JP4596883B2

JP4596883B2 - Annular heater

Info

Publication number: JP4596883B2
Application number: JP2004314233A
Authority: JP
Inventors: 達也前原
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2004-10-28
Filing date: 2004-10-28
Publication date: 2010-12-15
Anticipated expiration: 2024-10-28
Also published as: JP2006127900A

Description

本発明は、半導体、液晶、ＰＤＰ、有機ＥＬ等の基板製造装置用の環状ヒータに関するものである。 The present invention relates to an annular heater for a substrate manufacturing apparatus such as a semiconductor, liquid crystal, PDP, or organic EL .

図７に示すウェハ処理装置１００の処理室１０２は、接地された気密な処理容器１０４内に形成されている。処理室１０２内には、ウェハＷの載置台を兼ねた下部電極１０６が配置されている。この下部電極１０６は、熱伝導率が良く導電性の金属、例えばアルミニウムから成り、略円筒形状に形成されている。また、下部電極１０６の載置面には、例えばポリイミド製の薄膜１０８ａで電極１０８ｂを挟持して成る静電チャック１０８が設けられており、その電極１０８ｂには、１．５ｋＶの高電圧を出力する高圧直流電源１１０が接続されている。 A processing chamber 102 of the wafer processing apparatus 100 shown in FIG. 7 is formed in an airtight processing container 104 that is grounded. In the processing chamber 102, a lower electrode 106 that also serves as a mounting table for the wafer W is disposed. The lower electrode 106 is made of a conductive metal having good thermal conductivity, such as aluminum, and is formed in a substantially cylindrical shape. Further, on the mounting surface of the lower electrode 106, for example, an electrostatic chuck 108 is provided by sandwiching the electrode 108b with a thin film 108a made of polyimide, and a high voltage of 1.5 kV is output to the electrode 108b. A high-voltage DC power supply 110 is connected.

また、下部電極１０６の上部には、静電チャック１０８上に載置されるウェハＷの周囲を囲むように略環状のリング体１１２が設けられている。このリング体１１２は、例えばＳｉやＳｉＣやＣ（カーボン）など導電性材料から成る内側リング体（導電性リング体）１１２ａと、例えばＡｌ_２Ｏ_３やＳｉＯ_２など絶縁性材料から成る外側リング体（環状ヒータ）１１２ｂから構成されている。また、内側リング体１１２ａは、図示の例では、静電チャック１０８の周囲と、静電チャック１０８のチャック面上に載置されるウェハＷの周囲を囲むように配置されている。さらに、外側の環状ヒータ１１２ｂは、図示の例では、内側リング体１１２ａの周囲を囲むと共に、下部電極１０６の外縁部と、その側部の一部を覆うように配置されている。また、内側リング体１１２ａと外側の環状ヒータ１１２ｂは、不図示の締結部材、例えばボルトによって下部電極１０６に固定されている。 A substantially annular ring body 112 is provided on the lower electrode 106 so as to surround the periphery of the wafer W placed on the electrostatic chuck 108. The ring body 112 includes an inner ring body (conductive ring body) 112a made of a conductive material such as Si, SiC, or C (carbon), and an outer ring body made of an insulating material such as Al ₂ O ₃ or SiO _2. ( Annular heater ) 112b. Further, in the illustrated example, the inner ring body 112 a is disposed so as to surround the periphery of the electrostatic chuck 108 and the periphery of the wafer W placed on the chuck surface of the electrostatic chuck 108. Further, in the illustrated example, the outer annular heater 112b is disposed so as to surround the inner ring body 112a and to cover the outer edge portion of the lower electrode 106 and a part of the side portion thereof. Further, the inner ring body 112a and the outer annular heater 112b are fixed to the lower electrode 106 by a fastening member (not shown), for example, a bolt.

また、静電チャック１０８のチャック面には、静電チャック１０８とウェハＷとの間に伝熱ガス、例えばＨｅを供給する第１および第２ガス供給孔１１４、１１６が設けられており、図示の例では、第１ガス供給孔１１４は、ウェハＷの中央部にＨｅを供給可能な位置に所定間隔ごとに配置され、第２ガス供給孔１１６は、ウェハＷの外縁部にＨｅを供給可能な位置に所定間隔ごとに配置されている。また、第１ガス供給孔１１４と第２ガス供給孔１１６には、それぞれに対応して第１ガス供給管１１８と第２ガス供給管１２０が接続されており、これら第１ガス供給管１１８と第２ガス供給管１２０には、それぞれに対応して第１圧力調整ユニット１６４と第２圧力調整ユニット１６６が介装されている。 The chuck surface of the electrostatic chuck 108 is provided with first and second gas supply holes 114 and 116 for supplying a heat transfer gas, for example, He, between the electrostatic chuck 108 and the wafer W. In the example, the first gas supply holes 114 are arranged at predetermined intervals at positions where He can be supplied to the center of the wafer W, and the second gas supply holes 116 can supply He to the outer edge of the wafer W. Are arranged at predetermined intervals at predetermined intervals. In addition, a first gas supply pipe 118 and a second gas supply pipe 120 are connected to the first gas supply hole 114 and the second gas supply hole 116, respectively. A first pressure adjustment unit 164 and a second pressure adjustment unit 166 are interposed in the second gas supply pipe 120 corresponding to each.

第１圧力調整ユニット１６４は、図８に示すように、第１ガス供給孔１１４とガス供給源１３８との間に第１開閉バルブ１２１と流量調整バルブ（マスフローコントローラ）１２２と第２開閉バルブ１２４が介装され、第１開閉バルブ１２１と流量調整バルブ１２２との間に圧力計（キャパシタンスマノメータ）１６８と第１排気管１７０が介装されている。さらに、第１排気管１７０には、圧力調整バルブ１７２と第３開閉バルブ１７４が介装されており、その圧力調整バルブ１７２には、上記圧力計１６８が接続されている。さらにまた、流量調整バルブ１２２と圧力調整バルブ１７２には、制御器１４０が接続されている。また、第２圧力調整ユニット１６６は、同図に示す第１圧力調整ユニット１６４と同一に構成されている。 As shown in FIG. 8, the first pressure adjustment unit 164 includes a first opening / closing valve 121, a flow rate adjustment valve (mass flow controller) 122, and a second opening / closing valve 124 between the first gas supply hole 114 and the gas supply source 138. A pressure gauge (capacitance manometer) 168 and a first exhaust pipe 170 are interposed between the first opening / closing valve 121 and the flow rate adjustment valve 122. Further, a pressure adjustment valve 172 and a third on-off valve 174 are interposed in the first exhaust pipe 170, and the pressure gauge 168 is connected to the pressure adjustment valve 172. Furthermore, a controller 140 is connected to the flow rate adjustment valve 122 and the pressure adjustment valve 172. Further, the second pressure adjustment unit 166 has the same configuration as the first pressure adjustment unit 164 shown in FIG.

また、図７に示すように、内側リング体１１２ａと接する下部電極１０６の表面には、Ｏリング１８４で気密にシールされた内側リング体１１２ａと下部電極１０６との間に伝熱ガス、例えばＨｅガスを供給する第３ガス供給孔１３０が設けられており、図示の例では、第３ガス供給孔１３０は、内側リング体１１２ａの底面にＨｅを供給可能な位置に、所定間隔ごとに配置されている。さらに、第３ガス供給孔１３０には、第３ガス供給管１３２が接続されており、この第３ガス供給管１３２には、第３圧力調整ユニット１８６が介装されている。また、第３圧力調整ユニット１８６は、図８に示す第１圧力調整ユニット１６４と同一に構成されている。 Further, as shown in FIG. 7, the surface of the lower electrode 106 in contact with the inner ring body 112a has a heat transfer gas, for example, He, between the inner ring body 112a and the lower electrode 106 hermetically sealed with an O-ring 184. A third gas supply hole 130 for supplying gas is provided. In the illustrated example, the third gas supply hole 130 is arranged at predetermined intervals at a position where He can be supplied to the bottom surface of the inner ring body 112a. ing. Further, a third gas supply pipe 132 is connected to the third gas supply hole 130, and a third pressure adjustment unit 186 is interposed in the third gas supply pipe 132. The third pressure adjustment unit 186 has the same configuration as the first pressure adjustment unit 164 shown in FIG.

また、制御器１４０には、図７に示すようにウェハＷの温度を検出する第１温度センサ１４２と、内側リング体１１２ａの温度を検出する第２温度センサ１４４と、外側の環状
ヒータ１１２ｂの温度を検出する第３温度センサ１４６が接続されている。これら第１〜第３温度センサ１４２，１４４，１４６は、図示の例では、ファイバ式接触温度計から構成されており、第１の温度センサ１４２は、ウェハＷと接触する静電チャック１０８のチャック面に露出するように配置され、第２温度センサ１４４は、内側リング体１１２ａと接触する下部電極１０６の表面に露出するように配置され、第３温度センサ１４６は、外側の環状ヒータ１１２ｂと接触する下部電極１０６の表面に露出するように配置されている。 Further, as shown in FIG. 7, the controller 140 includes a first temperature sensor 142 for detecting the temperature of the wafer W, a second temperature sensor 144 for detecting the temperature of the inner ring body 112a, and an outer annular heater 112b. A third temperature sensor 146 for detecting temperature is connected. The first to third temperature sensors 142, 144, and 146 are constituted by fiber-type contact thermometers in the illustrated example, and the first temperature sensor 142 is a chuck of the electrostatic chuck 108 that contacts the wafer W. The second temperature sensor 144 is disposed so as to be exposed on the surface of the lower electrode 106 in contact with the inner ring body 112a, and the third temperature sensor 146 is in contact with the outer annular heater 112b. The lower electrode 106 is disposed so as to be exposed on the surface.

