JP4586154B2 - ガリウム砒素単結晶の製造装置 - Google Patents
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Description
3Si(GaAs Melt 中)+2B2O3=3SiO2(B2O3へ)+4B(GaAs Meltへ)
上記反応は単結晶育成開始時にはほぼ平衡状態に達し、単結晶育成中はノーマルフリージングによる偏析現象によるSiのGaAs融液への濃縮がおこっているものと考えられる。
これらの結果からSi濃度のより小さい第2の封止剤を併用して用いること、さらにこれらを攪拌することにより結晶中のキャリア濃度を制御することが可能である。
以下実施例により詳細に説明する。
2 気密シール
3 るつぼ収納容器(サセプタ)
4 るつぼ
5 種結晶
6 化合物半導体結晶
7 原料融液
8 封止剤
9 第2の封止剤
10 攪拌板
11 気密容器
12 上部ロッド
13 化合物原料GaAs
14 ドーパント
15 上部封止剤収納容器
16 断熱材
17 ヒーター
Claims (2)
- 液体封止剤を使用した縦型温度傾斜法または縦型ブリッジマン法によるSiドープガリウム砒素単結晶の製造装置であって、内面底部に種結晶収納部が形成され該種結晶の上にガリウム砒素原料、ドーパントSi、Si酸化物を含有させた封止剤を収納し上方が開放されたるつぼと、該るつぼの上方に配置され該封止剤よりも小さいSi濃度でSi酸化物を含有させた第2封止剤を収納し下部に開口と撹拌板を上部に上部ロッドを有して上下移動及び回転可能な上部封止剤収納容器と、を備えたSiドープガリウム砒素単結晶の製造装置。
- 前記るつぼを収納する容器が下部ロッドで保持され回転及び上下移動可能な容器である、請求項1記載のSiドープガリウム砒素単結晶の製造装置。
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