JP4563980B2 - Surface mount type package and semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、表面実装型パッケージに関するものであり、とくに数十MHz以上の高周波帯で動作する高周波帯IC用の表面実装型パッケージに関するものである。 The present invention relates to a surface mount package, and more particularly to a surface mount package for a high frequency band IC that operates in a high frequency band of several tens of MHz or more.
一般に、MMIC等のIC(集積回路)は、外部基板等への固定を容易にするためにパッケージ化されることが多い。そして、かかるパッケージとしては、例えばフィードスルー型メタルパッケージ、スルーホール型(バイアホール型)あるいは側面線路型(側面メタライズ型)の表面実装型パッケージ等が従来より知られている(例えば、特許文献1、特許文献2、特許文献3)。
In general, an IC (integrated circuit) such as an MMIC is often packaged to facilitate fixing to an external substrate or the like. As such a package, for example, a feed-through type metal package, a through-hole type (via hole type), or a side surface line type (side metallized type) surface mount type package has been conventionally known (for example, Patent Document 1).
図25は、従来のフィードスルー型メタルパッケージの一例を示す斜視図である。図25において、1は金属製の導電性ボディであり、2は金属製のメタルウォールであり、3はフィードスルー付きの入出力信号線路である。かかる構造のフィードスルー型メタルパッケージは、高周波帯において最も多用されてきたものであり、高周波性能に優れるといった利点がある。
なお、以下で参照する各図面においては、実質的に同一の構造及び作用を備えた部材にはそれぞれ同一の番号が付されている。
FIG. 25 is a perspective view showing an example of a conventional feedthrough metal package. In FIG. 25, 1 is a metal conductive body, 2 is a metal wall, and 3 is an input / output signal line with a feedthrough. The feedthrough metal package having such a structure has been most frequently used in a high frequency band, and has an advantage of excellent high frequency performance.
In the drawings referred to below, members having substantially the same structure and action are denoted by the same reference numerals.
これに対して、表面実装型パッケージは、一般に低周波帯で広く用いられるものであり、基板等への固定が極めて容易なパッケージ構造である。
図26は、従来のスルーホール型の表面実装型パッケージの一例を示す縦断面図である。また、図27は、図26に示す従来の表面実装型パッケージの斜視図である。図26及び図27において、4は誘電体ボディであり、5aはパッケージ裏側表面の接地端子であり、5bはパッケージ裏側表面の高周波端子であり、6はスルーホール(バイアホール)すなわち貫通導体であり、7はIC実装部であり、8はパッケージ表側表面の高周波端子である。
On the other hand, the surface mount package is generally widely used in a low frequency band, and has a package structure that is extremely easy to fix to a substrate or the like.
FIG. 26 is a longitudinal sectional view showing an example of a conventional through-hole type surface mount package. FIG. 27 is a perspective view of the conventional surface mount package shown in FIG. 26 and 27, 4 is a dielectric body, 5a is a ground terminal on the back surface of the package, 5b is a high frequency terminal on the back surface of the package, and 6 is a through hole (via hole), that is, a through conductor. , 7 is an IC mounting portion, and 8 is a high-frequency terminal on the front surface of the package.
図28は、従来の側面線路型の表面実装型パッケージの一例を示す縦断面図である。また、第29図は、図28に示す従来の表面実装型パッケージの斜視図である。なお、IC実装部7と接地端子5aとは、誘電体ボディ4を貫通するスルーホール6を介して電気的に接続されている。
FIG. 28 is a longitudinal sectional view showing an example of a conventional side surface line type surface mount package. FIG. 29 is a perspective view of the conventional surface mount package shown in FIG. The
次に、これらの従来のパッケージの使用方法、すなわちICを実装した上で該パッケージを外部基板等に固定する方法について説明する。
図30は、図25に示す従来のフィードスルー型メタルパッケージを、MMICを実装した上で外部基板に固定する手順を示す斜視図である。また、図31は、図30に示す手順に従って該パッケージを外部基板に固定した後における状態を示す斜視図である。図30及び図31において、9はパッケージのふた部材であり、10は外部基板であり、11はMMICであり、12はボンディングワイヤであり、16は外部基板10の信号線路である。
Next, a method of using these conventional packages, that is, a method of mounting the IC and fixing the package to an external substrate or the like will be described.
FIG. 30 is a perspective view showing a procedure for fixing the conventional feedthrough metal package shown in FIG. 25 to an external substrate after mounting the MMIC. FIG. 31 is a perspective view showing a state after the package is fixed to the external substrate in accordance with the procedure shown in FIG. 30 and FIG. 31, 9 is a lid member of the package, 10 is an external substrate, 11 is an MMIC, 12 is a bonding wire, and 16 is a signal line of the
図30及び図31に示すように、かかる従来のフィードスルー型メタルパッケージを用いる場合は、まずMMIC11をパッケージ内部の所定の部位に実装した上でふた部材9を取り付け、次にパッケージ全体を外部基板10の凹状のパッケージ実装部分に固定し、この後パッケージ側の入出力信号線路3と外部基板側の信号線路16とをボンディングワイヤ12(あるいは、リボン、TABテープ又はこれらに類する手段)で接続している。
As shown in FIGS. 30 and 31, when using such a conventional feedthrough type metal package, first the MMIC 11 is mounted on a predetermined portion inside the package, the
図32は、図26及び図27に示す従来のスルーホール型の表面実装型パッケージを、MMIC11を実装した上で外部基板10に固定した状態を示す縦断面図である。また、図33は、図28及び図29に示す従来の側面線路型の表面実装型パッケージを、MMIC11を実装した上で外部基板10に固定した状態を示す縦断面図である。
図32及び図33から明らかなとおり、スルーホール型であっても、また側面線路型であっても、表面実装型パッケージは、まずMMIC11を実装した上でふた部材9を取り付け、この後該パッケージをフラットな外部基板10の上に固定するだけで、該パッケージを極めて容易に外部基板10に固定することができる。
As is apparent from FIGS. 32 and 33, the surface mount type package, whether it is a through-hole type or a side line type, is first mounted with the
このように、かかるパッケージとしては、従来よりフィードスルー型メタルパッケージ及び表面実装型パッケージが広く用いられている。
しかしながら、従来のフィードスルー型メタルパッケージでは、高周波性能が非常に良く、50〜60GHzまで使用可能であり、また通過損失は1dB未満であり、VSWRは1.5未満であるといった利点があるものの、外部基板をパッケージの形状に合わせて凹状に作製しなければならず、またボンディングワイヤ等を用いて端子間の接続を行うことが不可欠であるので、低コスト化が非常に困難であるといった問題がある。すなわち、モジュールが高価であるといった問題がある。
Thus, feed-through metal packages and surface mount packages have been widely used as such packages.
