JP4570683B2 - Nitride compound semiconductor light emitting device manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、緑色領域から紫外光領域まで発光可能な窒化物系化合物半導体発光素子（レーザおよび発光ダイオード）の製造方法に係わり、特にオーミック電極またはＰ型半導体層の一部が露出した窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor light-emitting device (laser and light-emitting diode) capable of emitting light from a green region to an ultraviolet region, and in particular, a nitride-based material in which a part of an ohmic electrode or a P-type semiconductor layer is exposed. The present invention relates to a method for manufacturing a compound semiconductor light emitting device.

下記特許文献１には、図１３に示すように、正電極１０７の形成された導電性基板１００上に第一のオーミック電極１０２と第二のオーミック電極１０１が形成され、その上に窒化ガリウム系半導体のＰ型層１０３、発光層１０４、Ｎ型層１０５および負電極１０６が順次積層されて、第一のオーミック電極１０２と第二のオーミック電極１０１が加熱圧着されている窒化物系化合物半導体発光素子が開示されている。   In the following Patent Document 1, as shown in FIG. 13, a first ohmic electrode 102 and a second ohmic electrode 101 are formed on a conductive substrate 100 on which a positive electrode 107 is formed, and a gallium nitride-based material is formed thereon. A nitride-based compound semiconductor light emitting device in which a semiconductor P-type layer 103, a light-emitting layer 104, an N-type layer 105, and a negative electrode 106 are sequentially stacked, and the first ohmic electrode 102 and the second ohmic electrode 101 are thermocompression bonded. An element is disclosed.

下記特許文献１に記載の窒化物系化合物半導体発光素子においては、窒化ガリウム系半導体のＰ型層１０３、発光層１０４、Ｎ型層１０５が一度にケガキまたは分割されている。このため、Ｐ型層１０３、発光層１０４、Ｎ型層１０５の側面において短絡が発生するという問題があり、ひいては窒化物系化合物半導体発光素子の信頼性を悪化させるという問題があった。   In the nitride-based compound semiconductor light-emitting device described in Patent Document 1 below, the P-type layer 103, the light-emitting layer 104, and the N-type layer 105 of the gallium nitride-based semiconductor are inscribed or divided at a time. For this reason, there is a problem that a short circuit occurs on the side surfaces of the P-type layer 103, the light-emitting layer 104, and the N-type layer 105. As a result, there is a problem that the reliability of the nitride-based compound semiconductor light-emitting element is deteriorated.

また、ウエハをチップ分割する際の切断分割において、第一のオーミック電極１０２と第二のオーミック電極１０１の間で剥がれが生じるという問題点があった。このためにプロセスでの歩留まりを低下させていた。   In addition, there is a problem that peeling occurs between the first ohmic electrode 102 and the second ohmic electrode 101 in the cutting division when the wafer is divided into chips. This reduces the process yield.

さらにまた、部分的に剥がれた場合は、プロセス中に溶剤、レジスト、エッチング液等が染み込み、例えばランプ発光素子にする場合には樹脂、水分等が剥がれた部分から入り込み剥がれを拡大し、オーミック電極および接着用電極を破壊することがあった。このため、窒化物系化合物半導体発光素子の信頼性を悪化させるという問題があった。   Furthermore, in the case of partial peeling, the solvent, resist, etching solution, etc. soaked during the process. For example, in the case of a lamp light emitting element, the resin, moisture, etc. penetrated from the part where the peeling has occurred, In some cases, the bonding electrode was destroyed. Therefore, there is a problem that the reliability of the nitride-based compound semiconductor light-emitting element is deteriorated.

特開平９−８４０３号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-8403

本発明は上記従来の技術の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、窒化物系化合物半導体発光素子の製造プロセスにおいて、チップ分割する際に剥がれなどを発生させず、また、半導体層において短絡が発生せず、良好な特性および高い信頼性を有する窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法を提供することである。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems of the prior art, and the object thereof is to prevent peeling or the like when the chip is divided in the manufacturing process of a nitride-based compound semiconductor light-emitting element. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor light-emitting element that does not cause a short circuit in a semiconductor layer and has good characteristics and high reliability.

本発明の１つの局面によれば、窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法であって、結晶成長用の基板上に、窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、前記窒化物系半導体層上に、第二のオーミック電極および第二の接着用金属層をこの順で形成する工程と、導電性基板上に、第一のオーミック電極および第一の接着用金属層をこの順で形成する工程と、前記第二の接着用金属層と前記第一の接着用金属層を接合する工程と、前記結晶成長用の基板を除去する工程と、前記窒化物系化合物半導体層に前記第二のオーミック電極まで延びる第一の溝を形成することにより、前記第二のオーミック電極の表面を露出させる工程と、を含むことを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法が提供される。   According to one aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a nitride compound semiconductor light emitting device, the step of forming a nitride compound semiconductor layer on a substrate for crystal growth, and the nitride semiconductor layer. A step of forming a second ohmic electrode and a second bonding metal layer in this order; and a step of forming the first ohmic electrode and the first bonding metal layer in this order on the conductive substrate. A step of bonding the second bonding metal layer and the first bonding metal layer, a step of removing the substrate for crystal growth, and the second step of adding the second compound metal layer to the nitride compound semiconductor layer. Forming a first groove extending to the ohmic electrode to expose the surface of the second ohmic electrode, and providing a method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor light emitting device.

好ましくは、前記窒化物系化合物半導体層は、少なくともＰ型層、発光層およびＮ型層からなる。   Preferably, the nitride compound semiconductor layer includes at least a P-type layer, a light emitting layer, and an N-type layer.