また、外側の環状ヒータ１１２ｂ内には、発熱体１４８が内装されており、この発熱体１４８には、可変電源１５０が接続されている。さらに、その可変電源１５０には、上記制御器１４０が接続されている。また、下部電極１０６には、下部電極１０６の温度を適宜調整するための温度調整機構を構成する冷媒循環路１５２が内装されており、この冷媒循環路１５２内に例えば−２０℃の冷媒が循環する。さらに、下部電極１０６には、整合器１５４を介して、例えば１３．５６ＭＨｚで１７００Ｗのプラズマ生成用高周波電力を出力する高周波電源１５６が接続されている。 A heating element 148 is housed in the outer annular heater 112b, and a variable power source 150 is connected to the heating element 148. Further, the controller 140 is connected to the variable power source 150. In addition, the lower electrode 106 includes a refrigerant circulation path 152 that constitutes a temperature adjustment mechanism for appropriately adjusting the temperature of the lower electrode 106, and, for example, −20 ° C. refrigerant circulates in the refrigerant circulation path 152. To do. Furthermore, a high frequency power source 156 that outputs a high frequency power for plasma generation of 1700 W at 13.56 MHz, for example, is connected to the lower electrode 106 through a matching unit 154.

また、下部電極１０６の載置面に対向する処理室１０２の天井部には、接地された上部電極１５８が配置されている。また、上部電極１５８は、多数のガス吐出孔１５８ａが形成されており、このガス吐出孔１５８ａには、不図示の処理ガス供給源と連通する処理ガス供給管１６０が接続されている。従って、処理ガス供給源から、例えば１０ｓｃｃｍのＣ_４Ｆ _８と、５０ｓｃｃｍのＣＯと、３００ｓｃｃｍのＡｒと、５ｓｃｃｍのＯ_２との混合ガスが、ガス吐出孔１５８ａを介して処理室１０２内に供給される。また、処理容器１０４の下部には、不図示の真空引き機構と連通する第２排気管１６２が接続されており、その真空引き機構の作動により、処理室１０２内は、例えば４０ｍＴｏｒｒの減圧雰囲気に維持される。 A grounded upper electrode 158 is disposed on the ceiling of the processing chamber 102 facing the mounting surface of the lower electrode 106. The upper electrode 158 is formed with a large number of gas discharge holes 158a, and a processing gas supply pipe 160 communicating with a processing gas supply source (not shown) is connected to the gas discharge holes 158a. Accordingly, a mixed gas of, for example, 10 sccm of C ₄ F ₈ , 50 sccm of CO, 300 sccm of Ar, and 5 sccm of O ₂ is supplied from the processing gas supply source into the processing chamber 102 through the gas discharge hole 158a. Is done. In addition, a second exhaust pipe 162 communicating with a vacuuming mechanism (not shown) is connected to the lower part of the processing vessel 104, and the operation of the vacuuming mechanism causes the inside of the processing chamber 102 to have a reduced pressure atmosphere of, for example, 40 mTorr. Maintained.

そして、内側リング体１１２ａと下部電極１０６との間にＨｅなどの伝熱ガスを供給すれば、処理時の減圧雰囲気下でも、それら内側リング体１１２ａと下部電極１０６との間の熱伝導率を高めることができるため、内側リング体１１２ａで生じた熱を下部電極１０６に確実に吸収させることができる。 If a heat transfer gas such as He is supplied between the inner ring body 112a and the lower electrode 106, the thermal conductivity between the inner ring body 112a and the lower electrode 106 can be increased even in a reduced pressure atmosphere during processing. Therefore, the heat generated in the inner ring body 112a can be reliably absorbed by the lower electrode 106.

そして、所定圧力に調整されたＨｅが、第１ガス供給孔１１４からウェハＷの中央部と静電チャック１０８との間に供給され、第２ガス供給孔１１６からウェハＷの外縁部と静電チャック１０８との間に供給され、第３ガス供給孔１３０から内側リング体１１２ａと下部電極１０６との間に供給され、ウェハＷの温度と内側リング体１１２ａの温度が略同一となる。 Then, He adjusted to a predetermined pressure is supplied from the first gas supply hole 114 between the central portion of the wafer W and the electrostatic chuck 108, and from the second gas supply hole 116 to the outer edge portion of the wafer W and electrostatically. It is supplied between the chuck 108 and supplied between the inner ring body 112a and the lower electrode 106 from the third gas supply hole 130, and the temperature of the wafer W and the temperature of the inner ring body 112a become substantially the same.

外側の環状ヒータ１１２ｂは、内側リング体１１２ａとは異なり、絶縁性材料から形成されているため、プラズマ雰囲気に曝されてもプラズマ中のイオンがあまり衝突せず、上記の如く複数のウェハＷに連続的に処理を行なう場合でも、外側の環状ヒータ１１２ｂの温度上昇は、緩慢である。すなわち、外側の環状ヒータ１１２ｂの温度は、所定枚数のウェハＷに処理を施した後には、１５０℃〜２００℃程度にまで上昇し、安定するが、連続処理の開始から５枚〜１０枚程度のウェハＷに処理を施した後でないと、上記温度で安定しない。その結果、外側の環状ヒータ１１２ｂの温度上昇中には、内側リング体１１２ａの周辺のラジカル密度が一定にならず、ウェハＷの処理に影響を及ぼす。 Unlike the inner ring body 112a, the outer annular heater 112b is formed of an insulating material, so that ions in the plasma do not collide so much even when exposed to the plasma atmosphere, and the plurality of wafers W are not affected as described above. continuously processed even if row, the temperature rise of the outer annular heater 112b is slow. That is, the temperature of the outer annular heater 112b rises to about 150 ° C. to 200 ° C. and stabilizes after processing a predetermined number of wafers W, but is about 5 to 10 from the start of continuous processing. Unless the wafer W is processed, the temperature is not stabilized. As a result, during the temperature increase of the outer annular heater 112b, the radical density around the inner ring body 112a is not constant, which affects the processing of the wafer W.

そこで、外側の環状ヒータ１１２ｂの温度を、ヒータ１４８によって処理開始前に予め、例えば１８０℃程度まで加熱すると共に、その外側の環状ヒータ１１２ｂが上記所定温度に達した後は、外側の環状ヒータ１１２ｂがその１８０℃程度の温度に維持されるように、制御器１４０が第３温度センサ１４６で検出された外側の環状ヒータ１１２ｂの温度
情報に基づいてヒータ１４８を調整し、外側の環状ヒータ１１２ｂの温度を制御する。また、外側の環状ヒータ１１２ｂは、内側リング体１１２ａとは異なり、絶縁性材料から形成されているため、上記イオンの衝突に起因する発熱は比較的少なく、また外側の環状ヒータ１１２ｂで生じた熱は、下部電極１０６に放熱され易いため、ヒータ１４８の発熱量の調整のみで、外側の環状ヒータ１１２ｂを所定温度に調整していた。しかし、ウェハＷ上と内側リング体１１２ａ周辺のラジカル密度の安定が不十分であった。 Therefore, the temperature of the outer annular heater 112b is preheated to, for example, about 180 ° C. before the start of processing by the heater 148, and after the outer annular heater 112b reaches the predetermined temperature, the outer annular heater 112b is heated. The controller 140 adjusts the heater 148 based on the temperature information of the outer annular heater 112b detected by the third temperature sensor 146 so that the temperature of the outer annular heater 112b is maintained. Control the temperature. Further, since the outer annular heater 112b is made of an insulating material, unlike the inner ring body 112a, the heat generated due to the collision of the ions is relatively small, and the heat generated by the outer annular heater 112b. Since heat is easily radiated to the lower electrode 106, the outer annular heater 112b is adjusted to a predetermined temperature only by adjusting the amount of heat generated by the heater 148. However, the radical density on the wafer W and around the inner ring body 112a was not sufficiently stable.

特許文献１の外側の環状ヒータ１１２ｂは、以上のように複雑に構成されており、処理開始直後からウェハＷ上とリング体１１２周辺のラジカル密度を均一化するように制御することが繁雑で、最新のウェハデザインに適用される超微細加工を必要とするウェハＷでは中央部と外縁部とでエッチングレートの差が大きく、ウェハＷ全面に均一な処理を施すことができないと共に、スループットの向上が不十分であった。 The outer annular heater 112b of Patent Document 1 is configured in a complicated manner as described above, and it is complicated to control the radical density on the wafer W and around the ring body 112 to be uniform immediately after the start of processing, The wafer W that requires ultra-fine processing applied to the latest wafer design has a large difference in etching rate between the central portion and the outer edge portion, so that uniform processing cannot be performed on the entire surface of the wafer W, and throughput is improved. It was insufficient.

また、上記の環状ヒータをセラミックスで製造する際には、特許文献２に開示されているように高融点金属からなるワイヤーを巻回して巻回体を製造し、この巻回体の両端に端子を接続する。一方、プレス成型機内にセラミックス粉末を充填し、予備成型を行なっておく。その際、予備成型体の表面に所定の平面的パターンに沿って連続的凹部または溝を設ける。巻回体をこの凹部に収容し、この上にセラミックス粉末を充填し、この粉末を一軸加圧成型して円盤状成型体を作製し、円盤状成型体を焼結させ、研削加工を経て、円盤状セラミックスヒータを製造していた。
特開２０００−３６４９０号公報特開平７−２０１４５８号公報 Moreover, when manufacturing said annular heater with ceramics, as disclosed in Patent Document 2, a wire made of a refractory metal is wound to manufacture a wound body, and terminals are connected to both ends of this wound body. Connect. On the other hand, filled with ceramic powder to press molding machine, should I lines Do the preform. In that case, a continuous recessed part or groove | channel is provided in the surface of a preforming body along a predetermined planar pattern. The wound body is accommodated in this recess, filled with ceramic powder, and this powder is uniaxially pressed to produce a disk-shaped molded body, and the disk-shaped molded body is sintered and subjected to grinding, A disk-shaped ceramic heater was manufactured.
JP 2000-36490 A JP-A-7-2014458

従来の環状ヒータ１１２ｂは、静電チャック１０８の周囲に導電性内側リング体１１２ａが配置され、その外側に配置する必要があり、環状ヒータ１１２ｂが直接プラズマ雰囲気に晒され長時間使用できないとの問題や、外径が大きくしかもその構造から厚みが大きく、装置に組み込んだときにコンパクトにできないという問題があった。 In the conventional annular heater 11 2 b, the conductive inner ring body 112 a is disposed around the electrostatic chuck 108 and needs to be disposed outside thereof, and the annular heater 11 2 b is directly exposed to the plasma atmosphere and used for a long time. There is a problem that it cannot be performed, and there is a problem that the outer diameter is large and the thickness is large due to its structure, so that it cannot be made compact when incorporated in an apparatus.

