JP2012171817A - ムライト質焼結体およびこれを用いた多層配線基板ならびにプローブカード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ムライト質焼結体がムライトを主結晶相とし、チタン酸アルミニウムマグネシウムを含有してなるものであり、また、このムライト質焼結体を多層配線基板やプローブカードの絶縁層として適用する。
【選択図】 図1
Description
、該表面配線層に半導体素子の電気特性を測定するための測定端子が接続されてなることを特徴とする。
範囲で含有させることでムライト質焼結体の室温から300℃における熱膨張係数を3.7〜4.1×10−6/℃、誘電正接を300×10−4以下にすることが可能となる。
タン酸マンガンのみが存在することに起因する誘電正接の増加を抑制でき、これにより内部配線層12の電気信号の伝送特性を高めることができる。
の先端の位置をほぼ同じ高さに近づけることが可能となり、電気特性の検査の精度を高めることができる。
量」×100[%]を算出した。ここで、耐薬品性の判定は重量変化率が0.12質量%以下の場合を良品(○)とした。
11:絶縁基体
11a、11b、11c、11d:絶縁層
12:内部配線層
14:ビアホール導体
2:プローブカード
21:表面配線層
23:測定端子
Claims (5)
- ムライトを主結晶相とし、チタン酸アルミニウムマグネシウムを含有してなることを特徴とするムライト質焼結体。
- 前記チタン酸アルミニウムマグネシウムが、X線回折によるリートベルト解析から求められる組成で1.1〜1.5質量%含まれていることを特徴とする請求項1に記載のムライト質焼結体。
- X線回折測定によるリートベルト解析から求められる組成で、さらに、チタン酸マンガンを1.1〜1.5質量%含有することを特徴とする請求項1または2に記載のムライト質焼結体。
- 複数の絶縁層を積層してなる絶縁基体と、該絶縁基体の内部に形成された内部配線層とを備えている多層配線基板であって、前記絶縁層が請求項1乃至3のうちいずれかに記載のムライト質焼結体からなることを特徴とする多層配線基板。
- 請求項4に記載の多層配線基板の表面に表面配線層が設けられており、該表面配線層に半導体素子の電気特性を測定するための測定端子が接続されていることを特徴とするプローブカード。
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