本発明の別の局面によれば、窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法であって、結晶成長用の基板上に、少なくともＰ型層、発光層およびＮ型層からなる窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、前記窒化物系半導体層上に、第二のオーミック電極および第二の接着用金属層をこの順で形成する工程と、導電性基板上に、第一のオーミック電極および第一の接着用金属層をこの順で形成する工程と、前記第二の接着用金属層と前記第一の接着用金属層を接合する工程と、前記結晶成長用の基板を除去する工程と、前記窒化物系化合物半導体層に前記Ｐ型層の途中まで延びる第一の溝を形成することにより、前記Ｐ型層の表面を露出させる工程と、を含むことを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor light-emitting device, the nitride-based compound semiconductor comprising at least a P-type layer, a light-emitting layer, and an N-type layer on a crystal growth substrate. A step of forming a layer, a step of forming a second ohmic electrode and a second bonding metal layer in this order on the nitride-based semiconductor layer, a first ohmic electrode on the conductive substrate, and A step of forming a first bonding metal layer in this order, a step of bonding the second bonding metal layer and the first bonding metal layer, and a step of removing the substrate for crystal growth; Forming a first groove extending partway through the P-type layer in the nitride-based compound semiconductor layer, thereby exposing the surface of the P-type layer. A method for manufacturing a semiconductor light emitting device is provided.

好ましくは、前記導電性基板は、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧｅおよびＩｎＰからなる群より選択される少なくとも一種からなる半導体である。   Preferably, the conductive substrate is a semiconductor made of at least one selected from the group consisting of Si, GaAs, GaP, Ge, and InP.

好ましくは、前記結晶成長用の基板は、サファイア、スピネルまたはニオブ酸リチウムのいずれかの絶縁性基板であるか、あるいは炭化ケイ素、シリコン、酸化亜鉛またはガリウム砒素の導電性基板である。   Preferably, the substrate for crystal growth is an insulating substrate of sapphire, spinel or lithium niobate, or a conductive substrate of silicon carbide, silicon, zinc oxide or gallium arsenide.

好ましくは、前記第一の接着用金属層の、層厚方向に垂直な面の面積が、前記発光層の、層厚方向に垂直な面の面積より大きい。   Preferably, the area of the surface perpendicular to the layer thickness direction of the first bonding metal layer is larger than the area of the surface perpendicular to the layer thickness direction of the light emitting layer.

好ましくは、前記第一の溝はエッチングを用いて露出される。
好ましくは、前記第一の溝の幅は、１μｍ以上１００μｍ以下である。 Preferably, the first groove is exposed using etching.
Preferably, the width of the first groove is not less than 1 μm and not more than 100 μm.

好ましくは、前記第一の溝の底面から第二の溝が形成され、該第二の溝を分割することによって窒化物系化合物半導体発光素子が製造される。   Preferably, a second groove is formed from the bottom surface of the first groove, and a nitride-based compound semiconductor light emitting device is manufactured by dividing the second groove.

好ましくは、前記第二の溝は、前記第一の溝の底面から前記導電性基板の途中まで形成されている。   Preferably, the second groove is formed from the bottom surface of the first groove to the middle of the conductive substrate.

好ましくは、前記第二の溝の幅は、１μｍ以上５０μｍ以下とする。
好ましくは、前記導電性基板の途中まで形成された第二の溝と対向するように前記導電性基板の裏面からケガキ線を導入する。 Preferably, the width of the second groove is 1 μm or more and 50 μm or less.
Preferably, a marking line is introduced from the back surface of the conductive substrate so as to face the second groove formed partway through the conductive substrate.

好ましくは、前記導電性基板の途中まで形成した第二の溝および前記導電性基板の裏面から導入したケガキ線に沿って分割することにより窒化物系化合物半導体発光素子が製造される。   Preferably, the nitride-based compound semiconductor light-emitting element is manufactured by dividing along a second groove formed partway through the conductive substrate and a marking line introduced from the back surface of the conductive substrate.

本発明によれば、半導体層においてＰＮ接合近傍をケガキまたは分割しない構造としている、すなわち、溝を形成する際に窒化物系化合物半導体層を完全に除去するかまたはＰ型層の途中まで除去しているので、チップ化工程でのケガキ時に発生するＰ層とＮ層の短絡がなくなりリーク電流の低減が可能となり、もって信頼性の良好な窒化物系化合物半導体発光素子を提供することができる。   According to the present invention, the semiconductor layer has a structure in which the vicinity of the PN junction is not injured or divided, that is, the nitride-based compound semiconductor layer is completely removed or partially removed from the P-type layer when forming the groove. As a result, the short circuit between the P layer and the N layer that occurs during the chipping process can be eliminated, and the leakage current can be reduced, thereby providing a nitride-based compound semiconductor light-emitting device with good reliability.

また、露出した一表面から溝を形成する際に、接着用金属層の剥がれ、剥離等がなくなり、チップ分割が容易になるので、発光素子の製造歩留まりが向上し、安価な窒化物系化合物半導体発光素子を提供できる。   In addition, when forming a groove from one exposed surface, the metal layer for adhesion is not peeled off, peeling, etc., and chip division is facilitated, so that the production yield of light-emitting elements is improved, and an inexpensive nitride-based compound semiconductor A light emitting element can be provided.

