JP4580006B2 - 半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態の半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法のフローチャートを示す。
次に、本発明の第2の実施形態を説明する。
続いて、本発明の第2の実施形態を説明する。
102 データ入力工程
103 データ分割工程
104 レイアウトパターン群
105 基準パターン選択工程
106 パターンマッチング工程
107 比較結果
108 レイアウトデータ分割条件
109 条件入力工程
207、208 信号配線
210〜214、
301〜305 レイアウトパターン
220、221、
308、309 レイアウトパターン群
306、307 拡散層
305、501〜508 基準パターン
310〜312、
401、402 レイアウトパターン
405、406 周辺を含めた領域
Claims (9)
- 半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法において、
計算機が、前記マスクレイアウト設計データを読み込むデータ入力工程と、
前記計算機が、回路特性を同一に合わせるべき特定のレイアウトパターンが複数含まれるように、レイアウトパターン分割条件を入力する条件入力工程と、
前記計算機が、前記条件入力工程で入力したレイアウトパターン分割条件に従って、前記データ入力工程で読み込んだマスクレイアウト設計データを複数のレイアウトパターン群に分割するデータ分割工程と、
前記計算機が、前記データ分割工程で分割したレイアウトパターン群毎に、パターンマッチングの基準となる基準パターンを選択する基準パターン選択工程と、
前記計算機が、前記データ分割工程で分割したレイアウトパターン群毎に、このレイアウトパターン群に含まれる複数のレイアウトパターンを前記基準パターン選択工程で選択した基準パターンと比較するパターンマッチング工程とを有する
ことを特徴とする半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法。 - 前記請求項1記載の半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法において、
前記条件入力工程では、
入力されるレイアウトパターン分割条件は、前記データ入力工程で読み込んだマスクレイアウト設計データのマスク形状である
ことを特徴とする半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法。 - 前記請求項1記載の半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法において、
前記条件入力工程では、
入力されるレイアウトパターン分割条件は、前記データ入力工程で読み込んだマスクレイアウト設計データで示される半導体集積回路素子の接続情報である
ことを特徴とする半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法。 - 前記請求項2記載の半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法において、
前記データ分割工程では、
前記条件入力工程で入力されたマスクレイアウト設計データのマスク形状で分割されたレイアウトパターン群を出力する
ことを特徴とする半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法。 - 前記請求項3記載の半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法において、
前記データ分割工程では、
前記条件入力工程で入力されたマスクレイアウト設計データで示される半導体集積回路素子間の接続情報で分割されたレイアウトパターン群を出力する
ことを特徴とする半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法。 - 前記請求項1〜5の何れか1項に記載の半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法において、
前記基準パターン選択工程では、
前記データ分割工程で分割されたレイアウトパターン群毎に、そのレイアウトパターン群の中から、予め定めた選択基準に基づいて、基準パターンを選択する
ことを特徴とする半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法。 - 前記請求項1〜6の何れか1項に記載の半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法において、
前記パターンマッチング工程では、
前記基準パターン選択工程で選択した基準パターンを、回転、縦反転、横反転、縦横反転したパターンを含めて比較処理を行う
ことを特徴とする半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法。 - 前記請求項1〜7の何れか1項に記載の半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法において、
前記パターンマッチング工程では、
レイアウトパターン群に含まれる複数のレイアウトパターンを前記基準パターン選択工程で選択した基準パターンと比較すると共に、そのレイアウトパターン群を前記基準パターンの予め定めた周囲内に存在するパターンとも比較する
ことを特徴とする半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法。 - 前記請求項6記載の半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法において、
前記基準パターン選択工程では、
前記予め定めた選択基準は、レイアウトパターン群についてのデータ座標系における原点(0、0)に最も近いレイアウトパターンを基準パターンとして選択する基準である
ことを特徴とする半導体集積回路のマスクレイアウト設計データの検証方法。
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