JP4567487B2 - 試料観察方法、試料加工方法および荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
試料観察方法、試料加工方法および荷電粒子ビーム装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4567487B2 JP4567487B2 JP2005051203A JP2005051203A JP4567487B2 JP 4567487 B2 JP4567487 B2 JP 4567487B2 JP 2005051203 A JP2005051203 A JP 2005051203A JP 2005051203 A JP2005051203 A JP 2005051203A JP 4567487 B2 JP4567487 B2 JP 4567487B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- charged particle
- secondary electron
- observation point
- particle beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 47
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 46
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 38
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
- H01J2237/20221—Translation
- H01J2237/20235—Z movement or adjustment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/21—Focus adjustment
- H01J2237/216—Automatic focusing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/221—Image processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31745—Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
第1の課題解決手段として、本発明の試料高さ調整方法は、二つの荷電粒子ビームを異なる角度から試料上の一つの観察点に照射できる装置において、前記試料上の前記観察点を含む領域に第一の荷電粒子ビームを走査照射し、前記観察点を含む第一の二次電子像を取得する工程と、前記試料上の前記観察点を含む領域に第二の荷電粒子ビームを走査照射し、前記観察点を含む第二の二次電子像を取得する工程と、前記第一の二次電子像と前記第二の二次電子像の倍率と、前記第一の二次電子像内の前記観察点と前記第二の二次電子像内の前記観察点との距離から前記第一の荷電粒子ビームと前記第二の荷電粒子ビームが前記観察点に集束するための前記試料の高さを算出する工程と、算出した前記試料の高さに前記試料を配置するために試料台を移動させる工程を含むことを特徴するものである。
前記加工部分に前記イオンビームを走査照射して、前記加工部分をエッチング加工する工程を含むことを特徴とするものである。
をXY平面の調整値として算出し記憶することができる。
はイオンビーム2bと電子ビーム12bがウエハ5上で同一の観察点に集束するような高さにウエハがある時のウエハ5と試料台6である。ΔX0はイオンビーム2bがウエハ5
上に集束する位置と電子ビーム12bがウエハ5上に集束する位置とのズレ量である。図4(f)はこのときに電子ビーム12b照射によって得られた二次電子像である。点線はイオンビーム2b照射により得られる二次電子像のダイリファレンスポイント17aの位置であり、電子ビーム12b照射によって得られた二次電子像のダイリファレンスポイント17aの位置とはΔX2離れた位置に表示される。これは、図4(b)で示すように、
イオンビーム2bと電子ビーム12bがウエハ5上で同一の観察点に集束する点線で示したウエハ5の高さに比べて、ΔZ低い位置にウエハ5があるため、イオンビーム2bが集
束する位置からΔX0離れた位置に電子ビーム12bは集束する。よって、電子ビーム1
2bを照射することによって得られる二次電子像では、ダイリファレンスポイント17aは画面の中央からΔX2離れた位置に表示される。
ΔX2=k・ΔX0・sinθ
ここでkは図4(f)二次電子像の表示倍率とする。
従って,図4(f)のように電子ビーム12bの照射による二次電子像からΔX2を算
出することで、イオンビーム2bと電子ビーム12bがウエハ5上で同一の観察点に集束する高さとのズレ量ΔZを算出することができる。このズレ量を調整する値をZ軸方向の
調整値として算出し記憶することができる。
、ΔY1とZ軸方向の調整値ΔZを用いて正確な加工部分18aの位置を算出し、算出し
た位置にイオンビーム2bを照射できるように試料台6を移動する。そしてイオンビーム2bを加工部分18aに走査照射してエッチング加工と、電子ビーム12bを照射して断面観察を実施する。
2a イオン
2b イオンビーム
3 イオン光学系
4 二次電子
5 ウエハ
5a 加工溝
5b 加工溝
6 試料台
7 試料台制御手段
8 二次電子検出器
9 制御手段
10 表示手段
11 電子発生源
12a 電子
12b 電子ビーム
13 電子光学系
14 計算手段
15a リファレンスポイント
15b リファレンスポイント
15c リファレンスポイント
15d リファレンスポイント
16a ダイ
16b ダイ
16c ダイ
16d ダイ
17a ダイリファレンスポイント
17b ダイリファレンスポイント
17c ダイリファレンスポイント
17d ダイリファレンスポイント
18a 加工部分
18b 加工部分
19 算出したダイリファレンスポイント
Claims (5)
- 二つの荷電粒子ビームを異なる角度から試料上の一つの観察点に照射し、試料台の高さを調整し、試料を観察する試料観察方法であって、
前記観察点を含む領域に、前記試料の表面に対して垂直方向から第一の荷電粒子ビームを走査照射し、前記観察点を含む第一の二次電子像を取得する工程と、
前記観察点を含む領域に前記表面に対して斜め方向から第二の荷電粒子ビームを走査照射し、前記観察点を含む第二の二次電子像を取得する工程と、
前記第一の二次電子像内の前記観察点と前記第二の二次電子像内の前記観察点との距離から前記第一の荷電粒子ビームと前記第二の荷電粒子ビームが前記観察点に集束するための前記試料台の高さを算出する工程と、
算出した前記試料台の高さに前記試料台を移動する工程と、
前記試料に前記第一の荷電粒子ビームを照射して前記試料を観察する工程と、を有する試料観察方法。 - 請求項1に記載の試料観察方法を実施した後、
前記観察点近傍の加工領域に、前記試料の表面に対して垂直方向から前記第一の荷電粒子ビームを走査照射して、前記加工部分をエッチング加工する工程を有する試料加工方法。 - 前記エッチング加工によって作製した前記加工領域の断面に前記第二の荷電粒子ビームを走査照射して前記断面を観察する工程を有する請求項2に記載の試料加工方法。
- イオンを発生するためのイオン発生源と、
前記イオンを集束しイオンビームを形成し、該イオンビームを試料表面に対して垂直方向に照射するためのイオン光学系と、
電子を発生するための電子発生源と、
前記電子を集束させて電子ビームを形成し、前記試料表面に対して斜め方向から該電子ビームを前記試料表面に照射するための電子光学系と、
前記イオンビームまたは電子ビームを前記試料表面に照射して発生する二次電子を検出する二次電子検出器と、
前記二次電子検出器で検出した前記二次電子から二次電子像を表示する表示手段と、
前記イオンビームと前記電子ビームが前記試料上の一つの観察点に集束する前記試料台の高さを算出する計算手段と、
前記試料を支持するための試料台と、