また、図７に示す環状ヒータ１１２ｂは、成膜、エッチング、クリーニング等の各種処理を施すにあたり、下部電極１０６に冷媒を流し、かつ、静電チャック１０８のチャック面とウェハＷとの間にＨｅ等のガスを供給し、かつ、環状ヒータ１１２ｂに電圧を印加し、加熱することで、ウェハＷの温度分布を均一にするが、ウェハＷの外周部は導電性内側リング体１１２ａが配されている為、各種処理の初期段階では導電性内側リング体１１２ａに奪われる熱量が大きく、ウェハＷの外周部は中心部より、温度が低くなりやすい。しかも、プラズマ中のイオンの衝突割合が高い為、時間の経過と共に導電性内側リング体１１２ａの温度が上昇し、ウェハＷの外周部は中心部より温度が高くなり易いとの課題があった。 In addition, the annular heater 112b shown in FIG. 7 allows a coolant to flow through the lower electrode 106 during various processes such as film formation, etching, and cleaning, and between the chuck surface of the electrostatic chuck 108 and the wafer W. gas supply etc., and a voltage is applied to the annular heater 112b, by heating, but you the temperature distribution of the wafer W evenly foremost, the outer peripheral portion of the wafer W is conductive inner ring member 112a is distribution Therefore, in the initial stage of various processes, the amount of heat taken away by the conductive inner ring body 112a is large, and the temperature of the outer peripheral portion of the wafer W tends to be lower than the central portion. In addition, since the collision rate of ions in the plasma is high, there is a problem that the temperature of the conductive inner ring body 112a increases with the passage of time, and the temperature of the outer peripheral portion of the wafer W tends to be higher than the central portion.

また、環状ヒータ１１２ｂに電圧を印加して加熱するが、ポーラスセラミックス等で製造された環状ヒータの場合、安価ではあるがパーティクルの発生が多いという課題があった。 Although you heated by applying a voltage to the annular heater 112b, when the annular heater manufactured in porous ceramics or the like, is inexpensive has a problem called generation of particles is large.

さらに、緻密質セラミックスで製造された環状ヒータ１１２ｂの場合、従来の製造方法では高融点金属からなるワイヤーを巻回して巻回体を製造し、環状ヒータ１１２ｂに埋設するといった方法の為、環状ヒータ１１２ｂ自体の体積が大きくなり、環状ヒータ１１２ｂ自体を加熱するために大きな熱量が必要となるとの課題があった。 Furthermore, in the case of the annular heater 112b made of dense ceramic, the conventional manufacturing method winds a wire made of a refractory metal to produce a wound body and embeds it in the annular heater 112b. There is a problem that the volume of 112b itself becomes large and a large amount of heat is required to heat the annular heater 112b itself.

そして環状ヒータ１１２ｂにおける環状セラミックス体と巻回体において、加熱状態を
調整するために環状セラミックスに対する高融点金属からなる巻回体の割合が増す程、熱膨脹係数差による内部応力が大きくなり、製作が困難となる、あるいは製作可能であっても、残留応力が大きい為、昇降温による熱応力が加わることで、抵抗発熱体１４８の断線や環状ヒータ１１２ｂ自体のクラック、破損といった問題が発生しやすいとの課題があった。 In the annular ceramic body and the wound body in the annular heater 112b, the internal stress due to the difference in thermal expansion coefficient increases as the ratio of the wound body made of a refractory metal to the annular ceramic increases in order to adjust the heating state. difficulties and that Do, or even be manufactured, since the residual stress is large, that the thermal stress due to heating and cooling is applied, disconnection and cyclic heater 112b itself crack resistance heating element 148, problems such breakage is likely to occur There was a problem.

また、環状ヒータ１１２ｂの内径側から外径側まで設計値通りの温度分布にしたいのであるが巻回体８の螺旋形状の直径が大きいほど、内径側及び外径側の端部は電力密度が下がる為、温度が低くなり易いとの課題があった。 In addition, the temperature distribution as designed from the inner diameter side to the outer diameter side of the annular heater 112b is desired. As the spiral shape diameter of the wound body 8 increases, the power density increases at the inner diameter side and the outer diameter side ends. There is a problem that the temperature tends to be low because the temperature falls.

さらに、緻密質セラミックス自体はプラズマに対する腐食性は高いのであるが、巻回体の両端に端子を接続するといった方法では、ハロゲン系ガスの回り込みによる腐食性の問題、熱サイクルによる応力の問題から通電抵抗の増大、断線の危険性があった。 In addition, the dense ceramics themselves are highly corrosive to plasma. However, in the method of connecting terminals to both ends of the wound body, current is applied due to corrosive problems due to the wrapping of halogen-based gas and stress problems due to thermal cycling. There was a risk of increased resistance and disconnection.

さらにまた、急速に加熱昇温を行なうとクラックが発生する危険性が高い為、緩やかに昇温しなければならない。この為、各種処理を施せる状態、すなわちウェハＷの温度が均一になるまでの時間を要することになり、スループットを高めることが困難であった。 Furthermore, rapid crack Atsushi Nobori trying row is because a high risk for developing, must be gently heated. For this reason, it takes time until various processes can be performed, that is, the temperature of the wafer W becomes uniform, and it is difficult to increase the throughput.

そこで、本発明は上記課題に鑑み、一方の主面を加熱面とし、他方の主面は上記加熱面に平行に形成されている環状絶縁体の内部に上記加熱面に平行に帯状の抵抗発熱体を備えてなり、凸状の下部電極の周辺上部の表面に、上記下部電極の突出部を取り囲むとともに上記他方の主面が上記周辺上部の表面と対向して載置される環状ヒータにおいて、上記環状絶縁体の上記他方の主面に、上記帯状の抵抗発熱体へ給電可能な導電膜を形成するとともに、該導電膜と上記帯状の抵抗発熱体とを複数のビヤホール導体を介して接続し、さらに上記導電膜を取り囲む溝部を形成し、かつ、該溝部にＯリングを設置し、該Ｏリングと上記周辺上部の表面と上記他方の主面とで上記導電膜を封止可能としたことを特徴とする。 The present invention has been made in view of the above problems, the one main surface and the heating surface and the other main surface of the strip-shaped flat row to the heating surface in the interior of the annular insulator is formed into a flat row on the heating surface Ri Na includes a resistive heating element, to an upper peripheral surface of the convex lower electrode, the other main surface surrounds the projecting portion of the lower electrode Ru is placed opposite to the above upper peripheral surface annular in the heater, to the other main surface of the annular insulator, to form a feedable conductive film to said band-shaped resistance heating element, and a conductive film and the strip-shaped resistance heating element through a plurality of via hole conductors In addition, a groove part surrounding the conductive film can be formed, and an O-ring can be installed in the groove part, and the conductive film can be sealed by the O-ring, the surface of the upper peripheral portion, and the other main surface. and said that the content was.

また、一方の主面を加熱面とし、他方の主面は上記加熱面に平行に形成されている環状絶縁体の内部に上記加熱面に平行に帯状の抵抗発熱体を備えてなり、凸状の下部電極の周辺上部の表面に、上記下部電極の突出部を取り囲むとともに上記他方の主面が上記周辺上部の表面と対向して載置される環状ヒータにおいて、上記環状絶縁体の上記他方の主面に上記帯状の抵抗発熱体を貫通し、内面にメタライズ層が被着された穴を形成し、上記メタライズ層と給電端子とを接続可能に構成するとともに、上記穴を取り囲む溝部を形成し、かつ、該溝部にＯリングを設置し、該Ｏリングと上記周辺上部の表面と上記他方の主面とで上記穴を封止可能としたことを特徴とする。 Further, the one main surface and the heating surface, the other main surface is Ri Na comprises a strip-shaped resistance heating element to a flat row to the heating surface in the interior of the annular insulator is formed into a flat row on the heating surface , the convex lower electrode around the top of the surface, in an annular heater above the other major surface Ru is placed opposite to the above upper peripheral surface surrounds the projecting portion of the lower electrode, of the annular insulation A groove portion that penetrates the strip-like resistance heating element on the other main surface, forms a hole with a metallized layer deposited on the inner surface, and is configured to connect the metallized layer and a power supply terminal, and surrounds the hole forming a, and the O-ring placed in the groove portion, characterized in that the sealable said hole between said O-ring and the upper peripheral surface and the other main surface.

さらに、上記他方の主面に複数の凸部を設けたことを特徴とする。 Furthermore, a plurality of convex portions are provided on the other main surface.

以上のように本発明による環状ヒータを用いることで、給電を安定させることができ、線幅０．１３μｍ以下の超微細加工を必要とするウェハＷにおいて、ウェハＷ及びウェハＷ周辺部の温度差を小さくすることができることから、ウェハＷ周辺のプラズマ密度を一定に短時間で制御することが可能となり、ウェハＷの全面に均一に成膜処理やエッチング処理を行なうことができる。 As described above, by using the annular heater according to the present invention, the power supply can be stabilized, and the temperature difference between the wafer W and the peripheral portion of the wafer W in the wafer W requiring ultrafine processing with a line width of 0.13 μm or less. from being able to reduce, it becomes possible to control in a short time the plasma density near the wafer W constant, the uniform a film forming process or an etching process on the entire surface of the wafer W can line a Ukoto.

また、環状ヒータにおいて、繰り返し加熱や冷却が行なわれても、封止用のリングが配置できるのでパーティクルの発生量が少なく、ヒータのクラック、破損という問題を引き起こすことなく、さらに給電部の通電抵抗が増大したり断線したりするといった問題を防
止できる。 Further, in the annular heater, even cracks repeated heating and cooling row, it can be arranged ring for sealing is less generation of particles, cracks of the heater, without causing the problem of corruption, further energization of the feed unit resistance can be prevented problem or disconnection or increased.

