JP4582711B2 - Vacuum processing apparatus and vacuum processing method - Google Patents

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Description

本発明は真空処理装置及び真空処理方法に関し、詳しくは、被処理物自体が処理室の壁の一部として機能した状態で被処理物に真空処理が行われる真空処理装置及び真空処理方法に関する。   The present invention relates to a vacuum processing apparatus and a vacuum processing method, and more particularly to a vacuum processing apparatus and a vacuum processing method in which vacuum processing is performed on an object to be processed while the object to be processed functions as a part of a wall of a processing chamber.

例えばディスク状記録媒体のような被処理物を１枚ずつ連続的に真空処理する装置として、特許文献１に開示されたものがある。この装置は、処理室の底に開口部が形成され、その開口部を閉塞するように被処理物がセットされて、被処理物において上記開口部から処理室内に臨む部分にスパッタ成膜等の真空処理が行われる。   For example, Patent Document 1 discloses an apparatus for continuously vacuuming workpieces such as disk-shaped recording media one by one. In this apparatus, an opening is formed at the bottom of the processing chamber, and the object to be processed is set so as to close the opening. Vacuum processing is performed.

このような構成の装置において、例えば被処理物の搬送ミスなどにより被処理物が上記開口部を閉塞する位置に正しくセットされなかった場合に、そのままスパッタ処理が行われると、開口部を介して処理室に連設する搬送室内に成膜物質が飛び散り、搬送室及びそこに設置された部品が汚染されてしまう。これを防ぐには、被処理物が上記開口部を閉塞する正しい処理位置にあるかどうかを検知する必要がある。   In the apparatus having such a configuration, if the workpiece is not set correctly at the position where the opening is closed due to, for example, a conveyance error of the workpiece, if the sputtering process is performed as it is, the opening is passed through the opening. The film forming material is scattered in the transfer chamber connected to the processing chamber, and the transfer chamber and the components installed therein are contaminated. In order to prevent this, it is necessary to detect whether or not the object to be processed is in a correct processing position for closing the opening.

例えば、特許文献２には、発光素子と受光素子とを備える光学的センサを用いて、被処理物が正しい処理位置にあるかどうかを検知することが開示されている。   For example, Patent Document 2 discloses that an object to be processed is detected at a correct processing position using an optical sensor including a light emitting element and a light receiving element.

しかし、光学的センサを用いた場合には、そのセンサの設置箇所によってはセンサにスパッタされた物質が付着してセンサの感度が変化したり、あるいは、被処理物に膜が形成されている場合と形成されていない場合とでセンサの感度が変化してしまい、被処理物の検出信頼性が低下する場合がある。また、被処理物の種類やサイズに応じてセンサの種類や設置箇所を適切に選定する必要があり、さらに搬送機構等の動作の妨げにならない箇所に設置しなければならない等の制約もあり、センサ設置に関しての様々な調整が面倒である。   However, when an optical sensor is used, depending on the location of the sensor, the sputtered material may adhere to the sensor and the sensitivity of the sensor may change, or a film may be formed on the workpiece The sensitivity of the sensor changes depending on whether it is not formed, and the detection reliability of the object to be processed may be reduced. In addition, it is necessary to appropriately select the type and installation location of the sensor according to the type and size of the object to be processed, and there are restrictions such as installation in a location that does not hinder the operation of the transport mechanism, etc. Various adjustments related to sensor installation are cumbersome.

また、被処理物に対して非接触の光学的センサを使う以外にも、被処理物に対して接触するマイクロスイッチ等のセンサを用いることも考えられるが、スパッタ成膜時の熱で被処理物が変形する場合があり、高い検出信頼性を得るのは難しい。さらに、熱影響等でセンサの使用寿命が短くなる問題もある。
特開２０００−６４０４２号公報 特開平１１−１４０６４３号公報 In addition to using a non-contact optical sensor for the object to be processed, it is possible to use a sensor such as a micro switch that contacts the object to be processed. Objects may be deformed, and it is difficult to obtain high detection reliability. Furthermore, there is a problem that the service life of the sensor is shortened due to thermal influences.
JP 2000-64042 A JP-A-11-140463

本発明は、被処理物が正しい処理位置にあるかどうかを高い信頼性でもって検知することのできる真空処理装置及び真空処理方法を提供する。   The present invention provides a vacuum processing apparatus and a vacuum processing method capable of detecting with high reliability whether an object to be processed is in a correct processing position.

本発明の一態様によれば、
被処理物によって閉塞可能な開口部を有する処理室と、
前記被処理物を、前記開口部を閉塞する位置と、前記開口部から離間された位置との間で移動させるアクチュエータと、
前記処理室内に放電を生じさせる電力を供給する電源と、
前記放電の電気特性に基づいて前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にあるかどうかを判定する制御装置と、
を備えたことを特徴とする真空処理装置が提供される。 According to one aspect of the invention,
A processing chamber having an opening that can be closed by an object;
An actuator that moves the object to be processed between a position that closes the opening and a position that is separated from the opening;
A power supply for supplying electric power for causing discharge in the processing chamber;
A control device for determining whether or not the object to be processed is in a position to close the opening based on the electrical characteristics of the discharge;
A vacuum processing apparatus is provided.

また、本発明の他の一態様によれば、
被処理物によって閉塞可能な開口部を有する処理室内に放電を生じさせて、前記被処理物の前記処理室内に臨む部分に前記放電下で処理を行う真空処理方法であって、
前記放電の電気特性に基づいて前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にあるかどうかを判定することを特徴とする真空処理方法が提供される。 According to another aspect of the present invention,
A vacuum processing method for generating a discharge in a processing chamber having an opening that can be closed by a workpiece, and performing processing under the discharge on a portion of the workpiece facing the processing chamber,
A vacuum processing method is provided, wherein it is determined whether or not the object to be processed is in a position to close the opening based on the electrical characteristics of the discharge.

本発明によれば、被処理物が正しい処理位置にない場合における不所望の処理を確実に防ぐことができ、装置の汚染や製造歩留まり低下を防げる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, when the to-be-processed object is not in the correct processing position, the undesired process can be prevented reliably, and the contamination of an apparatus and a manufacturing yield fall can be prevented.

以下、本発明を適用した具体的な実施形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, specific embodiments to which the present invention is applied will be described with reference to the drawings.