前記試料台を前記計算手段で算出した高さに移動するための移動手段とを有する荷電粒子ビーム装置。 - 前記計算手段は、前記試料上の前記観察点に前記イオンビームを走査照射し取得した第一の二次電子像と、前記電子ビームを走査照射して取得した第二の二次電子像とにより、前記第一の二次電子像内の前記観察点と前記第二の二次電子像内の前記観察点との距離から前記イオンビームと前記電子ビームが前記試料上の前記観察点に集束する前記試料台の高さを算出する請求項4に記載の荷電粒子ビーム装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005051203A JP4567487B2 (ja) | 2005-02-25 | 2005-02-25 | 試料観察方法、試料加工方法および荷電粒子ビーム装置 |
US11/360,948 US7423266B2 (en) | 2005-02-25 | 2006-02-23 | Sample height regulating method, sample observing method, sample processing method and charged particle beam apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005051203A JP4567487B2 (ja) | 2005-02-25 | 2005-02-25 | 試料観察方法、試料加工方法および荷電粒子ビーム装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006236836A JP2006236836A (ja) | 2006-09-07 |
JP4567487B2 true JP4567487B2 (ja) | 2010-10-20 |
Family
ID=36931228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005051203A Active JP4567487B2 (ja) | 2005-02-25 | 2005-02-25 | 試料観察方法、試料加工方法および荷電粒子ビーム装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7423266B2 (ja) |
JP (1) | JP4567487B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4272121B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2009-06-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Semによる立体形状計測方法およびその装置 |
JP4634134B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2011-02-16 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 観察位置表示方法及び装置ならびに試料加工方法及び装置 |
JP4567487B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2010-10-20 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 試料観察方法、試料加工方法および荷電粒子ビーム装置 |
JP5101845B2 (ja) * | 2006-08-21 | 2012-12-19 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 集束イオンビーム装置ならびにそれを用いた試料断面作製方法および薄片試料作製方法 |
US8350237B2 (en) * | 2010-03-31 | 2013-01-08 | Fei Company | Automated slice milling for viewing a feature |
US9218940B1 (en) * | 2014-05-30 | 2015-12-22 | Fei Company | Method and apparatus for slice and view sample imaging |
US9558911B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-31 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Method for analyzing and/or processing an object as well as a particle beam device for carrying out the method |
JP7114317B2 (ja) * | 2018-04-20 | 2022-08-08 | 株式会社日立ハイテク | 高さ検出装置および荷電粒子線装置 |
JP7154593B2 (ja) | 2019-02-15 | 2022-10-18 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 複合荷電粒子ビーム装置、及び制御方法 |
JP7308710B2 (ja) * | 2019-09-25 | 2023-07-14 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002134059A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム装置 |
JP2002313275A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Seiko Instruments Inc | 試料の高さ出し機能を備えた集束イオンビーム装置 |
JP2006127891A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8622976D0 (en) * | 1986-09-24 | 1986-10-29 | Trialsite Ltd | Scanning electron microscopes |
JP3101130B2 (ja) * | 1993-07-19 | 2000-10-23 | 日本電子株式会社 | 複合荷電粒子ビーム装置 |
DE29507225U1 (de) * | 1995-04-29 | 1995-07-13 | Grünewald, Wolfgang, Dr.rer.nat., 09122 Chemnitz | Ionenstrahlpräparationsvorrichtung für die Elektronenmikroskopie |
US20060060781A1 (en) * | 1997-08-11 | 2006-03-23 | Masahiro Watanabe | Charged-particle beam apparatus and method for automatically correcting astigmatism and for height detection |
US6124140A (en) * | 1998-05-22 | 2000-09-26 | Micron Technology, Inc. | Method for measuring features of a semiconductor device |
TW546549B (en) * | 1998-11-17 | 2003-08-11 | Advantest Corp | Electron beam exposure apparatus and exposure method |
US6162735A (en) * | 1999-03-26 | 2000-12-19 | Infineon Technologies North America Corp. | In-situ method for preparing and highlighting of defects for failure analysis |