図１に示すウェハ処理装置５０の処理室１０は、気密な処理容器５１内に形成されている。処理室１０内には、下部電極４が配設されている。この下部電極４は熱伝導率が大きく導電性の金属、例えばアルミニウムからなり円盤状に形成され、冷却媒体を流す流路５６が形成されている。下部電極４の上面には、例えば吸着電極３を埋設したセラミックス製のウェハ保持部材５４が設けられている。このウェハ保持部材５４の上面をウェハＷを載せる設置面５とし、設置面５とウェハＷの間にＨｅ等のガスを流す溝９が形成され、ウェハＷの熱を効率よく下部電極４に導くことができる。そして、この吸着電極３に１ｋＶの直流電圧を印加してウェハＷを設置面５に吸着することができる。 The processing chamber 10 of the wafer processing apparatus 50 shown in FIG. 1 is formed in an airtight processing container 51. A lower electrode 4 is disposed in the processing chamber 10. The lower electrode 4 is made of a conductive metal having a high thermal conductivity, such as aluminum, and is formed in a disk shape, and a flow path 56 through which a cooling medium flows is formed. On the upper surface of the lower electrode 4, for example, a ceramic wafer holding member 54 in which the adsorption electrode 3 is embedded is provided. An upper surface of the wafer holding member 54 is used as an installation surface 5 on which the wafer W is placed, and a groove 9 for flowing a gas such as He is formed between the installation surface 5 and the wafer W to efficiently guide the heat of the wafer W to the lower electrode 4. be able to. Then, a DC voltage of 1 kV can be applied to the adsorption electrode 3 to adsorb the wafer W to the installation surface 5.

また、下部電極４の周辺上部には、設置面５に載せられたウェハＷの周囲を囲むように環状ヒータ７０が配設されている。そして、必要に応じて環状ヒータ７０の上面に絶縁性環状リング６が設けられている。 In addition, an annular heater 70 is disposed on the periphery of the lower electrode 4 so as to surround the periphery of the wafer W placed on the installation surface 5. Then, an insulating annular ring 6 on the upper surface of the annular heater 70 are provided as necessary.

そして、ウェハＷに各種処理を施すには、設置面５にウェハＷを載せるとともに、一対の静電吸着用の吸着電極３に直流電圧を印加することにより、ウェハＷと吸着電極３との間に誘電分極によるクーロン力や微少な漏れ電流によるジョンソン・ラーベック力等の静電吸着力を発現させ、設置面５上のウェハＷを強制的に吸着して固定するとともに、下部電極４の流路５６に冷却液を流し、かつ、設置面５の溝９にＨｅ等のガスを供給する。また、環状ヒータ７０に電圧を印加し加熱して、プラズマ発生用対向電極１１と下部電極４の間に高周波電圧を印加することでプラズマを発生させ、処理容器内１０内に成膜用ガスを供給し、ウェハＷ上に薄膜を形成することができる。また、真空処理室１０内にエッチング用ガスを供給し、ウェハＷの表面に微細な回路パターンを形成することができる。 Then, in performing various processes on the wafer W, between with placing the wafer W on the mounting surface 5, by applying a DC voltage to the adsorption electrode 3 of a pair of electrostatic attraction, the attraction electrodes 3 and the wafer W The electrostatic attraction force such as the Coulomb force due to dielectric polarization and the Johnson-Rahbek force due to a minute leakage current is developed to forcibly attract and fix the wafer W on the installation surface 5, and the flow path of the lower electrode 4 A coolant is supplied to 56 and a gas such as He is supplied to the groove 9 of the installation surface 5. Further, a voltage is applied to the annular heater 70 to heat it, and a high frequency voltage is applied between the plasma generating counter electrode 11 and the lower electrode 4 to generate plasma, and a film forming gas is introduced into the processing chamber 10. Then, a thin film can be formed on the wafer W. In addition, a fine circuit pattern can be formed on the surface of the wafer W by supplying an etching gas into the vacuum processing chamber 10.

本発明の環状ヒータ７０は、主面を加熱面７ａとした環状絶縁体７に抵抗発熱体８を備えてなる環状ヒータ７０において、上記抵抗発熱体８は帯状に形成されており、上記環状絶縁体７の内部に上記加熱面７ａに平行に抵抗発熱体８が配置することで、環状ヒータ７０の厚みを小さくすることができ、しかも帯状の抵抗発熱体８は厚みが数百μｍ以下と小さく幅は１〜１０ｍｍ程とすることができることから、加熱面７ａの温度を制御してウェハＷの周辺の温度低下を防止してウェハＷ面と略同じ温度として、ウェハＷ周辺部をウェハ上面と同様にプラズマ密度を均一にすることができることから、ウェハＷの表面に一様に成膜処理やエッチング処理ができる。 The annular heater 70 according to the present invention is an annular heater 70 in which a main surface is a heating surface 7a and the resistance heater 8 is provided on the annular insulator 7, and the resistance heater 8 is formed in a band shape. resistance heating element 8 in flat row to the heating surface 7a to the inside of the body 7 that is arranged, it is possible to reduce the thickness of the annular heater 70, moreover strip of the resistive heating element 8 and the thickness of several hundred μm or less small width because it can be about 1 to 10 mm, approximately as the same temperature as the wafer W surface by controlling the temperature of the heating surface 7a to prevent the temperature drop of around the wafer W, the wafer upper surface of the wafer W peripheral portion Since the plasma density can be made uniform in the same manner as described above, film formation and etching can be uniformly performed on the surface of the wafer W.

また、本発明の環状ヒータ７０は、上記環状絶縁体７の加熱面７ａに対向する他方の主面７ｂが、加熱面７ａに平行に形成されていることが好ましい。その理由は、ウェハＷに覆われていない従来の環状ヒータ１１２ｂの上面は直接プラズマに晒されることから腐食したり成膜物が堆積したりすることから、頻繁に交換する必要があり長時間使用することができないが、本発明の環状ヒータ７０の加熱面７ａに対向する他方の主面７ｂが平行に形成されていることから、下部電極４の主面に平行に加熱面７ａの上に絶縁性環状リング６を載せることが可能となり、この絶縁性環状リング６は容易に交換可能であり、長時間に渡り環状ヒータ７０を配設した状態で使用することができるからである。そして、環状ヒータ７０を交換する作業が省け、装置の稼働率をアップすることが可能となる。 The annular heater 70 of the present invention, the other main surface 7b facing the heating surface 7a of the annular insulator 7 is preferably formed in a flat row on the heating surface 7a. This is because, since the upper surface of a conventional annular heater 112b that is not covered by the wafer W to or deposited film formation was corroded from being exposed to direct plasma, it is necessary to frequently replace prolonged use It can not be, because the other main surface 7b facing the heating surface 7a of the annular heater 70 of the present invention is formed into a flat row, on the heating surface 7a to a flat row on the main surface of the lower electrode 4 it is possible to put an insulating annular ring 6, the insulating annular ring 6 is easily replaceable, is because it is possible to use in a state of being disposed annular heater 70 for a long period of time. And the operation | work which replace | exchanges the annular heater 70 can be omitted, and it becomes possible to raise the operation rate of an apparatus.

また、本発明の環状ヒータ７０の抵抗発熱体８への給電方法は、環状ヒータ７０を使用する上での重要な要素である。 In addition, the method of feeding the resistance heater 8 of the annular heater 70 according to the present invention is an important element in using the annular heater 70.

本発明の環状ヒータ７０は、図２に示すように記環状絶縁体７の他方の主面７ｂに上記帯状の抵抗発熱体８を貫通する穴７ｃを形成し、該穴７ｃの内面にメタライズ層２１を形
成し、該メタライズ層２１とロウ材２２を介して上記抵抗発熱体８と給電端子２０とを接続することが好ましい。このような給電構造とすることで、給電端子２０から抵抗発熱体８に確実に給電できる。具体的には穴７ｃ内面に銀・銅・チタン等のメタライズ処理２１を行ない、環状絶縁体と熱膨張差の小さいＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やモリブデン、タングステン、モリブデン合金、タングステン合金等で作製された給電端子２０をアルミ、銀、銅、またはこれらの金属合金等のロウ材２２でロウ付けすると、温度変化に対し耐久性があり、強固に給電端子２０を接続できて好ましい。 As shown in FIG. 2, the annular heater 70 of the present invention is formed with a hole 7c penetrating the strip-like resistance heating element 8 on the other main surface 7b of the annular insulator 7, and a metallized layer on the inner surface of the hole 7c. Preferably, the resistance heating element 8 and the power supply terminal 20 are connected via the metallized layer 21 and the brazing material 22. With such a power feeding structure, power can be reliably fed from the power feeding terminal 20 to the resistance heating element 8. Specifically the metalized 21 such as silver, copper, titanium rows that are in the holes 7c inner surface, a small annular insulator and a thermal expansion difference Fe - Ni - Co alloy, molybdenum, tungsten, molybdenum alloy, tungsten alloy, or the like aluminum the prepared feed terminal 20, silver, copper, or brazed in the brazing material 22 such as these metal alloys, durable against temperature change, preferably can connect the rigidly feed terminal 20.

また、穴７ｃの内面にメタライズ処理２１を行なった状態でコイルスプリング２３等の応力緩和材を付帯した給電端子２０を挿入し、給電することも可能である。 Moreover, by inserting the feed terminal 20 that supplementary stress relaxation member such as a coil spring 23 the metallization process 21 on the inner surface of the hole 7c while lines Tsu name, it is also possible to feed.

また、図３（ｂ）に示すように、上記環状絶縁体７の他方の主面７ｂに上記抵抗発熱体８へ給電可能な導電膜２４を形成することが好ましい。導電膜２４を通して抵抗発熱体８へ給電するには、導電膜２４が環状絶縁体７の表面から大きく突出することがなく、給電端子２０等の嵌め合わせが必要なく、環状ヒータ７０を下部電極４に容易に短時間でセットすることが可能となり好ましい。 Further, as shown in FIG. 3B, it is preferable to form a conductive film 24 that can supply power to the resistance heating element 8 on the other main surface 7 b of the annular insulator 7. In order to supply power to the resistance heating element 8 through the conductive film 24 , the conductive film 24 does not protrude greatly from the surface of the annular insulator 7, it is not necessary to fit the power supply terminal 20 , and the annular heater 70 is connected to the lower electrode 4. This is preferable because it can be easily set in a short time.

