JP4610422B2 - ZnO基板の製造方法 - Google Patents
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Description
(a)水熱合成法で形成したZnOからなる基板から、不純物であるLiを除去する工程と、
(b)エチレンジアミン四酢酸二水素二ナトリウムとエチレンジアミンとの混合液を含むpHが7以上11以下のエッチング液を用いて、不純物であるLiが除去された前記基板の表層部をエッチングして平坦化する工程と
を有するZnO基板の製造方法が提供される。
2 ヒータ
3 坩堝
4 蓋
5 ZnO基板
Claims (4)
- (a)水熱合成法で形成したZnOからなる基板から、不純物であるLiを除去する工程と、
(b)エチレンジアミン四酢酸二水素二ナトリウムとエチレンジアミンとの混合液を含むpHが7以上11以下のエッチング液を用いて、不純物であるLiが除去された前記基板の表層部をエッチングして平坦化する工程と
を有するZnO基板の製造方法。 - 前記工程aにおいて、前記基板の主表面を、ZnOからなる部材に接触させた状態で熱処理を行う工程を含み、
前記工程bにおいて、前記主表面を平坦化する請求項1に記載のZnO基板の製造方法。 - 前記工程aにおいて、熱処理温度900℃以上、かつ熱処理時間100分以上の条件、熱処理温度1000℃以上、かつ熱処理時間50分以上の条件、または熱処理温度1100℃以上、かつ熱処理時間30分以上の条件で熱処理を行う請求項2に記載のZnO基板の製造方法。
- 前記基板の前記主表面がZnOの+c面である請求項2または3に記載のZnO基板の製造方法。
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