However, the conventional feedthrough type metal package has very high frequency performance, can be used up to 50-60 GHz, has a pass loss of less than 1 dB, and has a VSWR of less than 1.5. The external substrate must be made in a concave shape in accordance with the shape of the package, and it is indispensable to connect the terminals using bonding wires or the like, so that it is very difficult to reduce the cost. is there. That is, there is a problem that the module is expensive.
他方、従来の表面実装型パッケージでは、外部基板が平板状の構造でよく、かつ該パッケージを圧着あるいはハンダ付け等で外部基板に固定するだけの簡単な工程で、信号接続を行うことができるため、大幅な低コスト化が可能であるといった利点がある。しかしながら、表面実装型パッケージを用いた場合は、一般に高周波性能はあまり良くはなく、通常は18GHz程度(Ku帯)までしか使用することができない。なお、通過損失は1.5dB未満であり、VSWRは2未満である。このため、従来の表面実装型パッケージは、近年、衛星通信等で注目されつつあるK帯(18〜26.5GHz)、あるいはKa帯(26.5GHz〜40GHz)での使用は困難であるといった問題がある。 On the other hand, in the conventional surface mount type package, the external substrate may have a flat plate structure, and signal connection can be performed by a simple process of fixing the package to the external substrate by crimping or soldering. There is an advantage that the cost can be significantly reduced. However, when a surface mount package is used, the high-frequency performance is generally not so good, and it can usually be used only up to about 18 GHz (Ku band). The passing loss is less than 1.5 dB, and the VSWR is less than 2. For this reason, the conventional surface mount package is difficult to use in the K band (18 to 26.5 GHz) or the Ka band (26.5 GHz to 40 GHz), which has recently been attracting attention in satellite communications and the like. There is.
本発明は、上記従来の問題を解消するためになされたものであって、K帯以上の周波数帯においても使用可能な表面実装型パッケージを提供することを解決すべき課題ないしは目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described conventional problems, and it is an object or object to be solved to provide a surface mount package that can be used even in a frequency band of K band or higher.
本発明の第1の態様にかかる表面実装型パッケージは、(a)実質的に(ないしは、主として)導体(例えば、金属等)で平板状に形成され、その側部に少なくとも1つの切欠部(ないしは、へこみ部)が設けられたボディと、(b)誘電体で形成され、切欠部にはめ込まれた誘電体ブロックと、(c)誘電体ブロックの表側表面から側面を経て裏側表面に至るようにして該誘電体ブロック上に配置されたコプレーナライン状の信号線路(導体線路)とを有していて、ボディの表側表面、裏側表面及び側面は、それぞれ、誘電体ブロックの表側表面、裏側表面及び側面と同一の平面上にあることを特徴とするものである。
The surface-mount package according to the first aspect of the present invention is formed of (a) a substantially (or mainly) conductor (for example, metal) in a flat plate shape, and at least one notch ( Or (b) a dielectric block formed of a dielectric and fitted in the notch, and (c) from the front surface of the dielectric block through the side surface to the back surface. And a coplanar line-shaped signal line (conductor line) arranged on the dielectric block, and the front side surface, the back side surface and the side surface of the body are the front side surface and the back side surface of the dielectric block, respectively. And on the same plane as the side surface.
本発明の第2の態様にかかる表面実装型パッケージは、(a)実質的に(ないしは、主として)導体(例えば、金属等)で形成され、その少なくとも1つの側面がテーパ状(ないしは、傾斜面状)に形成され、かつその表側表面及び裏側表面が平面状に形成されたボディと、(b)テーパ状に形成された側面上に配置された誘電体層と、(c)誘電体層上に配置された、マイクロストリップライン又はグランデッドコプレーナラインを用いた少なくとも1つの信号線路とを有していて、ボディの表側表面及び裏側表面は全面的に外部に露出されていることを特徴とするものである。
The surface-mount package according to the second aspect of the present invention is (a) formed substantially (or mainly) by a conductor (for example, metal), and at least one side surface thereof is tapered (or inclined surface). In which the front surface and the back surface are formed in a planar shape , (b) a dielectric layer disposed on the side surface formed in a tapered shape, and (c) on the dielectric layer And at least one signal line using a microstrip line or a grounded coplanar line, wherein the front surface and the back surface of the body are entirely exposed to the outside. Is.
また、本発明の第3の態様によれば、前記の各表面実装型パッケージのいずれか1つの集積回路実装部位(IC実装部位)に集積回路(IC)が実装されてなる半導体装置が提供される。
According to the third aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device in which an integrated circuit (IC) is mounted on any one integrated circuit mounting portion (IC mounting portion) of each of the surface mount packages. The
ところで、従来の一般的な表面実装型パッケージの高周波特性が悪いのは、入出力信号線路の特性インピーダンスが不安定であることが原因であると考えられる。
なお、フィードスルー型メタルパッケージの高周波特性が良好であるのはおよそ次のような理由による。すなわち、フィードスルー型メタルパッケージの場合、入出力信号線路は、外部から内部へ向かって順次接続された、外側マイクロストリップラインと、フィードスルー部と、内側マイクロストリップラインとで構成されている。これらのうちで、高周波特性との関連が問題となりうるのはフィードスルー部であるが、図25からもわかるように、2層構造の誘電体からなるフィードスルー部のすぐ外周は接地導体(金属)で囲まれている。したがって、フィードスルー部の入出力信号線路のどの部分をとっても、外周の接地導体までの距離が一定であり、かつ該距離は非常に短い。それゆえ、入出力信号線路の幅等のパラメータを最適化することによって、広帯域で安定な特性インピーダンス(通常は、50Ω)を実現することができる。なお、入出力信号線路と接地導体との間の距離(間隔)が大きい場合は、高周波帯で不要モードが生じやすくなる。このため、40GHzまでの使用を想定する場合、両者間の距離は、空気を介する場合は2mm以下とし、アルミナ誘電体を介する場合は0.8mm以下とするのが望ましい。なお、接地導体が、体積的に小さかったり、形状が複雑だったりした場合は、寄生インダクタンスが発生し、接地が不安定となる。
By the way, the high frequency characteristics of the conventional general surface mount package are considered to be caused by the unstable characteristic impedance of the input / output signal lines.