また、上記導電膜２４と抵抗発熱体８とが複数のビヤホール導体２６を介して接続されていることが好ましい。具体的には環状絶縁体７の他方の主面に穿孔した複数の穴７ｄに埋設され、抵抗発熱体８と接続したビヤホール導体２６に直接、不図示の給電端子を機械的に押し付けて接続し給電する方法も採れるが、抵抗発熱体８が露出した複数の穴７ｄに、抵抗発熱体８の露出部と接続するように導体粒子を充填し環状絶縁体７と同時焼成してビヤホール導体２６を形成することが好ましい。そして、ビヤホール導電体２６の露出部にメタライズ層やメッキ層で導電膜２４を形成して、給電の信頼性を高めることが好ましい。 Further, it is preferable that the above conductive film 24 and the resistance heating element 8 is connected via a plurality of bi Ya-hole conductors 26. Specifically, a power supply terminal (not shown) is mechanically pressed and connected directly to a via-hole conductor 26 embedded in a plurality of holes 7d drilled in the other main surface of the annular insulator 7 and connected to the resistance heating element 8. a method of feeding also adopted, a plurality of holes 7d which are resistive heating element 8 is exposed, filled with conductive particles so as to connect the exposed portion of the resistance heating element 8 via hole conductors 26 and co-firing and the annular insulator 7 Is preferably formed. Then, a conductive film 24 in the metallized layer and a plating layer on the exposed portion of the via hole conductors 26, you are preferable to increase the reliability of power supply.

尚、環状絶縁体７を焼成後、該複数の穴７ｄを設け、例えばタングステン製のワイヤーをビヤホール導体２６としてロウ付けして形成することも可能であるが、焼成前の環状絶縁体に該複数の穴７ｄを設け、例えば、タングステンの原料粉末にＡｌＮ原料粉末と有機バインダーを混練し、ペースト状にしたものを該複数の穴７ｄに充填し、同時焼成してビヤホール導体２６を形成することがより好ましい。 It is possible to form the plurality of holes 7d after firing the annular insulator 7, and braze a tungsten wire as the via-hole conductor 26, for example. For example, a via-hole conductor 26 can be formed by kneading AlN raw material powder and an organic binder into tungsten raw material powder, filling the plurality of holes 7d with paste, and simultaneously firing the holes 7d. More preferred.

また、本発明の環状ヒータ７０は、環状絶縁体７の他方の主面７ｂに形成した上記導電膜２４または上記給電端子２０の周囲を囲むように溝部３７が形成されていることが好ましい。給電端子２０や導電膜２４、ビヤホール導体２６等の給電部を腐食性ガスから保護する構造としては図４に示すように環状絶縁体７の他方の主面にこれらの給電部の周囲を囲むように溝部３７を設けることが好ましい。その理由は、溝部３７が腐食性ガスとの沿面距離を稼げるのはいうまでもないが、腐食性ガスは異方性が高い為、腐食性ガスの回り込み防止に有効であるからである。さらに溝部３７に耐熱性、耐腐食性の高いＯリング３８を設置し、機械的に環状絶縁体を固定、Ｏリングシールすることで、より確実に腐食性ガスの回り込みを防止できる。 In the annular heater 70 of the present invention, it is preferable that the groove portion 37 is formed so as to surround the conductive film 24 or the power supply terminal 20 formed on the other main surface 7 b of the annular insulator 7. As a structure for protecting the power feeding portions such as the power feeding terminal 20, the conductive film 24 and the via-hole conductor 26 from corrosive gas, as shown in FIG. 4, the other main surface of the annular insulator 7 is surrounded by these power feeding portions. It is preferable to provide the groove part 37 in this. The reason is that the groove portion 37 can increase the creeping distance from the corrosive gas , but the corrosive gas has high anisotropy, and is therefore effective in preventing the corrosive gas from entering. Further groove 37 in heat resistance, set up a high O-ring 38 of corrosion resistant, mechanically fixing an annular insulator, it is O-ring seal, thereby preventing the wraparound of more reliably corrosive gases.

また、図５のように環状絶縁体７の他方の主面に点在する凸部４９を設け、下部電極４との接触面積を低減することで、下部電極４からの吸熱を防止することが可能となり、結果的に環状ヒータ７０の加熱電源の低容量化が計れると共に温度差による熱応力を低減できるので、クラックや破損という問題に対する信頼性を高めることができる。 In addition, as shown in FIG. 5, convex portions 49 scattered on the other main surface of the annular insulator 7 are provided to reduce the contact area with the lower electrode 4, thereby preventing heat absorption from the lower electrode 4. As a result, the capacity of the heating power source of the annular heater 70 can be reduced and the thermal stress due to the temperature difference can be reduced, so that the reliability of the problem of cracks and breakage can be improved.

また、図６に示す環状リング体６がシリコン等の導電体の場合、各種プロセスが進むにつれてウェハＷと同様、プラズマ中のイオンが激しく衝突する為、環状リング体６自体の温度が上昇していく。プロセス初期の環状ヒータ７０の加熱状態から加熱停止状態にして
も、環状リング体６は冷却され難いため、ウェハＷよりも温度が高くなる場合がある。これを防止する為に環状絶縁体７の一方の主面に凹部３９を設け、そこにＨｅ、Ａｒといった不活性ガスを貫通孔４１、４０を通し流すことで冷却し、ウェハＷの周辺の温度を均一に保つことができる。 In the case where the annular ring body 6 shown in FIG. 6 is a conductor such as silicon, as the various processes proceed, ions in the plasma collide violently like the wafer W, so that the temperature of the annular ring body 6 itself increases. Go. Even if the annular heater 70 is heated from the heating state in the initial stage of the process to the heating stopped state, the temperature of the annular ring body 6 may be higher than that of the wafer W because it is difficult to cool. In order to prevent this, a recess 39 is provided on one main surface of the annular insulator 7, and an inert gas such as He and Ar is cooled by flowing through the through holes 41 and 40. Can be kept uniform.

次に、本発明の環状ヒータ７０のその他の構成について説明する。 Next , another configuration of the annular heater 70 of the present invention will be described.

本発明の環状ヒータ７０はその加熱面７ａの幅が５〜２０ｍｍであり、好ましくは１０〜１５ｍｍとすると、ウェハＷの周辺温度の低下を防ぐことができて好ましい。環状絶縁体７は、環状ヒータ７０とプラズマ間の絶縁破壊を回避できる絶縁性の緻密質セラミックが好ましい。その中でも絶縁抵抗が１０^１０Ωｃｍ以上と大きく耐腐食性、パーティクル発生低減といった観点から窒化アルミニウム、アルミナ、イットリア、ＹＡＧ、ＹＡＧ分散アルミナがより好ましく、熱伝導性、耐腐食性、パーティクル発生低減といった観点から窒化アルミニウムが更に好ましい。 In the annular heater 70 of the present invention, the width of the heating surface 7a is 5 to 20 mm, and preferably 10 to 15 mm, because it is possible to prevent a decrease in the ambient temperature of the wafer W. The annular insulator 7 is preferably an insulating dense ceramic capable of avoiding dielectric breakdown between the annular heater 70 and the plasma. Among them, aluminum nitride, alumina, yttria, YAG, and YAG-dispersed alumina are more preferable from the viewpoint of large insulation resistance of 10 ¹⁰ Ωcm or more, corrosion resistance, and particle generation reduction, and viewpoints of thermal conductivity, corrosion resistance, and particle generation reduction. More preferably, aluminum nitride is used.

また、抵抗発熱体８は高融点金属であるタングステン、モリブデン、これらの合金等を主成分とするセラミックが好ましい。 The resistance heating element 8 is preferably a ceramic whose main component is tungsten, molybdenum, or an alloy thereof, which is a refractory metal.

また、環状ヒータ７０の厚みは２０ｍｍ以下であることが好ましい。２０ｍｍを超えると、加熱に要する熱容量が増すため、加熱用電源の容量を大きくする必要があり、また加熱中、環状ヒータの厚み方向に温度差がつき易く、熱応力によってクラックが発生したり破損したりする虞があった。そこで、２０ｍｍ以下の厚みとすることで、加熱に必要な熱容量を低減することができることから温度制御が容易となり好ましい。より好ましくは１５ｍｍ以下で、急速な昇温、降温を行なっても、厚み方向での温度差がつき難いため、クラックや破損という問題に対して高い信頼性を得ることが可能となる。さらに好ましくは１０ｍｍ以下とすることで、ウェハ保持部材５４と下部電極４とからなる基板支持部材全体の厚みを薄くすることができるので、更に熱効率を高め、信頼性を高めることができる。また、帯状の抵抗発熱体８の埋設位置は、環状絶縁体７の二つの主面の間の、好ましくは厚みの４０〜６０％の位置に設けると、加熱時の熱応力が均一に発生して破損の虞が少なく、また、厚みが２０ｍｍ以下であれば、加熱面７ａと抵抗発熱体８との間の距離を１０ｍｍ以下とすることができて、抵抗発熱体８の熱が加熱面７ａへ迅速に伝わり、応答性が優れることから好ましい。 The thickness of the annular heater 70 is preferably 20 mm or less. If it exceeds 20 mm, the heat capacity required for heating increases, so it is necessary to increase the capacity of the heating power source. Also, during heating, a temperature difference tends to occur in the thickness direction of the annular heater, and cracking or breakage occurs due to thermal stress. There was a risk of doing . Therefore, by setting thickness of less than 20 mm, preferably it is easy temperature control since it is possible to reduce the heat capacity required to heating. More preferably at 15mm or less, rapid temperature rise, even I line Do the cooling, since it is difficult sticks temperature difference in the thickness direction, it is possible to obtain a high reliability to the problem of cracking or breakage. More preferably by a 10mm or less, it is possible to reduce the thickness of the substrate support member entire consisting wafer holding member 54 and the lower electrode 4 which further increase the thermal efficiency, reliability can be improved. Moreover, if the embedding position of the strip-shaped resistance heating element 8 is provided between the two main surfaces of the annular insulator 7 , preferably at a position of 40 to 60% of the thickness, the thermal stress during heating is uniformly generated. fear less damage Te, in addition, if the thickness is at 20mm or less, the distance between the heating surface 7a and the resistance heating element 8 can be made 10mm or less, the heat is pressurized hot surface of the resistance heating element 8 transmitted quickly to 7a, preferable that the response is excellent.

