JP4594156B2 - 試料作製方法および試料作製装置 - Google Patents
試料作製方法および試料作製装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4594156B2 JP4594156B2 JP2005123560A JP2005123560A JP4594156B2 JP 4594156 B2 JP4594156 B2 JP 4594156B2 JP 2005123560 A JP2005123560 A JP 2005123560A JP 2005123560 A JP2005123560 A JP 2005123560A JP 4594156 B2 JP4594156 B2 JP 4594156B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- ion beam
- pixel
- ion
- shielding material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/32—Polishing; Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30466—Detecting endpoint of process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
上記特許は本件特許出願人が出願したものであるが、本件特許出願人は昨年、薄膜試料をより確実に得ることができる新しい試料作製方法について特許出願を行った(特願2004−283802)。この出願における方法においては、図1(a)に示すように、ベルト状の遮蔽材を試料上にほぼ垂直に立てて配置し、遮蔽材の左斜め上方と右斜め上方から遮蔽材と試料に向けてイオンビームを照射し、試料のほぼ中央部分に貫通孔hが開くように試料をイオンエッチングするようにしている。この貫通孔hの周縁部分Aは薄膜となっており、その薄膜Aの厚さはTEM観察に適した厚さとなっている。なお、図1(b)は、図1(a)の試料を側面B側から見た図である。
このように図1に示した方法においては、試料に貫通孔hが開いたら直ぐにイオンビーム照射を停止させることが非常に重要となるが、本件発明者らはこれまで、そのイオンビーム照射停止を自動的に行う装置の開発を進めてきた。その開発段階で本件発明者らは公知の手法をいろいろと試みたが、そのイオンビーム照射停止はタイミングよく行われなかった。たとえば、試料に光を照射して試料の透過光を検出し、その透過光の強度がしきい値以上になったらイオンビーム照射を自動的に停止させる手法を試みたが、その停止のタイミングがうまく合わず、TEM観察に適した薄膜試料を確実に作製することができなかった。
(a)試料にイオンビームを照射すると共に試料の左右の側面の何れか一方の側面に光を照射し、試料の他方の側面を撮像手段で撮像する。
(b)撮像された試料像に対して、所定のしきい値より大きな強度を有し、且つ前記試料の薄膜化に伴ってその強度が前記しきい値より大きくなった高輝度画素を抽出する。
(c)抽出された高輝度画素がその試料像上において所定個数以上連なっているかどうかを判定する。
(d)(c)で所定個数以上連なっていると判定された場合、試料へのイオンビーム照射を停止、または試料へのイオンビーム照射の条件を変更する。
そして、遮蔽材4と試料3の上面の隙間はわずか10〜30μm程度である。このように試料3上に接近して遮蔽材4が配置されることにより、試料3上には、図3の「イオン遮蔽説明図」に示すように、イオンビーム非照射面3cとその左右にイオンビーム照射面3d,3eが形成される。イオンビーム非照射面3cとは遮蔽材4で覆われた試料面であり、イオン銃5からのイオンビームIBが照射されない面である。なお、遮蔽材4は非晶質金属で出来ており、たとえばニッケル−リン(リン10%以上)のような非晶質金属で作られている。
前記イオン銃5は、図3に示すように、真空チャンバ1上部に取り付けられたイオン銃傾斜機構6に保持されている。図3に示す状態は、イオン銃5の光軸Oがz軸と一致している状態である。前記イオン銃傾斜機構6は、試料3上を通るx軸を中心としてイオン銃5を左右にθ傾斜させるためのもの、すなわち、イオン銃5をz軸に対して−y方向とy方向にθ傾斜させるためのものである。なお、イオン銃5としてガスイオン銃が用いられており、たとえばArガスを放電によりイオン化させてArイオンを放出させるガスイオン銃が用いられている。
また、7は光源(光照射手段)であり、光源7は真空チャンバ1の左側面に取り付けられている。この光源7は、試料3の左側面3aに対向するように配置されており、その試料左側面3aに光Lを照射するためのものである。光源7がオフの状態では、試料室2は暗室となっている。
8はCCDカメラのような撮像手段であり、撮像手段8は真空チャンバ1の右側面に取り付けられている。この撮像手段8は、試料3の右側面3bに対向するように配置されており、試料3を挟んで光源7と対向している。撮像手段8は、試料3の右側面3bを撮像するためのものであり、その撮像領域はたとえば図4の点線で囲まれた領域Cである。この領域Cの中には、試料3の上方端部3fから下方端部3gにかけて含まれており、さらに遮蔽材4の下方端部も含まれている。
また、図3において9は中央制御装置である。中央制御装置9はその内部に、高輝度画素抽出手段10と判定手段11とイオン銃制御手段12を備えている。さらに中央制御装置9は、前記光源7と、前記撮像手段8と、前記イオン銃5の電圧電源13と、前記イオン銃傾斜機構6の傾斜駆動源14と、キーボードやマウスなどから成る入力手段15にそれぞれ電気的に接続されている。
以上、図3の装置構成について説明した。以下、動作説明を行う。
まずオペレータは、図3における入力手段15上で「試料種類」の入力を行う。現在セットされている試料3はバルク試料から切り出されたものなので、この場合には「バルク試料」と入力される。この入力にあたっては、中央制御装置9に接続されたCRT画面上に複数の試料種類が表示され、オペレータはその中からマウスクリックで「バルク試料」を選択する。こうして「バルク試料」の入力が行われると、中央制御装置9は、高輝度画素抽出手段10と判定手段11とイオン銃制御手段12の動作モードを「バルク試料」に対応した「貫通孔形成モード」、すなわち、試料3のほぼ中央部分に貫通孔を開ける「貫通孔形成モード」に設定する。
そして、オペレータが入力手段15上で「エッチング開始」の入力を行うと、中央制御装置9のイオン銃制御手段12は前記「貫通孔形成モード」で動作する。すなわちイオン銃制御手段12は、イオン銃5を左(−y方向)に角度θ1(たとえば1.5度)傾斜させるための傾斜信号θ1を傾斜駆動源14に送る。傾斜駆動源14はその傾斜信号θ1に基づいてイオン銃傾斜機構6を傾斜させる。この結果、イオン銃5はz軸に対して左に1.5度傾斜する。なお、この傾斜角度θ1(1.5度)の値は、予めオペレータによって入力手段15上で入力設定されている。
