JP4599836B2 - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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Roland Diehl 、" High-power Diode Laser Fundamentals, Technology,Applications"、Springer社 實野孝久ら、「半導体レーザビームの整形技術」、レーザ研究2003年5月号
Claims (4)
- 少なくとも第1導電型のクラッド層、発光領域となる活性層および第2導電型のクラッド層をこの順に積層してなる積層構造を有する半導体レーザ素子であって、
前記積層構造の表面から前記第2導電型のクラッド層の中間位置に至る部分に、前記活性層で生じた光の導波方向に沿って設けられた帯状のリッジ部と、
前記リッジ部の表面に設けられると共に、その少なくとも一方の縁の形状が、前記導波方向に沿って周期的に変化する波形形状であることにより、前記導波方向に沿って幅の広い幅広部と幅の狭い幅狭部とを交互に有する第2導電型の電極と、
前記第2導電型のクラッド層の一部により前記リッジ部に連続して形成されると共に、その表面の形状が、前記導波方向に沿って前記電極の縁の形状と同一周期で周期的に変化する波形形状であることにより、前記導波方向に沿って層の厚みが大きな層厚部と層の厚みが小さな層薄部とを交互に有する裾部と、
少なくとも前記リッジ部の側面および裾部の表面を覆う絶縁層と
を備え、
前記導波方向の端に、前記裾部の層厚部および前記電極の幅広部がともに対応している
半導体レーザ素子。 - 前記電極の波形形状の周期的な変化は3回以上繰り返される
請求項1記載の半導体レーザ素子。 - 前記電極の両側の縁の形状は前記電極の中心線に対して互いに線対称である
請求項1または請求項2記載の半導体レーザ素子。 - 前記電極の幅狭部の幅は1〜10μm、幅広部の幅は10μm以上である
請求項3記載の半導体レーザ素子。
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