JP4548171B2 - 圧電共振素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本実施形態では、本発明における第1の圧電共振素子の実施形態の一例として、通過周波数帯域が2GHzのFBARの例を用いて説明する。図1(a)は断面図、図1(b)は平面図を示し、図1(a)は図1(b)のA-A’線での断面図である。なお、背景技術で説明したものと同様の構成には同一の番号を付して説明することとする。
図1に示すように、実施形態と同様の方法により、圧電体層14の内部応力を−300MPa以上90MPa以下の範囲で変化させた実施例1〜10のFBARを、それぞれ複数個製造した。製造した各FBARにおける圧電体層14の内部応力を表1に示す。なお、圧電体層14の内部応力は、下部電極13が設けられた状態の基板11にAlN膜からなる圧電体層14を形成した際に生じる基板11の反り量により測定した。
また、上記実施例の比較例として、−300MPa以上90MPa以下の範囲外となるように変化させた比較例1〜7のFBARを、それぞれ複数個製造した。各FBARにおける圧電体層14の内部応力を表2に示す。なお、圧電体層14の内部応力は実施例と同様の方法で測定した。
Claims (5)
- 基板の上面に、空気層を介して、下部電極と圧電体層と上部電極とが順次積層された構造体を含み、
前記構造体が、音響共振器として動作する振動部として設けられており、
前記下部電極は、前記基板の上面において前記空気層を覆うように形成されており、
前記圧電体層は、前記基板の法線方向に配向させた窒化アルミニウムからなり、1.2μmの膜厚で前記下部電極を覆うように形成されており、
前記上部電極は、前記空気層の上方において前記圧電体層の上面の一部を覆うように形成されており、
前記圧電体層の上面にて前記上部電極が設けられた部分以外の部分に、前記圧電体層と前記下部電極とを貫通して前記空気層まで達する孔部が設けられており、
前記圧電体層の内部応力が、圧縮応力をマイナスで示し、引張り応力をプラスで示したときに、前記上部電極よりも外側の領域において、−300MPa以上90MPa以下となるように形成されている、
圧電共振素子。 - 前記圧電体層は、圧縮応力が内在するように形成されている、
請求項1に記載の圧電共振素子。 - 前記孔部は、前記基板の上面において、前記空気層の角に形成されている、
請求項1または2に記載の圧電共振素子。 - 前記下部電極は、前記基板の上面において、一方向に延設するように設けられており、
前記上部電極は、前記基板の上面において、前記下部電極とは逆方向に延設するように形成されている、
請求項1から3のいずれかに記載の圧電共振素子。 - 基板の上面に、空気層を介して、下部電極と圧電体層と上部電極とが順次積層された構造体を含み、前記構造体が、音響共振器として動作する振動部として設けられた圧電共振素子を製造する圧電共振素子製造工程
を有し、
前記圧電共振素子製造工程は、
前記基板の上面に犠牲層を形成する第1工程と、
前記下部電極が前記基板の上面において前記犠牲層を覆うように、前記下部電極を形成する第2工程と、
前記圧電体層が前記基板の法線方向に配向され、1.2μmの膜厚で前記下部電極を覆うように、前記圧電体層を窒化アルミニウムで形成する第3工程と、
前記上部電極が前記犠牲層の上方において前記圧電体層の上面の一部を覆うように前記上部電極を形成する第4工程と、
前記圧電体層の上面にて前記上部電極が設けられた部分以外の部分に、前記圧電体層と前記下部電極とを貫通して前記犠牲層まで達する孔部を形成する第5工程と、
前記孔部を介して前記犠牲層を除去することで、前記空気層を形成する第6工程と
を含み、
前記第3工程では、前記圧電体層の内部応力について、圧縮応力をマイナスで示し、引張り応力をプラスで示したときに、前記上部電極よりも外側の領域において、−300MPa以上90MPa以下となるように、スパッタリング法を用いて処理雰囲気の圧力およびスパッタパワーを調整することで、前記圧電体層を形成する、
圧電共振素子の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11601110B2 (en) | 2018-07-24 | 2023-03-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk-acoustic wave resonator |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100904621B1 (ko) * | 2005-11-04 | 2009-06-25 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 박막 공진자 |
JP2007181185A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-07-12 | Sony Corp | 音響共振器およびその製造方法 |
JP5040403B2 (ja) * | 2007-04-04 | 2012-10-03 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜振動装置及びその製造方法 |
JP5161698B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2013-03-13 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振子及びこれを用いたフィルタあるいは分波器 |
JP5471612B2 (ja) * | 2009-06-22 | 2014-04-16 | 日立金属株式会社 | 圧電性薄膜素子の製造方法及び圧電薄膜デバイスの製造方法 |
JP5319491B2 (ja) * | 2009-10-22 | 2013-10-16 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振子 |
JP5440192B2 (ja) * | 2010-01-13 | 2014-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
WO2013031724A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置及びその製造方法 |
CN103765770B (zh) * | 2011-09-01 | 2018-03-30 | 株式会社村田制作所 | 压电体波装置及其制造方法 |
JP5716833B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2015-05-13 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置及びその製造方法 |
JP6333540B2 (ja) * | 2013-11-11 | 2018-05-30 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振子、フィルタ、及び分波器 |
JP6241684B2 (ja) * | 2014-01-17 | 2017-12-06 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子及び圧電振動装置 |
SG11201705362YA (en) | 2015-01-06 | 2017-08-30 | Murata Manufacturing Co | Piezoelectric thin film and piezoelectric transducer |
US11411168B2 (en) | 2017-10-16 | 2022-08-09 | Akoustis, Inc. | Methods of forming group III piezoelectric thin films via sputtering |
US11411169B2 (en) | 2017-10-16 | 2022-08-09 | Akoustis, Inc. | Methods of forming group III piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material |
US11832521B2 (en) * | 2017-10-16 | 2023-11-28 | Akoustis, Inc. | Methods of forming group III-nitride single crystal piezoelectric thin films using ordered deposition and stress neutral template layers |
US11895920B2 (en) | 2016-08-15 | 2024-02-06 | Akoustis, Inc. | Methods of forming group III piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material |
US10038422B2 (en) * | 2016-08-25 | 2018-07-31 | Qualcomm Incorporated | Single-chip multi-frequency film bulk acoustic-wave resonators |
CN107920313A (zh) * | 2016-08-27 | 2018-04-17 | 深圳市诺维创科技有限公司 | 一种微型压电超声换能器及其制作方法 |
US11856858B2 (en) | 2017-10-16 | 2023-12-26 | Akoustis, Inc. | Methods of forming doped crystalline piezoelectric thin films via MOCVD and related doped crystalline piezoelectric thin films |
US12009803B2 (en) | 2019-04-04 | 2024-06-11 | Ningbo Semiconductor International Corporation | Bulk acoustic wave resonator, filter and radio frequency communication system |
CN111786651A (zh) * | 2019-04-04 | 2020-10-16 | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 | 体声波谐振器及其制造方法和滤波器、射频通信*** |
US11618968B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-04-04 | Akoustis, Inc. | Apparatus including horizontal flow reactor with a central injector column having separate conduits for low-vapor pressure metalorganic precursors and other precursors for formation of piezoelectric layers on wafers |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002222764A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-08-09 | Hoya Corp | 多層膜付き基板、露光用反射型マスクブランク、露光用反射型マスクおよびその製造方法、並びに半導体の製造方法 |
JP2005045694A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Sony Corp | 薄膜バルク音響共振子およびその製造方法 |
JP2005073175A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振子及びその製造方法 |
JP2005124107A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-12 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振子及びフィルタ |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62214167A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-19 | Nec Corp | 圧電薄膜の製造方法 |
JP3630971B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-03-23 | キヤノン株式会社 | データ通信方法、装置、システム、及び記憶媒体 |
US6953977B2 (en) * | 2000-02-08 | 2005-10-11 | Boston Microsystems, Inc. | Micromechanical piezoelectric device |
JP4407004B2 (ja) | 2000-04-28 | 2010-02-03 | 株式会社デンソー | 非接触式icカード用リーダライタ |
JP2002315066A (ja) | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 通信装置及びプロトコル選択方法 |
US7253488B2 (en) * | 2002-04-23 | 2007-08-07 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Piezo-TFT cantilever MEMS |
JP4240445B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2009-03-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 超高配向窒化アルミニウム薄膜を用いた圧電素子とその製造方法 |
JP4328853B2 (ja) * | 2003-01-22 | 2009-09-09 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 圧電素子およびその製造方法 |
JP3944161B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2007-07-11 | 株式会社東芝 | 薄膜バルク波音響共振器及び薄膜バルク波音響共振器の製造方法 |
CN101048531A (zh) * | 2004-07-07 | 2007-10-03 | 通用电气公司 | 基材上的保护涂层及其制备方法 |
-
2005
- 2005-03-24 JP JP2005085607A patent/JP4548171B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
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---|---|---|---|---|
JP2002222764A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-08-09 | Hoya Corp | 多層膜付き基板、露光用反射型マスクブランク、露光用反射型マスクおよびその製造方法、並びに半導体の製造方法 |
JP2005045694A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Sony Corp | 薄膜バルク音響共振子およびその製造方法 |
JP2005073175A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振子及びその製造方法 |
JP2005124107A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-12 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振子及びフィルタ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11601110B2 (en) | 2018-07-24 | 2023-03-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk-acoustic wave resonator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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CN1838531A (zh) | 2006-09-27 |
US7477001B2 (en) | 2009-01-13 |
US20060214539A1 (en) | 2006-09-28 |
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