［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかる真空処理装置の構成を例示する模式断面図である。
すなわち、第１の実施形態は、本発明を例えば枚葉式マグネトロンスパッタ装置に適用した実施形態である。この第１の実施形態に係る真空処理装置１は、図１に示すように、主として、処理室２と、搬送室３と、被処理物１０を処理室２に移動させるアクチュエータ１６などを有する搬送機構と、処理室２内に放電を生じさせる電力を供給する電源５と、制御装置４と、ガス導入管７などを有するガス導入機構と、を備える。 [First Embodiment]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating the configuration of a vacuum processing apparatus according to the first embodiment of the invention.
That is, the first embodiment is an embodiment in which the present invention is applied to, for example, a single-wafer type magnetron sputtering apparatus. As shown in FIG. 1, the vacuum processing apparatus 1 according to the first embodiment mainly includes a processing chamber 2, a transport chamber 3, and a transport 16 having an actuator 16 that moves the workpiece 10 to the processing chamber 2. A mechanism, a power supply 5 for supplying electric power that causes discharge in the processing chamber 2, a control device 4, a gas introduction mechanism having a gas introduction pipe 7 and the like are provided.

処理室２は略円筒状の気密容器の内部に形成され、搬送室３は処理室２の内径よりも大きな略円筒状の気密容器の内部に形成される。処理室２は搬送室３の上部に偏心して配置されている。処理室２の底及びこの底の下側に位置する搬送室３の上壁には開口部１７が形成され、この開口部１７を通じて処理室２と搬送室３とは連通可能となっている。   The processing chamber 2 is formed inside a substantially cylindrical airtight container, and the transfer chamber 3 is formed inside a substantially cylindrical airtight container larger than the inner diameter of the processing chamber 2. The processing chamber 2 is arranged eccentrically on the upper part of the transfer chamber 3. An opening 17 is formed in the bottom of the processing chamber 2 and the upper wall of the transfer chamber 3 located below the bottom, and the processing chamber 2 and the transfer chamber 3 can communicate with each other through the opening 17.

処理室２の上壁内面には、成膜物質からなるディスク状のターゲット１８が図示しないバッキングプレート等を介して固定されている。ターゲット１８の中心部からはセンターマスク１９が下方に延在しており、その下端部は開口部１７に位置している。処理室２の上壁外面には磁石装置２０が設けられている。磁石装置２０は、モータ２１により、ターゲット１８の中心軸まわりに回転され、ターゲット１８のスパッタされる面に回転磁界を与えスパッタによるターゲット１８の侵食が面内で均一になるようにする。   A disc-shaped target 18 made of a film forming material is fixed to the inner surface of the upper wall of the processing chamber 2 via a backing plate or the like (not shown). A center mask 19 extends downward from the center of the target 18, and a lower end portion thereof is located in the opening 17. A magnet device 20 is provided on the outer surface of the upper wall of the processing chamber 2. The magnet device 20 is rotated around the central axis of the target 18 by the motor 21 and applies a rotating magnetic field to the surface of the target 18 to be sputtered so that the target 18 is eroded uniformly by sputtering.

搬送室３の中央には、底壁を貫通して垂直に延在する回転軸２３が設けられ、この回転軸２３の下端は、搬送室３の外部下面に固定されたモータ２４と連結されている。回転軸２３の上端には回転搬送部２５が固定されている。回転搬送部２５には複数の円形開口が形成され、各円形開口には、リング状のサセプタ２６が嵌合支持されている。   In the center of the transfer chamber 3, a rotating shaft 23 that extends vertically through the bottom wall is provided. The lower end of the rotating shaft 23 is connected to a motor 24 fixed to the outer lower surface of the transfer chamber 3. Yes. A rotary transport unit 25 is fixed to the upper end of the rotary shaft 23. A plurality of circular openings are formed in the rotary conveyance unit 25, and a ring-shaped susceptor 26 is fitted and supported in each circular opening.

搬送室３の底壁の下方には、回転軸２３を挟んで位置するアクチュエータ１６、２７が配設されている。各アクチュエータ１６、２７は、例えばエアシリンダ装置であり、それぞれ、搬送室３の底壁を貫通して搬送室３内で上下に往復運動するロッド１４、２８を備えている。一方のアクチュエータ１６は処理室２の下方に位置し、他方のアクチュエータ２７はロードロック用開口部２２の下方に位置している。ロードロック用開口部２２は、搬送室３の上壁において搬送室３の中心に対して処理室２の開口部１７の反対側の位置に形成されている。ロードロック用開口部２２は、搬送室３の外部に設置された外部搬送機構３６の水平アーム３７の両端に固定された真空蓋３８ａ、３８ｂの一方により気密に閉塞される。アクチュエータ１６、２７はエアシリンダ装置に限らず、油圧シリンダ装置、あるいはモータによってロッド１４、２８が上下動する構成であってもよい。   Below the bottom wall of the transfer chamber 3, actuators 16 and 27 are disposed with the rotation shaft 23 interposed therebetween. Each actuator 16 and 27 is, for example, an air cylinder device, and includes rods 14 and 28 that reciprocate up and down in the transfer chamber 3 through the bottom wall of the transfer chamber 3. One actuator 16 is located below the processing chamber 2, and the other actuator 27 is located below the load lock opening 22. The load lock opening 22 is formed at a position opposite to the opening 17 of the processing chamber 2 with respect to the center of the transfer chamber 3 on the upper wall of the transfer chamber 3. The load lock opening 22 is airtightly closed by one of the vacuum lids 38 a and 38 b fixed to both ends of the horizontal arm 37 of the external transfer mechanism 36 installed outside the transfer chamber 3. The actuators 16 and 27 are not limited to the air cylinder device, but may be configured such that the rods 14 and 28 move up and down by a hydraulic cylinder device or a motor.

電源５は例えば直流電源であり、電力供給線１５を介してターゲット１８に電力を供給する。処理室２の壁部にはガス導入口３３が形成され、このガス導入口３３に接続されたガス導入管７を介して、例えばアルゴン（Ａｒ）ガス等の放電ガスが処理室２内に導入される。なお、放電ガスとしては、アルゴン以外に、酸素、窒素などのガスを用いてもよい。処理室２内への放電ガスの導入量は、ガス導入管７の途中に設けられたバルブ８を介してマスフローコントローラ６で制御することにより調整される。   The power source 5 is a DC power source, for example, and supplies power to the target 18 via the power supply line 15. A gas inlet 33 is formed in the wall of the processing chamber 2, and a discharge gas such as argon (Ar) gas is introduced into the processing chamber 2 through a gas inlet tube 7 connected to the gas inlet 33. Is done. As the discharge gas, other than argon, a gas such as oxygen or nitrogen may be used. The amount of discharge gas introduced into the processing chamber 2 is adjusted by being controlled by the mass flow controller 6 via a valve 8 provided in the middle of the gas introduction tube 7.

