できれば、シリコンウエハー上に見られた総数をカウントした。また、光学顕微鏡での観察は、倍率１０００倍で行い、異物が確認できればその大きさを測定する方法で行った。   In addition, in the observation of the presence or absence of foreign matter present on the pattern coating film formed on the silicon wafer, visual observation with a sodium lamp is performed by confirming the foreign matter by observation from a position 30 cm away from the silicon wafer surface in a dark room. It was. If foreign matter could be confirmed, the total number seen on the silicon wafer was counted. Moreover, the observation with an optical microscope was performed at a magnification of 1000 times, and the foreign matter was confirmed by measuring the size thereof.

実施例１５
実施例１で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚０．９５μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｒｅｄネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。 Example 15
The dye-containing negative resist composition (1) obtained in Example 1 was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle at room temperature for 2 days. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 0.95 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 120 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a Red negative pattern. The pattern resolution was up to 2 μm in line / space without pattern peeling. On the patterned coating film formed on the silicon wafer, no foreign matter was found when visually observed under a sodium lamp. Further, when observed with an optical microscope, no foreign matter was found.

実施例１６
実施例２で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（２）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚１．００μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｒｅｄネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで５μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。 Example 16
The dye-containing negative resist composition (2) obtained in Example 2 was filtered using a 0.2 μm filter and allowed to stand at room temperature for 2 days in a washed sample bottle. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 1.00 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 120 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a Red negative pattern. The resolution of the pattern was 5 μm in line / space without pattern peeling. On the patterned coating film formed on the silicon wafer, no foreign matter was found when visually observed under a sodium lamp. Further, when observed with an optical microscope, no foreign matter was found.

実施例１７
実施例３で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（３）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した、その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚０．９８μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｒｅｄネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで５μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。 Example 17
The dye-containing negative resist composition (3) obtained in Example 3 was filtered using a 0.2 μm filter and allowed to stand in a cleaned sample bottle for 2 days. Thereafter, the composition was placed on a silicon wafer. The film was applied using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 0.98 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 120 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a Red negative pattern. The resolution of the pattern was 5 μm in line / space without pattern peeling. On the patterned coating film formed on the silicon wafer, no foreign matter was found when visually observed under a sodium lamp. Further, when observed with an optical microscope, no foreign matter was found.

実施例１８
実施例４で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（４）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚０．９６μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｒｅｄネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ、異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。 Example 18
The dye-containing negative resist composition (4) obtained in Example 4 was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle for 2 days. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 0.96 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 120 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a Red negative pattern. The pattern resolution was up to 2 μm in line / space without pattern peeling. On the patterned coating film formed on the silicon wafer, no foreign matter was found when visually observed under a sodium lamp. Further, when observed with an optical microscope, no foreign matter was found.

実施例１９
実施例５で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（５）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚１．０３μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｒｅｄネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ、異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。 Example 19
The dye-containing negative resist composition (5) obtained in Example 5 was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle at room temperature for 2 days. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 1.03 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 120 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a Red negative pattern. The pattern resolution was up to 2 μm in line / space without pattern peeling. On the patterned coating film formed on the silicon wafer, no foreign matter was found when visually observed under a sodium lamp. Further, when observed with an optical microscope, no foreign matter was found.

実施例２０
実施例６で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（６）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚１．０５μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｒｅｄネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで１０μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ、異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。 Example 20
The dye-containing negative resist composition (6) obtained in Example 6 was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle for 2 days. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 1.05 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 120 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a Red negative pattern. The resolution of the pattern was 10 μm in line / space without pattern peeling. On the patterned coating film formed on the silicon wafer, no foreign matter was found when visually observed under a sodium lamp. Further, when observed with an optical microscope, no foreign matter was found.

実施例２１
実施例７で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（７）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚１．００μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、５００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｒｅｄネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ、異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。 Example 21
The dye-containing negative resist composition (7) obtained in Example 7 was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle at room temperature for 2 days. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 1.00 μm. Through this coating film test mask, the Canon ultraviolet irradiation apparatus PLA-501 (F), the amount of irradiation at 365nm was irradiated with ultraviolet rays of 500 mJ / cm ^2. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 120 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a Red negative pattern. The pattern resolution was up to 2 μm in line / space without pattern peeling. On the patterned coating film formed on the silicon wafer, no foreign matter was found when visually observed under a sodium lamp. Further, when observed with an optical microscope, no foreign matter was found.

実施例２２
実施例８で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（８）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚０．９４μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｒｅｄネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ、異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。 Example 22
The dye-containing negative resist composition (8) obtained in Example 8 was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle at room temperature for 2 days. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 0.94 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 120 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a Red negative pattern. The pattern resolution was up to 2 μm in line / space without pattern peeling. On the patterned coating film formed on the silicon wafer, no foreign matter was found when visually observed under a sodium lamp. Further, when observed with an optical microscope, no foreign matter was found.

