JP4559938B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
以下に、本願発明者らの考察した結果について説明する。
以下では、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
以下では、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
以下では、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
10A nウェル
10B pウェル
11 素子分離領域
12 レジスト
13A フッ素
13A フッ素イオン
13B フッ素イオン
13C フッ素イオン
14 ゲート絶縁膜用形成膜
14 シリコン酸化膜
14A ゲート絶縁膜
14A、14B ゲート絶縁膜
14B ゲート絶縁膜
15 ゲート電極形成用膜
15 多結晶シリコン膜
15A ゲート電極
15A、15B ゲート電極
15B ゲート電極
16 シリコン酸化膜
16A 保護絶縁膜
16A、16B 保護絶縁膜
16B 保護絶縁膜
17 レジスト
18 p型ソース・ドレインエクステンション領域
19 n型ポケット領域
20A ゲート電極
20A ゲート電極部
20A、20B ゲート電極部
20B ゲート電極部
21 レジスト
22 n型ソース・ドレインエクステンション領域
23 p型ポケット領域
24A サイドウォール
24B サイドウォール
25 p型ソース・ドレイン領域
26 n型ソース・ドレイン領域
27 ゲート電極
28 ゲート電極
29 レジスト
30 シリコン酸化膜
30A 保護絶縁膜
30A、30B 保護絶縁膜
30B 保護絶縁膜
31A ゲート電極部
31B ゲート電極部
40、41、42、43 フッ素注入層
Claims (5)
- p型MISFETのチャネル形成領域において、フッ素によりシリコンのダングリングボンドを終端させる半導体装置の製造方法において、
半導体基板にフッ素をイオン注入する工程(a)と、
前記工程(a)の後に、前記半導体基板の上にゲート絶縁膜形成用膜を形成する工程(b)と、
前記ゲート絶縁膜形成用膜の上にゲート電極形成用膜を形成する工程(c)と、
前記ゲート電極形成用膜の上にパターニングされた保護膜を形成する工程(d)と、
前記保護膜をマスクにして、前記ゲート電極形成用膜及び前記ゲート絶縁膜形成用膜に対してパターニングを行うことにより、ゲート絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程(e)と、
前記半導体基板のうち前記ゲート電極の側方下に位置する領域に、p型ソース・ドレインエクステンション領域を形成する工程(f)と、
前記工程(f)の後に、前記半導体基板のうち前記ゲート電極の側方下に位置する領域に、フッ素をイオン注入する工程(g)と、
前記工程(f)及び前記工程(g)の後に、前記ゲート電極の側面上にサイドウォールを形成する工程(h)と、
前記半導体基板のうち前記サイドウォールの側方下に位置する領域に、p型ソース・ドレイン領域を形成する工程(i)とを備え、
前記工程(g)では、前記ゲート電極の上を前記保護膜で覆った状態で前記フッ素のイオン注入を行う、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程(g)では、前記保護膜の膜厚は前記フッ素の注入深さよりも厚く、前記ゲート電極には前記フッ素が注入されない、半導体装置の製造方法。 - p型MISFETのチャネル形成領域において、フッ素によりシリコンのダングリングボンドを終端させる半導体装置の製造方法において、
半導体基板の上にゲート絶縁膜形成用膜を形成する工程(a)と、
前記ゲート絶縁膜形成用膜の上にゲート電極形成用膜を形成する工程(b)と、
前記ゲート電極形成用膜にフッ素をイオン注入する工程(c)と、
前記ゲート電極形成用膜の上にパターニングされた保護膜を形成する工程(d)と、
前記工程(d)の後に、前記保護膜をマスクにして、前記ゲート絶縁膜形成用膜及び前記ゲート電極形成用膜に対してパターニングを行うことにより、ゲート絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程(e)と、
前記半導体基板のうち前記ゲート電極の側方下に位置する領域に、p型ソース・ドレインエクステンション領域を形成する工程(f)と、
前記工程(f)の後に、前記ゲート電極の上を前記保護膜で覆った状態で、前記半導体基板のうち前記ゲート電極の側方下に位置する領域に、フッ素をイオン注入する工程(g)と、
前記工程(f)及び前記工程(g)の後に、前記ゲート電極の側面上にサイドウォールを形成する工程(h)と、
前記半導体基板のうち前記サイドウォールの側方下に位置する領域に、p型ソース・ドレイン領域を形成する工程(i)とを備える、半導体装置の製造方法。 - p型MISFETのチャネル形成領域において、フッ素によりシリコンのダングリングボンドを終端させる半導体装置の製造方法において、
半導体基板の上にゲート絶縁膜形成用膜を形成する工程(a)と、
前記ゲート絶縁膜形成用膜の上にゲート電極形成用膜を形成する工程(b)と、
前記ゲート電極形成用膜の上にパターニングされた保護膜を形成する工程(c)と、
前記保護膜をマスクにして、前記ゲート電極形成用膜及び前記ゲート絶縁膜形成用膜に対してパターニングを行うことにより、ゲート絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程(d)と、
前記半導体基板のうち前記ゲート電極の側方下に位置する領域に、p型ソース・ドレインエクステンション領域を形成する工程(e)と、
前記半導体基板のうち前記ゲート電極の側方下に位置する領域に、前記ゲート電極の上を前記保護膜で覆った状態で、フッ素をイオン注入する工程(f)と、
前記工程(e)及び前記工程(f)の後に、前記ゲート電極の側面上にサイドウォールを形成する工程(g)と、
前記半導体基板のうち前記サイドウォールの側方下に位置する領域にp型ソース・ドレイン領域を形成する工程(h)とを備え、
前記工程(f)において、前記ゲート電極には、前記半導体基板に注入されるフッ素の量よりも少量のフッ素が注入される、半導体装置の製造方法。 - 請求項4に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程(f)では、前記保護膜の膜厚は前記フッ素の注入深さよりも薄く、前記保護膜に注入されたフッ素のうちの一部が前記ゲート電極に到達する、半導体装置の製造方法。
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