制御装置４は、例えばマイクロプロセッサを含む回路装置であり、マスフローコントローラ６や電源５の動作を制御する。さらに、制御装置４は、処理室２内に生じた放電の電圧を監視しており、記憶装置９に予め格納された設定値を読み出して比較し、後述するように被処理物１０が処理位置に正しく配置されているかどうかの判定を行う。記憶装置９は、例えば半導体メモリ、ハードディスク装置等である。   The control device 4 is a circuit device including a microprocessor, for example, and controls operations of the mass flow controller 6 and the power supply 5. Further, the control device 4 monitors the voltage of the discharge generated in the processing chamber 2, reads and compares the set value stored in advance in the storage device 9, and the object 10 is processed at the processing position as will be described later. It is determined whether or not it is correctly placed in the. The storage device 9 is, for example, a semiconductor memory or a hard disk device.

次に、上記真空処理装置１を用いた真空処理について説明する。本実施形態では、例えば被処理物１０は光ディスクや光磁気ディスク等のディスク状記録媒体の樹脂製基板であり、この基板に記録層や反射膜等の各種成膜を行う。被処理物１０の直径は、例えば１２０［ｍｍ］である。   Next, the vacuum processing using the vacuum processing apparatus 1 will be described. In this embodiment, for example, the object to be processed 10 is a resin substrate of a disk-shaped recording medium such as an optical disk or a magneto-optical disk, and various films such as a recording layer and a reflective film are formed on the substrate. The diameter of the workpiece 10 is, for example, 120 [mm].

被処理物１０は、外部搬送機構３６により搬送室３内に搬入される。具体的には、水平アーム３７の真空蓋３８ａ、３８ｂの一方がその下面に被処理物１０を保持した状態でロードロック用開口部２２の上に移動され、そのロードロック用開口部２２を気密に閉塞する。このとき、搬送室３内部においてはアクチュエータ２７のロッド２８が上昇され、その先端部に取り付けられたプッシャ３５によりサセプタ２６（被処理物１０を載置していない）が持ち上げられてロードロック用開口部２２の下側縁部に密着されている。この状態で、例えば真空蓋３８ａに保持された被処理物１０はサセプタ２６上に移される。その後、ロッド２８は下降して、被処理物１０を載置したサセプタ２６は、回転搬送部２５に形成された円形開口に嵌合支持される。なお、搬送室３は、図示しない真空排気系により真空排気され減圧下にある。   The workpiece 10 is carried into the transfer chamber 3 by the external transfer mechanism 36. Specifically, one of the vacuum lids 38a and 38b of the horizontal arm 37 is moved onto the load lock opening 22 with the workpiece 10 held on its lower surface, and the load lock opening 22 is airtight. Obstructed. At this time, the rod 28 of the actuator 27 is raised inside the transfer chamber 3, and the susceptor 26 (where the workpiece 10 is not placed) is lifted by the pusher 35 attached to the tip of the actuator 27, thereby opening the load lock. It is closely attached to the lower edge of the portion 22. In this state, for example, the workpiece 10 held on the vacuum lid 38 a is moved onto the susceptor 26. Thereafter, the rod 28 is lowered, and the susceptor 26 on which the workpiece 10 is placed is fitted and supported in a circular opening formed in the rotary conveyance unit 25. The transfer chamber 3 is evacuated and decompressed by an unillustrated evacuation system.

次に、モータ２４により回転軸２３が回転され、これにより回転搬送部２５が水平面内で回転されて、ロードロック用開口部２２に対向する位置にあるサセプタ２６及びこれに支持された被処理物１０は、処理室２の開口部１７に対向する位置に移動される。   Next, the rotating shaft 23 is rotated by the motor 24, whereby the rotary conveyance unit 25 is rotated in a horizontal plane, and the susceptor 26 at a position facing the load lock opening 22 and the object to be processed supported thereby. 10 is moved to a position facing the opening 17 of the processing chamber 2.

そして、アクチュエータ１６のロッド１４が上昇され、プッシャ３４の上面に設けられた突起部３４ａが被処理物１０の円形の中央孔に嵌り込み、これにより被処理物１０はプッシャ３４上にセンタリングされた状態で略水平に支持されてサセプタ２６から持ち上げられる。そして、ロッド１４のさらなる上昇により、図２に表したように、突起部３４ａがセンターマスク１９の漏斗状の下端部に嵌合すると共に、被処理物１０の上側の外周面が、開口部１７に嵌合された外周マスク２９の下面に密着する。これにより、開口部１７は被処理物１０によって閉塞されて、処理室２が気密空間とされる。   Then, the rod 14 of the actuator 16 is raised, and the protrusion 34 a provided on the upper surface of the pusher 34 is fitted into the circular central hole of the workpiece 10, whereby the workpiece 10 is centered on the pusher 34. The susceptor 26 is lifted from the susceptor 26 while being supported substantially horizontally. As the rod 14 is further raised, as shown in FIG. 2, the protrusion 34 a is fitted to the funnel-shaped lower end of the center mask 19, and the upper outer peripheral surface of the workpiece 10 is opened to the opening 17. It closely adheres to the lower surface of the outer peripheral mask 29 fitted into the. Thereby, the opening part 17 is obstruct | occluded by the to-be-processed object 10, and the process chamber 2 is made into airtight space.

その状態では、図示しない真空排気系により、搬送室３及び排気通路４０を介して処理室２内は減圧される。なお、排気通路４０を介して減圧する代わりに、処理室２に真空排気系を付設して排気可能としてもよい。
処理室２内には、放電ガスとして例えばアルゴンガスがガス導入管７及びガス導入口３３を介して導入されている。ガス流量は、例えば２０〜４０［ｓｃｃｍ］である。開口部１７が被処理物１０により閉塞された後、処理室２内の圧力が所望の圧力（例えば、０．５〜１［Ｐａ］）に安定したところで、電源５をオンさせ、ターゲット１８に電力を供給する。この電力の供給により、ターゲット１８をカソード、処理室２の壁部をアノードとする放電が生じ、アルゴンガスが電離して処理室２内にプラズマが生起され、加速されたアルゴンイオンによってターゲット１８がスパッタされる。ターゲット１８の材質は、例えばＡｇ、Ａｌなどである。また、ターゲット１８の直径は、例えば１８０〜２００［ｍｍ］である。 In this state, the inside of the processing chamber 2 is depressurized via the transfer chamber 3 and the exhaust passage 40 by a vacuum exhaust system (not shown). Instead of reducing the pressure via the exhaust passage 40, the processing chamber 2 may be provided with a vacuum exhaust system so that the exhaust can be performed.
For example, argon gas is introduced into the processing chamber 2 as a discharge gas through the gas introduction tube 7 and the gas introduction port 33. The gas flow rate is, for example, 20 to 40 [sccm]. After the opening 17 is closed by the workpiece 10, when the pressure in the processing chamber 2 is stabilized at a desired pressure (for example, 0.5 to 1 [Pa]), the power supply 5 is turned on and the target 18 is turned on. Supply power. This power supply causes a discharge with the target 18 as a cathode and the wall of the processing chamber 2 as an anode, and the argon gas is ionized to generate plasma in the processing chamber 2. Sputtered. The material of the target 18 is, for example, Ag or Al. Moreover, the diameter of the target 18 is 180-200 [mm], for example.