実施例２３
実施例９で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（９）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚１．１０μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｇｒｅｅｎネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ、異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。 Example 23
The dye-containing negative resist composition (9) obtained in Example 9 was filtered using a 0.2 μm filter and allowed to stand at room temperature for 2 days in a washed sample bottle. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 1.10 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 120 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a Green negative pattern. The pattern resolution was up to 2 μm in line / space without pattern peeling. On the patterned coating film formed on the silicon wafer, no foreign matter was found when visually observed under a sodium lamp. Further, when observed with an optical microscope, no foreign matter was found.

実施例２４
実施例１０で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１０）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚０．９８μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｇｒｅｅｎネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ、異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。 Example 24
The dye-containing negative resist composition (10) obtained in Example 10 was filtered using a 0.2 μm filter and allowed to stand at room temperature for 2 days in a washed sample bottle. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 0.98 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 120 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a Green negative pattern. The pattern resolution was up to 2 μm in line / space without pattern peeling. On the patterned coating film formed on the silicon wafer, no foreign matter was found when visually observed under a sodium lamp. Further, when observed with an optical microscope, no foreign matter was found.

実施例２５
実施例１１で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１１）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚１．００μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｂｌｕｅネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ、異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。 Example 25
The dye-containing negative resist composition (11) obtained in Example 11 was filtered using a 0.2 μm filter and allowed to stand at room temperature for 2 days in a washed sample bottle. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 1.00 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 130 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in a 23 ° C. NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) for a certain period of time and developed, and further washed with pure water. Thereafter, post-baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a blue negative pattern. The pattern resolution was up to 2 μm in line / space without pattern peeling. On the patterned coating film formed on the silicon wafer, no foreign matter was found when visually observed under a sodium lamp. Further, when observed with an optical microscope, no foreign matter was found.

実施例２６
実施例１２で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１２）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚０．９４μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｂｌｕｅネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ、異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。 Example 26
The dye-containing negative resist composition (12) obtained in Example 12 was filtered using a 0.2 μm filter and left in a washed sample bottle at room temperature for 2 days. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 0.94 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 130 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in a 23 ° C. NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) for a certain period of time and developed, and further washed with pure water. Thereafter, post-baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a blue negative pattern. The pattern resolution was up to 2 μm in line / space without pattern peeling. On the patterned coating film formed on the silicon wafer, no foreign matter was found when visually observed under a sodium lamp. Further, when observed with an optical microscope, no foreign matter was found.

実施例２７
実施例１３で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１３）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚０．９４μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｂｌｕｅネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ、異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。 Example 27
The dye-containing negative resist composition (13) obtained in Example 13 was filtered using a 0.2 μm filter and allowed to stand at room temperature for 2 days in a washed sample bottle. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 0.94 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 130 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post-baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a blue negative pattern. The pattern resolution was up to 2 μm in line / space without pattern peeling. On the patterned coating film formed on the silicon wafer, no foreign matter was found when visually observed under a sodium lamp. Further, when observed with an optical microscope, no foreign matter was found.

実施例２８
実施例１４で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１４）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚０．９５μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｂｌｕｅネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ、異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。 Example 28
The dye-containing negative resist composition (14) obtained in Example 14 was filtered using a 0.2 μm filter and allowed to stand at room temperature for 2 days in a washed sample bottle. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 0.95 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 130 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post-baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a blue negative pattern. The pattern resolution was up to 2 μm in line / space without pattern peeling. On the patterned coating film formed on the silicon wafer, no foreign matter was found when visually observed under a sodium lamp. Further, when observed with an optical microscope, no foreign matter was found.

比較例５
比較例１で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１５）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚１．０４μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｒｅｄネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成できた。しかしながら、シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ５０個以上の異物がみられた。また、光学顕微鏡観察を行ったところ２〜３μｍの大きさの異物が見られた。 Comparative Example 5
The dye-containing negative resist composition (15) obtained in Comparative Example 1 was filtered using a 0.2 μm filter and allowed to stand at room temperature for 2 days in a washed sample bottle. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 1.04 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 130 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a Red negative pattern. The pattern resolution could be formed up to 2 μm in line / space without pattern peeling. However, when a visual observation was performed under a sodium lamp on the pattern coating film formed on the silicon wafer, 50 or more foreign substances were observed. Further, when observed with an optical microscope, foreign matter having a size of 2 to 3 μm was observed.

比較例６
比較例２で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１６）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚１．００μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｇｒｅｅｎネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成できた。しかしながら、シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ５０個以上の異物がみられた。また、光学顕微鏡観察を行ったところ２〜４μｍの大きさの異物が見られた。 Comparative Example 6
The dye-containing negative resist composition (16) obtained in Comparative Example 2 was filtered using a 0.2 μm filter and allowed to stand at room temperature for 2 days in a washed sample bottle. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 1.00 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 130 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a Green negative pattern. The pattern resolution could be formed up to 2 μm in line / space without pattern peeling. However, when a visual observation was performed under a sodium lamp on the pattern coating film formed on the silicon wafer, 50 or more foreign substances were observed. Moreover, when the optical microscope observation was performed, the foreign material of a 2-4 micrometers magnitude | size was seen.

