JP4561110B2 - メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法 - Google Patents
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Description
うにしたので、いずれかのフラッシュメモリが処理要求の受付を拒否している状態(例えば、後述するビジー状態)になっている期間の総和を削減することができる。又、データ保持部(例えば、レジスタ)からメモリセルへのデータの複写するコマンドを、複数チップのフラッシュメモリに対して同時に出力するので、コマンドを出力している期間の総和も削減することができる。又、書込みデータをフラッシュメモリ内のレジスタに転送するコマンドを、複数チップのフラッシュメモリに対して同時に出力するようにすれば、コマンドを出力している期間の総和を、更に削減することができる。
[フラッシュメモリシステム1の説明]
図1は、本発明に係るフラッシュメモリシステム1を概略的に示すブロック図である。図1に示したようにフラッシュメモリシステム1は、フラッシュメモリ2と、それを制御するコントローラ3で構成されている。又、フラッシュメモリシステム1は、通常ホストシステム4に着脱可能に装着されて使用され、ホストシステム4に対して一種の外部記憶装置として用いられる。
ターフェースブロック7を入口としてコントローラ3の内部に取り込まれ、フラッシュメモリシステム1からホストシステム4に供給されるデータ等は、ホストインターフェースブロック7を出口としてホストシステム4に供給される。
[メモリセルの説明]
次に、図2及び3参照して図1に示したフラッシュメモリ2を構成するメモリセル16の具体的な構造について説明する。
ータに対応し、メモリセル16の「消去状態」が論理値の「1」のデータに対応し、メモリセル16の「書込状態」が論理値の「0」のデータに対応する。
[フラッシュメモリのメモリ構造の説明]
次に、フラッシュメモリのメモリ構造を説明する。図4は、フラッシュメモリのメモリ構造を概略的に示す図である。図4に示したように、フラッシュメモリはデータの読出し及び書込みにおける処理単位であるページと、データの消去単位であるブロックで構成さ
れている。
[フラッシュメモリに対する書込み処理の説明]
フラッシュメモリの内部では、受信したデータが、一旦、レジスタに保持され、レジスタに保持されたデータが、メモリセルアレイを構成する各メモリセルに書込まれる。このレジスタからメモリセルアレイへの複写動作では、上述のように、メモリセルに高電圧を印加して、そのメモリセルに対応するビットの論理値を変化させているので、実行時間が長くなり、書込処理の処理効率を低下させている。
号を検出する検出回路を各チップ毎に設け、各チップと検出回路をライン接続しなければならない。一方、各チップが出力するビジー信号を1つの検出回路で検出するようにすると、各チップが出力するビジー信号が共通ラインに出力されることになる。従って、複数チップのうちいずれかのチップがビジー状態であることは分かるが、ビジー状態のチップとビジー状態でないチップを判別することができない。つまり、ビジー信号を出力するラインを共通ラインとした場合、ビジー信号を出力する検出回路やラインは1つ設けるだけでよいが、いずれかのチップがビジー状態のときに他の処理を行なえなくなる。そこで、本発明に係る書込み処理では、ビジー信号を出力するライン(共通ライン)がビジー状態を示している期間(いずれかのチップがビジー状態になっている期間)を短くすることにより、書込み処理の処理効率を向上させている。
リはビジー状態となり、ビジー状態を示す低レベルの信号を出力する。又、チップ1のフラッシュメモリが、ビジー状態を示す低レベルの信号を出力するため、ビジー信号を出力する共通ラインもビジー状態を示す低レベルになる(S24)。
リが全てビジー状態となり、ビジー状態を示す低レベルの信号を出力するため、ビジー信号を出力する共通ラインもビジー状態を示す低レベルになる(S15)。ビジー信号を出力する共通ラインは、チップ0〜チップNのフラッシュメモリのビジー状態が全て解除されるまで低レベルで保持されが、チップ0〜チップNのフラッシュメモリにおける複写動作は、同時進行するので、ビジー信号を出力する共通ラインが低レベルの期間は、チップ0〜チップNの各フラッシュメモリが、単独で複写動作しているときに発生するビジー状態の期間とほとんど変らない。
2 フラッシュメモリ
3 コントローラ
4 ホストコンピュータ
5 ホストインターフェース制御ブロック
6 マイクロプロセッサ
7 ホストインターフェースブロック
8 ワークエリア
9 バッファ
10 フラッシュメモリインターフェースブロック
11 ECCブロック
12 フラッシュメモリシーケンサブロック
13 外部バス
14 内部バス
16 メモリセル
17 P型半導体基板
18 ソース拡散領域
19 ドレイン拡散領域
20 トンネル酸化膜
21 フローティングゲート電極
22 絶縁膜
23 コントロールゲート電極
24 チャネル
25 ユーザ領域
26 冗長領域
Claims (5)