スパッタされたターゲット１８の構成原子は、処理室２側に向けられた被処理物１０の一方の面において、センターマスク１９及び外周マスク２９によって覆われていない部分に付着堆積され、被処理物１０にターゲット材料の膜が形成される。   The constituent atoms of the sputtered target 18 are deposited and deposited on a part of the surface of the workpiece 10 facing the processing chamber 2 that is not covered by the center mask 19 and the outer peripheral mask 29. A film of the target material is formed.

以上説明した成膜処理が終了すると、ロッド１４が下降され、被処理物１０はサセプタ２６上に戻される。次いで、回転搬送部２５が回転され、処理を終えた被処理物１０はロードロック用開口部２２に対向する位置にサセプタ２６ごと回転移動される。そして、ロッド２８が上昇され、プッシャ３５によりサセプタ２６は被処理物１０を載置した状態で持ち上げられてロードロック用開口部２２の下側縁部に密着され、被処理物１０は水平アーム３７の真空蓋３８ａ、３８ｂの一方の下面に移される。水平アーム３７は真空蓋３８ａ、３８ｂの一方の下面に処理済みの被処理物１０を保持し、他方の下面に処理前の被処理物１０を保持した状態で水平面内で回転され、これにより、処理済みの被処理物１０が搬送室３の外部に搬出されると共に、処理前の被処理物１０がロードロック用開口部２２に臨む位置に移動される。ロードロック用開口部２２に臨む位置に移動された処理前の被処理物１０に対しては上述と同様の動作及び処理が行われる。以上のことが繰り返され、被処理物１０は１枚ずつ次々と成膜処理される。   When the film forming process described above is completed, the rod 14 is lowered and the workpiece 10 is returned to the susceptor 26. Next, the rotary conveyance unit 25 is rotated, and the object 10 to be processed is rotated and moved together with the susceptor 26 to a position facing the load lock opening 22. Then, the rod 28 is raised, and the susceptor 26 is lifted by the pusher 35 with the object to be processed 10 placed thereon, and is brought into close contact with the lower edge of the load lock opening 22. Are moved to one lower surface of the vacuum lids 38a, 38b. The horizontal arm 37 holds the processed object 10 on one lower surface of the vacuum lids 38a and 38b, and is rotated in a horizontal plane with the processed object 10 before processing held on the other lower surface. The processed object to be processed 10 is carried out of the transfer chamber 3 and moved to a position where the object to be processed 10 before processing faces the load lock opening 22. Operations and processing similar to those described above are performed on the workpiece 10 before processing that has been moved to the position facing the load lock opening 22. The above is repeated, and the objects to be processed 10 are subjected to film formation one after another.

上述したスパッタ成膜処理中において、被処理物１０によって処理室２の開口部１７が閉塞されている場合（図２）には正常放電（グロー放電）が生ずる。
図６は、正常放電が生ずる場合の放電電圧のタイムチャートの一例を表す。同図において、縦軸は放電電圧を、横軸は時間を示す。図６には、続けて行われる例えば４回分のスパッタ処理における放電電圧を例示した。図１に示す電源５からは定電力（例えば、３〜６［ｋＷ］）が供給され、各回の処理を通じて放電電圧は例えば６５０Ｖと一定である。なお、ここでの放電電圧は、負電圧であり、本願明細書においては、便宜上、電圧の極性は省略してその絶対値に基づいて説明する。 During the sputtering film forming process described above, when the opening 17 of the processing chamber 2 is blocked by the workpiece 10 (FIG. 2), normal discharge (glow discharge) occurs.
FIG. 6 shows an example of a time chart of the discharge voltage when normal discharge occurs. In the figure, the vertical axis represents the discharge voltage, and the horizontal axis represents time. FIG. 6 illustrates the discharge voltage in, for example, four sputtering processes that are performed subsequently. A constant power (for example, 3 to 6 [kW]) is supplied from the power source 5 shown in FIG. 1, and the discharge voltage is constant at, for example, 650 V through each process. Note that the discharge voltage here is a negative voltage, and in the present specification, for the sake of convenience, the polarity of the voltage is omitted and the description is based on the absolute value.

これに対して、搬送室３内やロードロック部における被処理物１０の搬送中に被処理物１０が落下する等の搬送ミスが起きることがある。
図３は、搬送ミスなどが生じた場合の処理室２の状態を例示する模式図である。
すなわち、プッシャ３４に被処理物１０が支持されない状態でロッド１４が上昇してプッシャ３４がセンターマスク１９に嵌合してしまうと、図３に示すように処理室２の開口部１７は被処理物１０によって閉塞されない。 On the other hand, a conveyance error such as the workpiece 10 falling during the conveyance of the workpiece 10 in the conveyance chamber 3 or the load lock unit may occur.
FIG. 3 is a schematic view illustrating the state of the processing chamber 2 when a conveyance error or the like occurs.
That is, when the rod 14 is raised in a state where the workpiece 10 is not supported by the pusher 34 and the pusher 34 is fitted into the center mask 19, the opening 17 of the processing chamber 2 is treated as shown in FIG. It is not blocked by the object 10.

この状態では、処理室２内の放電ガスが開口部１７を通じて搬送室３に漏れ出すことになり、処理室２内のガス圧力は正常処理（図２に例示したように、被処理物１０によって開口部１７が閉塞された状態でのスパッタ処理）時より低下する。放電空間のガス圧力によって放電中のインピーダンスは変化することから、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にない場合の放電電圧は、正常処理時から変化する。したがって、放電電圧を監視すれば、被処理物１０が処理室２の開口部１７を閉塞する位置にあるかどうかがわかる。   In this state, the discharge gas in the processing chamber 2 leaks into the transfer chamber 3 through the opening 17, and the gas pressure in the processing chamber 2 is normal processing (as illustrated in FIG. 2, depending on the workpiece 10. It is lower than that during the sputtering process in the state where the opening 17 is closed. Since the impedance during discharge changes depending on the gas pressure in the discharge space, the discharge voltage when the object to be processed 10 is not in a position to close the opening 17 changes from the time of normal processing. Therefore, if the discharge voltage is monitored, it can be determined whether or not the workpiece 10 is in a position to close the opening 17 of the processing chamber 2.

