JP4575173B2 - 量子井戸構造の製造方法 - Google Patents
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Description
同図には、大きな圧縮歪を有する井戸層を含む歪多重量子井戸構造において、3次元成長が発生した場合の断面を模式的に示してある。
図1は、本発明の実施例に係る歪多重量子井戸構造を示す概略断面構造図である。同図を用いて、井戸層として圧縮歪を有するInGaAsを用い、障壁層としてInGaAsを用いた本発明の第1の実施例を説明する。
本実施例に係る歪多重量子井戸構造は、井戸層として圧縮歪を有するInGaAsを用い、障壁層として引張り歪−0.1%を有するInGaAsPを用いると共に、井戸層を3層とし、障壁層を4層とした歪多重量子井戸構造であり、有機金属気相エピタキシー法により成長させて形成した。歪多重量子井戸構造以外の各層部分(InP基板など)は第1の実施例と同じとした。
2 InPバッファ層
3 InGaAsPガイド層
4 InGaAs障壁層
5 InGaAs井戸層
6 InGaAsPガイド層
7 InPキャップ層
10 歪多重量子井戸構造
11 InP基板
12 InPバッファ層
13 InGaAsPガイド層
14 InGaAsP障壁層
15 InGaAs井戸層
16 InGaAsPガイド層
17 InPキャップ層
20 歪多重量子井戸構造
Claims (1)
- InP基板上に形成され、それぞれ格子定数の異なる障壁層と井戸層とを積層してなる量子井戸構造であって、前記井戸層が前記基板の格子定数に対して1.5%以上1.8%以下の圧縮歪を有するInGaAsから形成され、前記障壁層がInGaAsから形成されている量子井戸構造を、有機金属気相エピタキシー法、分子線エピタキシー法、ガスソース分子線エピタキシー法又は化学ビームエピタキシー法のいずれかの結晶成長方法で形成する量子井戸構造の製造方法において、
前記井戸層の3次元成長が抑制されるように、前記井戸層を、As原料の供給量を一定に保ち、III族原料供給比により歪量を制御するとともにAs原料に対するIII族原料供給量を制御することによって、成長速度0.4nm/秒以上0.83nm/秒以下で形成することを特徴とする量子井戸構造の製造方法。
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