比較例７
比較例４で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１７）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚０．９４μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｂｌｕｅネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成できた。しかしながら、シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ５０個以上の異物がみられた。また、光学顕微鏡観察を行ったところ２〜４μｍの大きさの異物が見られた。 Comparative Example 7
The dye-containing negative resist composition (17) obtained in Comparative Example 4 was filtered using a 0.2 μm filter and allowed to stand at room temperature for 2 days in a washed sample bottle. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 0.94 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 130 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post-baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a blue negative pattern. The pattern resolution could be formed up to 2 μm in line / space without pattern peeling. However, when a visual observation was performed under a sodium lamp on the pattern coating film formed on the silicon wafer, 50 or more foreign substances were observed. Moreover, when the optical microscope observation was performed, the foreign material of a 2-4 micrometers magnitude | size was seen.

比較例８
比較例５で得られた染料含有ネガ型レジスト組成物（１８）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で２日間放置した。その後、組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１００℃で１分間ホットプレート上でソフトベーク（焼成）して、膜厚０．９９μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、キャノン製紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、３６５ｎｍにおける照射量が、３００ｍＪ/ｃｍ^２の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化製）で一定時間浸漬して現像し、さらに純水流水洗浄を行った。その後、１５０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、Ｂｌｕｅネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成できた。しかしながら、シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ５０個以上の異物がみられた。また、光学顕微鏡観察を行ったところ２〜４μｍの大きさの異物が見られた。 Comparative Example 8
The dye-containing negative resist composition (18) obtained in Comparative Example 5 was filtered using a 0.2 μm filter and allowed to stand at room temperature for 2 days in a washed sample bottle. Thereafter, the composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater and soft baked (baked) on a hot plate at 100 ° C. for 1 minute to form a coating film having a thickness of 0.99 μm. The coating film was passed through a test mask, and irradiated with ultraviolet rays having an irradiation dose of 365 m of 300 mJ / cm ² by an ultraviolet irradiation device PLA-501 (F) manufactured by Canon. Subsequently, PEB was performed on a hot plate at 130 ° C. for 1 minute. Thereafter, the film was immersed in an NMD-3 developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) at 23 ° C. for a certain period of time for development, and further washed with pure water. Thereafter, post-baking was performed on a hot plate at 150 ° C. for 5 minutes to form a blue negative pattern. The pattern resolution could be formed up to 2 μm in line / space without pattern peeling. However, when a visual observation was performed under a sodium lamp on the pattern coating film formed on the silicon wafer, 50 or more foreign substances were observed. Moreover, when the optical microscope observation was performed, the foreign material of a 2-4 micrometers magnitude | size was seen.

本願発明は、熱または光照射により架橋、重合または解重合によって形成される染料含有ネガ型レジスト組成物またはポジ型レジスト組成物において、ケトール系溶剤、好ましくはβ−ヒドロキシケトン、特に好ましくは４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを含むことで、染料の溶解性および染料と樹脂との相溶性が高まり、所定の染料濃度を確保することができる。その結果、所定の分光スペクトルを発現できるカラーフィルターを作製することができ、これらカラーフィルターを用いて固体撮像素子、液晶表示素子および発光ダイオード表示素子を製造することができる。さらに、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンを含むことで、レジスト組成物保存時の異物の発生を抑制することができる。   The present invention relates to a dye-containing negative resist composition or a positive resist composition formed by crosslinking, polymerization or depolymerization by heat or light irradiation, and a ketol solvent, preferably β-hydroxyketone, particularly preferably 4- By including hydroxy-4-methyl-2-pentanone, the solubility of the dye and the compatibility between the dye and the resin are increased, and a predetermined dye concentration can be ensured. As a result, a color filter capable of expressing a predetermined spectral spectrum can be produced, and a solid-state imaging device, a liquid crystal display device, and a light emitting diode display device can be manufactured using these color filters. Furthermore, by containing 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, it is possible to suppress the generation of foreign matters when the resist composition is stored.

Claims (5)

樹脂（ａ−１）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（ｂ−１）、架橋性化合物（ｃ−１）、染料（ｄ）、及びケトール系溶剤（ｅ）を含有するネガ型レジスト組成物。 Negative resist composition containing resin (a-1), photoacid generator or photobase generator (b-1), crosslinkable compound (c-1), dye (d), and ketol-based solvent (e) object. 溶剤が、溶媒全体に対してケトールを少なくとも１重量％含有するものである請求項１又は請求項２に記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 1 or 2 , wherein the solvent contains at least 1% by weight of ketol based on the whole solvent. ケトールがβ−ヒドロキシケトンである請求項１又は請求項２に記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 1, wherein the ketol is β-hydroxyketone. ケトールが４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンである請求項１又は請求項２に記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 1, wherein the ketol is 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone. 請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のレジスト組成物を基板上に塗布、乾燥、露光、そして現像する工程を含むカラーフィルターの製造方法。 A method for producing a color filter comprising the steps of coating, drying, exposing and developing the resist composition according to any one of claims 1 to 4 on a substrate.