図４は、放電電圧に異常が生じる場合を例示するタイムチャートである。
同図に示すように、例えば３回目のスパッタ処理の際に、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にセットされなかったとすると、処理室２の圧力は所定値よりも低くなり、このときの放電電圧は例えば８００Ｖとなる。これは、被処理物１０が開口部１７を閉塞した状態での正常処理のときの放電電圧６５０Ｖより大きく、このことから、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にあるかどうかを判定できる。 FIG. 4 is a time chart illustrating a case where an abnormality occurs in the discharge voltage.
As shown in the figure, for example, when the workpiece 10 is not set at the position where the opening 17 is closed during the third sputtering process, the pressure in the processing chamber 2 becomes lower than a predetermined value. For example, the discharge voltage is 800V. This is larger than the discharge voltage 650 V in the normal process in the state where the object 10 closes the opening 17, and from this, it is determined whether or not the object 10 is in a position where the opening 17 is blocked. it can.

具体的には、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にある場合の正常処理時の放電電圧（例えば６５０Ｖ）を設定値として、予め図１に示す記憶装置９に格納しておく。そして、制御装置４は、各スパッタ処理ごとに放電電圧を例えば電力供給線１５より検出して、その検出した放電電圧を、記憶装置９から読み出した設定値と比較し、例えば検出された放電電圧が８００Ｖであったら、今、被処理物１０は開口部１７を閉塞しておらず、正しい処理位置にないと判定する。
あるいは、正常な状態で放電中の放電電圧等の電気特性値をサンプルホールドし、そのホールド値を基準に被処理物１０の有無を判定してもよい。 Specifically, the discharge voltage (for example, 650 V) at the time of normal processing when the workpiece 10 is at the position where the opening 17 is closed is stored in advance in the storage device 9 shown in FIG. Then, the control device 4 detects the discharge voltage for each sputtering process, for example, from the power supply line 15, compares the detected discharge voltage with the set value read from the storage device 9, for example, the detected discharge voltage Is 800 V, it is determined that the workpiece 10 does not close the opening 17 and is not at the correct processing position.
Alternatively, an electrical characteristic value such as a discharge voltage during discharge in a normal state may be sampled and held, and the presence or absence of the workpiece 10 may be determined based on the hold value.

なお、放電電圧の検出は、電力が印加される電極としても機能するターゲット１８から検出してもよい。その他、放電電圧を検出できる箇所であれば電力供給線１５に限ることはない。   The discharge voltage may be detected from the target 18 that also functions as an electrode to which power is applied. In addition, the power supply line 15 is not limited as long as the discharge voltage can be detected.

以上のように本実施形態によれば、定電力下における放電電圧の変化が処理室２内の圧力と関連することを利用して、被処理物１０が正しい処理位置にあるかどうかを判定しており、別途光学的センサや接触式センサを設ける必要がない。この結果、部品点数の増大を抑え、さらにそれらセンサの設置に際しての調整が不要となり手間のかかる工数の増加も抑えることができる。また、センサ感度の変化によって被処理物１０の有無を誤って判定してしまうことがなく信頼性が高い。よって、誤って装置を一時的に停止させてしまうことも防げる。以上のことからコスト低減及び生産性向上が図れる。   As described above, according to the present embodiment, it is determined whether the workpiece 10 is in the correct processing position by utilizing the fact that the change in the discharge voltage under constant power is related to the pressure in the processing chamber 2. There is no need to provide a separate optical sensor or contact sensor. As a result, an increase in the number of parts can be suppressed, and further, adjustment for installation of these sensors is not required, and an increase in labor required can be suppressed. Moreover, the presence or absence of the workpiece 10 is not erroneously determined due to a change in sensor sensitivity, and the reliability is high. Therefore, it is possible to prevent the apparatus from being temporarily stopped by mistake. From the above, cost reduction and productivity improvement can be achieved.

なお、例えばピラニ真空計などにより処理室２内の圧力変化を直接検出することも考えられるが、被処理物１０が開口部１７を閉塞する場合と閉塞しない場合とでは処理室２内の圧力変化は比較的小さく、信頼性ある精度良い判定は難しい。   Note that it is conceivable that the pressure change in the processing chamber 2 is directly detected by, for example, a Pirani vacuum gauge, but the pressure change in the processing chamber 2 depends on whether the workpiece 10 closes the opening 17 or not. Is relatively small and reliable and accurate determination is difficult.

また、被処理物１０によって開口部１７が閉塞されている状態において、処理室２内の部品損傷や、被処理物１０の品質不良などの原因となる異常放電（アーク放電）が生じた場合には、図７に示すように、そのときの放電電圧は正常処理時の６５０Ｖよりも大幅に低下する。被処理物１０が開口部１７を閉塞しない場合の放電電圧は上述したように例えば８００Ｖであり、これは正常処理時の放電電圧（例えば６５０Ｖ）より大きく、したがって被処理物１０が開口部１７を閉塞しない場合の放電電圧は、異常放電（アーク放電）の放電電圧より大きいことになり、その異常放電とはっきり区別できる。すなわち、異常放電との混同の心配がない。なお、処理室２内に放電が生じていない場合には、ターゲット１８への印加電圧は例えば１３５０Ｖとなる。   In the state where the opening 17 is closed by the object to be processed 10, when abnormal discharge (arc discharge) that causes damage to parts in the processing chamber 2 or defective quality of the object to be processed 10 occurs. As shown in FIG. 7, the discharge voltage at that time is significantly lower than 650 V during normal processing. As described above, the discharge voltage when the workpiece 10 does not close the opening 17 is, for example, 800 V, which is larger than the discharge voltage during normal processing (for example, 650 V). The discharge voltage when it is not blocked is larger than the discharge voltage of abnormal discharge (arc discharge), and can be clearly distinguished from the abnormal discharge. That is, there is no worry of confusion with abnormal discharge. When no discharge is generated in the processing chamber 2, the voltage applied to the target 18 is 1350V, for example.

［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。なお、上記第１の実施形態と同じ構成部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。 [Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same component as the said 1st Embodiment, and the detailed description is abbreviate | omitted.