また、前記「エッチング開始」の入力が行われると、中央制御装置9のイオン銃制御手段12は、イオン銃5からイオンビームIBを放出させるための信号を電圧電源13に送る。すると電圧電源13は、イオン銃5の各電極間に、イオンビームIBを放出させるための所定電圧を印加する。この結果、z軸に対して左に角度θ1(1.5度)傾斜したイオン銃5からイオンビームIBが放出される。
また、前記「エッチング開始」の入力が行われると、中央制御装置9は、光源7の電源をオンする。これにより光源7から光が放出され、光源7から放出された光Lは、図5(a)に示すように、試料3の左側面3aと遮蔽材4の左側面4aを照射する。また、図5(a)に示すように、イオン銃5から放出され、z軸に対して左にθ1(1.5度)傾斜したイオンビームIBは、遮蔽材4の左斜め上方から遮蔽材4と試料3を照射する。このイオンビーム照射は所定時間(たとえば5分間)行われる。
また、前記「エッチング開始」の入力が行われると、中央制御装置9は、撮像手段8を動作させるための信号を撮像手段8に送る。すると撮像手段8は、光照射されている試料面の反対側の面、すなわち試料3の右側面3bの連続撮像を開始する。この撮像手段8で撮像された試料像(図4の領域Cに含まれる像)は高輝度画素抽出手段10に送られる。
高輝度画素抽出手段10は、撮像手段8で撮像された試料像を所定の時間間隔(たとえば2秒間隔)でその内部に取り込む。まず高輝度画素抽出手段10は、撮像当初の試料像、すなわちエッチング開始時の試料像I1を取り込む。図6(a)はその取り込まれた試料像I1を示したものであり、図中点線は画素(ピクセル)間の境界を示している。図6(a)において、Dは試料3の右側面3bを表す像であり、この像Dは画素p41,p42,…,p4m,…,p(n−2)1,…,p(n−2)mで作り上げられている。試料3は光源7からの光Lを透過させるものではなく、また試料3の右側面3bに光は照射されていないため、試料3に貫通孔が未だ開いていないこのエッチング開始時においては、像D部分の明るさは真っ暗である。
また、図6(a)において、Eは遮蔽材4の下方端部(右側面4b)を表す像であり、この像Eは画素p11,p12,…,p1m,p21,…,p2mで作り上げられている。この像E部分の明るさも像D部分と同様に真っ暗である。
また、図6(a)においてFは、遮蔽材4と試料3の隙間を通った光Lを表す像であり、この像Fは画素p31,…,p3mで作り上げられている。像F部分の明るさは光Lの明るさに対応して明るい。
また、図6(a)においてGは、試料3の下方を通った光Lを表す像であり、この像Gは画素p(n−1)1,…,p(n−1)m,…,pnmで作り上げられている。この像G部分の明るさも像F部分と同様に、光Lの明るさに対応して明るい。
(1)さて、高輝度画素抽出手段10は、取り込んだエッチング開始時の試料像I1に対し、各画素(p11〜pnm)の信号強度をしきい値Kと比較し、しきい値Kより大きな強度を有する画素を抽出する。このしきい値Kは、光Lを表す画素(現時点では画素p31,…,p3mおよびp(n−1)1,…,p(n−1)m,…,pnm)が抽出されるように、予めオペレータによって入力手段15上で設定されている。すなわち図6(b)に示すように、光Lを表す画素の強度Jよりやや低い強度Kがしきい値Kとして設定されている。なお、現時点においては、試料右側面像Dを構成する画素p41,p42,…,p4m,…,p(n−2)1,…,p(n−2)mの強度と、遮蔽材像Eを構成する画素p11,p12,…,p1m,p21,…,p2mの強度は、図6(b)における強度Lである。その強度Lはほぼ零に等しい。
(2)このようなしきい値Kの設定により、高輝度画素抽出手段10は、光Lを表す画素p31,…,p3mおよびp(n−1)1,…,p(n−1)m,…,pnmを抽出する。高輝度画素抽出手段10は、こうして光Lを表す画素を抽出することにより、試料3の上方端部(3f)と下方端部(3g)に対応する画素をそれぞれ特定する。すなわち高輝度画素抽出手段10は、抽出した画素p31,…,p3mに基づき、試料上方端部(3f)に対応する画素として画素p41,p42,…,p4mを特定する。同様に高輝度画素抽出手段10は、抽出した画素p(n−1)1,…,p(n−1)mに基づき、試料下方端部(3g)に対応する画素として画素p(n−2)1,…,p(n−2)mを特定する。
(3)高輝度画素抽出手段10は、このように試料上方端部(3f)と試料下方端部(3g)に対応する画素を特定することにより、試料右側面像Dの画素領域を認識する。この場合に高輝度画素抽出手段10は、試料右側面像Dは画素p41,p42,…,p4m,…,p(n−2)1,…,p(n−2)mで構成されていることを認識する。
(4)こうして高輝度画素抽出手段10は試料右側面像Dの画素領域を認識すると、その画素領域内に判定領域D’を設定する。高輝度画素抽出手段10は、たとえば図6(c)に示すように判定領域D’を設定する。この判定領域D’は画素p1〜p60を含む領域であり、試料中央部分に貫通孔が開いたことを検出できるように像Dの中央部分に設定される。
(5)そして高輝度画素抽出手段10は、上記(1)の抽出結果を参照し、判定領域D’内の画素p1〜p60の中に前記しきい値Kより大きな強度を有する高輝度画素Pが存在しているか否かを判断する。イオンエッチングが進んで試料3に貫通孔が開くと、光Lがその貫通孔を通って撮像手段8で検出されるため、判定領域D’内の画素p1〜p60の何れかが前記しきい値Kより大きな強度を有するようになる。しかし、エッチング開始時の現時点では、試料3に貫通孔は開いていないので判定領域D’内に高輝度画素Pは存在しない。高輝度画素抽出手段10は高輝度画素Pが存在するときだけ判定手段11にその情報を送るので、この場合には高輝度画素抽出手段10は判定手段11に何も出力しない。
以上、試料像I1に対する高輝度画素抽出手段10の処理(上記(1)〜(5)の処理)について説明した。この後、高輝度画素抽出手段10は、試料像I1を取り込んでから2秒経過すると、撮像手段8で撮像された試料像I2を取り込む。そして高輝度画素抽出手段10は、試料像I2に対して前記(1)〜(5)の処理を行う。この時点でも未だ試料3に貫通孔は開いておらず、前記処理(5)において前記高輝度画素Pは抽出されない。従って、高輝度画素抽出手段10は判定手段11に対して何も出力しない。
以後、高輝度画素抽出手段10は2秒間隔で試料像I3,I4,…を取り込み、各試料像に対して前記(1)〜(5)の処理を行う。実際にはイオンエッチング開始から1時間以上経過しないと試料3に貫通孔は開かないため、高輝度画素抽出手段10はイオンエッチング開始から1時間ほどの間は判定手段11に対して何も出力しない。
さて、図5(b)は、イオンエッチング開始から5分後の試料3を示した図である。図5(b)に示すように、イオンビームIBが照射されたイオンビーム照射面3d,3eはイオンエッチングされている。これに伴い、試料3の左側面3aと右側面3bの一部もエッチングされている。