そして、厚みが２０ｍｍ以下の環状ヒータ７０を得る為には、抵抗発熱体８を同一平面状に形成することが好ましい。特許文献２に記載のような高融点金属からなるワイヤーを巻回して巻回体を得て、連続的凹部または溝を設けた予備成型体に巻回体を収容し、この上にセラミックス粉末を充填し、一軸加圧成型を行ない、焼成、加工を行なうという工程では、環状ヒータの厚みを２０ｍｍを超えて必要以上に厚くしなくてはならない。しかし、本発明の抵抗発熱体８は、例えば図２（ｂ）の様な環状ヒータ７０の断面を示すように抵抗発熱体８を帯状に同一平面状に配置することで、環状ヒータ７０の厚みを小さくすることができる。 Then, in order to thickness obtain the following cyclic heater 70 20 mm, it is preferable to form the resistance heating element 8 in the same plane. A wire made of a refractory metal as described in Patent Document 2 is wound to obtain a wound body, and the wound body is accommodated in a preformed body provided with continuous recesses or grooves, on which ceramic powder is placed. filled, the line gastric uniaxial pressure molding, baking, in a row of Utoyuu step process, not the 20mm thickness of the annular heater without unnecessarily thick ultra forte. However, the resistance heating element 8 of the present invention has a thickness of the annular heater 70 by arranging the resistance heating elements 8 in the same plane as a band as shown in the cross section of the annular heater 70 as shown in FIG. Can be reduced.

また、本発明の帯状の抵抗発熱体８の厚みは１〜５００μｍが好ましい。埋設された抵抗発熱体８の厚みが１μｍ未満でも、製造は可能であるが、例えば抵抗発熱体８の厚みが０．５μｍの抵抗発熱体８を製作すると、その厚みのばらつきが０．１μｍ程となり、その抵抗値は単純に考えても２０％程ばらつく虞があり、設計値通りの抵抗発熱体８を歩留まり良く作製することが困難となるからである。また、５００μｍを超えた抵抗発熱体８を埋設しようとすると、抵抗発熱体８と環状絶縁体７との熱膨脹差から製作途中で破損し、作製が困難であった。また、ホットプレス法等を用いて製作したとしても、残留応力が大きいことから、加熱冷却により熱応力が大きくなり、クラックや破損の危険性が大きか
った。 The thickness of the strip-shaped resistance heating element 8 of the present invention is preferably 1 to 500 μm. Manufacturing is possible even if the thickness of the embedded resistance heating element 8 is less than 1 μm. For example, when the resistance heating element 8 having a thickness of 0.5 μm is manufactured, the thickness variation is about 0.1 μm. Therefore , even if the resistance value is simply considered, there is a possibility that the resistance value may vary by about 20%, and it becomes difficult to manufacture the resistance heating element 8 as designed with a high yield. Further, if an attempt was made to embed the resistance heating element 8 exceeding 500 μm, the resistance heating element 8 and the annular insulator 7 were damaged during the production due to the difference in thermal expansion , making it difficult to manufacture. Further, even when manufactured using a hot press method or the like, since the residual stress is large, the thermal stress is increased by heating and cooling , and there is a great risk of cracks and breakage.

以上のように厚みが小さく、体積が小さい環状ヒータ７０を使用することで、ウェハ温度の不均一を素早く補正し、かつ高い信頼性の下にウェハの表面の全域を均一に加熱することができる。 Small thickness as described above, by using the annular heater 70 volume is small, it is possible to quickly correct the nonuniformity of the wafer temperature, and to uniformly heat the entire area of high reliability wafer under the surface .

また、抵抗発熱体８は、図２（ａ）のような帯状に円弧状のパターンと接続パターンを組み合わせて作製したり、渦巻状に配設したりすることで、加熱面７ａの温度差を小さく制御することができる。 The resistance heating element 8, or produced by combining the connection pattern an arcuate pattern in a strip as in FIG. 2 (a), by or arranged spirally, the temperature difference between the heating surface 7a It can be controlled small.

本発明の環状ヒータ７０の製造方法は、ドクターブレード法、ロールコンパクション法等を用いて成形したセラミックグリーンシートに１〜５００μｍ厚みの箔状かつ帯状の抵抗発熱体８を挟持し、熱圧着を行なった後、その成形体を真空炉、高圧炉、ホットプレス等で焼成し、製造することが好ましい。この様な製造方法で作製すると、厚みの小さい、抵抗発熱体８周辺の残留応力を抑えた環状ヒータ７０を作製できる。そして、クラックや割れの問題に対して信頼性の高い環状ヒータ７０を提供できる。 In the manufacturing method of the annular heater 70 of the present invention, a foil-like and belt-like resistance heating element 8 having a thickness of 1 to 500 μm is sandwiched between ceramic green sheets formed using a doctor blade method, a roll compaction method, etc., and thermocompression bonding is performed. after Tsu Na, vacuum furnace and the molded body, the high pressure furnace was fired by hot pressing or the like, it is preferable to produce. When produced in such a production method, a small thickness, the annular heater 70 with reduced residual stress around the resistance heating element 8 can be manufactured. And the reliable annular heater 70 can be provided with respect to the problem of a crack or a crack.

さらに、帯状の抵抗発熱体８をスクリーン印刷法で形成することで、抵抗発熱体８の厚みをサブミクロン単位で細かく、かつ容易に制御することができ、結果として、狙い通りの抵抗値の抵抗発熱体８を備えた環状ヒータ７０を製作することができる。 Further, by forming the strip-like resistance heating element 8 by the screen printing method, the thickness of the resistance heating element 8 can be finely controlled in submicron units, and as a result , the resistance having the desired resistance value can be obtained. An annular heater 70 including the heating element 8 can be manufactured.

本発明の実施例を以下に示す。 Examples of the present invention are shown below.

純度９９％平均粒径１．２μｍのＡｌＮ原料粉末に有機バインダーと溶媒のみを加えて泥しょうを作製し、ドクターブレード法により厚さ約０．５ｍｍのグリーンシートを複数枚成形した。また、抵抗発熱体となる電極用のペーストは純度９９％以上、平均粒径約２μｍのタングステンの原料粉末に５重量％のＡｌＮ原料粉末と有機バインダー混練し、作製した。このペーストを用いてグリーンシート上に、スクリーン印刷法を用いて厚み２０μｍの図３（ａ）の形状のパターンを印刷した。 A slurry was prepared by adding only an organic binder and a solvent to an AlN raw material powder having a purity of 99% and an average particle diameter of 1.2 μm, and a plurality of green sheets having a thickness of about 0.5 mm were formed by a doctor blade method. Also, an electrode paste to be a resistance heating element was prepared by kneading 5% by weight of an AlN raw material powder and an organic binder into a tungsten raw material powder having a purity of 99% or more and an average particle diameter of about 2 μm. The paste on the green sheet was used to print a pattern of the shape of FIG. 3 having a thickness of 20 [mu] m (a) by screen printing.

そして、グリーンシートと抵抗発熱体用の電極を備えたグリーンシートとを積層し、その積層体を５０℃、５０００Ｐａの圧力で熱圧着し、グリーンシート間の密着性を高めた積層体を切削加工にて環状に加工し、該環状の積層体を真空脱脂した後、窒素雰囲気下において２０００℃にて焼成することにより、タングステンより形成された帯状の抵抗発熱体を埋設した環状セラミックス体を作製した。 Then, by laminating a green sheet having an electrode for a green sheet resistance heating element, the laminated body 50 ° C., and thermocompression bonding at a pressure of 5000 Pa, cutting a laminate with improved adhesion between the green sheets at processed into annular, after vacuum degreased the annular laminated body, by firing at 2000 ° C. in a nitrogen atmosphere, to prepare a circular ceramic body embedded a strip of resistive heating element formed of tungsten .

さらに、この環状セラミックス体を外径３２０ｍｍ、内径２９６ｍｍ、厚み１６ｍｍ、抵抗発熱体の位置が両主面からともに８ｍｍとなるように研削加工した後、抵抗発熱体を貫通する直径４ｍｍ深さ９ｍｍの穴を設け、この穴の内面に銀・銅・チタンでメタライズ層を形成し、その後、低熱膨張合金であるＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金製の給電端子をＡｇ−Ｃｕを主成分とするロウ材を用いて真空中約８００℃にてロウ付し、試料Ｎｏ．１を作製した。 Furthermore , after grinding this annular ceramic body so that the outer diameter is 320 mm, the inner diameter is 296 mm, the thickness is 16 mm, and the position of the resistance heating element is 8 mm from both main surfaces, the diameter is 4 mm and the depth is 9 mm. A metallization layer is formed with silver, copper, and titanium on the inner surface of the hole , and then a power supply terminal made of Fe-Ni-Co alloy, which is a low thermal expansion alloy, is used as a brazing material mainly composed of Ag-Cu. And brazing at about 800 ° C. in a vacuum. 1 was produced.

また、試料Ｎｏ．１と外径、内径、厚みが同じ大きさで環状絶縁体がＳｉＯ_２からなり、直径５ｍｍのコイル状モリブデンを円環状に埋設した環状ヒータを準備し、試料Ｎｏ．２とした。 Sample No. An annular heater in which the outer diameter, the inner diameter and the thickness are the same as those of No. 1 and the annular insulator is made of SiO ₂ and coiled molybdenum having a diameter of 5 mm is embedded in an annular shape is prepared. 2.

次に、吸着電極用としての一対の内部電極を埋設してある直径２９５ｍｍのＡｌＮ製のウェハ支持部材を作製した。また、アルミニウムの表面を酸化、絶縁処理した下部電極と
シリコン接着した。尚、下部電極には環状ヒータを載置できる段と冷却媒体用の流路とを形成した。 Next, a wafer support member made of AlN having a diameter of 295 mm in which a pair of internal electrodes for adsorption electrodes was embedded was produced. Moreover, oxidizing the surface of the aluminum was <br/> silicon bonded to the lower electrode was insulated. Note that the lower electrode was formed a flow path for the stage and the cooling medium which can be placed a ring heater.

この下部電極の段部に試料Ｎｏ．１もしくは試料２を載置し、さらに環状ヒータ上に、基板支持部材上に載置される３００ｍｍウェハの外周側から片側２ｍｍを支持出来る環状リング体６が載置されたウェハ支持部材を、プラズマエッチング可能な真空チャンバー内に設置した。 A sample no. 1 or by mounting a sample 2, on a further annular heater, the wafer support member annular ring body 6 which can support one side 2mm is mounted from the outer side of the 300mm wafers that are placed on the substrate support member, a plasma It installed in the vacuum chamber which can be etched.

そして、以下の条件でエッチング処理を行なった後、ウェハの表面で中心から周辺へ向けて、ウェハの端面から１ｍｍの位置までのエッチング量をウェハの直径方向で測定した。そして、１０等間隔で測定した１１箇所のエッチング量の平均値Ａｖと最大値ＡｍａｘＭＡＸと最小値ＡｍｉｎからバラツキＫ＝（Ａｍａｘ−Ａｍｉｎ）／Ａｖを求めた。 After the etching process lines Tsu name under the following conditions, toward the periphery from the center on the surface of the wafer was measured etching amount from the end face of the wafer to the position of 1mm in diameter direction of the wafer. Then, to determine the variation K = (A max -A min) / A v from the average value A v and the maximum value A max MAX and the minimum value A min of or falling edge of quenching of 11 points measured at 10 equally spaced.

尚、その他の条件は下記とした。 Other conditions were as follows.

１）真空度：１×１０ ^−５Ｐａ
２）プロセスガス：アルゴン
３）プロセス時間：２分
４）プラズマパワー：３００Ｗ
５）ウェハ吸着電圧：±４００Ｖ
６）ウェハ温度：８０℃
７）ヒータ温度：８０℃
そして、それぞれの結果を表１に示す。

1) Degree of vacuum: 1 × 10 ⁻⁵ Pa
2) Process gas: Argon 3) Process time: 2 minutes 4) Plasma power: 300 W
5) Wafer adsorption voltage: ± 400 V
6) Wafer temperature: 80 ° C
7) Heater temperature: 80 ° C
It shows respective results in Table 1.

表１のように、本発明の環状絶縁体に二つの平行な主面を備え、一方の主面が加熱面で、上記環状絶縁体の内部に上記加熱面に平行な帯状の抵抗発熱体を備えた環状ヒータ試料Ｎｏ．１は、エッチング量のバラツキが０．８８％以下と小さく、優れた特性を示すことが分かった。 As shown in Table 1, the present invention comprises two flat rows major surface to the annular insulator, in one principal heating surface, the upper Symbol heating surface inside of the upper Symbol annular insulator flat line band-shaped An annular heater sample with a resistance heating element No. 1, the variation of the etching amount is small 0.88% or less, was found to exhibit excellent characteristics.

しかし、従来の環状ヒータ試料Ｎｏ．２は、エッチング量のバラツキが７．６３％と大きく、精度良くエッチングできない事が分かった。 However, the conventional annular heater sample No. In No. 2 , the variation in etching amount was as large as 7.63%, and it was found that etching could not be performed with high accuracy.

実施例１の試料Ｎｏ．１と同様の製法に準じて、その厚みがそれぞれ、１０ｍｍ、２０ｍｍ、２５ｍｍの環状ヒータを作製した。尚、厚みは環状ヒータの周方向に等間隔に５箇所測定し、その平均値とした。 Sample No. 1 of Example 1 1 in accordance with the same method and its thickness are manufactured in 10 mm, 20 mm, a 25mm circular heater. The thickness was measured at five locations at equal intervals in the circumferential direction of the annular heater , and the average value was taken.

そして、試料Ｎｏ．１と同じ構造で、同じ真空チャンバーに設置し、以下の条件で環状ヒータを急速昇温試験して、何℃/分で加熱した場合に環状ヒータにクラックが発生し断
線が発生するかを調べた。 Then, the sample No. Installed in the same vacuum chamber with the same structure as No. 1 and conducted a rapid temperature rise test of the annular heater under the following conditions to determine how many degrees C / min the annular heater would crack and break. It was.

１）真空度：１×１０^−５Ｐａ
２）プロセスガス：アルゴン
３）プラズマパワー：３００Ｗ
４）ウェハ吸着電圧：±４００Ｖ
５）ウェハ温度：１００℃
６）冷却水温度：４０℃
それぞれの結果を表２に示す。

1) degree of vacuum: 1 × ^{10 -} 5 Pa
2) Process gas: Argon 3) Plasma power: 300 W
4) Wafer adsorption voltage: ± 400 V
5) Wafer temperature: 100 ° C
6) Cooling water temperature: 40 ° C
The results are shown in Table 2.

以上のように、１０ｍｍ、２０ｍｍの厚みの環状ヒータ試料Ｎｏ．２１〜２５は、昇温速度２５０℃／分でも断線がなく好ましい特性を示した。 As described above, 10 mm, of 20mm thick annular heater Sample No. 21 to 25, disconnection even 250 ° C. / min heating rate showed favorable properties without.

しかし、試料Ｎｏ．２８の厚みが２５ｍｍの環状ヒータは、２５０℃／分で断線が発生した。 However, sample no. 28 annular heater 25mm thickness of disconnection occurred at 250 ° C. / min.

実施例１に示したＡｌＮヒータの製法に準じて、その抵抗発熱体の厚みがそれぞれ、０．５μｍ、１μｍ、５００μｍ、６００μｍの、全体厚み１０ｍｍの環状ヒータを作製した。尚、抵抗発熱体の設計値はすべて１０Ωとした。 According to the method of the AlN heater shown in Example 1, the thickness of the resistance heating element, respectively, 0.5 [mu] m, 1 [mu] m, 500 [mu] m, of 600 .mu.m, were produced annular heater of the overall thickness of 10 mm. The design value of the resistance heating element was all 10Ω.

また、抵抗発熱体の厚みは環状絶縁体の断面で５箇所測定し、その平均値とした。 Further, the thickness of the resistance heating element was measured at five points on the cross section of the annular insulator , and the average value was obtained.

それぞれのヒータが設計値に対して、どれだけの精度で製作できたかを評価した。 For each of the heater design value, it was evaluated whether can be manufactured at how much accuracy.

その結果を表３に示す。

The results are shown in Table 3.

表３から、試料Ｎｏ．３１は抵抗発熱体の厚みが０．５μｍで、設計値１０Ωに対して９．２Ωと８％のばらつきが生じた。 From Table 3 , Sample No. No. 31 had a resistance heating element thickness of 0.5 μm, and a variation of 9.2Ω and 8% occurred with respect to the design value of 10Ω.

また、試料Ｎｏ．３２、３３は、１μｍと５００μｍで９．９Ωと、１％のばらつきで略設計値通りの抵抗値が得られた。 Sample No. 32 and 33, a 1μm and 9.9Ω at 500 [mu] m, the resistance value of substantially the design value with a 1% variation were obtained.

尚、試料Ｎｏ．３４は６００μｍとしたが、熱膨脹差による応力が大きかったことから環状ヒータにクラックが生じた。 Sample No. Although 34 was set to 600 μm, cracks were generated in the annular heater because the stress due to the difference in thermal expansion was large.

以上の結果から、抵抗発熱体の厚みは１〜５００μｍが好ましいことが分かった。 From the above results , it was found that the thickness of the resistance heating element is preferably 1 to 500 μm.

環状ヒータの製法として、純度９９％平均粒径１．２μｍのＡｌＮ原料粉末に有機バインダーと溶媒のみを加えて泥しょうを作製し、ドクターブレード法により厚さ約０．５ｍｍのグリーンシートを複数枚成形した。また、抵抗発熱体となる電極用のペーストは純度９９％以上、平均粒径約２μｍのタングステンの原料粉末に５重量％のＡｌＮ原料粉末と有機バインダー混練し、作製した。このペーストを用いてグリーンシート上にスクリーン印刷法を用いて厚み２０μｍのパターンを印刷した。 As a manufacturing method of the annular heater, slurry is made by adding only organic binder and solvent to AlN raw material powder with 99% purity and average particle size of 1.2μm, and several green sheets with a thickness of about 0.5mm by doctor blade method. Molded. Also, an electrode paste to be a resistance heating element was prepared by kneading 5% by weight of an AlN raw material powder and an organic binder into a tungsten raw material powder having a purity of 99% or more and an average particle diameter of about 2 μm. Using this paste, a pattern having a thickness of 20 μm was printed on a green sheet using a screen printing method.

次に、グリーンシートと抵抗発熱体用の電極を備えたグリーンシートとを積層し、その積層体を５０℃、５０００Ｐａの圧力で熱圧着し、グリーンシート間の密着性を高めた積層体を切削加工にて環状に加工し、さらに、ヒータ電極の給電開始端部、終点端部それぞれに図３（ｂ）に示すような貫通する直径０．４ｍｍの穴を各６個、各直径６ｍｍの範囲内に均等に設け、その穴内部に電極用ペーストを充填した。 Then, by laminating a green sheet having an electrode for a green sheet resistance heating element, the laminated body 50 ° C., and thermocompression bonding at a pressure of 5000 Pa, the cutting a laminate with improved adhesion between the green sheets In the process, it is processed into an annular shape, and further , there are six holes each having a diameter of 0.4 mm as shown in FIG. The inside of the hole was filled with electrode paste.

そして、該環状の積層体を真空脱脂した後、窒素雰囲気下において２０００℃にて焼成することにより、タングステンより形成された帯状の抵抗発熱体を埋設した環状セラミックス体を作製した。 Then, after vacuum degreased the annular laminated body, by firing at 2000 ° C. in a nitrogen atmosphere, to prepare a circular ceramic body embedded a strip of resistive heating element formed of tungsten.