本実施形態では、図１に例示したような真空処理装置において、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にないと判定されると、放電のみを停止させ、その他一連の動作は、次に搬送されてくる被処理物１０に対するスパッタ処理に備えて継続させる。
図５は、本実施形態における処理シーケンスを例示するタイムチャートである。
例えば、３回目に８００Ｖの放電電圧が検出されて、「被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にない」と制御装置４が判定すると、この制御装置４からの制御信号に基づいて直ちに電源５からの電力供給が停止される。被処理物１０が開口部１７を閉塞している正常処理時には、１回（１枚の）のスパッタ処理あたり、６５０Ｖの放電電圧が例えば１．２秒間持続されるのに対して、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にないと判定された場合には、放電開始からの８００Ｖの放電電圧の持続時間は例えば０．１秒である。 In this embodiment, in the vacuum processing apparatus as illustrated in FIG. 1, when it is determined that the workpiece 10 is not in a position to close the opening 17, only the discharge is stopped, and the other series of operations are as follows. In preparation for the sputtering process on the object 10 to be processed.
FIG. 5 is a time chart illustrating a processing sequence in the present embodiment.
For example, when a discharge voltage of 800 V is detected for the third time and the control device 4 determines that “the object to be processed 10 is not in a position to close the opening portion 17”, it is immediately based on the control signal from the control device 4. The power supply from the power source 5 is stopped. During normal processing in which the object to be processed 10 closes the opening 17, a discharge voltage of 650 V is maintained for, for example, 1.2 seconds per one (one) sputtering process, whereas the object to be processed When it is determined that 10 is not in a position to close the opening 17, the duration of the 800 V discharge voltage from the start of discharge is, for example, 0.1 seconds.

このように、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にないと判定された場合には直ちに放電を停止させるので、搬送室３内の汚染を最小限にとどめることができ、この結果装置メンテナンスの周期を長くでき、装置稼働率を向上できる。よって、生産性を高めることができる。   In this way, when it is determined that the object to be processed 10 is not in a position to close the opening 17, the discharge is immediately stopped, so that the contamination in the transfer chamber 3 can be kept to a minimum. The maintenance cycle can be lengthened and the device operation rate can be improved. Therefore, productivity can be improved.

また、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にないと判定されても、放電以外のその他一連の処理、例えば処理室２内に導入される放電ガスの導入量制御は停止せずに継続させるものとすれば、次の処理（図５の例では４回目）のときに、単に電源５をオンする操作のみでそのまますぐにスパッタ成膜処理を行える。すなわち、処理室２内が所望のガス雰囲気に安定するのを必要以上に待たずに、図５の例では、先の放電開始時と次の放電開始時との間の時間間隔を一定（例えば２秒）に維持した状態で、次々と処理を行っていくことができる。これによって、全体の処理時間が長引くのを防いで、生産性を高めることができる。   Moreover, even if it determines with the to-be-processed object 10 not being in the position which obstruct | occludes the opening part 17, it does not stop other series of processes other than discharge, for example, control of the introduction amount of the discharge gas introduced in the process chamber 2 If it is to be continued, in the next process (fourth time in the example of FIG. 5), the sputter deposition process can be performed immediately by simply turning on the power supply 5. That is, without waiting for the inside of the processing chamber 2 to stabilize to a desired gas atmosphere more than necessary, in the example of FIG. 5, the time interval between the start of the previous discharge and the start of the next discharge is constant (for example, The processing can be performed one after another in a state maintained at 2 seconds). As a result, the overall processing time can be prevented from being prolonged, and the productivity can be increased.

電源５より供給される電力は直流に限らず交流であってもよい。交流の場合には放電電圧のピーク値によって被処理物１０の有無を判定できる。また、放電電圧に限らず、放電電流、放電インピーダンス、放電出力などの他の電気特性に基づいて被処理物１０の有無を判定してもよい。   The electric power supplied from the power source 5 is not limited to direct current but may be alternating current. In the case of alternating current, the presence or absence of the workpiece 10 can be determined from the peak value of the discharge voltage. Moreover, you may determine the presence or absence of the to-be-processed object 10 based not only on a discharge voltage but on other electrical characteristics, such as discharge current, discharge impedance, and discharge output.

表１は、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置に有る場合と、無い場合とにおける、放電電圧、放電電流、放電インピーダンス、放電出力の各値の一例を表す。   Table 1 shows an example of each value of the discharge voltage, the discharge current, the discharge impedance, and the discharge output when the workpiece 10 is in a position where the opening 17 is closed and when it is not.

Figure 0004582711
Figure 0004582711

表１のデータを得たときの各種条件は以下の通りである。ターゲット１８の材質はＡｇであり、直径は１５０［ｍｍ］、厚さは３０［ｍｍ］。放電ガスはアルゴンを用いた。放電ガス流量は５０［ｓｃｃｍ］に設定した。放電時の処理室２内圧力（被処理物１０による開口部１７閉塞時に到達する圧力）は１１．４［Ｐａ］に設定した。電源５の設定電力（直流定電力）は、１ｋＷ、３ｋＷ、５ｋＷの３通りを設定した。   Various conditions when obtaining the data of Table 1 are as follows. The material of the target 18 is Ag, the diameter is 150 [mm], and the thickness is 30 [mm]. Argon was used as the discharge gas. The discharge gas flow rate was set to 50 [sccm]. The pressure in the processing chamber 2 during discharge (pressure reached when the opening 17 is closed by the workpiece 10) was set to 11.4 [Pa]. The set power (DC constant power) of the power supply 5 was set to 1 kW, 3 kW, and 5 kW.

表１中、「Δ｜ａ−ｂ｜」は、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にある場合の放電電圧ａと、無い場合の放電電圧ｂとの差（絶対値）を表す。同様に、「Δ｜ｃ−ｄ｜」は、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にある場合の放電電流ｃと、無い場合の放電電流ｄとの差（絶対値）を表し、「Δ｜ｅ−ｆ｜」は、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にある場合の放電インピーダンスｅと、無い場合の放電インピーダンスｆとの差（絶対値）を表し、「Δ｜ｇ−ｈ｜」は、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にある場合の放電出力ｇと、無い場合の放電出力ｈとの差（絶対値）を表す。   In Table 1, “Δ | a−b |” represents a difference (absolute value) between the discharge voltage “a” when the workpiece 10 is at a position closing the opening 17 and the discharge voltage “b” when the workpiece 10 is not present. . Similarly, “Δ | c−d |” represents a difference (absolute value) between the discharge current c when the object to be processed 10 is at a position closing the opening 17 and the discharge current d when the object 10 is not present, “Δ | e−f |” represents a difference (absolute value) between the discharge impedance “e” when the workpiece 10 is in a position to close the opening 17 and the discharge impedance “f” when the workpiece 10 is not present. “g−h |” represents the difference (absolute value) between the discharge output g when the object to be processed 10 is at a position closing the opening 17 and the discharge output h when there is no object to be processed.