一方、遮蔽材4で覆われてイオンビームIBが照射されなかったイオンビーム非照射面3cは、エッチングされずにそのまま残っている。そして、試料3に対して遮蔽材4の左斜め上方からイオンビームが照射されたため、試料3の左側面3a側が右側面3b側よりも多くエッチングされており、また、左側面3a側が右側面3b側よりも内側(z軸側)に深くエッチングされている。
以上のようにして、試料3に対して遮蔽材4の左上方からイオンビーム照射が行われると、次にイオン銃制御手段12は、イオン銃5を右(y方向)に角度θ1(1.5度)傾斜させるための傾斜信号θ1を傾斜駆動源14に送る。傾斜駆動源14はその傾斜信号θ1に基づいてイオン銃傾斜機構6を傾斜させる。この結果、イオン銃5はz軸に対して右に1.5度傾斜する。
このイオン銃5の傾斜により、図7(a)に示すように、z軸に対して右にθ1(1.5度)傾斜したイオンビームIBが、遮蔽材4の右斜め上方から遮蔽材4と試料3を照射する。このイオンビーム照射は所定時間(たとえば5分間)行われる。
図7(b)は、イオン銃5を右に傾斜させ、試料3にイオンビームを5分間照射した後の試料3を示した図である。図7(b)に示すように、今度は、試料3のうち右側面3b側が大きくエッチングされている。一方、遮蔽材4で覆われてイオンビームIBが照射されなかったイオンビーム非照射面3cは、エッチングされずにそのまま残っている。
以後、前記同様にして、イオン銃5が左右に繰り返し傾斜され、z軸に対して左右にそれぞれ1.5度傾斜したイオンビームIBによって試料3はエッチングされる。図8はそのエッチングされていく試料3を示した図である。図7(b)のあと図8(a)のように試料3はエッチングされ、図8(a)のあと図8(b)に示すように試料3はエッチングされる。その後、何回かイオン銃5が左右に傾斜されて試料3のイオンエッチングが行われ、図8(c)のように試料3はエッチングされる。図8(a)から図8(c)に示すように、試料3のイオンビーム非照射面3cはエッチングされずに残ったままである。一方、そのイオンビーム非照射面3cの周囲の試料部分は徐々にエッチングされている。そして、図8(c)に示すように、試料3のA部分については、イオンビーム非照射面3cから下方(−z方向)に向かうに従って薄くなっている。しかし、この時点でも未だ試料3に貫通孔は開いておらず、高輝度画素抽出手段10の前記処理(5)において前記高輝度画素Pは未だ検出されない。
図8(d)は、図8(c)のあとイオン銃5の向きが変えられて、試料3に対して更にイオンビームIBが照射されている状態を示した図である。図8(c)に示した試料3のA部分が更にイオンエッチングされたため、図8(d)に示すように、時刻T1において試料3に貫通孔Hが開き始めている。この貫通孔Hの位置は試料3の上面から300μm程のところである。
図9(a)は、時刻T1において高輝度画素抽出手段10が撮像手段8から取り込んだ試料像IT1を示したものである。図9(a)に示すように、前記判定領域D’内の画素のうち画素p25だけが明るく光っている。この画素p25は、前記貫通孔Hを通った光L(図8(d)参照)を表す画素である。貫通孔Hの大きさが更に大きくなってくると画素p25の周りの画素も明るくなってくるが、時刻T1の時点では画素p25だけが明るく光っている。
高輝度画素抽出手段10は、このような試料像IT1に対して前記(1)〜(5)の処理を行う。この場合に高輝度画素抽出手段10は、前記処理(1)において、しきい値Kより大きな強度を有する画素の1つとして画素p25を抽出する。このため高輝度画素抽出手段10は、前記処理(5)において、画素p25を判定領域D’内に含まれる高輝度画素Pとして検出する。すると高輝度画素抽出手段10は、その高輝度画素p25の画素位置を表す高輝度画素位置信号p25(x,y)を判定手段11に送る。
判定手段11は、高輝度画素抽出手段10から送られてくる高輝度画素位置信号に基づき、高輝度画素抽出手段10で抽出された高輝度画素Pが試料像(IT1)上において所定個数n以上連なっているかどうか判定する。今、その個数nとして2が設定されており、この個数2は予めオペレータによって入力手段15上で入力設定されている。
この場合、高輝度画素抽出手段10で抽出された高輝度画素Pは画素p25だけであり、高輝度画素抽出手段10から判定手段11に送られた高輝度画素位置信号はp25(x,y)だけである。このため判定手段11は、「高輝度画素抽出手段10で抽出された高輝度画素Pは試料像(IT1)上において2以上連なっていない」と判定する。判定手段11は、「高輝度画素Pが2以上連なっている」と判定したときだけイオン銃制御手段12にイオン照射停止信号を送るので、この場合にはそのイオン照射停止信号はイオン銃制御手段12に送られない。このため、試料3へのイオンビーム照射は引き続き行われる。
さて、図9(b)は、試料像IT1の次に高輝度画素抽出手段10に取り込まれた試料像IT2を示したものである。すなわち、時刻T1から2秒経過後の時刻T2に取り込まれた試料像IT2を示したものである。図9(a)と図9(b)を比較して分かるように、この2秒の間に、画素p25の右隣の画素p26が新たに明るく光るようになったことがわかる。これは、試料3のイオンエッチングが進んで貫通孔Hの大きさが図8(d)の状態よりも少しだけ大きくなったためであり、画素p26は貫通孔Hを通った光Lを表す画素である。
高輝度画素抽出手段10は、この試料像IT2に対して前記(1)〜(5)の処理を行う。この場合に高輝度画素抽出手段10は、前記処理(1)において、しきい値Kより大きな強度を有する画素として画素p25と画素p26を含めて抽出する。このため高輝度画素抽出手段10は、前記処理(5)において、画素p25と画素p26を判定領域D’内に含まれる高輝度画素Pとして検出する。すると高輝度画素抽出手段10は、その高輝度画素p25とp26の画素位置を表す高輝度画素位置信号p25(x,y)、p26(x,y)を判定手段11に送る。
判定手段11は、その高輝度画素位置信号p25(x,y)、p26(x,y)に基づき、高輝度画素p25と高輝度画素p26が試料像(IT2)上において横に2個連なっていると判定する。この結果、判定手段11はイオン銃制御手段12にイオン照射停止信号を送る。このイオン照射停止信号を受けたイオン銃制御手段12は、イオン照射を停止させるための信号を電圧電源13に送る。これにより、イオン銃5よりのイオンビーム放出は停止される。さらにイオン銃制御手段12は、傾斜駆動源14を制御してイオン銃傾斜機構6の傾斜を停止させる。
以上の結果、図9(c)に示す本発明の薄膜試料3が出来上がる。貫通孔Hの周辺部分kは100Å程の薄膜となっており、このような薄膜部分kの厚さはTEM観察に適した厚さである。
以上、図3の本発明装置において、試料3に貫通孔Hを開けて薄膜試料を作製する場合について説明した。上述したように本発明においては、試料の薄膜化に伴って出現した高輝度画素Pを抽出し、その高輝度画素Pが試料像上において所定個数n以上連なった時点でイオン照射を停止するようにしている。このnの値は入力手段15上で任意に設定することができ、その値nを予め実験で求めた最適な値に設定しておくことにより、TEM観察に適した厚さの薄膜が出来上がった時点で常にイオン照射を停止させることができる。