The high-frequency characteristics of the feedthrough metal package are good for the following reasons. That is, in the case of a feedthrough type metal package, the input / output signal line is composed of an outer microstrip line, a feedthrough part, and an inner microstrip line that are sequentially connected from the outside to the inside. Of these, the feed-through portion may have a problem with the relationship with the high-frequency characteristics, but as can be seen from FIG. 25, the outer periphery of the feed-through portion made of a dielectric having a two-layer structure is a ground conductor (metal ) Accordingly, the distance to the outer peripheral ground conductor is constant and the distance is very short regardless of the portion of the input / output signal line of the feedthrough portion. Therefore, by optimizing parameters such as the width of the input / output signal line, a stable characteristic impedance (usually 50Ω) in a wide band can be realized. When the distance (interval) between the input / output signal line and the ground conductor is large, an unnecessary mode is likely to occur in the high frequency band. For this reason, when the use up to 40 GHz is assumed, the distance between the two is preferably 2 mm or less when air is used, and is 0.8 mm or less when the alumina dielectric is used. When the ground conductor is small in volume or complicated in shape, parasitic inductance is generated and the ground becomes unstable.
他方、表面実装型パッケージの場合は、例えば図26の入出力信号線路を例にとると、裏側表面の入出力信号線路、スルーホール及び表側表面の入出力信号線路のいずれにおいても、接地導体面までの距離が遠く、かつ該距離が一定ではなく、さらに接地導体の体積が極めて小さい。なお、図28に示す構造もまた、これと同様に、入出力信号線路の部位によっては、接地導体までの距離が遠く、また該距離が一定でなく、かつ接地導体の体積が極めて小さい。したがって、たとえ入出力信号線路の幅等のパラメータを調整しても、入出力信号線路の特性インピーダンスは不安定とならざるをえない。 On the other hand, in the case of the surface mount type package, for example, taking the input / output signal line of FIG. And the distance is not constant, and the volume of the ground conductor is extremely small. In the structure shown in FIG. 28 as well, the distance to the ground conductor is long, the distance is not constant, and the volume of the ground conductor is extremely small depending on the portion of the input / output signal line. Therefore, even if parameters such as the width of the input / output signal line are adjusted, the characteristic impedance of the input / output signal line must be unstable.
これに対して、上記の本発明の各態様にかかる表面実装型パッケージでは、いずれも、パッケージ内の接地導体(接地性)が強化され、かつ該接地導体が入出力信号線路と等間隔を保ってこれのごく近傍に存在する。かくして、本発明にかかる表面実装型パッケージでは、入出力信号線路から接地導体までの距離が短くなり、かつ該距離が一定化され、さらには接地が可及的に安定化されているので、安定な特性インピーダンスの入出力部を得ることができる。 On the other hand, in each of the surface mount packages according to each aspect of the present invention described above, the grounding conductor (grounding property) in the package is strengthened, and the grounding conductor is kept equidistant from the input / output signal line. It is very close to this. Thus, in the surface mount package according to the present invention, the distance from the input / output signal line to the ground conductor is shortened, the distance is constant, and the ground is stabilized as much as possible. An input / output unit having a characteristic characteristic can be obtained.
本発明にかかる各表面実装型パッケージのいずれにおいても、信号線路(入出力信号線路)から接地導体までの距離が短縮され、かつ該距離が一定化され、さらに接地が可及的に安定化される。このため、安定な特性インピーダンスの入出力部が得られ、K帯以上の周波数帯においても使用可能な低コストの表面実装型パッケージが実現される。また、本発明にかかる半導体装置は、これらの表面実装型パッケージのいずれか1つに集積回路が実装されてなる構造を有するので、安定な特性インピーダンスの入出力部が得られ、K帯以上の周波数帯においても使用可能な低コストの半導体装置が実現される。 In any of the surface mount packages according to the present invention, the distance from the signal line (input / output signal line) to the ground conductor is shortened, the distance is made constant, and the ground is stabilized as much as possible. The Therefore, a stable characteristic impedance input / output unit can be obtained, and a low-cost surface-mount package that can be used in a frequency band of K band or higher is realized. In addition, since the semiconductor device according to the present invention has a structure in which an integrated circuit is mounted on any one of these surface-mount packages, an input / output unit having a stable characteristic impedance is obtained, and the K-band or higher is obtained. A low-cost semiconductor device that can be used even in a frequency band is realized.
本発明の第1の態様にかかる表面実装型パッケージにおいては、金属等からなる導電性ボディを用いることにより、パッケージ内の接地導体(接地性)が強化される。また、コプレーナライン状の信号線路(導体線路)の採用により、信号線路のどの部分でも周囲の接地導体との距離が一定化される。さらに、パターンの微細化により、信号線路のごく近傍に接地導体が配置される。このため、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
In the first surface mounting type package according to the embodiment of the present invention, by using the conductive body ing of metal or the like, the ground conductor in the package (ground resistance) is enhanced. Further, by adopting a coplanar line-shaped signal line (conductor line), the distance from the surrounding ground conductor is constant in any part of the signal line. Furthermore, the ground conductor is disposed very close to the signal line due to the miniaturization of the pattern. For this reason, good high frequency characteristics can be realized in spite of the surface mount package.