放電電圧の「変化率」は、「Δ｜ａ−ｂ｜」／ａを表す。同様に、放電電流の「変化率」は、「Δ｜ｃ−ｄ｜」／ｃを表し、放電インピーダンスの「変化率」は、「Δ｜ｅ−ｆ｜」／ｅを表し、放電出力の「変化率」は、「Δ｜ｇ−ｈ｜」／ｇを表す。   The “change rate” of the discharge voltage represents “Δ | a−b |” / a. Similarly, the “change rate” of the discharge current represents “Δ | cd −” / c, the “change rate” of the discharge impedance represents “Δ | e−f |” / e, and “Change rate” represents “Δ | g−h |” / g.

上記条件にて放電が行われた１秒の間、放電電圧ａ、ｂ、放電電流ｃ、ｄをそれぞれ１０個測定し、これらに基づいて放電インピーダンスｅ、ｆ、放電出力ｇ、ｈをそれぞれ１０個求めた。表１中に示される各数値は１０個の値の平均値である。   10 discharge voltages a and b and 10 discharge currents c and d are measured for 1 second when the discharge is performed under the above-mentioned conditions, and discharge impedances e and f and discharge outputs g and h are respectively 10 based on these. I asked for one. Each numerical value shown in Table 1 is an average value of 10 values.

図８〜１０は、表１のデータをグラフに表したものである。
図８において、横軸は設定電力を、縦軸は放電電圧を表す。
図９において、横軸は設定電力を、縦軸は放電電流を表す。
図１０において、横軸は設定電力を、縦軸は放電インピーダンスを表す。
各図において、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にある場合のデータは「菱形のポイント」で表され、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にない場合のデータは、「四角いポイント」で表される。 8 to 10 show the data of Table 1 in a graph.
In FIG. 8, the horizontal axis represents the set power and the vertical axis represents the discharge voltage.
In FIG. 9, the horizontal axis represents the set power and the vertical axis represents the discharge current.
In FIG. 10, the horizontal axis represents the set power, and the vertical axis represents the discharge impedance.
In each figure, data when the object to be processed 10 is at a position closing the opening 17 is represented by “diamond point”, and data when the object to be processed 10 is not at a position closing the opening 17 is It is represented by “square point”.

表１、図８〜１０から明らかなように、正常時（被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置に有る時）の各パラメータ（放電電圧ａ、放電電流ｃ、放電インピーダンスｅ）を基準にして、この基準からの各パラメータの変化に基づいて、被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置に無いことを判定できる。   As is clear from Table 1 and FIGS. 8 to 10, the parameters (discharge voltage a, discharge current c, discharge impedance e) at the normal time (when the workpiece 10 is in a position closing the opening 17) are used as a reference. Thus, based on the change of each parameter from this reference, it can be determined that the workpiece 10 is not in a position to close the opening 17.

放電電圧の場合、例えば、「Δ｜ａ−ｂ｜」が８０［Ｖ］以上であること、または「変化率」が２０［％］以上であることから被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にないと判定できる。放電電流の場合には、例えば、「Δ｜ｃ−ｄ｜」が０．５［Ａ］以上であること、または「変化率」が２０［％］以上であることから被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にないと判定できる。放電インピーダンスの場合には、例えば、「Δ｜ｅ−ｆ｜」が６０［Ω］以上であること、または「変化率」が５０［％］以上であることから被処理物１０が開口部１７を閉塞する位置にないと判定できる。   In the case of the discharge voltage, for example, “Δ | a−b |” is 80 [V] or more, or “change rate” is 20 [%] or more, so that the workpiece 10 closes the opening 17. It can be determined that there is no position to do. In the case of a discharge current, for example, since “Δ | c−d |” is 0.5 [A] or more, or “change rate” is 20 [%] or more, the workpiece 10 is opened. It can be determined that the part 17 is not in a position to close the part 17. In the case of the discharge impedance, for example, since “Δ | e−f |” is 60 [Ω] or more, or “change rate” is 50 [%] or more, the object to be processed 10 has the opening 17. Can be determined not to be in the position to close.

また、上述した例では定電力型電源を用いたため、放電出力は被処理物の有無に関係なくほぼ一定となり、被処理物の有無によってほとんど変化しない。しかし、ターゲットの材質によっては定電流型電源を使用する場合があり、この場合には被処理物の有無によって放電出力は、はっきりと違いがわかる程度の変化をするので、放電出力も被処理物の有無判定のパラメータとして用いることが可能である。   In the above-described example, since the constant power type power supply is used, the discharge output is almost constant regardless of the presence or absence of the object to be processed, and hardly changes depending on the presence or absence of the object to be processed. However, depending on the material of the target, a constant current type power supply may be used. In this case, the discharge output varies depending on the presence or absence of the object to be processed. It can be used as a parameter for the presence / absence determination.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention.

本発明は、放電ガス以外にも反応性ガスを用いた反応性スパッタにも適用可能である。また、スパッタ成膜に限らず、スパッタエッチングを行うものにも適用可能である。その他、放電を伴う処理、例えばラジカルによる反応性エッチング、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、表面改質などの処理を行うものにも適用可能である。   The present invention is applicable to reactive sputtering using a reactive gas in addition to the discharge gas. Further, the present invention is not limited to the sputter film formation but can be applied to a film that performs sputter etching. In addition, the present invention can also be applied to processes involving discharge, such as reactive etching using radicals, plasma CVD (Chemical Vapor Deposition), and surface modification.

被処理物１０は、ディスク状記録媒体用の樹脂製基板に限らず、例えば、半導体ウェーハ、液晶用ガラス基板等であってもよい。   The workpiece 10 is not limited to a resin substrate for a disk-shaped recording medium, and may be, for example, a semiconductor wafer, a glass substrate for liquid crystal, or the like.

また、上記実施形態では、開口部１７は被処理物１０のみによって閉塞されるとしたが、被処理物１０を支持するトレイやサセプタによっても開口部１７の一部が閉塞される構成であってもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the opening part 17 was obstruct | occluded only by the to-be-processed object 10, it is the structure by which a part of opening part 17 is obstruct | occluded also by the tray and susceptor which support the to-be-processed object 10. Also good.