そして、本発明の場合、前記高輝度画素Pが複数出現しても、それらが所定個数n以上連ならないとイオン照射は停止されない。たとえば、2つの高輝度画素Pが離れて出現した場合には、イオン照射は停止されない。このように2つの高輝度画素Pが離れて出現するのは、試料室壁などに当たって反射した光Lが撮像手段8で一時的に検出された場合である。一方、試料3に貫通孔Hが開いた場合には、抽出された複数の高輝度画素Pは連なっている。このため、高輝度画素Pの連なりを検出してイオン照射を停止させる本発明によれば、試料室壁などに当たって反射した光Lが撮像手段8で一時的に検出された場合に誤ってイオン照射が停止されることはなく、試料3に所定の貫通孔Hが開いたときだけイオン照射が正常に停止される。従って本発明においては、TEM観察に適した薄膜試料を確実に作製することができる。
なお、上記例では、高輝度画素Pが横に2個(n=2)連なった場合について説明したが(図9(b)参照)、高輝度画素Pが縦に2個または斜めに2個連なった(並び続く)場合においても、前記判定手段11はイオン照射停止信号をイオン銃制御手段12に送るように動作する。
次に、図3の装置において、シリコンウエハーなどから切り出された試料を薄膜化して、断面試料を作製する場合について説明する。
その場合、まず図10(a)に示すように、100μm(d1)×700μm(d2)×2.5mm(d3)の試料16を用意する。この試料16はシリコンウエハーから切り出されて粗研磨されたものであり、試料16の下方は多層構造となっている。この多層構造部16aを薄膜化して断面試料を作製することがこの場合の目的であり、このように切り出された試料16は、図3の試料3に代わって試料室2に配置される。図10(b)は、試料室2に配置された試料16と前記遮蔽材4を示した図である。図10(b)に示すように、試料16の多層構造部16aは遮蔽材4から700μm程のところに位置している。
さて、試料16の多層構造部16aを薄膜化する場合、まずオペレータは、図3における入力手段15上で「試料種類」の入力を行う。この場合には「多層構造試料」と入力される。こうして「多層構造試料」の入力が行われると、中央制御装置9は、高輝度画素抽出手段10と判定手段11とイオン銃制御手段12の動作モードを「多層構造試料」に対応した「多層構造部薄膜化モード」、すなわち、試料16の多層構造部16aを薄膜化する「多層構造部薄膜化モード」に設定する。
そして、オペレータが入力手段15上で「エッチング開始」の入力を行うと、中央制御装置9のイオン銃制御手段12は前記「多層構造部薄膜化モード」で動作する。すなわちイオン銃制御手段12は、イオン銃5を左(−y方向)に角度θ1(たとえば0.7度)傾斜させるための傾斜信号θ1を傾斜駆動源14に送る。傾斜駆動源14はその傾斜信号θ1に基づいてイオン銃傾斜機構6を傾斜させる。この結果、イオン銃5はz軸に対して左に0.7度傾斜する。なお、この傾斜角度θ1(0.7度)の値は、予めオペレータによって入力手段15上で入力設定されている。
また、前記「エッチング開始」の入力が行われると、中央制御装置9のイオン銃制御手段12は、イオン銃5からイオンビームIBを放出させるための信号を電圧電源13に送る。すると電圧電源13は、イオン銃5の各電極間に、イオンビームIBを放出させるための所定電圧を印加する。この結果、z軸に対して左に角度θ1(0.7度)傾斜したイオン銃5からイオンビームIBが放出される。
また、前記「エッチング開始」の入力が行われると、中央制御装置9は、光源7の電源をオンする。これにより光源7から光が放出され、光源7から放出された光Lは、図10(c)に示すように、試料16の左側面16bと遮蔽材4の左側面4aを照射する。また、図10(c)に示すように、イオン銃5から放出され、z軸に対して左にθ1(0.7度)傾斜したイオンビームIBは、遮蔽材4の左斜め上方から遮蔽材4と試料16を照射する。このイオンビーム照射は所定時間(たとえば5分間)行われる。
また、前記「エッチング開始」の入力が行われると、中央制御装置9は、撮像手段8を動作させるための信号を撮像手段8に送る。すると撮像手段8は、光照射されている試料面の反対側の面、すなわち試料16の右側面16cの連続撮像を開始する。この撮像手段8で撮像された試料像(図4の領域Cに含まれる像)は高輝度画素抽出手段10に送られる。
高輝度画素抽出手段10は、撮像手段8で撮像された試料像を所定の時間間隔(たとえば2秒間隔)でその内部に取り込む。まず高輝度画素抽出手段10は、撮像当初の試料像、すなわちエッチング開始時の試料像I1を取り込む。図11(a)はその取り込まれた試料像I1を示したものであり、図中点線は画素(ピクセル)間の境界を示している。図11(a)において、Qは試料16の右側面16cを表す像であり、この像Qは画素p41,p42,…,p4m,…,p(n−2)1,…,p(n−2)mで作り上げられている。試料16は光源7からの光Lを透過させるものではなく、また試料16の右側面16cに光は照射されていないため、像Q部分の明るさは真っ暗である。
また、図11(a)において、Rは遮蔽材4の下方端部(右側面4b)を表す像であり、この像Rは画素p11,p12,…,p1m,p21,…,p2mで作り上げられている。この像R部分の明るさも像Q部分と同様に真っ暗である。
また、図11(a)においてSは、遮蔽材4と試料16の隙間を通った光Lを表す像であり、この像Sは画素p31,…,p3mで作り上げられている。像S部分の明るさは光Lの明るさに対応して明るい。
また、図11(a)においてTは、試料16の下方を通った光Lを表す像であり、この像Tは画素p(n−1)1,…,p(n−1)m,…,pnmで作り上げられている。この像T部分の明るさも像S部分と同様に、光Lの明るさに対応して明るい。
(6)さて、高輝度画素抽出手段10は、取り込んだエッチング開始時の試料像I1に対し、各画素(p11〜pnm)の信号強度をしきい値Kと比較し、しきい値Kより大きな強度を有する画素を抽出する。このしきい値Kは、光Lを表す画素(現時点では画素p31,…,p3mおよびp(n−1)1,…,p(n−1)m,…,pnm)が抽出されるように、予めオペレータによって入力手段15上で設定されている。すなわち図6(b)に示したように、光Lを表す画素の強度Jよりやや低い強度Kがしきい値Kとして設定されている。なお、現時点においては、試料右側面像Qを構成する画素p41,p42,…,p4m,…,p(n−2)1,…,p(n−2)mの強度と、遮蔽材像Rを構成する画素p11,p12,…,p1m,p21,…,p2mの強度は、図6(b)における強度Lである。その強度Lはほぼ零に等しい。