US6538249B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-03-25 | Hitachi, Ltd. | Image-formation apparatus using charged particle beams under various focus conditions |
WO2003007330A1 (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | Hitachi, Ltd. | Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus |
JP3996774B2 (ja) * | 2002-01-09 | 2007-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査方法及びパターン欠陥検査装置 |
JP3887356B2 (ja) * | 2003-07-08 | 2007-02-28 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 薄片試料作製方法 |
US7151258B2 (en) * | 2003-07-24 | 2006-12-19 | Topcon Corporation | Electron beam system and electron beam measuring and observing methods |
US7611610B2 (en) * | 2003-11-18 | 2009-11-03 | Fei Company | Method and apparatus for controlling topographical variation on a milled cross-section of a structure |
US7483133B2 (en) * | 2004-12-09 | 2009-01-27 | Kla-Tencor Technologies Corporation. | Multiple angle of incidence spectroscopic scatterometer system |
JP4567487B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2010-10-20 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 試料観察方法、試料加工方法および荷電粒子ビーム装置 |
JP4426519B2 (ja) * | 2005-11-11 | 2010-03-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光学的高さ検出方法、電子線測定装置および電子線検査装置 |
-
2005
- 2005-02-25 JP JP2005051203A patent/JP4567487B2/ja active Active
-
2006
- 2006-02-23 US US11/360,948 patent/US7423266B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002134059A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム装置 |
JP2002313275A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Seiko Instruments Inc | 試料の高さ出し機能を備えた集束イオンビーム装置 |
JP2006127891A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7423266B2 (en) | 2008-09-09 |
JP2006236836A (ja) | 2006-09-07 |
US20060192118A1 (en) | 2006-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4567487B2 (ja) | 試料観察方法、試料加工方法および荷電粒子ビーム装置 | |
US7531796B2 (en) | Focused ion beam apparatus and sample section forming and thin-piece sample preparing methods | |
JP5364049B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置、および試料作成方法 | |
KR101550921B1 (ko) | 단면 가공 방법 및 장치 | |
JP6226781B2 (ja) | 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の加工方法、及び集束イオンビーム加工用コンピュータプログラム | |
WO2010097860A1 (ja) | 荷電粒子ビーム装置、及び荷電粒子ビームにおける位置補正処理方法 | |
JP6250294B2 (ja) | 集束イオンビーム装置、それを用いた試料の断面観察方法、及び集束イオンビームを用いた試料の断面観察用コンピュータプログラム | |
US20220076917A1 (en) | Method and system for automatic zone axis alignment | |
JP4245595B2 (ja) | パターン観察装置、パターン観察方法およびプログラム | |
JP2010176852A (ja) | 断面加工方法及び断面観察試料の製造方法 | |
JP2005114578A (ja) | 試料作製方法および試料作製装置ならびに試料観察装置 | |
JP2008053002A (ja) | 荷電粒子ビーム装置及びアパーチャの軸調整方法 | |
US7009192B2 (en) | Charged particle beam application apparatus | |
KR20150110392A (ko) | 집속 이온 빔 장치 | |
CN108573844B (zh) | 聚焦离子束装置的控制方法以及记录介质 | |
JP3401426B2 (ja) | Fib−sem装置における試料加工方法およびfib−sem装置 | |
JP2011086606A (ja) | 断面加工観察方法および装置 | |
WO2020157860A1 (ja) | 荷電粒子線システム及び荷電粒子線撮像方法 | |
JP6101562B2 (ja) | 集束イオンビーム装置、集束イオンビーム装置を用いた試料加工方法、及び試料加工プログラム | |
JP3684943B2 (ja) | ビーム走査形検査装置 | |
US11133149B2 (en) | Focused ion beam apparatus | |
US11482398B2 (en) | Focused ion beam apparatus | |
JP2004030999A (ja) | 荷電粒子ビーム加工方法及びその装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071009 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071120 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091105 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091112 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100416 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100803 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100805 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4567487 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |