JP4583224B2 - 測定用配線基板、プローブカード及び評価装置 - Google Patents
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Description
なお、本発明の焼結体中には上記以外の金属酸化物結晶相が含有していても良い。その金属酸化物結晶相の例としては、SiO2、CaMgSi2O6、Sr2MgSi2O7、Ba2MgSi2O7、CaZrO3、ZnO、Zn2SiO4、Zn2Al4Si5O18、等が挙げられ、用途に合わせて選択できる。なお、上記金属酸化物結晶相はここに例示した金属酸化物に限定されるものではない。これにより、焼結体の焼結性や特性を微調整することが容易になる。
2・・・配線層
3・・・測定端子
4・・・接続端子
100・・・プローブカード
101・・・ステージ
102・・・半導体ウエハ
102a・・・半導体素子
103・・・測定用配線基板
104・・・外部回路基板
105・・・テスタ
106・・・昇降装置
Claims (9)
- 絶縁基板と、該絶縁基板の表面及び/又は内部に配設された配線層と、前記絶縁基板の表面に設けられ、半導体ウエハに形成された複数の半導体素子を測定するための測定端子を具備してなる配線基板からなり、前記絶縁基板が、金属成分としてSi、Al、Mg及びBを含み、結晶相としてコーディエライトを含む焼結体からなるとともに、該焼結体が、SiをSiO 2 換算で20〜53質量%、AlをAl 2 O 3 換算で20〜61質量%、MgをMgO換算で2〜24質量%、BをB 2 O 3 換算で2〜14質量%含有しており、前記絶縁基板の−40℃〜+400℃における平均熱膨脹係数が2×10−6/℃〜5×10−6/℃、且つ−40℃〜+400℃の全ての温度範囲において前記絶縁基板と前記半導体ウエハとの伸びの差が0.02%以下であることを特徴とする測定用配線基板。
- 前記焼結体が、さらにZnO、CaO、SrO、BaO及びZrO2のうち少なくとも一種を含み、その合計の含有量が15質量%以下であることを特徴とする請求項1記載の測定用配線基板。
- 前記焼結体が、結晶相として、さらにアルミナ、ガーナイト、ムライト、アノーサイト、スラウソナイト、セルジアン、ジルコニア、ジルコン酸カルシウムのうち少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の測定用配線基板。
- ヤング率が150GPa以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の測定用配線基板。
- 抗折強度が200MPa以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の測定用配線基板。
- 前記絶縁基板の比誘電率が7以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の測定用配線基板。
- 前記配線層が、銅、銀、金のいずれかを主成分として含有していることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の測定用配線基板。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の測定用配線基板と、該測定用配線基板の一方の表面に設けられた測定端子と、前記測定用配線基板の他の表面に設けられた接続端子と、を具備することを特徴とするプローブカード。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の測定用配線基板と、該測定用配線基板の一方の表面に設けられた外部回路基板と、該外部回路基板の表面に設けられた測定端子と、前記測定用配線基板の他の表面に設けられた接続端子とを具備することを特徴とする評価装置。
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