さらに、この環状セラミックス体を外径３２０ｍｍ、内径２９６ｍｍ、厚み１０ｍｍ、抵抗発熱体の位置が両主面からともに５ｍｍとなるように研削加工した後、図３に示すような、直径８ｍｍの導電膜をＡｇ−Ｃｕを主成分とするロウ材を用いて真空中約８００℃にてロウ付し、試料Ａを作製した。 Furthermore, the annular ceramic body outer diameter 320 mm, internal diameter 296 mm, thickness 10 mm, after the position of the resistance heating element is by grinding so that both 5mm from both major surfaces, as shown in FIG. 3, conductive 8mm diameter The film was brazed at about 800 ° C. in a vacuum using a brazing material containing Ag—Cu as a main component to prepare Sample A.

また、試料Ｂとしては、実施例１に示した試料１と同じ環状ヒータを準備した。但し、条件を合わせる為に、環状ヒータの厚みは１０ｍｍとした。 As the sample B, it was prepared the same annular heater and the sample 1 shown in the first embodiment. However, in order to match the conditions, the thickness of the annular heater was 10 mm.

そして、試料Ａ、Ｂを用いて実施例１と同じ構造で同じチャンバー内にそれぞれ設置して、以下の条件において何サイクルでクラックや抵抗変化が発生するかの耐久試験を行なった。 The samples A, installed respectively in the same chamber at the same structure as in Example 1 using the B, cracks and resistance change lines Tsu name or the durability test occurs many cycles under the following conditions.

１）真空度：１×１０^−５Ｐａ
２）プロセスガス：アルゴン
３）プラズマパワー：３００Ｗ
４）ウェハ吸着電圧：±４００Ｖ
５）ウェハ温度：２０℃
６）温度サイクル：２０℃で１分保持し、８０℃に1分で昇温、２０℃に1分で降温
その結果、５０００回の温度サイクル後の抵抗変化は０．２％以下と極めて小さく、クラックは発生せず、非常に信頼性の高い給電方法であることが分かった。 1) degree of vacuum: 1 × ^{10 -} 5 Pa
2) Process gas: Argon 3) Plasma power: 300 W
4) Wafer adsorption voltage: ± 400 V
5) Wafer temperature: 20 ° C
6) Temperature cycle: Hold at 20 ° C for 1 minute, increase to 80 ° C in 1 minute, decrease to 20 ° C in 1 minute. As a result, the resistance change after 5000 temperature cycles is very small, 0.2% or less. As a result, it was found that this is a highly reliable power supply method without cracks.

本発明の環状ヒータを備えたウエハ処理装置の断面図である。It is sectional drawing of the wafer processing apparatus provided with the annular heater of this invention. （ａ）本発明の環状ヒータの正面図を示す。（ｂ）は(ａ)のＸ−Ｘ線断面図である。(A) The front view of the annular heater of this invention is shown. (B) is XX sectional drawing of (a). (ａ)本発明の環状ヒータの正面図を示す。（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ線断面図である。(a) The front view of the annular heater of this invention is shown. (B) is the YY sectional view taken on the line of (a). 本発明の環状ヒータをウェハ処理装置に用いた部分断面図である。It is the fragmentary sectional view which used the annular heater of this invention for the wafer processing apparatus. 本発明の環状ヒータの部分正面図である。It is a partial front view of the annular heater of the present invention. 本発明の環状ヒータをウェハ処理装置に用いた部分断面図である。It is the fragmentary sectional view which used the annular heater of this invention for the wafer processing apparatus. 従来のウェハ処理装置の断面図である。It is a cross-sectional view of a conventional U E c processor. 図７に示す圧力調整ユニットの概略図である。It is the schematic of the pressure adjustment unit shown in FIG.

３：吸着電極
４：下部電極
５：設置面
６：環状リング
７：環状絶縁体
７ａ：加熱面
７ｂ：主面
７ｃ：穴
７ｄ：穴
８：抵抗発熱体
１０：処理室
１１：対向電極
２０：給電端子
２１：メタライズ層
２２：ロウ材
２３：コイルスプリング
２４：導電膜
２６：ビヤホール導体
３７：溝部
３８：Ｏリング
３９：凹部
４０：貫通孔
４１：貫通孔
４９：凸部
５０：ウェハ処理装置
５１：処理容器
５４：ウェハ保持部材
５６：冷却媒体用の流路
７０：環状ヒータ
１００：ウェハ処理装置
１０２：処理室
１０４：処理容器
１０６：下部電極
１０８：静電チャック
１０８ａ：薄膜
１０８ｂ：電極
１１０：高圧電流電源
１１２：リング体
１１２ａ：内側リング体
１１２ｂ：環状ヒータ
１１４：第１ガス供給孔
１１６：第２ガス供給孔
１１８：第１ガス供給管
１２０：第２ガス供給管
１２１：第１開閉バルブ
１２２：流量調整バルブ
１２４：第２開閉バルブ
１３０：第３ガス供給孔
１３２：第３ガス供給管
１３８：ガス供給源
１４０：制御器
１４２：第１温度センサ
１４４：第２温度センサ
１４６：第３温度センサ
１４８：発熱体
１５０：可変電源
１５２：冷媒循環路
１５４：整合器
１５６：高周波電源
１５８：上部電極
１５８ａ：ガス吐出孔
１６０：処理ガス供給管
１６２：第２排気管
１６４：第１圧力調整ユニット
１６６：第２圧力調整ユニット
１６８：圧力計
１７０：第１排気管
１７２：圧力調整バルブ
１７４：第３開閉バルブ
１８４：Ｏリング
１８６：第３圧力調整ユニット
Ｗ：ウェハ 3: adsorption electrode 4: lower electrode 5: installation surface 6: annular ring 7: annular insulator 7a: heating surface 7b: main surface 7c: hole 7d: hole 8: resistance heating element 10: treatment chamber 11: counter electrode 20: feeding terminal 21: metalized layer 22: brazing material 23: coil spring 24: conductive film 26: via hole conductor 37: groove 38: O-ring 39: recess 40: through hole 41: through hole 49: projection 50: c E c processing apparatus 51: processing chamber 54: c E c holding member 56: cooling medium for the flow path 70: the annular heater 100: c E c processor 102: treatment chamber 104: process vessel 106: lower electrode 108: the electrostatic chuck 108a : Thin film 108b: Electrode 110: High-voltage current power source 112: Ring body 112a: Inner ring body 112b: Annular heater 114: First gas supply hole 116: Second gas supply hole 118: First gas supply pipe 12 : Second gas supply pipe 121: first on-off valve 122: flow rate adjusting valve 124: second on-off valve 130: third gas supply hole 132: third gas supply pipe 138: gas supply source 140: controller 142: first Temperature sensor 144: second temperature sensor 146: third temperature sensor 148: heating element 150: variable power supply 152: refrigerant circulation path 154: matching unit 156: high frequency power supply 158: upper electrode 158a: gas discharge hole 160: process gas supply pipe 162: second exhaust pipe 164: first pressure adjustment unit 166: second pressure adjustment unit 168: pressure gauge 170: first exhaust pipe 172: pressure adjustment valve 174: third on-off valve 184: O-ring 186: third pressure adjustment unit W: c E c

Claims

一方の主面を加熱面とし、他方の主面は上記加熱面に平行に形成されている環状絶縁体の内部に上記加熱面に平行に帯状の抵抗発熱体を備えてなり、凸状の下部電極の周辺上部の表面に、上記下部電極の突出部を取り囲むとともに上記他方の主面が上記周辺上部の表面と対向して載置される環状ヒータにおいて、上記環状絶縁体の上記他方の主面に、上記帯状の抵抗発熱体へ給電可能な導電膜を形成するとともに、該導電膜と上記帯状の抵抗発熱体とを複数のビヤホール導体を介して接続し、さらに上記導電膜を取り囲む溝部を形成し、かつ、該溝部にＯリングを設置し、該Ｏリングと上記周辺上部の表面と上記他方の主面とで上記導電膜を封止可能としたことを特徴とする環状ヒータ。 The one main surface as a heating surface, the other main surface Ri name comprises a strip-shaped resistance heating element to a flat row to the heating surface in the interior of the annular insulator is formed into a flat row to the heating surface, convex the upper peripheral surface shaped for the lower electrode, the annular heater above the other major surface Ru is placed opposite to the above upper peripheral surface surrounds the projecting portion of the lower electrode, the other of said annular insulator the main surface, to form a feedable conductive film to said band-shaped resistance heating element, and a conductive film and the strip-shaped resistance heating element connected through a plurality of via hole conductors, further surround the conductive film An annular heater, characterized in that a groove is formed, an O-ring is installed in the groove, and the conductive film can be sealed by the O-ring, the surface of the peripheral upper part, and the other main surface .

一方の主面を加熱面とし、他方の主面は上記加熱面に平行に形成されている環状絶縁体の内部に上記加熱面に平行に帯状の抵抗発熱体を備えてなり、凸状の下部電極の周辺上部の表面に、上記下部電極の突出部を取り囲むとともに上記他方の主面が上記周辺上部の表面と対向して載置される環状ヒータにおいて、上記環状絶縁体の上記他方の主面に上記帯状の抵抗発熱体を貫通し、内面にメタライズ層が被着された穴を形成し、上記メタライズ層と給電端子とを接続可能に構成するとともに、上記穴を取り囲む溝部を形成し、かつ、該溝部にＯリングを設置し、該Ｏリングと上記周辺上部の表面と上記他方の主面とで上記穴を封止可能としたことを特徴とする環状ヒータ。 The one main surface as a heating surface, the other main surface Ri name comprises a strip-shaped resistance heating element to a flat row to the heating surface in the interior of the annular insulator is formed into a flat row to the heating surface, convex the upper peripheral surface shaped for the lower electrode, the annular heater above the other major surface Ru is placed opposite to the above upper peripheral surface surrounds the projecting portion of the lower electrode, the other of said annular insulator A hole with a metallized layer attached to the inner surface is formed through the strip-shaped resistance heating element on the main surface of the metal plate, and the metallized layer can be connected to the power supply terminal, and a groove surrounding the hole is formed. annular heater is, and the O-ring placed in the groove portion, characterized in that the sealable said hole between said O-ring and the upper peripheral surface and the other main surface.

上記他方の主面に複数の凸部を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の環状ヒータ。 The annular heater according to claim 1, wherein a plurality of convex portions are provided on the other main surface.