本発明の第2の態様にかかる表面実装型パッケージにおいては、金属等からなる導電性ボディを用いることにより、パッケージ内の接地導体(接地性)が強化される。また、連続したマイクロストリップラインあるいはグランデッドコプレーナラインの採用により、信号線路のどの部分でも周囲の接地導体との距離が一定化される。さらに、パターンの微細化により、信号線路のごく近傍に接地導体が配置される。このため、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
In the surface mount package according to the second aspect of the present invention, the ground conductor (grounding property) in the package is reinforced by using a conductive body made of metal or the like. Further, by adopting a continuous microstrip line or a grounded coplanar line, the distance from the surrounding ground conductor is made constant in any part of the signal line. Furthermore, the ground conductor is disposed very close to the signal line due to the miniaturization of the pattern. For this reason, good high frequency characteristics can be realized in spite of the surface mount package.
本発明の第3の態様にかかる半導体装置においては、本発明の第1又は第2の態様にかかる表面実装型パッケージの集積回路実装部位に集積回路が実装されてなる構造とされているので、安定な特性インピーダンスの入出力部が得られ、K帯以上の周波数帯においても使用可能な低コストの半導体装置が実現される。
In the semiconductor device according to a third aspect of the present invention, since the first or integrated circuits in an integrated circuit mounting region of the second surface mount package according to state-like are the implemented comprising structure of the present invention Thus, an input / output unit having a stable characteristic impedance is obtained, and a low-cost semiconductor device that can be used in a frequency band higher than the K band is realized.
以下、図1〜図24を参照しつつ、本発明の実施の形態を具体的に説明する。なお、図1〜図24中に記載された各部材中、前記の図25〜図33中に記載された部材と実質的に同一の構成及び作用を備えた部材には、図25〜図33の場合と同一の番号が付されている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to FIGS. In addition, in each member described in FIGS. 1 to 24, members having substantially the same configuration and action as the members described in FIGS. 25 to 33 include FIGS. 25 to 33. The same number as in the case of.
実施の形態1.
まず、図1〜図2を参照しつつ本発明の実施の形態1を説明する。図1は、本発明の実施の形態1にかかる表面実装型パッケージの斜視図である。図1に示すように、この表面実装型パッケージでは、ボディ(パッケージ本体部)が実質的にないしは主として誘電体で形成されている(以下、これを「誘電体ボディ4」という)。そして、誘電体ボディ4の主面(MMICが実装される側の広がり面)及び側面の大部分が、連続した面状ないしは薄板状の接地導体部17で覆われている。かつ、誘電体ボディ4の主面及び側面の接地導体部17で覆われていない部分には、複数のコプレーナライン状の高周波信号線路8(信号線路)、すなわち等間隔の接地面に挟まれた平面信号線路が配置されている。この表面実装型パッケージにおいては、少なくともパッケージ表面の約半分以上が接地導体部17で覆われているのが望ましい。なお、前記の理由(段落番号[0023]参照)により、高周波信号線路8(導体パターン)と接地導体部17(接地パターン)との間隔は、0.8mm以下であることが必要である。この場合、通常、高周波信号線路8(導体パターン)の幅は1mm以下となる。詳しくは図示していないが、誘電体ボディ4の裏側表面(主面とは反対側の広がり面)にも、主面(表側表面)と同様に、一部分を除いて接地導体部17が配置されているのが望ましい。なお、この場合、誘電体ボディ4の裏側表面の接地導体部17のパターンが、主面のそれと異なっていても構わないのはもちろんである。
First,
図2は、図1に示す表面実装型パッケージにMMIC11を実装する手順を示す斜視図である。図2に示すように、かかる実装に際しては、まずMMIC11を接地導体部17上のIC実装部位に取り付けた上でふた部材9でふたをして該MMIC11を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板10に固定する。かくして、表面実装型パッケージにMMIC11が実装されてなる半導体装置が完成する。なお、この実施の形態1では、パッケージ裏面の信号線路端子5b及び接地端子5aを用いて、対応する外部基板10の端子と接続しているが、パッケージの側面を用いて接続するようにしてもよい。
FIG. 2 is a perspective view showing a procedure for mounting the
この実施の形態1にかかる表面実装型パッケージでは、(a)誘電体ボディ4の大部分を接地導体部17(金属面)で覆うことにより、パッケージ内の接地導体を強化し、(b)コプレーナライン状の高周波信号線路8の採用により、高周波信号線路のどの部分でも周囲の接地導体部17との距離が一定となるようにし、(c)パターンの微細化により、高周波信号線路8のごく近傍に接地導体部17が位置するようにしている。したがって、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
In the surface-mount package according to the first embodiment, (a) the
実施の形態2.
以下、図3〜図4を参照しつつ本発明の実施の形態2を説明する。図3は、本発明の実施の形態2にかかる表面実装型パッケージの斜視図である。図3に示すように、この実施の形態2にかかる表面実装型パッケージでは、前記の実施の形態1にかかる表面実装型パッケージの特徴に加えて、接地導体部17の誘電体ボディ4の主面(表側表面)に配置された部分から、誘電体ボディ4の裏側表面に配置された接地導体まで誘電体ボディ4を貫通する、導体からなるスルーホール6が設けられている。その他の部分は、実施の形態1にかかる表面実装型パッケージと同様である。
The second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 3 is a perspective view of the surface mount package according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, in the surface mount package according to the second embodiment, in addition to the characteristics of the surface mount package according to the first embodiment, the main surface of the
図4は、図3に示す表面実装型パッケージにMMIC11を実装する手順を示す斜視図である。図4に示すように、かかる実装に際しては、まずMMIC11を接地導体部17上のIC実装部位に取り付けた上でふた部材9でふたをして該MMIC11を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板10に固定する。かくして、表面実装型パッケージにMMIC11が実装されてなる半導体装置が完成する。なお、この実施の形態2では、パッケージ裏面の信号線路端子5b及び接地端子5aを用いて、対応する外部基板10の端子と接続しているが、パッケージの側面を用いて接続するようにしてもよい。
FIG. 4 is a perspective view showing a procedure for mounting the
実施の形態1にかかる表面実装型パッケージの構造では、接地導体部17の面積を可及的に広げてはいるものの、接地は基本的に誘電体ボディ4の表面の金属薄膜で確保しているだけであり、接地金属ブロックを用いて立体的に接地をとることができるメタルパッケージに比べて不利であることは否めない。しかしながら、この実施の形態2では、スルーホール6により信号線路周辺の接地導体(接地性)を強化することができるので、接地導体部17の面積を充分に確保することができない場合は、この実施の形態2にかかる表面実装型パッケージは極めて有利である。反面、スルーホール6の間隔が広い場合は、高周波信号線路8の部位により接地導体部17までの距離の差が大きくなる。したがって、スルーホール6の間隔は狭くするのが望ましい。具体的には、例えば、スルーホール直径とスルーホール間隔の比(スルーホール直径/スルーホール間隔)を1/2以上に設定するのが望ましい。
In the structure of the surface mount package according to the first embodiment, although the area of the
実施の形態3.