本発明の製造方法によって得られる窒化物系化合物半導体発光素子の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the nitride type compound semiconductor light-emitting device obtained by the manufacturing method of this invention. 本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造プロセスにおいて、支持基板上に半導体層を形成するプロセスを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the process of forming a semiconductor layer on a support substrate in the manufacturing process of the nitride type compound semiconductor light-emitting device of this invention. 本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造プロセスにおいて、半導体層上にオーミック電極および接着金属層を形成するプロセスを示す概略断面図である。In the manufacturing process of the nitride type compound semiconductor light emitting element of this invention, it is a schematic sectional drawing which shows the process of forming an ohmic electrode and an adhesion metal layer on a semiconductor layer. 本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造プロセスにおいて、導電性基板上にオーミック電極および接着用金属層を形成する工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the process of forming an ohmic electrode and the metal layer for adhesion | attachment on a conductive substrate in the manufacturing process of the nitride type compound semiconductor light-emitting device of this invention. 本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造プロセスにおいて、図３の構造体と図４の構造体とを接合するプロセスを示す概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a process for joining the structure of FIG. 3 and the structure of FIG. 4 in the manufacturing process of the nitride-based compound semiconductor light-emitting device of the present invention. 本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造プロセスにおいて、支持基板を除去する工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the process of removing a support substrate in the manufacturing process of the nitride type compound semiconductor light-emitting device of this invention. 本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造プロセスにおいて、エッチングによりオーミック電極の一表面を露出させる工程を示す概略断面図である。In the manufacturing process of the nitride type compound semiconductor light emitting element of this invention, it is a schematic sectional drawing which shows the process of exposing one surface of an ohmic electrode by an etching. 本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造プロセスにおいて、Ｎ型層上に透明電極およびパッド電極を形成する工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the process of forming a transparent electrode and a pad electrode on an N type layer in the manufacturing process of the nitride type compound semiconductor light-emitting device of this invention. 本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造プロセスにおいて、露出された一表面から溝を形成する工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the process of forming a groove | channel from one exposed surface in the manufacturing process of the nitride type compound semiconductor light-emitting device of this invention. 本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造プロセスにおいて、露出された一表面から形成された溝にケガキ線を導入する工程を示す概略断面図である。In the manufacturing process of the nitride type compound semiconductor light emitting element of this invention, it is a schematic sectional drawing which shows the process of introducing a marking line into the groove | channel formed from one exposed surface. 図７の代替の形態を示す概略断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an alternative form of FIG. 7. 本発明の製造方法によって得られる窒化物系化合物半導体発光素子の別の形態を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows another form of the nitride type compound semiconductor light-emitting device obtained by the manufacturing method of this invention. 従来の窒化物系化合物半導体発光素子の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the conventional nitride type compound semiconductor light emitting element.

本発明の製造方法により、導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上に窒化物系化合物半導体層を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記第二のオーミック電極の一表面が露出していることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子を得ることができる。   According to the manufacturing method of the present invention, a first ohmic electrode, a first bonding metal layer, a second bonding metal layer, and a second ohmic electrode are provided in this order on the conductive substrate, A nitride compound semiconductor light emitting device comprising a nitride compound semiconductor layer on an ohmic electrode, wherein one surface of the second ohmic electrode is exposed. Obtainable.

本発明の製造方法によれば、リーク電流を低減でき、信頼性の高い窒化物系化合物半導体発光素子を得ることができる。以下、本発明を、図を用いて詳細に説明する。   According to the manufacturing method of the present invention, a leak current can be reduced, and a highly reliable nitride-based compound semiconductor light-emitting element can be obtained. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

（実施形態１）
図１は、本発明の製造方法によって得られる窒化物系化合物半導体発光素子の概略断面図である。図１の窒化物系化合物半導体発光素子は、導電性基板１上に、少なくとも第一のオーミック電極２、第一の接着用金属層２１、第二の接着用金属層３１および第二のオーミック電極３を含み、当該第二のオーミック電極３上に窒化物系化合物半導体層６０が形成されている。また、当該窒化物系化合物半導体層６０上には、発光素子として機能させるために必要な、透明電極７、パッド電極８およびボンディングワイヤ９が形成されている。 (Embodiment 1)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a nitride-based compound semiconductor light-emitting device obtained by the manufacturing method of the present invention. 1 includes at least a first ohmic electrode 2, a first bonding metal layer 21, a second bonding metal layer 31, and a second ohmic electrode on a conductive substrate 1. 3, the nitride compound semiconductor layer 60 is formed on the second ohmic electrode 3. On the nitride-based compound semiconductor layer 60, a transparent electrode 7, a pad electrode 8, and a bonding wire 9 necessary for functioning as a light emitting element are formed.

本発明において、上記窒化物系化合物半導体層は、図１に示すように、Ｐ型層４、発光層５およびＮ型層６をこの順に備える。このような半導体層の組成、層厚および物性等を調整することにより、所望の特性を有する発光を達成することができる。   In the present invention, the nitride-based compound semiconductor layer includes a P-type layer 4, a light emitting layer 5, and an N-type layer 6 in this order, as shown in FIG. Light emission having desired characteristics can be achieved by adjusting the composition, layer thickness, physical properties, and the like of such a semiconductor layer.

本発明において、導電性基板としては、熱伝導率が良好で、へき開面を形成しやすく、さらにＰ型またはＮ型の導電性を得やすい基板であれば、特に限定されるものではないが、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧｅおよびＩｎＰからなる群より選択される少なくとも一種からなる半導体を用いることが好ましい。特に、本発明においては、安価な点から、Ｓｉ基板を用いることが好ましい。   In the present invention, the conductive substrate is not particularly limited as long as it has a good thermal conductivity, can easily form a cleavage plane, and can easily obtain P-type or N-type conductivity. It is preferable to use a semiconductor made of at least one selected from the group consisting of Si, GaAs, GaP, Ge, and InP. In particular, in the present invention, it is preferable to use a Si substrate from the viewpoint of low cost.

また、本発明において、第一のオーミック電極に用いる材料としては、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｈｆ／Ａｌ等を挙げることができ、特にＴｉ／Ａｌが、動作電圧が低い発光素子を作製できるという観点から好ましい。また、第二のオーミック電極に用いる材料としては、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｄ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ａｇ等を挙げることができるが、特に、動作電圧が低い発光素子を作製できるという観点から、Ｐｄを用いることが好ましい。   In the present invention, examples of the material used for the first ohmic electrode include Ti / Al, Ti, Al, Hf, Hf / Al, and the like. In particular, Ti / Al is a light emitting element having a low operating voltage. It is preferable from the viewpoint that it can be manufactured. Examples of the material used for the second ohmic electrode include Pd, Ni, Pd / Au, Ni / Au, and Ag. In particular, from the viewpoint that a light-emitting element with a low operating voltage can be manufactured. Is preferably used.

また、本発明において、第一の接着用金属層および第二の接着用金属層に用いる材料としては、Ａｕ、ＡｕＳｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｉｎ−Ｐｄ、Ａｇペーストなどをそれぞれ用いることができるが、これらに限定されるわけではない。   In the present invention, Au, AuSn, Sn, In, In-Pd, Ag paste, etc. can be used as materials used for the first adhesive metal layer and the second adhesive metal layer, However, it is not limited to these.

また、本発明において、窒化物系化合物半導体層には、ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）、Ｐ、ＡｓおよびＢ等を含む窒化物化合物半導体を用いることができる。 In the invention, the nitride compound semiconductor layers, In x Al y Ga 1- xy N (0 ≦ x, 0 ≦ y, x + y ≦ 1), P, nitride compound semiconductor containing As and B, etc. Can be used.

次に、本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法を、図を用いて説明する。なお、以下の製法において例示する各層の寸法は一例であって、所望する発光素子の特性に応じて適宜調整することができる。   Next, the manufacturing method of the nitride type compound semiconductor light emitting element of this invention is demonstrated using figures. In addition, the dimension of each layer illustrated in the following manufacturing methods is an example, Comprising: It can adjust suitably according to the characteristic of the light emitting element desired.

まず、図２に示すように、支持基板１０上に、ＧａＮ材料からなるバッファ層１１、Ｎ型窒化物系化合物半導体層６、ＭＱＷ構造からなる発光層５、Ｐ型窒化物系化合物半導体層４を順次成長させる。当該成長には、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）を用いることができる。   First, as shown in FIG. 2, a buffer layer 11 made of a GaN material, an N-type nitride compound semiconductor layer 6, a light emitting layer 5 made of an MQW structure, and a P-type nitride compound semiconductor layer 4 on a support substrate 10. Grow sequentially. For the growth, MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) can be used.

本発明において、支持基板としては、サファイア、スピネルまたはニオブ酸リチウムのいずれかの絶縁性基板であるか、あるいは炭化ケイ素、シリコン、酸化亜鉛またはガリウム砒素の導電性基板を用いることができる。   In the present invention, as the support substrate, an insulating substrate of sapphire, spinel, or lithium niobate, or a conductive substrate of silicon carbide, silicon, zinc oxide, or gallium arsenide can be used.

また、各層の寸法としては、一例を挙げると、支持基板１０の厚さは、４３０μｍとすることができ、ＧａＮバッファ層１１は２０ｎｍとすることができ、Ｎ型窒化物系化合物半導体層６は５μｍとすることができ、ＭＱＷ発光層５は５０ｎｍとすることができ、Ｐ型窒化物系化合物半導体層４は２００ｎｍとすることができるが、これに限定されるわけではない。   As an example of the dimensions of each layer, the thickness of the support substrate 10 can be 430 μm, the GaN buffer layer 11 can be 20 nm, and the N-type nitride compound semiconductor layer 6 can be The MQW light emitting layer 5 can be set to 50 nm, and the P-type nitride compound semiconductor layer 4 can be set to 200 nm, but is not limited thereto.

次に、図３に示すように、前記Ｐ型窒化物系化合物半導体層４上に、第二のオーミック電極３、反射金属層３２および第二の接着用金属３１を蒸着形成する。当該蒸着形成には、電子ビーム蒸着法（ＥＢ法）を用いることができ、条件としては、第二のオーミック電極については膜厚の制御性のよいＥＢ法を用いて０．４Å／ｓｅｃで行い、反射金属層３２および第二の接着用金属層３１については抵抗加熱蒸着法を用いて形成することが好ましい。   Next, as shown in FIG. 3, the second ohmic electrode 3, the reflective metal layer 32, and the second bonding metal 31 are formed on the P-type nitride compound semiconductor layer 4 by vapor deposition. For the vapor deposition, an electron beam vapor deposition method (EB method) can be used, and as a condition, the second ohmic electrode is performed at 0.4 mm / sec using an EB method with good film thickness controllability. The reflective metal layer 32 and the second bonding metal layer 31 are preferably formed using a resistance heating vapor deposition method.

上記第二のオーミック電極３には、Ｐｄ材料を用いて、厚さ３ｎｍで形成することができる。また、反射金属層３２は、Ａｇ材料を用いて、厚さ１５０ｎｍで形成することができる。また、第二の接着用金属層３１は、ＡｕＳｎ材料を用い厚さ３μｍとしたものとＡｕ材料を用い厚さ１００ｎｍとしたものをこの順で形成したものを用いることができる。なお、上記反射金属層３２と第二の接着用金属層３１との間には、図示しないバリア層としてＭｏ材料を用い厚さ１００ｎｍとしたものを形成することが好ましい。ここで、ＡｕＳｎ中のＳｎは２０質量％とすることが好ましい。なお、第二の接着用金属層中のＡｕはＡｕＳｎ層の酸化防止膜として機能するものである。   The second ohmic electrode 3 can be formed with a thickness of 3 nm using a Pd material. The reflective metal layer 32 can be formed with a thickness of 150 nm using an Ag material. The second bonding metal layer 31 may be formed by using an AuSn material and a thickness of 3 μm and an Au material and a thickness of 100 nm formed in this order. In addition, it is preferable to form between the reflective metal layer 32 and the second adhesive metal layer 31 with a thickness of 100 nm using a Mo material as a barrier layer (not shown). Here, Sn in AuSn is preferably 20% by mass. Note that Au in the second bonding metal layer functions as an antioxidant film for the AuSn layer.

次に、図４に示すように、導電性基板１上に、第一のオーミック電極２および第一の接着用金属層２１をこの順で形成する。当該形成には、ＥＢ法を用いることができ、条件としては、第一のオーミック電極２についてはＥＢ法を用いて行い、第一の接着用金属層２１については抵抗加熱蒸着法を用いて形成することが好ましい。また、導電性基板としては、Ｓｉ材料を用いることができ、厚さは３５０μｍとすることができる。また、第一のオーミック電極２の材料には、Ｔｉ／Ａｌを用いることができ、それぞれ厚さは１５ｎｍ／１５０ｎｍとすることができる。また、第一の接着用金属層２１には、Ａｕ材料を厚さ３μｍで形成することができる。なお、上記第一のオーミック電極２および第一の接着用金属層２１の間には、図示しないバリア層としてＭｏ材料を１００ｎｍの厚さで形成することができる。   Next, as shown in FIG. 4, the first ohmic electrode 2 and the first bonding metal layer 21 are formed in this order on the conductive substrate 1. The EB method can be used for the formation, and as conditions, the first ohmic electrode 2 is formed using the EB method, and the first bonding metal layer 21 is formed using the resistance heating vapor deposition method. It is preferable to do. As the conductive substrate, a Si material can be used, and the thickness can be 350 μm. Moreover, Ti / Al can be used for the material of the 1st ohmic electrode 2, and thickness can be 15 nm / 150 nm, respectively. Further, an Au material can be formed with a thickness of 3 μm on the first bonding metal layer 21. Note that a Mo material having a thickness of 100 nm can be formed as a barrier layer (not shown) between the first ohmic electrode 2 and the first bonding metal layer 21.

次に、図５に示すように、図３に示した構成体と図４に示した構成体とを、第二の接着用金属層３１と第一の接着用金属層２１とが接合するようにして接合させる。具体的には、第一の接着用金属層２１としてのＡｕ層と第二の接着用金属層３１としてのＡｕＳｎ層上のＡｕ層とを対向させ、共晶接合法を用いて、温度２９０℃、圧力３００Ｎ／ｃｍ2にて貼り付ける。 Next, as shown in FIG. 5, the second bonding metal layer 31 and the first bonding metal layer 21 are joined to the structure shown in FIG. 3 and the structure shown in FIG. 4. To be joined. Specifically, the Au layer as the first bonding metal layer 21 and the Au layer on the AuSn layer as the second bonding metal layer 31 are opposed to each other, and the temperature is 290 ° C. using a eutectic bonding method. And a pressure of 300 N / cm 2 .

次に、図６に示すように、支持基板１０を除去する。具体的には、ＹＡＧ−ＴＨＧレーザ（波長３５５ｎｍ）を鏡面研磨した支持基板１０側から照射し、支持基板１０と界面のＧａＮ材料からなるバッファ層１１とＮ型ＧａＮ材料からなるＮ型層６の一部を熱分解することにより支持基板１０を除去する。なお、図６において、図中の破線は、除去された支持基板１０、バッファ層１１およびＮ型層６の一部を示す。   Next, as shown in FIG. 6, the support substrate 10 is removed. Specifically, a YAG-THG laser (wavelength 355 nm) is irradiated from the side of the support substrate 10 that has been mirror-polished, and the buffer layer 11 made of GaN material and the N-type layer 6 made of N-type GaN material at the interface with the support substrate 10. The support substrate 10 is removed by thermally decomposing a part. In FIG. 6, the broken lines in the drawing show the removed support substrate 10, buffer layer 11, and part of the N-type layer 6.

次に、図７に示すように、Ｎ型層６上にレジスト１２を形成し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いて、Ｎ型層６側からＰ型層４まで完全に除去し、第二のオーミック電極３の一主面５０を露出させて溝を形成する。ここで、ＲＩＥで露出させた溝の幅Ｘは、１μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。１μｍ未満であると、露出させた溝の表面にチップ化するための溝を形成することが困難なため、チップ分割ができないおそれがあり、１００μｍを超えると、溝の幅を広く取りすぎるため、一枚のウェハからのチップの取れ率が減少してしまう。より好ましくは、１０μｍ以上３０μｍ以下である。なお、実施形態１においては、５０μｍとしている。   Next, as shown in FIG. 7, a resist 12 is formed on the N-type layer 6 and completely removed from the N-type layer 6 side to the P-type layer 4 using reactive ion etching (RIE). A groove is formed by exposing one main surface 50 of the second ohmic electrode 3. Here, the width X of the groove exposed by RIE is preferably 1 μm or more and 100 μm or less. If it is less than 1 μm, it is difficult to form a groove for chip formation on the surface of the exposed groove, so there is a possibility that the chip cannot be divided. If it exceeds 100 μm, the width of the groove is too wide. The chip removal rate from a single wafer is reduced. More preferably, they are 10 micrometers or more and 30 micrometers or less. In the first embodiment, the thickness is 50 μm.

次いで、図８に示すように、レジスト１２を除去し、支持基板１０が除去され露出されたＧａＮ材料からなるＮ型層６上にＩＴＯ（ＳｎドープＩｎ2Ｏ3）からなる透明導電体電極７をほぼ全面に形成し、その中心部にボンディングパッド電極８としてＮ型ボンディングパッド電極（Ａｕ／Ｔｉ）を形成する。 Next, as shown in FIG. 8, the resist 12 is removed, and the transparent conductor electrode 7 made of ITO (Sn-doped In 2 O 3 ) is formed on the N-type layer 6 made of the GaN material after the support substrate 10 is removed and exposed. Is formed on almost the entire surface, and an N-type bonding pad electrode (Au / Ti) is formed as a bonding pad electrode 8 at the center thereof.

次に、図９に示すように、矢印の方向にＹＡＧ−ＴＨＧレーザ（波長３５５ｎｍ）を照射して、第二のオーミック電極３の一主面５０から導電性基板１の途中までに溝１３を形成する。次に、図１０に示すように、赤外線透過型スクライブ装置を用いて、溝１３に対向するように導電性基板裏面側からケガキ線１４を入れる。このケガキ線１４に沿って分割するとチップ化工程を完了することができる。さらに、ボンディングパッド８上にＡｕ材料からなるボンディングワイヤ９をボールボンディングする。これにより、図１に示すような窒化物系化合物半導体発光素子を製造することができる。   Next, as shown in FIG. 9, a YAG-THG laser (wavelength 355 nm) is irradiated in the direction of the arrow to form the groove 13 from one main surface 50 of the second ohmic electrode 3 to the middle of the conductive substrate 1. Form. Next, as shown in FIG. 10, a marking line 14 is inserted from the back side of the conductive substrate so as to face the groove 13 using an infrared transmission scribe device. By dividing along the marking line 14, the chip forming process can be completed. Further, a bonding wire 9 made of an Au material is ball-bonded on the bonding pad 8. Thereby, the nitride-based compound semiconductor light emitting device as shown in FIG. 1 can be manufactured.

以上のように、本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法によれば、ＰＮ接合近傍をケガキまたは分割しない構造とするため、ケガキまたは分割用の溝を形成する領域において窒化物系化合物半導体層を完全に除去するかまたはＰ型層の途中まで除去することにより、チップ化工程でのケガキ時に発生するＰ層とＮ層の短絡がなくなりリーク電流の低減が可能となり、信頼性の良好な窒化物系化合物半導体発光素子が実現できる。   As described above, according to the method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor light-emitting device of the present invention, a nitride-based compound is formed in a region where a groove for splitting or splitting is formed so that the vicinity of the PN junction is not cut or split. By completely removing the semiconductor layer or removing part of the P-type layer, there is no short circuit between the P layer and the N layer that occurs during the chipping process, and leakage current can be reduced, resulting in high reliability. A nitride-based compound semiconductor light emitting device can be realized.

また、露出したオーミック電極層を、レーザを用いて溝を形成し、さらにその溝に対向するように導電性基板側からもケガキ線を形成しているため、接着用金属層の剥がれ、剥離等がなくなりチップ分割が容易になりチップの取れ率が向上する。なお、導電性基板裏面側からのケガキ線１４は導電性基板の裏面からＳｉをエッチングにより除去しそこにケガキ線を入れるとさらにチップ化が容易になる。   In addition, the exposed ohmic electrode layer is formed with a laser using a groove, and further, a marking line is formed from the conductive substrate side so as to face the groove. This eliminates the problem of chip division and improves the chip removal rate. The marking line 14 from the back side of the conductive substrate can be further easily formed into a chip by removing Si by etching from the back side of the conductive substrate and inserting the marking line there.

（実施形態２）
本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法において、各層の材料に上記実施形態１と別の材料を用いた場合について、以下に説明する。 (Embodiment 2)
In the method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor light emitting device of the present invention, the case where a material different from that of the first embodiment is used as the material of each layer will be described below.

実施形態１に記載した本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法において、図３に示す反射金属層３２は、Ａｇ−Ｎｄ材料を用いて、厚さ１５０ｎｍで形成することもできる。また、第二の接着用金属層３１は、ＡｕＳｎ材料を用い厚さ３μｍとしたものとＡｕ材料を用い厚さ１０ｎｍとしたものをこの順で形成したものも用いることができる。なお、上記反射金属層３２と第二の接着用金属層３１との間に形成されるバリア層としてＭｏ材料を用い厚さ２００ｎｍとしてもよい。   In the method for manufacturing the nitride-based compound semiconductor light-emitting element of the present invention described in Embodiment 1, the reflective metal layer 32 shown in FIG. 3 can also be formed with a thickness of 150 nm using an Ag—Nd material. The second bonding metal layer 31 may be formed by using an AuSn material and a thickness of 3 μm, and an Au material and a thickness of 10 nm formed in this order. The barrier layer formed between the reflective metal layer 32 and the second bonding metal layer 31 may be made of Mo material and have a thickness of 200 nm.

また、実施形態１に記載した本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法において、図４に示す第一の接着用金属層２１は、Ａｕ材料を用いて厚さ３μｍとすることもでき、第一のオーミック電極２と第一の接着用金属層２１との間に形成されるバリア層としては、Ｍｏ材料を用いて厚さ２００ｎｍとすることもできる。   In the method for manufacturing the nitride-based compound semiconductor light-emitting device of the present invention described in Embodiment 1, the first bonding metal layer 21 shown in FIG. 4 can also be made 3 μm thick using an Au material. As the barrier layer formed between the first ohmic electrode 2 and the first bonding metal layer 21, a Mo material can be used to have a thickness of 200 nm.

なお、このように別の材料を用いた場合、図３の構造体と図４の構造体とを接合させる際の共晶接合法の条件としては、温度２７０℃、圧力４００Ｎ／ｃｍ2にすることが好ましい。 In the case of using another material in this way, the eutectic bonding method conditions for bonding the structure of FIG. 3 and the structure of FIG. 4 are a temperature of 270 ° C. and a pressure of 400 N / cm 2 . It is preferable.

また、実施形態１において図７に示すようなＮ型層６上にレジストを設けて表面を露出する際の別の形態について、図１１を用いて説明する。   Further, another embodiment in which a resist is provided on the N-type layer 6 as shown in FIG. 7 in the first embodiment to expose the surface will be described with reference to FIG.

図１１は、実施形態１において図７のプロセスに対応する工程を示す概略断面図である。図１１において、レジスト１２を形成するまでは、上述の各層の材料および厚さを変更する以外は実施形態１と同様である。   FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing steps corresponding to the process of FIG. 7 in the first embodiment. In FIG. 11, until the resist 12 is formed, it is the same as that of the first embodiment except that the material and thickness of each layer described above are changed.

図１１において、レジスト１２を形成した後、当該レジスト１２をマスクとして、ＲＩＥ法により、Ｎ型層６側から、Ｐ型層４の途中までエッチングしてＰ型層の一部表面５１を露出させる。ここで、ＲＩＥで露出させた溝の幅Ｙは、１μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。１μｍ未満であると、露出させた溝の表面にチップ化するための溝を形成することが困難なため、チップ分割ができないおそれがあり、１００μｍを超えると、溝の幅を広く取りすぎるため、一枚のウェハからのチップの取れ率が減少してしまう。より好ましくは、１０μｍ以上５０μｍ以下である。なお、実施形態２においては、３０μｍとしている。   In FIG. 11, after forming the resist 12, etching is performed from the N-type layer 6 side to the middle of the P-type layer 4 by the RIE method using the resist 12 as a mask to expose a partial surface 51 of the P-type layer. . Here, the width Y of the groove exposed by RIE is preferably 1 μm or more and 100 μm or less. If it is less than 1 μm, it is difficult to form a groove for chip formation on the surface of the exposed groove, so there is a possibility that the chip cannot be divided. If it exceeds 100 μm, the width of the groove is too wide. The chip removal rate from a single wafer is reduced. More preferably, they are 10 micrometers or more and 50 micrometers or less. In the second embodiment, the thickness is 30 μm.

その後は、実施形態１と同様に、図８に示すように、レジスト１２を除去し、支持基板１０が除去され露出されたＧａＮ材料からなるＮ型層６上にＩＴＯ（ＳｎドープＩｎ2Ｏ3）からなる透明導電体電極７をほぼ全面に形成し、その中心部にボンディングパッド電極８としてＮ型ボンディングパッド電極（Ａｕ／Ｎｉ）を形成する。 Thereafter, as in the first embodiment, as shown in FIG. 8, the resist 12 is removed, and the ITO (Sn-doped In 2 O 3) is formed on the N-type layer 6 made of the GaN material from which the support substrate 10 is removed and exposed. The transparent conductor electrode 7 is formed on almost the entire surface, and an N-type bonding pad electrode (Au / Ni) is formed as a bonding pad electrode 8 at the center thereof.

次に、図９に示すように、矢印の方向にＹＡＧ−ＴＨＧレーザ（波長３５５ｎｍ）を照射して、Ｐ型層４の一部表面５１から導電性基板１の途中までに溝１３を形成する。次に、図１０に示すように、赤外線透過型スクライブ装置を用いて、溝１３に対向するように導電性基板裏面側からケガキ線１４を入れる。このケガキ線１４に沿って分割するとチップ化工程を完了することができる。さらに、ボンディングパッド８上にＡｕ材料からなるボンディングワイヤ９をボールボンディングする。これにより、図１２に示すような窒化物系化合物半導体発光素子を製造することができる。   Next, as shown in FIG. 9, the YAG-THG laser (wavelength 355 nm) is irradiated in the direction of the arrow to form the groove 13 from the partial surface 51 of the P-type layer 4 to the middle of the conductive substrate 1. . Next, as shown in FIG. 10, a marking line 14 is inserted from the back side of the conductive substrate so as to face the groove 13 using an infrared transmission scribe device. By dividing along the marking line 14, the chip forming process can be completed. Further, a bonding wire 9 made of an Au material is ball-bonded on the bonding pad 8. Thereby, a nitride compound semiconductor light emitting device as shown in FIG. 12 can be manufactured.

なお、上記実施形態１および２において、バリア層としてＭｏを用いているが、その他の材料として、Ｐｔ／Ｍｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、ＷおよびＮｉ−Ｔｉなどの合金も用いることができる。また、透明電極７は、Ｎ型層６の略全面に形成しているが、柱状の形状にしてもよく、また、透明電極７を無くして、Ｎ型ボンディングパッド電極のみでもよい。   In Embodiments 1 and 2, Mo is used as the barrier layer, but alloys such as Pt / Mo, Ni, Ti, W, and Ni—Ti can also be used as other materials. Further, although the transparent electrode 7 is formed on substantially the entire surface of the N-type layer 6, it may be formed in a columnar shape, or the transparent electrode 7 may be omitted and only the N-type bonding pad electrode may be used.

なお、本発明における上記実施形態において、表面が露出している層として、Ｐ型層および第二のオーミック電極を挙げているが、別の実施形態として、窒化物半導体発光素子を構成する構造において第二のオーミック電極から導電性基板までの間の層に露出する表面が形成されていればよい。これにより、チップ分割の際に、ＰＮ接合の短絡を低減または消滅することができる。このような、露出する層の制御は、本発明のプロセスにおいて溝を形成する際に、目的とする層まで溝を形成することにより調整することができる。   In the above-described embodiment of the present invention, the P-type layer and the second ohmic electrode are cited as the layer whose surface is exposed. However, as another embodiment, in the structure constituting the nitride semiconductor light-emitting device The surface exposed to the layer between the second ohmic electrode and the conductive substrate may be formed. Thereby, the short circuit of the PN junction can be reduced or eliminated during the chip division. Such control of the exposed layer can be adjusted by forming the groove to the target layer when forming the groove in the process of the present invention.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

１，１００ 導電性基板、２，１０２ 第一のオーミック電極、３，１０１ 第二のオーミック電極、４，１０３ Ｐ型層、５，１０４ 発光層、６，１０５ Ｎ型層、７ 透明電極、８ パッド電極、９ ボンディングワイヤ、１０ 支持基板、１１ バッファ層、１２ レジスト、１３ 溝、１４ ケガキ線、２１ 第一の接着用金属層、３１ 第二の接着用金属層、３２ 反射金属層、５０ 第二のオーミック電極の一表面、５１ Ｐ型層の一表面、６０ 半導体層、１０６ 負電極、１０７ 正電極。   1,100 conductive substrate, 2,102 first ohmic electrode, 3,101 second ohmic electrode, 4,103 P-type layer, 5,104 light emitting layer, 6,105 N-type layer, 7 transparent electrode, 8 Pad electrode, 9 bonding wire, 10 support substrate, 11 buffer layer, 12 resist, 13 groove, 14 marking line, 21 first bonding metal layer, 31 second bonding metal layer, 32 reflective metal layer, 50 first One surface of two ohmic electrodes, one surface of 51 P-type layer, 60 semiconductor layer, 106 negative electrode, 107 positive electrode.

Claims (12)

窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法であって、
結晶成長用の基板上に、窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、
前記窒化物系半導体層上に、第二のオーミック電極および第二の接着用金属層をこの順で形成する工程と、
導電性基板上に、第一のオーミック電極および第一の接着用金属層をこの順で形成する工程と、
前記第二の接着用金属層と前記第一の接着用金属層を接合する工程と、
前記結晶成長用の基板を除去する工程と、
前記窒化物系化合物半導体層に前記第二のオーミック電極まで延びる第一の溝を形成することにより、前記第二のオーミック電極の表面を露出させる工程と、
前記第一の溝の底面から第二の溝を形成する工程と、
前記第二の溝が形成された位置で分割することによって窒化物系化合物半導体発光素子を得る工程と、
を含むことを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 A method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor light-emitting device, comprising:
Forming a nitride-based compound semiconductor layer on a substrate for crystal growth;
Forming a second ohmic electrode and a second bonding metal layer in this order on the nitride-based semiconductor layer;
Forming a first ohmic electrode and a first adhesive metal layer in this order on a conductive substrate;
Bonding the second adhesive metal layer and the first adhesive metal layer;
Removing the substrate for crystal growth;
Exposing the surface of the second ohmic electrode by forming a first groove extending to the second ohmic electrode in the nitride compound semiconductor layer;
Forming a second groove from the bottom surface of the first groove;
A step of obtaining a nitride-based compound semiconductor light-emitting device by dividing at a position where the second groove is formed;
A method for producing a nitride-based compound semiconductor light-emitting device comprising: 前記窒化物系化合物半導体層は、少なくともＰ型層、発光層およびＮ型層からなることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。   The method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor light-emitting element according to claim 1, wherein the nitride-based compound semiconductor layer includes at least a P-type layer, a light-emitting layer, and an N-type layer. 窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法であって、
結晶成長用の基板上に、少なくともＰ型層、発光層およびＮ型層からなる窒化物系化合物半導体層を形成する工程と、
前記窒化物系半導体層上に、第二のオーミック電極および第二の接着用金属層をこの順で形成する工程と、
導電性基板上に、第一のオーミック電極および第一の接着用金属層をこの順で形成する工程と、
前記第二の接着用金属層と前記第一の接着用金属層を接合する工程と、
前記結晶成長用の基板を除去する工程と、
前記窒化物系化合物半導体層に前記Ｐ型層の途中まで延びる第一の溝を形成することにより、前記Ｐ型層の表面を露出させる工程と、
前記第一の溝の底面から第二の溝を形成する工程と、
前記第二の溝が形成された位置で分割することによって窒化物系化合物半導体発光素子を得る工程と、
を含むことを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 A method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor light-emitting device, comprising:
Forming a nitride-based compound semiconductor layer comprising at least a P-type layer, a light-emitting layer, and an N-type layer on a substrate for crystal growth;
Forming a second ohmic electrode and a second bonding metal layer in this order on the nitride-based semiconductor layer;
Forming a first ohmic electrode and a first adhesive metal layer in this order on a conductive substrate;
Bonding the second adhesive metal layer and the first adhesive metal layer;
Removing the substrate for crystal growth;
Forming a first groove extending partway through the P-type layer in the nitride-based compound semiconductor layer to expose the surface of the P-type layer;
Forming a second groove from the bottom surface of the first groove;
Obtaining a nitride-based compound semiconductor light-emitting device by dividing at a position where the second groove is formed;
A method for producing a nitride-based compound semiconductor light-emitting device comprising: 前記導電性基板は、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧｅおよびＩｎＰからなる群より選択される少なくとも一種からなる半導体であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。   The nitride-based compound according to any one of claims 1 to 3, wherein the conductive substrate is a semiconductor made of at least one selected from the group consisting of Si, GaAs, GaP, Ge, and InP. A method for manufacturing a semiconductor light emitting device. 前記結晶成長用の基板は、サファイア、スピネルまたはニオブ酸リチウムのいずれかの絶縁性基板であるか、あるいは炭化ケイ素、シリコン、酸化亜鉛またはガリウム砒素の導電性基板であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。   The substrate for crystal growth is an insulating substrate of either sapphire, spinel or lithium niobate, or a conductive substrate of silicon carbide, silicon, zinc oxide or gallium arsenide, Item 5. A method for producing a nitride-based compound semiconductor light-emitting device according to any one of Items 1 to 4. 前記第一の接着用金属層の、層厚方向に垂直な面の面積が、前記発光層の、層厚方向に垂直な面の面積より大きいことを特徴とする、請求項２〜５のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。   The area of the surface perpendicular to the layer thickness direction of the first metal layer for adhesion is larger than the area of the surface perpendicular to the layer thickness direction of the light emitting layer. A method for producing a nitride compound semiconductor light emitting device according to claim 1. 前記第一の溝はエッチングを用いて形成されることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。   The method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor light-emitting element according to claim 1, wherein the first groove is formed by etching. 前記第一の溝の幅は、１μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。   The method for producing a nitride-based compound semiconductor light-emitting element according to claim 1, wherein the width of the first groove is 1 μm or more and 100 μm or less. 前記第二の溝は、前記第一の溝の底面から前記導電性基板の途中まで形成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 The nitride-based compound semiconductor light-emitting element according to claim 1, wherein the second groove is formed from the bottom surface of the first groove to the middle of the conductive substrate. Production method. 前記第二の溝の幅は、１μｍ以上５０μｍ以下とすることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 The method for manufacturing a nitride-based compound semiconductor light-emitting element according to claim 1, wherein the width of the second groove is 1 μm or more and 50 μm or less. 前記第二の溝と対向するように前記導電性基板の裏面からケガキ線を導入する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 The nitride-based compound semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 10 , further comprising a step of introducing a marking line from the back surface of the conductive substrate so as to face the second groove. Manufacturing method. 前記第二の溝および前記導電性基板の裏面から導入したケガキ線に沿って分割することにより窒化物系化合物半導体発光素子を得ることを特徴とする、請求項１１に記載の窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 The nitride-based compound semiconductor light-emitting element according to claim 11 , wherein the nitride-based compound semiconductor light-emitting element is obtained by dividing along the marking line introduced from the second groove and the back surface of the conductive substrate. Manufacturing method of light emitting element.
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TW201248945A (en) * 2011-05-31 2012-12-01 Chi Mei Lighting Tech Corp Light-emitting diode device and method for manufacturing the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001085736A (en) * 1999-09-10 2001-03-30 Sharp Corp Method for manufacturing nitride semiconductor chip
JP2004165227A (en) * 2002-11-08 2004-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd Method of manufacturing group iii nitride compound semiconductor element

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001085736A (en) * 1999-09-10 2001-03-30 Sharp Corp Method for manufacturing nitride semiconductor chip
JP2004165227A (en) * 2002-11-08 2004-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd Method of manufacturing group iii nitride compound semiconductor element

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