本発明の一実施形態に係る真空処理装置の概略図である。It is the schematic of the vacuum processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図１に示す装置の要部拡大図であり、被処理物によって処理室の開口部が閉塞された状態を示す。It is a principal part enlarged view of the apparatus shown in FIG. 1, and shows the state by which the opening part of the process chamber was obstruct | occluded with the to-be-processed object. 図２において被処理物が支持されない状態でロッドが処理室に向けて上昇してしまい処理室の開口部が被処理物で閉塞されない状態を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a state where the rod is lifted toward the processing chamber in a state where the workpiece is not supported in FIG. 2 and the opening of the processing chamber is not blocked by the workpiece. 正常放電時に、被処理物が処理室の開口部を閉塞する位置にある場合とない場合とにおける放電電圧の違いを示すタイムチャートである。It is a time chart which shows the difference in the discharge voltage in the case where the to-be-processed object exists in the position which obstruct | occludes the opening part of a process chamber at the time of normal discharge. 被処理物が処理室の開口部を閉塞する位置にないことが検出された場合に直ちに放電を停止させる実施形態を示す放電電圧のタイムチャートである。It is a time chart of the discharge voltage which shows embodiment which stops a discharge immediately when it detects that a to-be-processed object is not in the position which obstruct | occludes the opening part of a process chamber. 正常放電時に、被処理物が処理室の開口部を閉塞する位置にある場合の放電電圧のタイムチャートである。It is a time chart of the discharge voltage when a to-be-processed object exists in the position which obstruct | occludes the opening part of a process chamber at the time of normal discharge. アーク放電が生じた場合の放電電圧のタイムチャートである。It is a time chart of the discharge voltage when arc discharge arises. 被処理物が処理室の開口部を閉塞する位置に有る場合と無い場合のそれぞれにおいて、電源の設定電力と放電電圧との関係の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the relationship between the setting electric power of a power supply, and a discharge voltage in each when the to-be-processed object exists in the position which obstruct | occludes the opening part of a process chamber, and when it does not exist. 被処理物が処理室の開口部を閉塞する位置に有る場合と無い場合のそれぞれにおいて、電源の設定電力と放電電流との関係の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the relationship between the setting electric power of a power supply, and a discharge current in each of the case where a to-be-processed object exists in the position which obstruct | occludes the opening part of a process chamber, and when it does not exist. 被処理物が処理室の開口部を閉塞する位置に有る場合と無い場合のそれぞれにおいて、電源の設定電力と放電インピーダンスとの関係の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the relationship between the setting electric power of a power supply, and discharge impedance in each of the case where a to-be-processed object exists in the position which obstruct | occludes the opening part of a process chamber, and when it does not exist.

符号の説明Explanation of symbols

１ 真空処理装置
２ 処理室
３ 搬送室
４ 制御装置
５ 電源
６ マスフローコントローラ
７ 放電ガス導入管
９ 記憶装置
１０ 被処理物
１５ 電力供給線
１６ アクチュエータ
１７ 処理室の開口部
１８ ターゲット
１９ センターマスク
２９ 外周マスク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum processing apparatus 2 Processing chamber 3 Transfer chamber 4 Control apparatus 5 Power supply 6 Mass flow controller 7 Discharge gas introduction pipe 9 Memory | storage device 10 To-be-processed object 15 Electric power supply line 16 Actuator 17 Opening part of a processing chamber 18 Target 19 Center mask 29 Perimeter mask

Claims (5)

被処理物によって閉塞可能な開口部を有する処理室と、
前記被処理物を、前記開口部を閉塞する位置と、前記開口部から離間された位置との間で移動させるアクチュエータと、
前記処理室内に放電を生じさせる電力を供給する電源と、
前記放電の電気特性に基づいて前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にあるかどうかを判定する制御装置と、
を備えたことを特徴とする真空処理装置。 A processing chamber having an opening that can be closed by an object;
An actuator that moves the object to be processed between a position that closes the opening and a position that is separated from the opening;
A power supply for supplying electric power for causing discharge in the processing chamber;
A control device for determining whether or not the object to be processed is in a position to close the opening based on the electrical characteristics of the discharge;
A vacuum processing apparatus comprising: 前記制御装置は、放電電圧を監視し、この放電電圧が、前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にある状態の放電電圧よりも大きい場合に、前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にないと判定することを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。   The control device monitors a discharge voltage, and when the discharge voltage is higher than a discharge voltage in a state where the object to be processed is in a position to close the opening, the object to be processed closes the opening. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the vacuum processing apparatus is determined not to be in a position to be used. 前記制御装置は、前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にないと判定した時には、前記放電を生じさせる電力の前記電源からの供給を停止させることを特徴とする請求項１または２に記載の真空処理装置。   3. The control device according to claim 1, wherein when the object to be processed is determined not to be in a position to close the opening, the control device stops the supply of the electric power causing the discharge from the power source. The vacuum processing apparatus as described. 被処理物によって閉塞可能な開口部を有する処理室内に放電を生じさせて、前記被処理物の前記処理室内に臨む部分に前記放電下で処理を行う真空処理方法であって、
前記放電の電気特性に基づいて前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にあるかどうかを判定することを特徴とする真空処理方法。 A vacuum processing method for generating a discharge in a processing chamber having an opening that can be closed by a workpiece, and performing processing under the discharge on a portion of the workpiece facing the processing chamber,
A vacuum processing method characterized by determining whether or not the object to be processed is in a position to close the opening based on the electrical characteristics of the discharge. 前記被処理物が前記開口部を閉塞する位置にないと判定すると、前記放電を停止させることを特徴とする請求項４記載の真空処理方法。


The vacuum processing method according to claim 4, wherein the discharge is stopped when it is determined that the object to be processed is not in a position to close the opening.


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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP5611027B2 (en) * 2010-12-24 2014-10-22 小島プレス工業株式会社 Resin product manufacturing system
JP5898523B2 (en) * 2012-02-20 2016-04-06 スタンレー電気株式会社 Vacuum processing apparatus and method for manufacturing article using vacuum processing apparatus
JP7320829B2 (en) 2019-05-30 2023-08-04 株式会社呉竹 pen

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05230652A (en) * 1991-01-30 1993-09-07 Shibaura Eng Works Co Ltd Sputtering device
JPH11144337A (en) * 1997-11-07 1999-05-28 Ricoh Co Ltd Apparatus for producing optical recording medium, production of optical recording medium and optical recording medium
JP2000119850A (en) * 1998-10-16 2000-04-25 Ricoh Co Ltd Sputtering device
JP2002117595A (en) * 2000-10-04 2002-04-19 Ricoh Co Ltd Sputtering system and optical information recording medium

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05230652A (en) * 1991-01-30 1993-09-07 Shibaura Eng Works Co Ltd Sputtering device
JPH11144337A (en) * 1997-11-07 1999-05-28 Ricoh Co Ltd Apparatus for producing optical recording medium, production of optical recording medium and optical recording medium
JP2000119850A (en) * 1998-10-16 2000-04-25 Ricoh Co Ltd Sputtering device
JP2002117595A (en) * 2000-10-04 2002-04-19 Ricoh Co Ltd Sputtering system and optical information recording medium

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