- ホストシステムからの要求に基づいて、共通のバスに接続された複数チップのフラッシュメモリに対するアクセスを制御するメモリコントローラであって、
前記バスを介して、前記複数チップのフラッシュメモリ内のデータ保持部に書込みデータを転送するデータ転送機能と、
前記データ保持部に保持されている書込みデータを、前記フラッシュメモリ内のメモリセルに複写する複写処理を開始する指示を、前記バスを介して、前記複数チップのフラッシュメモリに与える指示機能と、
前記複数チップのフラッシュメモリの活性化状態を個別に制御する制御機能とを備え、
前記転送機能が動作している期間は、前記制御機能が前記複数チップのフラッシュメモリを1つずつ順次活性化させていくことにより、前記ホストシステムから与えられる書込みデータが前記複数チップのフラッシュメモリに順次振り分けられ、
前記指示機能が動作している期間は、前記制御機能が前記複数チップのフラッシュメモリの全てを活性化させることにより、前記複数チップのフラッシュメモリが共通の指示に基づいて前記複写処理を開始することを特徴とするメモリコントローラ。 - 前記複数チップのフラッシュメモリからそれぞれ出力される信号であって、前記複写処理を実行していることを示すビジー信号を、共通の信号線を介して検出する検出機能を更に備え、
前記検出機能がビジー信号を検出している期間は、前記転送機能及び前記指示機能が動作しないように構成されていることを特徴とする請求項1に記載のメモリコントローラ。 - 請求項1又は2に記載のメモリコントローラと複数チップのフラッシュメモリを備えることを特徴とするフラッシュメモリシステム。
- ホストシステムからの要求に基づいて、共通のバスに接続された複数チップのフラッシュメモリに対するアクセスを制御するフラッシュメモリの制御方法であって、
前記バスを介して、前記複数チップのフラッシュメモリ内のデータ保持部に書込みデータを転送する転送処理と、
前記データ保持部に保持されている書込みデータを、前記フラッシュメモリ内のメモリセルに複写する複写処理を開始する指示を、前記バスを介して、前記複数チップのフラッシュメモリに与える指示処理と、
前記複数チップのフラッシュメモリの活性化状態を個別に制御する制御処理とを含み、
前記転送処理の実行中は、前記制御処理により前記複数チップのフラッシュメモリを1つずつ順次活性化させていくことにより、前記ホストシステムから与えられる書込みデータが前記複数チップのフラッシュメモリに順次振り分けられ、
前記指示処理の実行中は、前記制御処理により前記複数チップのフラッシュメモリを全て活性化させることにより、前記複数チップのフラッシュメモリが共通の指示に基づいて前記複写処理を開始することを特徴とするフラッシュメモリの制御方法。 - 複数チップのフラッシュメモリからそれぞれ出力される信号であって、前記複写処理を実行していることを示すビジー信号を、共通の信号線を介して検出する検出処理を更に含み、
前記検出処理によりビジー信号が検出されている期間は、前記転送処理及び前記指示処理が実行されないことを特徴とする請求項4に記載のフラッシュメモリの制御方法。
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WO2003030181A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Tokyo Electron Device Limited | Data writing apparatus, data writing method, and program |
WO2003060722A1 (fr) * | 2002-01-09 | 2003-07-24 | Renesas Technology Corp. | Système de mémoire et carte mémoire |
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JPH08171623A (ja) * | 1994-12-19 | 1996-07-02 | Sharp Corp | Icカード、及びフラッシュメモリの並列処理方法 |
JPH11144479A (ja) * | 1997-11-10 | 1999-05-28 | New Koa Technology Kk | 不揮発性半導体多値メモリ装置 |
WO2003030181A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-10 | Tokyo Electron Device Limited | Data writing apparatus, data writing method, and program |
WO2003060722A1 (fr) * | 2002-01-09 | 2003-07-24 | Renesas Technology Corp. | Système de mémoire et carte mémoire |
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