以下、図5〜図7を参照しつつ本発明の実施の形態3を説明する。図5は、本発明の実施の形態3にかかる表面実装型パッケージの組立て前における斜視図であり、図6は組み立て後における斜視図である。図5及び図6に示すように、この実施の形態3にかかる表面実装型パッケージでは、ボディが実質的にないしは主として金属等の導体で形成されている(以下、これを「導電性ボディ1」という)。そして、導電性ボディ1の4つの側部には、それぞれ直方体状の切欠部18が設けられ、これらの切欠部18にはそれぞれ誘電体ブロック19がはめ込まれている。なお、導電性ボディ1の主面(表側表面)、裏側表面及び側面は、それぞれ、誘電体ブロック19の表側表面、裏側表面及び側面と実質的に同一の平面上にある。そして、各誘電体ブロック19の表面には、その表側表面から側面を経て裏側表面に至るコプレーナライン状の導体線路8(信号線路)が配置されている。なお、コプレーナライン状の導体線路8の構造や寸法は、実施の形態1にかかる表面実装型パッケージの高周波信号通路8と同様である。
The third embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 5 is a perspective view before assembly of the surface mount package according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a perspective view after assembly. As shown in FIGS. 5 and 6, in the surface mount package according to the third embodiment, the body is substantially or mainly formed of a conductor such as metal (hereinafter referred to as “
図7は、図5及び図6に示す表面実装型パッケージにMMIC11を実装する手順を示す斜視図である。図7に示すように、かかる実装に際しては、まずMMIC11を導電性ボディ1上のIC実装部位に取り付けた上でふた部材9でふたをして該MMIC11を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板10に固定する。かくして、表面実装型パッケージにMMIC11が実装されてなる半導体装置が完成する。この実施の形態3では、パッケージ裏面の信号線路端子5b及び接地端子5aを用いて、対応する外部基板10の端子と接続しているが、パッケージの側面を用いて接続するようにしてもよい。
FIG. 7 is a perspective view showing a procedure for mounting the
この実施の形態3にかかる表面実装型パッケージでは、(a)金属等からなる導電性ボディ1を用いることにより、パッケージ内の接地導体を強化し、(b)コプレーナライン状の導体線路8の採用により、導体線路8のどの部分でも周囲の接地導体(導電性ボディ1)との距離が一定となるようにし、(c)パターンの微細化により、導体線路8のごく近傍に接地導体(導電性ボディ1)が位置するようにしている。したがって、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
In the surface mount type package according to the third embodiment, (a) the
実施の形態4.
以下、図8〜図10を参照しつつ本発明の実施の形態4を説明する。図8は、本発明の実施の形態4にかかる表面実装型パッケージの組立て前における斜視図であり、図9は組み立て後における斜視図である。図8及び図9において、13は2つの誘電体部材が張り合わされてなる誘電体ブロック(縦型フィードスルー式)であり、20は誘電体ブロック13の両誘電体部材間に鉛筆芯状に挟まれた信号導体(信号線路)である。
The fourth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 8 is a perspective view before assembly of the surface mount package according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a perspective view after assembly. 8 and 9, 13 is a dielectric block (vertical feedthrough type) in which two dielectric members are bonded together, and 20 is sandwiched between both dielectric members of the
この実施の形態4にかかる表面実装型パッケージでは、ボディが実質的にないしは主として金属等の導体で形成されている(以下、これを「導電性ボディ1」という)。そして、導電性ボディ1には、その主面(表側表面)から裏側表面まで該導電性ボディ1を貫通する直方体状の2つの貫通穴部21が設けられ、これらの貫通穴部21にそれぞれ誘電体ブロック13がはめ込まれている。なお、導電性ボディ1の主面(表側表面)及び裏側表面は、それぞれ、誘電体ブロック13の表側表面及び裏側表面と実質的に同一の平面上にある。この表面実装型パッケージは、メタルパッケージのフィードスルー部を直立させてその表側表面と裏側表面とをつないだものと同様ないしは類似の構造を有している。なお、前記の理由により(段落番号[0023]参照)、誘電体ブロック13(縦型フィードスルー式)においては、その表側表面(裏側表面)の矩形の長辺が2mm以下であり、短辺が1.6mm以下であり、かつ誘電体ブロック13内の信号導体20の幅が0.4mm以下であるのが望ましい。
In the surface mount package according to the fourth embodiment, the body is substantially or mainly formed of a conductor such as metal (hereinafter referred to as “
図10は、図8及び図9に示す表面実装型パッケージにMMIC11を実装した上で、該表面実装型パッケージを外部基板10に固定した状態を示す縦断面図である。図10に示すように、かかる実装ないしは固定に際しては、まずMMIC11を導電性ボディ1上のIC実装部位に取り付け、MMIC11の所定の端子と信号導体20とをボンディングワイヤ12で接続する。そして、ふた部材9でふたをしてMMIC11を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板10に固定する。かくして、表面実装型パッケージにMMIC11が実装されてなる半導体装置が完成する。なお、この実施の形態4にかかる表面実装型パッケージでは、該表面実装型パッケージをその側面を用いて外部基板10に接続することは不可能である。
FIG. 10 is a longitudinal sectional view showing a state in which the
この実施の形態4にかかる表面実装型パッケージでは、(a)金属等からなる導電性ボディ1を用いることにより、パッケージ内の接地導体を強化し、(b)縦型フィードスルー式の誘電体ブロック13(信号導体20)の採用により、信号導体20のどの部分でも周囲の接地導体(導電性ボディ1)との距離が一定となるようにし、(c)パターンの微細化により、信号導体20のごく近傍に接地導体(導電性ボディ1)が位置するようにしている。したがって、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
In the surface mount package according to the fourth embodiment, (a) the
実施の形態5.
以下、図11〜図13を参照しつつ本発明の実施の形態5を説明する。図11は、本発明の実施の形態5にかかる表面実装型パッケージの縦断面図である。図11に示すように、この表面実装型パッケージでは、ボディが実質的にないしは主として金属等の導体で形成されている(以下、これを「導電性ボディ1」という)。そして、導電性ボディ1の表面に、その主面(表側表面)から側面を経て裏側表面に至る連続した誘電体層22が配置されている。さらに、この誘電体層22上に、マイクロストリップラインを用いた信号線路8が少なくとも1つ配置されている。なお、マイクロストリップラインの代わりにグランデッドコプレーナラインを用いてもよい。この実施の形態5にかかる表面実装型パッケージでは、誘電体層22の材料として、アルミナ、エポキシ樹脂、ポリイミド等を使用することができる。また、該誘電体層22を形成する方法としては、誘電体基板の張り付け、液状誘電体材料の塗布等を用いることができる。前記の理由により(段落番号[0023]参照)、誘電体層22の厚さは0.8mm以下であるのが望ましい。
Embodiment 5 FIG.
The fifth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 11 is a longitudinal sectional view of a surface mount package according to a fifth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 11, in this surface mount package, the body is substantially or mainly formed of a conductor such as metal (hereinafter referred to as “
図12は、図11に示す表面実装型パッケージにMMIC11を実装した上で該表面実装型パッケージを外部基板10に固定する手順を示す縦断面図である。また、図13は、図12に示す手順で表面実装型パッケージが外部基板10に固定された状態を示す縦断面図である。図12及び図13に示すように、かかる実装ないしは固定に際しては、まずMMIC11を導電性ボディ1上のIC実装部位に取り付け、MMIC11の所定の端子と信号線路8とをボンディングワイヤ12で接続する。そして、ふた部材9でふたをして該MMIC11を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板10に固定する。かくして、表面実装型パッケージにMMIC11が実装されてなる半導体装置が完成する。この実施の形態5では、パッケージ裏面の信号線路端子5b及び接地端子5aを用いて、対応する外部基板10の端子と接続しているが、パッケージの側面を用いて接続するようにしてもよい。
FIG. 12 is a longitudinal sectional view showing a procedure for mounting the
この実施の形態5にかかる表面実装型パッケージでは、(a)金属等からなる導電性ボディ1を用いることにより、パッケージ内の接地導体を強化し、(b)連続したマイクロストリップライン(グランデッドコプレーナラインでもよい)の信号線路8の採用により、信号線路8のどの部分でも周囲の接地導体(導電性ボディ1)との距離が一定となるようにし、(c)パターンの微細化により、信号線路8のごく近傍に接地導体(導電性ボディ1)が位置するようにしている。したがって、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
In the surface mount type package according to the fifth embodiment, (a) the
実施の形態6.
以下、図14〜図17を参照しつつ本発明の実施の形態6を説明する。図14は、本発明の実施の形態6にかかる表面実装型パッケージの縦断面図である。図14に示すように、この表面実装型パッケージでは、ボディが実質的にないしは主として金属等の導体で形成されている(以下、これを「導電性ボディ1」という)。そして、導電性ボディ1の複数(例えば、4つ)の側面がテーパ状ないしは傾斜面状に形成され、このテーパ状の側面に誘電体層22が配置されている。さらに、各誘電体層22上に、マイクロストリップラインを用いた信号線路8が少なくとも1つ配置されている。なお、マイクロストリップラインの代わりにグランデッドコプレーナラインを用いてもよい。この実施の形態6にかかる表面実装型パッケージでは、誘電体層22の材料として、アルミナ、エポキシ樹脂、ポリイミド等を使用することができる。また、該誘電体層22を形成する方法としては、誘電体基板の張り付け、液状誘電体材料の塗布等を用いることができる。前記の理由により(段落番号[0023]参照)、誘電体層22の厚さは0.8mm以下であるのが望ましい。
The sixth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 14 is a longitudinal sectional view of a surface mount package according to the sixth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 14, in this surface mount package, the body is substantially or mainly formed of a conductor such as metal (hereinafter referred to as “
図15は、図14に示す表面実装型パッケージにMMIC11を実装した上で該表面実装型パッケージを外部基板10に固定する手順を示す縦断面図である。また、図16は、図15に示す手順で表面実装型パッケージが外部基板10に固定された状態を示す縦断面図である。なお、図17は、図14〜図16に示す表面実装型パッケージの、高周波信号線路8と外部基板10との接続部を拡大して示した斜視図である。なお、図17において、14はハンダ溜り部である。
FIG. 15 is a vertical cross-sectional view showing a procedure for mounting the
図15〜図17に示すように、かかる実装ないしは固定に際しては、まずMMIC11を導電性ボディ1上のIC実装部位に取り付け、MMIC11の所定の端子と信号線路8とをボンディングワイヤ12で接続する。そして、ふた部材9でふたをして該MMIC11を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板10に固定する。かくして、表面実装型パッケージにMMIC11が実装されてなる半導体装置が完成する。実施の形態6では、パッケージ裏面を用いた接続が不可能であるので、図16及び図17に示すようなハンダ溜り部14(信号端子の凹部)を用いて外部基板10と接続するのが望ましい。
As shown in FIGS. 15 to 17, when such mounting or fixing is performed, first, the
実施の形態6にかかる表面実装型パッケージでは、(a)金属等からなる導電性ボディ1を用いることにより、パッケージ内の接地導体を強化し、(b)連続したマイクロストリップライン(グランデッドコプレーナラインでもよい)の信号線路8の採用により、信号線路8のどの部分でも周囲の接地導体(導電性ボディ1)との距離が一定となるようにし、(c)パターンの微細化により、信号線路8のごく近傍に接地導体(導電性ボディ1)が位置するようにしている。したがって、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
In the surface mount type package according to the sixth embodiment, (a) the
実施の形態7.
以下、図18〜図22を参照しつつ本発明の実施の形態7を説明する。図18は、本発明の実施の形態7にかかる表面実装型パッケージの斜視図である。また、図19は、図18に示す表面実装型パッケージの縦断面図である。図18及び図19に示すように、この表面実装型パッケージでは、ボディが実質的にないしは主として誘電体で形成され(以下、これを「誘電体ボディ4」という)、その主面(表側表面)は、テーパを有する凹状に形成されている。そして、誘電体ボディ4の主面及び側面の大部分が、連続した面状ないしは薄板状の接地導体部17で覆われている。かつ、誘電体ボディ4の主面の接地導体部17で覆われていない部分には、コプレーナライン状の高周波信号線路8(信号線路)が配置されている。この表面実装型パッケージにおいては、少なくともパッケージ表面の約半分以上が接地導体部17で覆われているのが望ましい。なお、前記の理由により(段落番号[0023]参照)、高周波信号線路8(導体パターン)と接地導体部17(接地パターン)との間隔は、0.8mm以下であることが必要である。この場合、通常、高周波信号線路8(導体パターン)の幅は1mm以下となる。ここで、接地導体部17の、誘電体ボディ4の主面(表側表面)上に配置された部分と裏側表面上に配置された部分とをスルーホール6で接続してもよい。
なお、誘電体ボディ4の裏側表面にも、主面と同様に、一部分を除いて接地導体部17が配置(形成)されている。
The seventh embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 18 is a perspective view of the surface mount package according to the seventh embodiment of the present invention. FIG. 19 is a longitudinal sectional view of the surface mount package shown in FIG. As shown in FIGS. 18 and 19, in this surface mount package, the body is substantially or mainly formed of a dielectric (hereinafter referred to as “
In addition, the
図20は、図18及び図19に示す表面実装型パッケージにMMIC11を実装した上で該表面実装型パッケージを外部基板10に固定する手順を示す斜視図である。また、図21は、図20に示す手順で表面実装型パッケージが外部基板10に固定された状態を示す縦断面図である。図20及び図21に示すように、かかる実装ないしは固定に際しては、まずMMIC11を誘電体ボディ4の主面のIC実装部位に取り付け、MMIC11の所定の端子と高周波信号線路8とをボンディングワイヤ12で接続する。そして、ふた部材9でふたをして該MMIC11を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板10に固定する。かくして、表面実装型パッケージにMMIC11が実装されてなる半導体装置が完成する。
FIG. 20 is a perspective view showing a procedure for mounting the
ここで、図22に示すように、表面実装型パッケージをポッティング樹脂15を用いて外部基板10に固定ないしはモールドするようにしてもよい。
なお、この実施の形態7では、パッケージ表面の信号線路端子5b及び接地端子5aを用いて、対応する外部基板10の端子と接続しているが、パッケージの側面を用いて接続するようにしてもよい。また、実施の形態7では、ふた部材9は無くても構わない。
Here, as shown in FIG. 22, the surface mount package may be fixed or molded to the
In the seventh embodiment, the
この実施の形態7にかかる表面実装型パッケージでは、(a)誘電体ボディ4の大部分を接地導体部17(金属面)で覆うことにより、パッケージ内の接地導体を強化し、(b)コプレーナラインの高周波信号線路8の採用により、高周波信号線路8のどの部分でも囲の接地導体部17との距離が一定になるようにし、(c)パターンの微細化により、高周波信号線路8のごく近傍に接地導体部17が位置するようにしている。したがって、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
In the surface mount type package according to the seventh embodiment, (a) the
実施の形態8.
以下、図23〜図24を参照しつつ本発明の実施の形態8を説明する。図23は、本発明の実施の形態8にかかる表面実装型パッケージの縦断面図である。図23に示すように、この表面実装型パッケージでは、ボディが実質的にないしは主として金属等の導体で形成され(以下、これを「導電性ボディ1」という)、その主面(表側表面)は、テーパを有する凹状に形成されている。そして、この導電性ボディ1の主面の、MMIC11を実装すべき部位の外側の部分に誘電体層22が配置されている。さらに、誘電体層22上に、マイクロストリップラインを用いた信号線路8が少なくとも1つ配置されている。なお、マイクロストリップラインの代わりにグランデッドコプレーナラインを用いてもよい。この実施の形態8にかかる表面実装型パッケージでは、誘電体層22の材料として、アルミナ、エポキシ樹脂、ポリイミド等を使用することができる。また、該誘電体層22を形成する方法としては、誘電体基板の張り付け、液状誘電体材料の塗布等を用いることができる。前記の理由により(段落番号[0023]参照)、誘電体層22の厚さは0.8mm以下であるのが望ましい。
The eighth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 23 is a longitudinal sectional view of a surface mount package according to an eighth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 23, in this surface mount type package, the body is substantially or mainly formed of a conductor such as metal (hereinafter referred to as “
図24(a)は、図23に示す表面実装型パッケージにMMIC11を実装した上で、該表面実装型パッケージを外部基板10に固定した状態を示す縦断面図である。図24(a)に示すように、この場合、まずMMIC11を導電性ボディ1上のIC実装部位に取り付け、MMIC11の所定の端子と信号線路8とをボンディングワイヤ12で接続する。そして、ふた部材9でふたをして該MMIC11を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板10に固定する。かくして、表面実装型パッケージにMMIC11が実装されてなる半導体装置が完成する。この実施の形態8では、パッケージ表面の信号線路端子5b及び接地端子5aを用いて、対応する外部基板10の端子と接続しているが、パッケージの側面を用いて接続するようにしてもよい。また、実施の形態8では、ふた部材9は無くても構わない。
FIG. 24A is a longitudinal sectional view showing a state where the
図24(b)は、図24(a)とは垂直な方向からみた、実施の形態8にかかる表面実装型パッケージの縦断面図である。図24(b)に示すように、この表面実装型パッケージでは、導電性ボディ1の両端部近傍部は、接地端子5aと当接している(電気的に接続されている)。
なお、図24(c)に示すように、導電性ボディ1を接続導線23を介して接地端子5aに電気的に接続するようにしてもよい。
FIG. 24B is a vertical cross-sectional view of the surface mount package according to the eighth embodiment, viewed from a direction perpendicular to FIG. As shown in FIG. 24 (b), in this surface mount package, the vicinity of both end portions of the
In addition, as shown in FIG.24 (c), you may make it electrically connect the
この実施の形態8にかかる表面実装型パッケージでは、(a)金属等からなる導電性ボディ1を用いることにより、パッケージ内の接地導体を強化し、(b)連続したマイクロストリップライン(グランデッドコプレーナラインでもよい)の信号線路8の採用により、信号線路8のどの部分でも周囲の接地導体(導電性ボディ1)との距離が一定になるようにし、(c)パターンの微細化により、信号線路8のごく近傍に接地導体(導電性ボディ1)が位置ようにしている。したがって、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
In the surface mount package according to the eighth embodiment, (a) the
1 導電性ボディ、2 メタルウォール、3 入出力信号線路、4 誘電体ボディ、5a 接地端子、5b 信号線路端子(高周波端子)、6 スルーホール(バイアホール)、7 IC実装部、8 信号線路(高周波信号線路、導体線路、高周波端子)、9 ふた部材、10 外部基板、11 MMIC、12 ボンディングワイヤ、13 誘電体ブロック、14 ハンダ溜り部、15 ポッティング樹脂、16 入出力信号線路、17 接地導体部、18 切欠部、19 誘電体ブロック、20 信号導体、21 貫通穴部、22 誘電体層、23 接続導線。
DESCRIPTION OF
Claims (3)
誘電体で形成され、上記切欠部にはめ込まれた誘電体ブロックと、
上記誘電体ブロックの表側表面から側面を経て裏側表面に至るようにして該誘電体ブロック上に配置されたコプレーナライン状の信号線路とを有していて、
上記ボディの表側表面、裏側表面及び側面は、それぞれ、上記誘電体ブロックの表側表面、裏側表面及び側面と同一の平面上にあることを特徴とする表面実装型パッケージ。 A body formed of a conductor in a flat plate shape and provided with at least one notch on its side;
A dielectric block formed of a dielectric material and fitted in the notch,
And having a coplanar line-shaped signal line disposed on the dielectric block from the front surface to the back surface through the side surface of the dielectric block,
The surface mounting type package characterized in that the front surface, the back surface and the side surface of the body are on the same plane as the front surface, the back surface and the side surface of the dielectric block, respectively.
上記のテーパ状に形成された側面上に配置された誘電体層と、
上記誘電体層上に配置された、マイクロストリップライン又はグランデッドコプレーナラインを用いた少なくとも1つの信号線路とを有していて、
上記ボディの表側表面及び裏側表面は全面的に外部に露出されていることを特徴とする表面実装型パッケージ。 A body formed of a conductor, at least one side surface of which is formed into a tapered shape , and a front surface and a back surface of which are formed into a planar shape ;
A dielectric layer disposed on the tapered side surface;
Having at least one signal line using a microstrip line or a grounded coplanar line disposed on the dielectric layer,
A surface mount type package characterized in that the front side surface and the back side surface of the body are entirely exposed to the outside.
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Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53132265A (en) * | 1977-04-22 | 1978-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | Coaxial package for transistor |
JPS5537263U (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-10 | ||
JPS57146360U (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-14 | ||
JPS6011463U (en) * | 1983-07-01 | 1985-01-25 | 株式会社フジクラ | enamel board |
JPS64334U (en) * | 1987-06-18 | 1989-01-05 | ||
JPS6430807U (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | ||
JPH01189201A (en) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | Fujitsu Ltd | Package for semiconductor device |
JPH046893A (en) * | 1990-04-24 | 1992-01-10 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Package |
JPH05251581A (en) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | High frequency package |
JPH05315469A (en) * | 1992-05-06 | 1993-11-26 | Nikko Electron Kk | Surface installation metal package |
JPH05335709A (en) * | 1991-11-12 | 1993-12-17 | Nec Corp | Printed wiring substrate |
JPH05347462A (en) * | 1992-06-16 | 1993-12-27 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
JPH0637421A (en) * | 1992-07-17 | 1994-02-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Hybrid integrated circuit |
JPH073141U (en) * | 1993-06-04 | 1995-01-17 | 沖電気工業株式会社 | High-speed / high-frequency IC component board structure |
JPH07231051A (en) * | 1994-10-03 | 1995-08-29 | Toshiba Corp | Enclosure for microwave integrated circuit |
JPH07307533A (en) * | 1994-05-11 | 1995-11-21 | O K Print:Kk | Printed wiring board |
JPH08222657A (en) * | 1995-02-17 | 1996-08-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit |
JPH09307019A (en) * | 1996-05-13 | 1997-11-28 | Nippon Micron Kk | Manufacture of semiconductor package and semiconductor package |
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2006
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Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53132265A (en) * | 1977-04-22 | 1978-11-17 | Mitsubishi Electric Corp | Coaxial package for transistor |
JPS5537263U (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-10 | ||
JPS57146360U (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-14 | ||
JPS6011463U (en) * | 1983-07-01 | 1985-01-25 | 株式会社フジクラ | enamel board |
JPS64334U (en) * | 1987-06-18 | 1989-01-05 | ||
JPS6430807U (en) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | ||
JPH01189201A (en) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | Fujitsu Ltd | Package for semiconductor device |
JPH046893A (en) * | 1990-04-24 | 1992-01-10 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Package |
JPH05335709A (en) * | 1991-11-12 | 1993-12-17 | Nec Corp | Printed wiring substrate |
JPH05251581A (en) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | High frequency package |
JPH05315469A (en) * | 1992-05-06 | 1993-11-26 | Nikko Electron Kk | Surface installation metal package |
JPH05347462A (en) * | 1992-06-16 | 1993-12-27 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
JPH0637421A (en) * | 1992-07-17 | 1994-02-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Hybrid integrated circuit |
JPH073141U (en) * | 1993-06-04 | 1995-01-17 | 沖電気工業株式会社 | High-speed / high-frequency IC component board structure |
JPH07307533A (en) * | 1994-05-11 | 1995-11-21 | O K Print:Kk | Printed wiring board |
JPH07231051A (en) * | 1994-10-03 | 1995-08-29 | Toshiba Corp | Enclosure for microwave integrated circuit |
JPH08222657A (en) * | 1995-02-17 | 1996-08-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit |
JPH09307019A (en) * | 1996-05-13 | 1997-11-28 | Nippon Micron Kk | Manufacture of semiconductor package and semiconductor package |
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