(7)このようなしきい値Kの設定により、高輝度画素抽出手段10は、光Lを表す画素p31,…,p3mおよびp(n−1)1,…,p(n−1)m,…,pnmを抽出する。高輝度画素抽出手段10は、こうして光Lを表す画素を抽出することにより、試料16の上方端部16d(図10(c)参照)と下方端部16e(図10(c)参照)に対応する画素をそれぞれ特定する。すなわち高輝度画素抽出手段10は、抽出した画素p31,…,p3mに基づき、試料上方端部16dに対応する画素として画素p41,p42,…,p4mを特定する。同様に高輝度画素抽出手段10は、抽出した画素p(n−1)1,…,p(n−1)mに基づき、試料下方端部16eに対応する画素として画素p(n−2)1,…,p(n−2)mを特定する。
(8)高輝度画素抽出手段10は、このように試料上方端部16dに対応する画素p41,p42,…,p4mと、試料下方端部16eに対応する画素p(n−2)1,…,p(n−2)mを特定すると、画素p(n−2)1,…,p(n−2)mと画素p41,p42,…,p4mの位置関係の情報Uを記憶する。すなわち高輝度画素抽出手段10は、画素p(n−2)1が画素p41から何画素離れた位置に存在しているか、また、画素p(n−2)2が画素p42から何画素離れた位置に存在しているかなどの情報Uを記憶する。
以上、試料像I1に対する高輝度画素抽出手段10の処理(上記(6)〜(8)の処理)について説明した。この後、高輝度画素抽出手段10は、試料像I1を取り込んでから2秒経過すると、撮像手段8で撮像された試料像I2を取り込む。そして高輝度画素抽出手段10は、試料像I2に対して前記(6)の処理を行う。そして高輝度画素抽出手段10は処理(6)の後、次の処理(9)および処理(10)を行う。
(9)前記しきい値Kの設定により、高輝度画素抽出手段10は、光Lを表す画素p31,…,p3mおよびp(n−1)1,…,p(n−1)m,…,pnmを抽出する。高輝度画素抽出手段10は、抽出した画素p31,…,p3mに基づき、試料上方端部16dに対応する画素として画素p41,p42,…,p4mを特定する。そして高輝度画素抽出手段10は、その特定した画素p41,p42,…,p4mの情報と、前記処理(8)で求めた情報Uに基づき、試料下方端部16eに対応する画素として前記画素p(n−2)1,…,p(n−2)m(図11(a)参照)を特定する。
(10)高輝度画素抽出手段10は、上記(6)の抽出結果を参照し、処理(9)で特定した画素p(n−2)1,…,p(n−2)m(試料下方端部16eに対応する画素)の中に前記しきい値Kより大きな強度を有する高輝度画素Pが存在しているか否かを判断する。
以上が処理(10)の内容であるが、この時点では試料下方端部16eはほとんどエッチングされておらず、取り込まれた試料像I2の様子は2秒前の試料像I1と同じである。このため高輝度画素抽出手段10は、試料像I2に対し、試料下方端部16eに対応する画素p(n−2)1,…,p(n−2)mの中に高輝度画素Pは存在しないと判断する。従って、高輝度画素抽出手段10は判定手段11に対して何も出力しない。
この後、高輝度画素抽出手段10は2秒間隔で試料像I3,I4,…を取り込み、各試料像に対して前記(6)(9)(10)の処理を行う。実際にはイオンエッチング開始から1時間以上経過しないと試料下方端部16eは薄膜化されないため、高輝度画素抽出手段10はイオンエッチング開始から1時間ほどの間は判定手段11に対して何も出力しない。以後、上述したバルク試料のときと同様にしてイオン銃5が左右に繰り返し傾斜され、z軸に対して左右にそれぞれ0.7度傾斜したイオンビームIBによって試料16はエッチングされる。
図10(d)は、試料16のイオンエッチングが進んで、試料下方端部16aがかなり薄膜化された状態(時刻T1のときの状態)を示した図である。そして、図11(b)は、時刻T1において高輝度画素抽出手段10が撮像手段8から取り込んだ試料像IT1を示したものである。
図11(b)に示すように、試料下方端部16eに対応する画素p(n−2)1,…,p(n−2)mのうち、画素P75だけが明るく光っている。この画素p75は前記光Lを表す画素であり、試料下方端部16aの薄膜化に伴って出現した高輝度画素p75である。すなわち、試料下方端部16aの薄膜化に伴って試料下方端部16aの一部が図11(c)に示すように欠け、その欠けた部分16fを通った光Lが撮像手段8で検出されたことによって、高輝度画素p75が試料像IT1上に出現している。
高輝度画素抽出手段10は、このような試料像IT1に対して前記(6)(9)(10)の処理を行う。この場合に高輝度画素抽出手段10は、前記処理(6)において、しきい値Kより大きな強度を有する画素の1つとして画素p75を抽出する。このため高輝度画素抽出手段10は、前記処理(10)において、画素p75を高輝度画素Pとして検出する。すると高輝度画素抽出手段10は、その高輝度画素p75の画素位置を表す高輝度画素位置信号p75(x,y)を判定手段11に送る。
判定手段11は、高輝度画素抽出手段10から送られてくる高輝度画素位置信号に基づき、高輝度画素抽出手段10で抽出された高輝度画素Pが試料像(IT1)上において所定個数n以上連なっているかどうか判定する。今、その個数nとして2が設定されており、この個数2は予めオペレータによって入力手段15上で入力設定されている。
この場合、高輝度画素抽出手段10で抽出された高輝度画素Pは画素p75だけであり、高輝度画素抽出手段10から判定手段11に送られた高輝度画素位置信号はp75(x,y)だけである。このため判定手段11は、「高輝度画素抽出手段10で抽出された高輝度画素Pは試料像(IT1)上において2以上連なっていない」と判定する。判定手段11は、「高輝度画素Pが2以上連なっている」と判定したときだけイオン銃制御手段12にイオン照射停止信号を送るので、この場合にはそのイオン照射停止信号はイオン銃制御手段12に送られない。このため、試料3へのイオンビーム照射は引き続き行われる。
さて、図12(a)は、試料像IT1の次に高輝度画素抽出手段10に取り込まれた試料像IT2を示したものである。すなわち、時刻T1から2秒経過後の時刻T2に取り込まれた試料像IT2を示したものである。図12(a)と図11(b)を比較して分かるように、この2秒の間に、画素p72とp74とp77とp79が新たに明るく光るようになったことがわかる。これは、イオンエッチングによって試料下方端部16aの薄膜化が進み、試料下方端部16aが図12(b)に示すようにギザギザ状になったためであり、画素p72,p74,p75,p77,p79はそのギザギザ状に欠けた部分を通った光Lを表す画素である。
高輝度画素抽出手段10は、この試料像IT2に対して前記(6)(9)(10)の処理を行う。この場合に高輝度画素抽出手段10は、前記処理(6)において、しきい値Kより大きな強度を有する画素として画素p72,p74,p75,p77,p79を含めて抽出する。このため高輝度画素抽出手段10は、前記処理(10)において、画素p72,p74,p75,p77,p79を高輝度画素Pとして検出する。すると高輝度画素抽出手段10は、その高輝度画素p72とp74とp75とp77とp79の画素位置を表す高輝度画素位置信号p72(x,y)、p74(x,y)、p75(x,y)、p77(x,y)、p79(x,y)を判定手段11に送る。
判定手段11は、それらの高輝度画素位置信号に基づき、高輝度画素p74と高輝度画素p75が試料像(IT2)上において試料下方端部のエッジ方向に2個連なっていると判定する。この結果、判定手段11はイオン銃制御手段12にイオン照射停止信号を送る。このイオン照射停止信号を受けたイオン銃制御手段12は、イオン照射を停止させるための信号を電圧電源13に送る。これにより、イオン銃5よりのイオンビーム放出は停止される。さらにイオン銃制御手段12は、傾斜駆動源14を制御してイオン銃傾斜機構6の傾斜を停止させる。
以上の結果、図12(b)に示した本発明の薄膜試料16が出来上がる。多層構造部16aの部分は最も薄く、その厚さはTEM観察に適した100Å程度である。
以上、図3の装置の動作を説明した。なお、本発明は上記例に限定されるものではなく、その他の変形例も包含するものである。
たとえば上記例では、判定手段11は、高輝度画素Pが試料像上で所定個数以上連なっていると判定した場合、イオン照射停止信号をイオン銃制御手段12に供給するようにしている。そのイオン照射停止信号の代わりに、判定手段11が仕上げ加工信号をイオン銃制御手段12に供給するようにしてもよい。その仕上げ加工信号を受けたイオン銃制御手段12は、試料を照射するイオンビームの強度がそれまでより低くなるような信号を電圧電源13に送る。すると、イオン銃5の引出電極に印加される電圧がそれまでより低く設定され、イオン銃5から放出されるイオンの量はそれまでより少なくなる。こうしてイオンビームの強度がそれまでより低く設定されて、試料の仕上げ加工が行われる。この仕上げ加工はたとえば30分間行われ、その後、試料へのイオンビーム照射が停止される。
また、上記例では、高輝度画素抽出出段10は2秒間隔で撮像手段8から像を取り込むようにしているが、撮像手段8から像を連続して取り込み、取り込んだ像に対して上記処理を行うようにしてもよい。
また、上記例では、イオン銃5を左右に傾斜させるようにしたが、2つのイオン銃を配置し、一方のイオン銃から発生したイオンビームを前記遮蔽材の左斜め上方から遮蔽材と試料に向けて照射し、他方のイオン銃から発生したイオンビームを前記遮蔽材の右斜め上方から遮蔽材と試料に向けて照射するようにしてもよい。そのようにすれば、上記例のおよそ2倍の速度で薄膜試料を作製することができる。
また、上記例では、試料の左側面と右側面にイオンビームを照射するようにしたが、それらの側面の何れか一方の側面だけにイオンビームを照射して試料を薄膜化するようにしてもよい。
また、上記例では、イオン銃5をz軸に対して左右に傾斜させるようにしたが、イオン銃側は傾斜させずに固定し、試料と遮蔽材を一緒に傾斜させるようにしてもよい。
また、上記例では、z軸に対して左右にそれぞれ傾斜したイオンビームで試料をエッチングするようにしたが、z軸上を通るイオンビームで試料をエッチングする工程(すなわち遮蔽材の真上からイオンビームを照射する工程)と、z軸に対して左右どちらか一方に傾斜(たとえば3度)したイオンビームで試料をエッチングする工程を交互に繰り返し行うようにしても良い。
Claims (9)
- 試料の左側面および右側面、または、それらの側面の何れか一方の側面にイオンビームを照射して試料をイオンエッチングし、試料を薄膜化するようにした試料作製方法において、
以下の(a)〜(d)のステップにより、試料へのイオンビーム照射を停止、または試料へのイオンビーム照射の条件を変更するようにしたことを特徴とする試料作製方法
(a)試料にイオンビームを照射すると共に試料の左右の側面の何れか一方の側面に光を照射し、試料の他方の側面を撮像手段で撮像する
(b)撮像された試料像に対して、所定のしきい値より大きな強度を有し、且つ前記試料の薄膜化に伴ってその強度が前記しきい値より大きくなった高輝度画素を抽出する
(c)抽出された高輝度画素がその試料像上において所定個数以上連なっているかどうかを判定する
(d)(c)で所定個数以上連なっていると判定された場合、試料へのイオンビーム照射を停止、または試料へのイオンビーム照射の条件を変更する。 - 試料上にイオンビーム非照射面とその左右にイオンビーム照射面を形成するための遮蔽材であって、ベルト状またはリボン状またはテープ状の遮蔽材を試料上にほぼ垂直に立てて配置し、
その遮蔽材の左斜め上方または直上から遮蔽材と試料に向けてイオンビームを照射すると共に、遮蔽材の右斜め上方から遮蔽材と試料に向けてイオンビームを照射し、
前記イオンビーム非照射面をイオンエッチングせずに残して、その左右のイオンビーム照射面をイオンエッチングして試料の左側面および右側面をイオンエッチングし、
前記イオンビーム非照射面から下方に向かうに従って薄くなる薄膜試料を作製するようにした
ことを特徴とする請求項1記載の試料作製方法。 - 試料に貫通孔が開くように前記イオンビームの照射方向を設定した場合、前記高輝度画素がその試料像上において縦、横または斜めの何れかに所定個数以上連なっているかどうかを判定するようにした
ことを特徴とする請求項2記載の試料作製方法。 - 試料の下方端部が薄膜化されるように前記イオンビームの照射方向を設定した場合、前記高輝度画素がその試料像上において試料下方端部に対応する位置に存在し、且つ試料下方端部のエッジ方向に所定個数以上連なっているかどうかを判定するようにした
ことを特徴とする請求項2記載の試料作製方法。 - 高輝度画素が試料像上において所定個数以上連なっていると判定された場合、試料を照射するイオンビームの強度をそれまでより低くして仕上げ加工を行うようにした
ことを特徴とする請求項1記載の試料作製方法。 - 試料の左側面および右側面、または、それらの側面の何れか一方の側面にイオンビームを照射して試料をイオンエッチングし、試料を薄膜化するようにした試料作製装置において、
試料の左右の側面の何れか一方の側面に光を照射する光照射手段と、
試料の他方の側面を撮像する撮像手段と、
撮像手段で撮像された試料像に対して、所定のしきい値より大きな強度を有し、且つ前記試料の薄膜化に伴ってその強度が前記しきい値より大きくなった高輝度画素を抽出する高輝度画素抽出手段と、
高輝度画素抽出手段で抽出された前記高輝度画素がその試料像上において所定個数以上連なっているかどうかを判定する判定手段と、
判定手段において前記高輝度画素が所定個数以上連なっていると判定された場合、試料へのイオンビーム照射を停止、または試料へのイオンビーム照射の条件を変更する手段
を備えたことを特徴とする試料作製装置。 - 試料上にイオンビーム非照射面とその左右にイオンビーム照射面を形成させるため、試料上にほぼ垂直に立てて配置されたベルト状またはリボン状またはテープ状の遮蔽材と、
その遮蔽材の左斜め上方から遮蔽材の左側面と試料に向けてイオンビームを照射する手段と、
前記遮蔽材の右斜め上方から遮蔽材の右側面と試料に向けてイオンビームを照射する手段を備え、
前記イオンビーム非照射面から下方に向かうに従って薄くなる薄膜試料が出来るように、前記イオンビームの照射方向がそれぞれ設定されている
ことを特徴とする請求項6記載の試料作製装置。 - 試料に貫通孔が開くように前記イオンビームの照射方向が設定された場合、前記判定手段は、前記高輝度画素がその試料像上において縦、横または斜めの何れかに所定個数以上連なっているかどうかを判定する
ことを特徴とする請求項7記載の試料作製装置。 - 試料の下方端部が薄膜化されるように前記イオンビームの照射方向が設定された場合、前記高輝度画素抽出手段は、その試料上において試料下方端部に対応する位置に出現した前記高輝度画素を抽出し、前記判定手段は、その抽出された高輝度画素がその試料像上において所定個数以上連なっているかどうかを判定する
ことを特徴とする請求項7記載の試料作製装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005123560A JP4594156B2 (ja) | 2005-04-21 | 2005-04-21 | 試料作製方法および試料作製装置 |
US11/408,795 US7531794B2 (en) | 2005-04-21 | 2006-04-21 | Method and apparatus for preparing specimen |
EP06252156.2A EP1732102B1 (en) | 2005-04-21 | 2006-04-21 | Method and apparatus for preparing specimen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005123560A JP4594156B2 (ja) | 2005-04-21 | 2005-04-21 | 試料作製方法および試料作製装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006300759A JP2006300759A (ja) | 2006-11-02 |
JP4594156B2 true JP4594156B2 (ja) | 2010-12-08 |
Family
ID=37054445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005123560A Active JP4594156B2 (ja) | 2005-04-21 | 2005-04-21 | 試料作製方法および試料作製装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7531794B2 (ja) |
EP (1) | EP1732102B1 (ja) |
JP (1) | JP4594156B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4037809B2 (ja) * | 2003-08-20 | 2008-01-23 | 日本電子株式会社 | イオンミーリング試料作製装置用マスクおよび試料作製装置 |
JP5020908B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2012-09-05 | 日本電子株式会社 | イオンビーム加工装置 |
JP5248967B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2013-07-31 | 日本電子株式会社 | 薄膜試料作成装置 |
US8283642B2 (en) | 2010-04-11 | 2012-10-09 | Gatan, Inc. | Ion beam sample preparation apparatus and methods |
US8653489B2 (en) | 2010-04-11 | 2014-02-18 | Gatan, Inc. | Ion beam sample preparation apparatus and methods |
US8384050B2 (en) | 2010-04-11 | 2013-02-26 | Gatan, Inc. | Ion beam sample preparation thermal management apparatus and methods |
US8445874B2 (en) * | 2010-04-11 | 2013-05-21 | Gatan Inc. | Ion beam sample preparation apparatus and methods |
JP5657435B2 (ja) * | 2011-03-15 | 2015-01-21 | 日本電子株式会社 | 薄膜試料作製方法 |
US8791438B2 (en) | 2012-07-27 | 2014-07-29 | Gatan Inc. | Ion beam sample preparation apparatus and methods |
US10110854B2 (en) | 2012-07-27 | 2018-10-23 | Gatan, Inc. | Ion beam sample preparation apparatus and methods |
JP2015169458A (ja) * | 2014-03-05 | 2015-09-28 | 日本電子株式会社 | 試料作製装置および試料作製方法 |
DE102015219298B4 (de) * | 2015-10-06 | 2019-01-24 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Präparation einer Probe für die Mikrostrukturdiagnostik sowie Probe für die Mikrostrukturdiagnostik |
JP7215147B2 (ja) * | 2018-03-14 | 2023-01-31 | 住友金属鉱山株式会社 | 透過電子顕微鏡観察用試料 |
JP7285883B2 (ja) * | 2021-06-04 | 2023-06-02 | 日本電子株式会社 | 試料加工装置および情報提供方法 |
JP7285884B2 (ja) * | 2021-06-04 | 2023-06-02 | 日本電子株式会社 | 試料加工装置および試料加工方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000021851A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Nec Corp | イオンミリング装置およびイオンミリングの終点検出方法 |
JP3263920B2 (ja) * | 1996-02-01 | 2002-03-11 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡用試料作成装置および方法 |
JP2004361138A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Sii Nanotechnology Inc | 曲がり自動認識機能を備えたtem試料加工用fib装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6064228A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-12 | Nec Corp | 透過型電子顕微鏡試料の作製方法及びその作製装置 |
JPH0773834A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-17 | Nippon Steel Corp | 透過電子顕微鏡用薄膜試料作製方法 |
JP3221797B2 (ja) * | 1994-06-14 | 2001-10-22 | 株式会社日立製作所 | 試料作成方法及びその装置 |
JP2004283802A (ja) | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Omron Healthcare Co Ltd | 液体霧化装置 |
JP2005069924A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平面tem試料作製装置および作製方法 |
-
2005
- 2005-04-21 JP JP2005123560A patent/JP4594156B2/ja active Active
-
2006
- 2006-04-21 EP EP06252156.2A patent/EP1732102B1/en active Active
- 2006-04-21 US US11/408,795 patent/US7531794B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3263920B2 (ja) * | 1996-02-01 | 2002-03-11 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡用試料作成装置および方法 |
JP2000021851A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Nec Corp | イオンミリング装置およびイオンミリングの終点検出方法 |
JP2004361138A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Sii Nanotechnology Inc | 曲がり自動認識機能を備えたtem試料加工用fib装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1732102A3 (en) | 2012-06-20 |
EP1732102B1 (en) | 2013-08-28 |
US7531794B2 (en) | 2009-05-12 |
US20060255295A1 (en) | 2006-11-16 |
EP1732102A2 (en) | 2006-12-13 |
JP2006300759A (ja) | 2006-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4594156B2 (ja) | 試料作製方法および試料作製装置 | |
JP4795883B2 (ja) | パターン検査・計測装置 | |
TWI550754B (zh) | A laser processing apparatus and a substrate having a pattern are provided | |
JP2005114578A (ja) | 試料作製方法および試料作製装置ならびに試料観察装置 | |
US7148479B2 (en) | Defect inspection apparatus, program, and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2006098189A (ja) | 試料作製方法および試料作製装置 | |
JP6851095B2 (ja) | ワイヤ形状検査装置およびワイヤ形状検査方法 | |
JP2006082129A (ja) | レーザ溶接品質評価方法および装置 | |
TW201511874A (zh) | 雷射加工裝置、及具有圖案之基板之加工條件設定方法 | |
JP6145133B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
TW201639653A (zh) | 蝕刻處理方法及斜角蝕刻裝置 | |
JP3579788B2 (ja) | 裏波溶接制御方法及びその装置 | |
JP3751841B2 (ja) | 電子線を用いた検査装置及び電子線を用いた検査方法 | |
JP2011082056A (ja) | 集束イオンビーム装置のナノエミッタ作製方法及びナノエミッタ作製手段を有する集束イオンビーム装置 | |
JP2009115677A (ja) | 試料作製方法及びシステム | |
JP3632501B2 (ja) | 結晶欠陥の検査方法及び検査装置 | |
JP2005216645A (ja) | 透過電子顕微鏡 | |
KR20060070003A (ko) | 반도체 기판의 결함 검출 방법 | |
JP3876129B2 (ja) | 透過型電子顕微鏡 | |
CN108977790B (zh) | 监视装置、监视方法和计算机可读存储介质 | |
KR20180095019A (ko) | 하전 입자선 장치 | |
JP5020908B2 (ja) | イオンビーム加工装置 | |
EP3091505B1 (en) | Image processor, electron microscope, and image processing method | |
JP2005175333A (ja) | 回路パターン検査方法とその装置 | |
JP7127087B2 (ja) | 透過電子顕微鏡および対物絞りの調整方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100601 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100914 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100916 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4594156 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |