JP4544982B2 - Method of forming solder bump - Google Patents

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Description

本発明は、印刷用マスクを使用してプリント配線板における実装用パッドに対して半田ペーストを印刷するとともに、リフロー処理を行って実装用パッドに半田バンプを形成する方法に関し、特に、ソルダーレジストの開口中心と半田印刷用マスクの開口中心をずらした状態で印刷することで、バンプ高さを均一にし、かつ５μｍ以上のボイドを含まない半田バンプを形成する方法に関するものである。   The present invention relates to a method of printing a solder paste on a mounting pad on a printed wiring board using a printing mask, and performing a reflow process to form solder bumps on the mounting pad. The present invention relates to a method of forming a solder bump that makes the bump height uniform and does not include a void of 5 μm or more by printing in a state where the opening center is shifted from the opening center of the solder printing mask.

フリップチップや、ＣＳＰ等の半導体素子をプリント配線板上に実装するような従来技術としては、プリント配線板上に形成された実装用パッド上に半田バンプを形成し、その半田バンプを介して半導体素子を実装する方式がある（特許文献１を参照）。
このような実装方式では、半田バンプが形成される実装用パッドは、ソルダーレジスト層で覆われていて、実装用パッドの中心部のみがソルダーレジスト層に形成した開口から露出している。 As a conventional technique for mounting a semiconductor element such as a flip chip or a CSP on a printed wiring board, a solder bump is formed on a mounting pad formed on the printed wiring board, and the semiconductor is formed via the solder bump. There is a method of mounting an element (see Patent Document 1).
In such a mounting system, the mounting pad on which the solder bump is formed is covered with the solder resist layer, and only the center portion of the mounting pad is exposed from the opening formed in the solder resist layer.

実装用パッド上に半田バンプを形成するには、まず、ソルダーレジスト層に形成した開口部に対応した開口を有する印刷用マスクを、その開口中心がソルダーレジスト層の開口部の中心と一致するように、プリント配線板に形成されたアライメントマークと印刷用マスクのアライメントマークとの位置合わせを行なって、ソルダーレジスト層表面に積層配置する。そのような位置合わせの後、スキージを用いる印刷法にて、印刷用マスク開口から実装用パッド上に半田ペーストを充填している。スキージを用いる印刷法により半田ペーストを充填する場合、半田ペーストはスキージの移動により印刷用マスク面上をローリングする。そして、そのローリングにより、半田ペーストは、スキージ移動方向に対して前方から実装用パッド上に充填される。前方方向から優先して充填されるので、印刷用マスクとソルダーレジストおよびソルダーレジストと実装用パッドとで形成される角部の空気や、ローリング時に巻き込んだ空気を後方へ押し出すことができた。従って、実装用パッド上に充填された半田ペーストにはボイドを含有する可能性は低かった。
このように実装用パッド上に半田ペーストを印刷した後、プリント配線板をリフロー装置にセットしてリフロー処理を行うことによって、実装用パッド上に半田バンプを形成する。
公開特許公報 平成１０−３３５８００号公報 To form a solder bump on the mounting pad, first, a printing mask having an opening corresponding to the opening formed in the solder resist layer is set so that the center of the opening coincides with the center of the opening of the solder resist layer. Next, alignment between the alignment mark formed on the printed wiring board and the alignment mark of the printing mask is performed and laminated on the surface of the solder resist layer. After such alignment, a solder paste is filled onto the mounting pad from the printing mask opening by a printing method using a squeegee. When the solder paste is filled by a printing method using a squeegee, the solder paste rolls on the printing mask surface by moving the squeegee. Then, by the rolling, the solder paste is filled on the mounting pads from the front in the moving direction of the squeegee. Since filling is performed preferentially from the front direction, the air at the corners formed by the printing mask and the solder resist, the solder resist and the mounting pad, and the air entrained during rolling can be pushed backward. Therefore, the solder paste filled on the mounting pad is unlikely to contain voids.
After the solder paste is printed on the mounting pads in this way, the printed wiring board is set in a reflow apparatus and subjected to a reflow process, thereby forming solder bumps on the mounting pads.
Published Patent Publication No. Heisei 10-335800

ところで、プリント配線板のファイン化が推進されている現今においては、実装用パッドのピッチが、０．１〜０．２ｍｍ程度であり、露出しているパッド径が、３０〜１４０μｍに設定されている。このように、実装用パッドのピッチが０．１〜０．２ｍｍとなると、ソルダーレジスト開口部の開口径（開口径：３０〜１４０μｍ）および印刷用マスクの開口径も小さくなるので、印刷用マスク開口部とソルダーレジスト開口部および実装用パッドで形成される半田ペースト充填開口部内で半田ペーストをローリングさせながら充填することが難しくなる。
このため、半田ペーストは、ローリングにより、半田ペースト充填用開口部に充填されるのではなく、スキージにより真上から圧入される傾向が強くなる。そのため、印刷用マスクとソルダーレジストおよびソルダーレジストと実装用パッドとで形成される角部の空気や、印刷用マスク面上をローリングする際に巻き込んだ空気を押出すことが難しくなり、半田ペースト内にボイドとして残存することとなる。
このようなボイドは、リフローしても半田バンプ内に残存してしまうので、形成した半田バンプにはボイドが内包されることになり、その結果、半田バンプ高さのバラツキが大きくなるという問題があり、また、半導体素子への電源供給の遅延や発熱が起こるという問題もあった。 By the way, in the present where finer printed wiring boards are being promoted, the pitch of the mounting pads is about 0.1 to 0.2 mm, and the exposed pad diameter is set to 30 to 140 μm. Yes. Thus, when the pitch of the mounting pads is 0.1 to 0.2 mm, the opening diameter of the solder resist opening (opening diameter: 30 to 140 μm) and the opening diameter of the printing mask are also reduced. It becomes difficult to fill the solder paste while rolling it in the solder paste filling opening formed by the opening, the solder resist opening, and the mounting pad.
For this reason, the solder paste is not filled in the solder paste filling opening by rolling, but is more likely to be press-fitted from directly above by the squeegee. For this reason, it becomes difficult to extrude the air at the corners formed by the printing mask and solder resist, the solder resist and the mounting pad, or the air entrained when rolling on the printing mask surface. It remains as a void.
Since such voids remain in the solder bumps even after reflowing, the voids are included in the formed solder bumps, and as a result, there is a problem that variations in the height of the solder bumps increase. In addition, there is a problem that power supply to the semiconductor element is delayed or heat is generated.

そこで、本発明の目的は、従来技術が抱える上記問題点を解消し、半田バンプ高さのバラツキを最小限に抑制して、ＩＣ等の半導体素子の実装用パッドへの実装歩留まりや、実装信頼性、耐ヒートサイクル性を大幅に向上させることができる半田バンプ形成方法を提案することにある。
本発明の他の目的は、半田バンプに包含されるボイドを減少させて、実装用パッドに実装された半導体素子への電源供給の遅延や発熱を防止したり、ボイドを起点として半田バンプに亀裂が入ることを防止できる半田バンプ形成方法を提案することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to eliminate the above-mentioned problems of the prior art, minimize the variation in the height of the solder bumps, and reduce the mounting yield and mounting reliability of semiconductor elements such as ICs on mounting pads. It is to propose a solder bump forming method capable of greatly improving the heat resistance and heat cycle resistance.
Another object of the present invention is to reduce voids contained in the solder bumps to prevent power supply delay and heat generation to the semiconductor elements mounted on the mounting pads, or to crack the solder bumps starting from the voids. It is to propose a method for forming solder bumps that can prevent the formation of solder.

本願発明者は、上記目的の実現に向け鋭意研究を重ねた結果、以下の内容を要旨構成とする発明に想到した。
すなわち、本発明は、
プリント配線板に形成されたソルダーレジスト層の開口部から露出する半導体素子実装用パッドに、印刷用マスクに形成された印刷用開口部を対向させた状態で、スキージを用いて半田ペーストを充填することによって、半導体素子実装用パッド上に半田ペーストを印刷し、その後、リフロー処理を施すことによって、前記半導体素子実装用パッド上に半田バンプを形成する方法において、
前記印刷用マスクの開口部の開口径をｄｍ（μｍ）とし、前記ソルダーレジスト層の開口部の開口径をｄｓ（μｍ）とするとき、
前記印刷用マスクの開口部の開口径ｄｍを前記ソルダーレジスト層の開口部の開口径ｄｓよりも大きく（すなわちｄｍ＞ｄｓと）するとともに、
前記印刷用マスクの開口部の中心と前記ソルダーレジスト層の開口部の中心とを２（μｍ）〜（ｄｍ−ｄｓ）／２（μｍ）の範囲でずらして前記ソルダーレジスト層に前記印刷用マスクを載置させ、または開口させて、
前記印刷用マスクの開口部内に前記ソルダーレジスト層の開口部全体を位置させ、かつ前記印刷用マスクの開口部内のいずれかの位置に前記ソルダーレジスト層の大きな露出部を生じさせることを特徴とする半田バンプ形成方法である。 As a result of intensive research aimed at realizing the above object, the inventors of the present application have come up with an invention having the following contents.
That is, the present invention
Solder paste is filled using a squeegee with the semiconductor device mounting pad exposed from the opening of the solder resist layer formed on the printed wiring board facing the printing opening formed on the printing mask. In the method of forming a solder bump on the semiconductor element mounting pad by printing a solder paste on the semiconductor element mounting pad, and then performing a reflow process,
When the opening diameter of the openings of the printing mask and dm (μm), the opening diameter of the opening portion of the solder resist layer and ds (μm),
While making the opening diameter dm of the opening of the printing mask larger than the opening diameter ds of the opening of the solder resist layer (that is, dm> ds),
Wherein the center of the opening of the printing mask and the center of the opening of the solder resist layer 2 (μm) ~ (dm- ds) / 2 (μm) wherein the printing mask in the solder resist layer is shifted in the range of It was placed, or is opened,
The entire opening of the solder resist layer is positioned in the opening of the printing mask , and a large exposed portion of the solder resist layer is generated at any position in the opening of the printing mask. This is a solder bump forming method.

また、本発明において、印刷用マスクの開口内に生じるソルダーレジスト層の大きな露出部は、スキージの移動方向と反対の側（移動開始側）に生じるようにすることができる。即ち、印刷用マスクの開口縁部とソルダーレジスト層の開口縁部との距離が、スキージ移動方向に対して一様でないように、しかも印刷用マスクの開口とソルダーレジスト層の開口がオーバーハングしないように印刷用マスクを配置させ、スキージをソルダーレジスト層の露出面積が大きい側から小さい側に向かって移動させることができる。   In the present invention, a large exposed portion of the solder resist layer generated in the opening of the printing mask can be generated on the side opposite to the moving direction of the squeegee (movement start side). That is, the distance between the opening edge of the printing mask and the opening edge of the solder resist layer is not uniform in the squeegee movement direction, and the opening of the printing mask and the opening of the solder resist layer do not overhang. In this manner, the printing mask can be arranged, and the squeegee can be moved from the larger exposed area of the solder resist layer toward the smaller side.

また、本発明において、前記印刷用マスクは、メタルマスクまたはドライフィルムを用いて形成することができる。   In the present invention, the printing mask can be formed using a metal mask or a dry film.

本発明にかかる半田バンプの形成方法によれば、半田ペーストは印刷用マスクの開口部を通ってソルダーレジスト開口部に充填されるが、その際、図１に示すように、印刷用マスクの開口部の開口径をソルダーレジスト層の開口部の開口径よりも大きくするとともに、印刷用マスク開口部の中心とソルダーレジスト開口部の中心とが、２（μｍ）〜（ｄｍ−ｄｓ）／２（μｍ）の範囲内の距離だけずれた状態で、しかも印刷用マスクがソルダーレジスト開口部にオーバーハングしないようにソルダーレジスト層に対し印刷用マスクを配置しているため、印刷用マスクで覆われていないソルダーレジスト層の露出部の面積が印刷用マスク開口部の周方向に一様でなくなる、すなわち、ソルダーレジスト層の露出表面積が大きな個所と小さな個所ができるので、半田ペーストは、実装パッド上にソルダーレジスト層の露出表面積が小さい個所、すなわち、印刷用マスクの開口縁部とソルダーレジスト層の開口縁部との距離が小さい側から優先的に充填されるようになる。 According to the method of forming such solder bumps to the present invention, although the solder paste is filled in the solder resist opening through an opening in the mask for printing, this time, as shown in FIG. 1, the opening of the printing mask The opening diameter of the part is made larger than the opening diameter of the opening part of the solder resist layer, and the center of the printing mask opening part and the center of the solder resist opening part are 2 (μm) to (dm−ds) / 2 ( Since the printing mask is placed on the solder resist layer so that the printing mask does not overhang the solder resist opening with a distance within the range of μm), it is covered with the printing mask. area of the exposed portion is not uniform in the circumferential direction of the printing mask opening without the solder resist layer, i.e., a small location exposed surface area of the solder resist layer is a significant point Since it, solder paste, place exposed surface area of the solder resist layer on the mounting pad is small, that is preferentially filled from a distance smaller side of the opening edge portion of the opening edge portion and the solder resist layer of the printing mask Become so.

なぜならば、印刷用マスク開口縁部とソルダーレジスト層の開口縁部との距離が近い側（ソルダーレジスト層の小さな露出部側、図１参照）は、その反対側（ソルダーレジスト層の大きな露出部側）に比べてソルダーレジストの露出量が小さいので、半田ペーストを実装用パッド上に充填するのにソルダーレジスト層が邪魔になりにくいからである。このため、印刷法による半田ペーストの充填において、圧入傾向が強くなるプリント配線板（例えば、実装用パッドピッチが、０．１〜０．２ｍｍで、ソルダーレジスト開口径が、３０〜１４０μｍのプリント配線板）においても、半田ペーストがソルダーレジスト層の露出量が小さい側から優先的に、実装用パッド上に充填される。そのため、印刷用マスクとソルダーレジストおよびソルダーレジストと実装用パッドとで形成される角部の空気や印刷用マスク面上をローリングする際に巻き込んだ空気を、ソルダーレジスト層の露出量が大きい側へ押し出すことが可能となる。
したがって、半田ペーストが実装用パッドの表面から印刷用マスクの表面まで確実に充填され、半田高さのバラツキが最小限に抑制された半田バンプを形成することができる。その結果、実装用パッドと半導体素子との接続を容易かつ確実に行なうことができるので、実装歩留まりや実装信頼性を大幅に向上させることができる。また、半田ペースト充填時に空気を押し出しやすくなるので、５μｍ以上のボイドがない、あるいはボイドが全くない半田バンプを形成することができるのである。 This is because the side where the distance between the printing mask opening edge and the opening edge of the solder resist layer is short (the small exposed portion side of the solder resist layer, see FIG. 1) is the opposite side (the large exposed portion of the solder resist layer). This is because the exposed amount of the solder resist is smaller than that of the side), and the solder resist layer is unlikely to obstruct the filling of the solder paste onto the mounting pads. For this reason, a printed wiring board having a strong press-fitting tendency in filling of solder paste by a printing method (for example, a printed wiring having a mounting pad pitch of 0.1 to 0.2 mm and a solder resist opening diameter of 30 to 140 μm). Also in the board), the solder paste is preferentially filled on the mounting pads from the side where the exposed amount of the solder resist layer is small. Therefore, the air at the corner formed by the printing mask and solder resist, the solder resist and the mounting pad, and the air entrained when rolling on the printing mask surface are moved to the side where the exposed amount of the solder resist layer is large. It can be extruded.
Therefore, it is possible to form a solder bump in which the solder paste is reliably filled from the surface of the mounting pad to the surface of the printing mask, and the variation in solder height is suppressed to a minimum. As a result, the mounting pad and the semiconductor element can be connected easily and reliably, so that the mounting yield and mounting reliability can be greatly improved. Further, since it becomes easy to push out air when filling the solder paste, it is possible to form a solder bump having no voids of 5 μm or more or no voids.

また、本発明によれば、従来技術にかかる方法で形成された半田バンプよりも電気抵抗を大幅に低下させた半田バンプを得ることができるので、IC等の半導体素子への電源供給の遅延がなくなると共に、半導体素子を実装した場合にも発熱がなくなる。また、耐ヒートサイクル性も向上する。   In addition, according to the present invention, it is possible to obtain a solder bump having a significantly lower electrical resistance than a solder bump formed by a method according to the prior art, so that a delay in power supply to a semiconductor element such as an IC is delayed. In addition, no heat is generated when a semiconductor element is mounted. Moreover, heat cycle resistance is also improved.

本発明にかかる半田バンプの形成方法は、印刷用マスクの開口部の中心とソルダーレジスト層に形成した開口部の中心とを所定の範囲内に敢えてずらした状態で、印刷用マスク開口を介して半田ペーストをソルダーレジスト層に形成した開口内に充填し、その開口内に露出する実装用パッドに印刷することを特徴とする。   The method for forming a solder bump according to the present invention includes a printing mask opening through which the center of the opening of the printing mask and the center of the opening formed in the solder resist layer are deviated within a predetermined range. The solder paste is filled in the opening formed in the solder resist layer, and printing is performed on the mounting pad exposed in the opening.

前記印刷用マスクの開口部の中心とソルダーレジスト層の開口部の中心との間のずれ量Δは、２μｍ以上、Ｄμｍ以下の範囲とする。なお、ずれ量Δの許容最大値は、印刷用マスクの開口径をｄｍ（μｍ）とし、ソルダーレジスト層の開口部の開口径をｄｓ（μｍ）とするとき、（ｄｍ−ｄｓ）／２で表される。   The amount of deviation Δ between the center of the opening of the printing mask and the center of the opening of the solder resist layer is in the range of 2 μm or more and D μm or less. The allowable maximum value of the shift amount Δ is (dm−ds) / 2 when the opening diameter of the printing mask is dm (μm) and the opening diameter of the opening of the solder resist layer is ds (μm). expressed.

前記ずれ量Δが２μｍ未満であると、ソルダーレジスト層の露出部が少ない側からの優先的な充填が少ないため、ペースト充填の際にペースト内に巻き込まれる気泡を押し出すことができない。このため、半田ボリュームが不均一となって、リフロー後の半田バンプの高さに許容範囲（σで５未満）を超えた大きなバラツキが発生したり、半田バンプ内に５μｍ以上のボイドを内包してしまう。   When the amount of deviation Δ is less than 2 μm, preferential filling from the side where the exposed portion of the solder resist layer is small is small, so that bubbles entrained in the paste during paste filling cannot be pushed out. For this reason, the solder volume becomes uneven, and the solder bump height after reflowing has a large variation exceeding the allowable range (σ is less than 5), or a void of 5 μm or more is included in the solder bump. End up.

一方、前記ずれ量ΔがＤμｍを超えると、印刷用マスクがソルダーレジストの開口に対してオーバーハングするため、気泡を押し出すことが不可能となる。このため、半田ボリュームが不均一となって、リフロー後の半田バンプの高さに許容範囲を超えた大きなバラツキが発生したり、半田バンプ内に５μｍ以上のボイドを内包してしまう。   On the other hand, when the deviation Δ exceeds D μm, the printing mask overhangs with respect to the opening of the solder resist, making it impossible to push out bubbles. For this reason, the solder volume becomes non-uniform, and the height of the solder bump after reflowing varies greatly beyond the allowable range, or a void of 5 μm or more is included in the solder bump.

したがって、前記ずれ量Δが２μｍ以上で、Ｄμｍ以下の範囲である場合に、半田ペーストが実装用パッド上に、ソルダーレジスト層の露出部が少ない側から優先的に充填されるため、その半田ペーストが気泡を巻き込んだとしても反対方向へ押し出すことが可能となる。このため、半田ペースト内には気泡が内包されにくいので半田ボリュームが一定となる。その結果、リフロー後の半田バンプは、５μｍ以上のボイドがなく、高さのバラツキが許容範囲内（σで５未満）のものとなるのである。   Therefore, when the amount of deviation Δ is in the range of 2 μm or more and D μm or less, the solder paste is preferentially filled on the mounting pad from the side where the exposed portion of the solder resist layer is small. Even if a bubble entrains bubbles, it can be pushed out in the opposite direction. For this reason, since the bubbles are difficult to be included in the solder paste, the solder volume becomes constant. As a result, the solder bump after reflow does not have a void of 5 μm or more, and the height variation is within an allowable range (σ is less than 5).

前記印刷用マスクとしては、例えば、市販のマスク材料から、エッチング加工や、アディティブ加工、レーザ加工等の常法によって形成したものを用いることができる。
前記印刷用マスクは、例えば、ニッケル合金や、ニッケル−コバルト合金等の金属からなるメタルマスクや、エポキシ樹脂や、ポリイミド樹脂等の樹脂からなるプラスチックマスクが用いられる。 As the printing mask, for example, a mask formed from a commercially available mask material by an ordinary method such as etching, additive processing, or laser processing can be used.
As the printing mask, for example, a metal mask made of a metal such as a nickel alloy or a nickel-cobalt alloy, or a plastic mask made of a resin such as an epoxy resin or a polyimide resin is used.

本発明において使用される印刷用マスクは、かかる例示のみに限定されるものではないが、コストや、耐久性、開口部の精度等の点から、ニッケル合金や、ニッケル−コバルト合金からアディティブ法によって形成されたメタルマスクが好ましい。   The printing mask used in the present invention is not limited to such examples, but from the viewpoint of cost, durability, accuracy of the opening, etc., from an nickel alloy or a nickel-cobalt alloy by an additive method. A formed metal mask is preferred.

また、前記印刷用マスクの厚みは、形成されるべき半田バンプのソルダーレジスト層表面からの所望の突出高さに応じて選定されるが、通常は１０〜１５０μｍ程度の範囲が好ましく、１５〜６０μｍ程度の範囲がより好ましい。その理由は、厚さが１０μｍ未満では、バンプの高さや体積が小さくなったり、バンプ高さのバラツキが許容範囲を超えて大きくなったりするので、ヒートサイクル時にバンプに亀裂が入るからであり、１５０μｍを超えると、５μｍ以上のボイドを生じることなく充填することが難しいからであるからである。   Further, the thickness of the printing mask is selected according to the desired protruding height of the solder bump to be formed from the surface of the solder resist layer, but is preferably in the range of about 10 to 150 μm, and preferably 15 to 60 μm. A range of the degree is more preferable. The reason is that if the thickness is less than 10 μm, the bump height and volume are reduced, or the bump height variation exceeds the allowable range, so that the bumps crack during the heat cycle, This is because if it exceeds 150 μm, it is difficult to fill without producing a void of 5 μm or more.

さらに、印刷用マスクに形成される開口部の形状および大きさは、ソルダーレジスト層に設ける開口部の形状および大きさに関連して選択され、例えば、直径６０〜１８０μｍ程度の円形の開口にすることができる。
その理由は、開口径が６０μｍ未満では、バンプの高さや体積が不足するからであり、開口径が１８０μｍを超えると、リフロー時に、隣接する半田ペースト間で半田ペーストの移動が起こり、バンプの高さや体積が小さな半田バンプができるからである。 Furthermore, the shape and size of the opening formed in the printing mask are selected in relation to the shape and size of the opening provided in the solder resist layer, and for example, a circular opening having a diameter of about 60 to 180 μm is formed. be able to.
The reason is that if the opening diameter is less than 60 μm, the height and volume of the bump are insufficient, and if the opening diameter exceeds 180 μm, the solder paste moves between adjacent solder pastes during reflow, and the bump height increases. This is because a solder bump having a small sheath volume can be formed.

本発明における印刷用マスクは、液状またはフィルム状のレジスト材を用いて形成することもできる。その場合、実装用パッドが形成されている基板表面に、常法によってソルダーレジスト層を形成した後、写真法またはレーザにより、半田バンプを形成すべきソルダーレジスト層の所定の位置に、直径が３０〜１４０μｍの開口を形成する。次に、ソルダーレジスト層上に、印刷用マスクとしてのフィルム状のレジスト層を形成し、そのレジスト層に、写真法またはレーザにより、ソルダーレジスト層に形成した開口の中心から、所定の距離だけずれた位置に中心を有する、直径が６０〜１８０μｍの印刷用開口を形成する。その後、開口内に半田ペースト充填し、リフロー処理して半田バンプを形成した後、ソルダーレジスト層の少なくとも一部が溶解しないで残存するようにレジスト層を除去する。   The printing mask in the present invention can also be formed using a liquid or film resist material. In that case, after a solder resist layer is formed on the substrate surface on which the mounting pads are formed by a conventional method, the diameter is 30 at a predetermined position of the solder resist layer where a solder bump is to be formed by a photographic method or a laser. An opening of ˜140 μm is formed. Next, a film-like resist layer as a printing mask is formed on the solder resist layer, and the resist layer is shifted by a predetermined distance from the center of the opening formed in the solder resist layer by photographic method or laser. A printing opening having a diameter of 60 to 180 μm and having a center at the position is formed. Thereafter, the solder paste is filled in the openings and solder bumps are formed by reflow treatment, and then the resist layer is removed so that at least a part of the solder resist layer remains undissolved.

前記レジスト層は、例えば、アルカリ可溶性の光硬化型ドライフィルム（日立化成（株）製、商品名「フォテックＨ−Ｎ１５０（厚み：５０μｍ）」、商品名「フォテックＨ−Ｗ４７５（厚み：７５μｍ）」）や、感光性でシート状のドライフィルム（デュポン社製、商品名「ＲＩＳＴＯＮ（厚さ３８μｍ）」や、ニチゴーモートン社製、商品名「ＮＩＴ２１５（厚さ１５μｍ）」）等を選択することが可能である。   The resist layer is, for example, an alkali-soluble photocurable dry film (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name “Photech H-N150 (thickness: 50 μm)”, trade name “Photech H-W475 (thickness: 75 μm)”. ), A photosensitive dry sheet-like film (manufactured by DuPont, trade name “RISTON (thickness 38 μm)”, Nichigo Morton, trade name “NIT215 (thickness 15 μm)”), etc. Is possible.

前記レジスト層の形成は、フィルム状の場合、貼付により行うことができる。また、レジスト層は、加熱圧着または適切な接着剤を用いて直接貼付してもよいし、あるいは粘着剤層とマイラーフィルムとでドライフィルムを挟持してなる粘着剤付き耐熱シート（例えばデュポン社製：カプトン等）を貼付してもよい。
なお、粘着剤付き耐熱シートを貼付した場合には、直後にマイラーフィルムを剥離してもよいし、後工程で開口を形成した後、あるいは後工程で該開口内に半田ペーストを充填した後、あるいは後工程ではんだ半田ペーストのリフロー後に剥離してもよい。 The resist layer can be formed by sticking in the case of a film. In addition, the resist layer may be directly attached using thermocompression bonding or an appropriate adhesive, or a heat-resistant sheet with an adhesive formed by sandwiching a dry film between an adhesive layer and a mylar film (for example, manufactured by DuPont). : Kapton etc.) may be attached.
In addition, when a heat-resistant sheet with an adhesive is attached, the mylar film may be peeled off immediately after it is formed, or after the opening is formed in a later step, or after the solder paste is filled in the opening in a later step, Or you may peel after reflow of a soldering solder paste by a post process.

前記ドライフィルムは、その厚さが、例えば、１５〜７５μｍの範囲のものが用いられ、その厚さは、後工程で形成すべき半田バンプのソルダーレジスト層の表面からの所望の突出高さに応じて設定される。   The dry film having a thickness in the range of, for example, 15 to 75 μm is used, and the thickness is set to a desired protruding height from the surface of the solder resist layer of the solder bump to be formed in a subsequent process. Set accordingly.

なお、前記粘着剤付き耐熱シートを貼付し、後工程で該開口内に半田バンプ用ペーストあるいは金属バンプ用ペーストを充填する工程の後にマイラーフィルムを剥離する場合には、粘着剤付き耐熱シートとして所望の突出高さに応じたものが選択される。   In addition, when the Mylar film is peeled off after the step of applying the heat-resistant sheet with the adhesive and filling the opening with the solder bump paste or the metal bump paste in the later step, it is desirable as the heat-resistant sheet with the adhesive. The one corresponding to the protruding height is selected.

本発明において、印刷用マスク開口のソルダーレジスト開口に対するずれの方向（図１参照）は、印刷開始方向、即ち、スキージの移動方向と反対側であることが好ましい。このような構成によれば、半田ペーストが実装用パッドまで圧入される時に、ソルダーレジスト層の露出部が抵抗とならないのに加えて、スキージ移動方向からのローリングによる充填が加わるため、さらに特定の方向からの充填が起こる。   In the present invention, the direction of displacement of the printing mask opening with respect to the solder resist opening (see FIG. 1) is preferably opposite to the printing start direction, that is, the squeegee moving direction. According to such a configuration, when the solder paste is pressed into the mounting pad, the exposed portion of the solder resist layer does not become a resistance, and filling by rolling from the squeegee moving direction is added. Filling from the direction occurs.

本発明において、半田ペーストの最大半田粒子径は、印刷用マスクの厚み以下であることが好ましい。半田ペーストの最大半田粒子径が印刷用マスクの厚みを超えると、スキージが半田粒子を半田ペースト充填用開口から掻き出してしまうからである。   In the present invention, the maximum solder particle diameter of the solder paste is preferably equal to or less than the thickness of the printing mask. This is because when the maximum solder particle diameter of the solder paste exceeds the thickness of the printing mask, the squeegee scrapes the solder particles from the opening for filling the solder paste.

以下、本発明に係る半田バンプの形成方法について、添付図面を参照して詳細に説明する。
先ず、フリップチップや、ＣＰＳ等の半導体素子が接続搭載されるプリント配線板について、図２を参照して説明する。図２はプリント配線板の平面図である。 Hereinafter, a method for forming a solder bump according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
First, a printed wiring board on which semiconductor elements such as flip chip and CPS are connected and mounted will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a plan view of the printed wiring board.

図２(a)において、プリント配線板５は、所定のサイズ（５０ｍｍ×５０ｍｍ程度）の個片（製品）基板５０を所定個数（図２（ａ）では、９個）有しており、プリント配線板５の対角位置においては、後述するように、半田バンプを形成する際に、プリント配線板５と半田印刷用マスク１とを位置決めする指標となるアライメントマーク１２０が形成されている。
前記各個片基板５０の中央部には、図２（b）に示すように、ＩＣチップが接続実装される実装用パッド１１（１５０μｍ程度の大きさを有する）が所定ピッチ（０．１８ｍｍ程度）で、所定個数（１ピースあたり１０００〜３０００００個）設けられている。 In FIG. 2A, the printed wiring board 5 has a predetermined number (9 in FIG. 2A) of individual (product) substrates 50 having a predetermined size (about 50 mm × 50 mm). At the diagonal positions of the wiring board 5, as will be described later, alignment marks 120 are formed which serve as indices for positioning the printed wiring board 5 and the solder printing mask 1 when forming solder bumps.
At the center of each individual substrate 50, as shown in FIG. 2B, mounting pads 11 (having a size of about 150 μm) to which an IC chip is connected and mounted have a predetermined pitch (about 0.18 mm). The predetermined number (1000 to 300,000 per piece) is provided.

次に、前記プリント配線板５の実装用パッド上に半田バンプを形成する方法の一例について、図３(a)〜(e)および図４を参照して説明する。   Next, an example of a method of forming solder bumps on the mounting pads of the printed wiring board 5 will be described with reference to FIGS. 3 (a) to 3 (e) and FIG.

図３(a)においてはプリント配線板５の一部である個片基板５０が示され、この個別基板５０を構成する絶縁基材６上に第１層導体回路８および層間絶縁層（無電解メッキ用接着剤層）９が形成され、また、層間絶縁層９上には、メッキレジスト層（永久レジスト層）１０が形成されるとともに、かかるメッキレジスト層１０の非形成部分には、図４に示すように、第２層導体回路１３の一部である実装用パッド１１（導体パターン）が形成されている。   FIG. 3A shows an individual substrate 50 which is a part of the printed wiring board 5, and the first layer conductor circuit 8 and the interlayer insulating layer (electroless) are formed on the insulating base material 6 constituting the individual substrate 50. (Plating adhesive layer) 9 is formed, and a plating resist layer (permanent resist layer) 10 is formed on the interlayer insulating layer 9, and a portion where the plating resist layer 10 is not formed is shown in FIG. As shown, a mounting pad 11 (conductor pattern) which is a part of the second layer conductor circuit 13 is formed.

前記メッキレジスト層１０の上には、ソルダーレジスト層１４が形成され、かかるソルダーレジスト層１４には、実装用パッド１１に対応して開口部１４Ａが形成されている。ここに、開口部１４Ａの開口径はＡに設定されていて、実装用パッド１１より小径である。   A solder resist layer 14 is formed on the plating resist layer 10, and an opening 14 </ b> A corresponding to the mounting pad 11 is formed in the solder resist layer 14. Here, the opening diameter of the opening portion 14 </ b> A is set to A, which is smaller than the mounting pad 11.

ここに、個片基板５０の第１層導体回路８および第２層導体回路１３は、いわゆるビルドアップ法により多層に形成されている。但し、各導体回路は多層である必要はなく、単層であってもよい。   Here, the first layer conductor circuit 8 and the second layer conductor circuit 13 of the individual substrate 50 are formed in multiple layers by a so-called build-up method. However, each conductor circuit does not need to be a multilayer, and may be a single layer.

前記絶縁基材６として、例えば、樹脂基板や、セラミック基板、ガラス基板、薄膜基板等を用いることができる。また、絶縁基材６の厚さは、通常、０．１ｍｍ〜２ｍｍ程度であることが好ましい。   As the insulating base 6, for example, a resin substrate, a ceramic substrate, a glass substrate, a thin film substrate, or the like can be used. Moreover, it is preferable that the thickness of the insulating base 6 is usually about 0.1 mm to 2 mm.

本発明で用いられるプリント配線板において、導体回路およびアライメントマークは、セミアディティブ法によっても形成することができる。ここに、セミアディティブ法は、粗化された無電解メッキ用接着剤層の表面に無電解メッキ膜を形成し、この無電解メッキ膜にレジストを設けて電解メッキを行った後、メッキレジストを除去してメッキレジスト下の無電解メッキ膜をエッチングすることにより独立した導体回路を形成する方法である。かかるセミアディティブ法によれば、ヒートサイクル時にソルダーレジスト層１４と導体回路の界面を起点としてソルダーレジスト層１４等に発生する垂直方向のクラックを防止できる。   In the printed wiring board used in the present invention, the conductor circuit and the alignment mark can also be formed by a semi-additive method. Here, in the semi-additive method, an electroless plating film is formed on the surface of the roughened electroless plating adhesive layer, a resist is provided on the electroless plating film, and the electroplating is performed. This is a method of forming an independent conductor circuit by removing and etching the electroless plating film under the plating resist. According to such a semi-additive method, it is possible to prevent vertical cracks generated in the solder resist layer 14 and the like starting from the interface between the solder resist layer 14 and the conductor circuit during the heat cycle.

各実装用パッド１１において開口部から露出する導体層には、その表面に粗化層（図示せず）が形成されているのが好ましく、更に、その導体層表面または粗化層表面には、ニッケル−金や、ニッケル−パラジウム−金からなる金属層１６が形成されていることが好ましい。ここに、金は反射率が高いためアライメントマーク１２０の表面に被覆されると有利である。ニッケル−金からなる金属層１６の形成は、無電解メッキにより行うことができる。
前記金属層１６の厚さは、５μｍであり、金厚さ０．１μｍのフラッシュ金メッキ、または金厚さ０．５μｍの厚付け金メッキでもよい。 It is preferable that a roughened layer (not shown) is formed on the surface of the conductor layer exposed from the opening in each mounting pad 11, and further, on the surface of the conductive layer or the roughened layer surface, The metal layer 16 made of nickel-gold or nickel-palladium-gold is preferably formed. Here, since gold has a high reflectance, it is advantageous that the surface of the alignment mark 120 is covered. The metal layer 16 made of nickel-gold can be formed by electroless plating.
The metal layer 16 has a thickness of 5 μm, and may be flash gold plating with a gold thickness of 0.1 μm or thick gold plating with a gold thickness of 0.5 μm.

前記第１導体回路８は、通常、電源層、グランド層等として作用するものであり、面状あるいは格子状のいずれに形成してもよい。   The first conductor circuit 8 normally functions as a power supply layer, a ground layer, etc., and may be formed in either a planar shape or a lattice shape.

また、前記層間絶縁層９としては、例えば、無電解メッキ用接着剤が用いられる。かかる無電解メッキ用接着剤としては、絶縁性を有する各種樹脂等を用いることができ、例えば、エポキシ樹脂や、ポリイミド樹脂等を用いることができる。これらの樹脂は、硬化剤によって硬化される性質を有し、この種の硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤や、酸無水物系硬化剤等が用いられる。   Further, as the interlayer insulating layer 9, for example, an electroless plating adhesive is used. As such an electroless plating adhesive, various insulating resins can be used, and for example, an epoxy resin, a polyimide resin, or the like can be used. These resins have the property of being cured by a curing agent, and as this type of curing agent, for example, an imidazole curing agent, an acid anhydride curing agent, or the like is used.

前記層間絶縁層９には、酸または酸化剤に可溶の耐熱性樹脂粒子が分散されていることが望ましい。このような耐熱性樹脂粒子を層間絶縁層９内に分散させた場合には、層間絶縁層９の表面を粗面化させることができ、メッキレジスト１０および実装用パッド１１との接着強度を高めることができる。   It is desirable that heat-resistant resin particles soluble in an acid or an oxidizing agent are dispersed in the interlayer insulating layer 9. When such heat-resistant resin particles are dispersed in the interlayer insulating layer 9, the surface of the interlayer insulating layer 9 can be roughened, and the adhesion strength between the plating resist 10 and the mounting pad 11 is increased. be able to.

前記耐熱性樹脂粒子としては、例えば、アミン系硬化剤で硬化させたエポキシ樹脂からなる樹脂粒子をはじめ、メラミン樹脂や、尿素樹脂、グアナミン樹脂等に代表されるアミノ系樹脂からなる樹脂粒子があげられる。   Examples of the heat-resistant resin particles include resin particles made of epoxy resin cured with an amine-based curing agent, and resin particles made of amino resin typified by melamine resin, urea resin, guanamine resin, and the like. It is done.

前記耐熱性樹脂粒子としては、例えば、(1)平均粒径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粒子、(2)平均粒径が２μｍ以下の耐熱性１次樹脂粒子を凝集させて得られた平均粒径１０μｍ以下の凝集粒子、(3)平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粒子と、平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粒子との混合物、(4)平均粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粒子の表面に、平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粒子およびシリカ、アルミナ、炭酸カルシウムなどの無機粒子の少なくとも１種を付着させた疑似粒子、(5)平均粒径が０．１〜０．８μｍの耐熱性樹脂粒子と平均粒径が０．８μｍを超え２μｍ未満の耐熱性樹脂粒子の混合物等を用いることができる。
これらの樹脂粒子は、メッキレジスト１０および実装用パッド１１に対して複雑なアンカー効果（投錨効果）を呈するので、本発明において好適に使用しうるものである。 Examples of the heat-resistant resin particles include (1) heat-resistant resin particles having an average particle diameter of 10 μm or less and (2) average particles obtained by aggregating heat-resistant primary resin particles having an average particle diameter of 2 μm or less. Aggregated particles having a diameter of 10 μm or less, (3) a mixture of heat-resistant resin particles having an average particle diameter of 2 to 10 μm and heat-resistant resin particles having an average particle diameter of 2 μm or less, and (4) an average particle diameter of 2 to 10 μm (5) The average particle size is 0. The pseudo particle in which at least one kind of heat-resistant resin particles having an average particle size of 2 μm or less and inorganic particles such as silica, alumina and calcium carbonate are adhered to the surface of the heat-resistant resin particles. A mixture of heat-resistant resin particles having 1 to 0.8 μm and heat-resistant resin particles having an average particle diameter of more than 0.8 μm and less than 2 μm can be used.
Since these resin particles exhibit a complicated anchor effect (throwing effect) to the plating resist 10 and the mounting pad 11, they can be suitably used in the present invention.

なお、前記層間絶縁材９として、感光性樹脂を用いてもよい。このように感光性樹脂を用いた場合には、かかる感光性樹脂に露光、現像処理を施すことにより、バイアホール形成用の孔等を容易に形成させることができる。かかる感光性樹脂としては、例えば、エポキシアクリレート樹脂等を用いることができる。   Note that a photosensitive resin may be used as the interlayer insulating material 9. When the photosensitive resin is used as described above, a via hole forming hole or the like can be easily formed by subjecting the photosensitive resin to exposure and development processing. As such a photosensitive resin, for example, an epoxy acrylate resin or the like can be used.

前記層間絶縁材９上に形成されるメッキレジスト１０としては、例えば、エポキシ樹脂と、アクリル酸またはメタクリル酸等とを反応させて得られたエポキシアクリレート樹脂およびイミダゾール系硬化剤とからなる組成物、もしくはエポキシアクリレート樹脂と、ポリエーテルスルホンおよびイミダゾール系硬化剤からなる組成物等を用いることができる。   As the plating resist 10 formed on the interlayer insulating material 9, for example, a composition comprising an epoxy resin, an epoxy acrylate resin obtained by reacting acrylic acid or methacrylic acid, and an imidazole curing agent, Alternatively, a composition comprising an epoxy acrylate resin, polyethersulfone, and an imidazole curing agent can be used.

本発明におけるＩＣチップを実装するための実装用パッド１１は、バイアホール１２と第２導体回路１３で形成された導体層や、第２層導体回路１３の一部を構成している導体層である。   The mounting pad 11 for mounting the IC chip in the present invention is a conductor layer formed of the via hole 12 and the second conductor circuit 13 or a conductor layer constituting a part of the second layer conductor circuit 13. is there.

このような実装用パッド１１は、例えば、無電解めっきや、電解めっき、あるいは無電解めっきと電解めっきの２層構造等によって形成される。また、実装用パッド１１のパッド径は、ソルダーレジスト層１４に形成された開口部１４Ａの開口径Ａよりも大きく設定されている。従って、実装用パッド１１の周縁部は、ソルダーレジスト層１４にオーバラップされるため、ソルダーレジスト層１４により被覆されている。   Such mounting pads 11 are formed by, for example, electroless plating, electrolytic plating, or a two-layer structure of electroless plating and electrolytic plating. The pad diameter of the mounting pad 11 is set to be larger than the opening diameter A of the opening 14 </ b> A formed in the solder resist layer 14. Therefore, the peripheral portion of the mounting pad 11 is covered with the solder resist layer 14 because it overlaps the solder resist layer 14.

なお、前記実装用パッド１１は、例えば、円形や、長円形、長方形等の形状を有し、配線の幅よりもその幅が大きくなるように形成されることが好ましい。   The mounting pad 11 preferably has a shape such as a circle, an oval, or a rectangle, and is formed to have a width larger than the width of the wiring.

前記実装用パッド１１を被覆するソルダーレジスト層１４は、例えば、エポキシ樹脂のアクリレートから形成されることが好ましく、このような樹脂の市販品をそのまま用いることができる。また必要に応じて、このような樹脂に、フタロシアニングリーン等の色素や顔料を混合して用いてもよい。
前記ソルダーレジスト層１４の厚さは、形成すべき半田バンプの所望の高さに応じて設定されるが、例えば、５〜４０μｍ程度であることが好ましい。厚さが５μｍ未満では、バンプの高さや体積が不足するからであり、厚さが４０μｍを超えると、開口径にバラツキが生じるため、バンプの高さや体積のバラツキが大きくなるからである。 The solder resist layer 14 covering the mounting pad 11 is preferably formed from, for example, an acrylate of an epoxy resin, and a commercially available product of such a resin can be used as it is. Moreover, you may mix and use pigments and pigments, such as phthalocyanine green, in such resin as needed.
The thickness of the solder resist layer 14 is set according to the desired height of the solder bumps to be formed, but is preferably about 5 to 40 μm, for example. This is because when the thickness is less than 5 μm, the height and volume of the bump are insufficient, and when the thickness exceeds 40 μm, the opening diameter varies, and thus the variation in the height and volume of the bump increases.

次に、複数の個片基板５０から構成されるプリント配線板５の実装用パッド１１に、半田バンプを形成する方法について、図３(a)〜(e)を参照して説明する。
先ず、プリント配線板５にメタルマスク１を積層配置させる（図３(c)を参照）。ここに、メタルマスク１をプリント配線板５に積層する方法としては、例えば、メタルマスク１およびプリント配線板５を半田ペースト印刷機に配設し、メタルマスク１に形成されているアライメントマーク（図示せず）の位置を、ＣＣＤカメラ等を用いて認識し、次いで、プリント配線板５の上方からＣＣＤカメラ等を用いてプリント配線板５に形成されたアライメントマーク１２０を認識する。そして、両アライメントマークのデータに基づいて、メタルマスクとプリント配線板を、両アライメントマークの中心が一致するように、位置合わせして積層配置する。 Next, a method of forming solder bumps on the mounting pads 11 of the printed wiring board 5 composed of a plurality of individual substrates 50 will be described with reference to FIGS.
First, the metal mask 1 is laminated on the printed wiring board 5 (see FIG. 3C). Here, as a method of laminating the metal mask 1 on the printed wiring board 5, for example, the metal mask 1 and the printed wiring board 5 are arranged in a solder paste printer, and an alignment mark (see FIG. (Not shown) is recognized using a CCD camera or the like, and then the alignment mark 120 formed on the printed wiring board 5 is recognized from above the printed wiring board 5 using a CCD camera or the like. Then, based on the data of both alignment marks, the metal mask and the printed wiring board are aligned and arranged so that the centers of both alignment marks coincide.

ここで、従来技術における印刷用マスク１とプリント配線板５とのアライメントについて、図５(a)を参照して説明する。
メタルマスク１に形成されているアライメントマークＸ1（例えば、貫通孔に樹脂が充填されたアライメントマーク）の位置は、そのアライメントマークＸ１とプリント配線板５に形成されているアライメントマーク（ソルダーレジスト開口形成に用いたアライメントマーク）１２０−１の中心を合わせると、メタルマスクの開口（印刷用開口）とソルダーレジストの開口ＳＲ０１の中心が一致するように形成してある。
すなわち、メタルマスクに設けた印刷用開口の中心とアライメントマークＸ１の中心との間の距離Ｌ１と、プリント配線板５に設けたアライメントマーク１２０−１の中心とソルダーレジスト開口ＳＲ０１の中心との間の距離Ｌ２が等しくなるように設定されている。
これに対して本願発明では、図５(b)に示すように、メタルマスク１に形成されているアライメントマークＸ２の位置は、そのアライメントマークＸ２とプリント配線板５に形成されているアライメントマーク１２０−２の中心を合わせると、メタルマスクに設けた印刷用開口とソルダーレジストの開口ＳＲ０２の中心がずれるように形成してある。
すなわち、印刷用開口の中心とアライメントマークＸ２の中心との間の距離Ｌ１’と、アライメントマーク１２０−２の中心とソルダーレジストの開口ＳＲ０２の中心との間の距離Ｌ２’が異なるように設定される。このため、Ｌ１’とＬ２’の差の分だけ、印刷用開口２の中心とソルダーレジスト開口ＳＲ０２の中心がずれるのである。
この方法の場合、プリント配線板５に形成されたアライメントマーク１２０を認識するにあたり、プリント配線板５を印刷機の印刷ステージ（Ｘ−Ｙテーブル）上で吸引またはクランプ固定しておくことが望ましい。 Here, the alignment between the printing mask 1 and the printed wiring board 5 in the prior art will be described with reference to FIG.
The position of the alignment mark X1 formed on the metal mask 1 (for example, the alignment mark filled with resin in the through hole) is aligned with the alignment mark X1 formed on the printed wiring board 5 (solder resist opening formation). When the center of the alignment mark 120-1 is aligned, the opening of the metal mask (printing opening) is aligned with the center of the opening SR01 of the solder resist.
That is, the distance L1 between the center of the printing opening provided on the metal mask and the center of the alignment mark X1, and the distance between the center of the alignment mark 120-1 provided on the printed wiring board 5 and the center of the solder resist opening SR01. Are set to be equal to each other.
On the other hand, in the present invention, as shown in FIG. 5B, the alignment mark X2 formed on the metal mask 1 is positioned at the alignment mark X2 and the alignment mark 120 formed on the printed wiring board 5. When the center of -2 is aligned, the center of the printing opening provided in the metal mask and the center of the opening SR02 of the solder resist are shifted.
That is, the distance L1 ′ between the center of the printing opening and the center of the alignment mark X2 is set different from the distance L2 ′ between the center of the alignment mark 120-2 and the center of the opening SR02 of the solder resist. The For this reason, the center of the printing opening 2 and the center of the solder resist opening SR02 are shifted by the difference between L1 ′ and L2 ′.
In the case of this method, when recognizing the alignment mark 120 formed on the printed wiring board 5, it is desirable to suck or clamp the printed wiring board 5 on the printing stage (XY table) of the printing press.

ここで、印刷用マスク１について、図３（ｂ）を参照して説明する。印刷用マスク１は、金属部分２、メッシュ（紗）、金属枠から形成されており、この金属部分２には、プリント配線板５の個片基板５０に設けた各実装用パッド１１に対応する位置にて印刷用の開口部（貫通孔）３が形成されている。
前記印刷用の開口部３の開口径Ｂは、前記ソルダーレジスト層１４に形成された開口部１４Ａの開口径Ａよりも大きく設定されている。 Here, the printing mask 1 will be described with reference to FIG. The printing mask 1 is formed of a metal portion 2, a mesh (rib), and a metal frame. The metal portion 2 corresponds to each mounting pad 11 provided on the individual substrate 50 of the printed wiring board 5. An opening (through hole) 3 for printing is formed at the position.
The opening diameter B of the printing opening 3 is set larger than the opening diameter A of the opening 14 </ b> A formed in the solder resist layer 14.

また、前記印刷用マスク１の印刷用開口部３の内周面に、プリント配線板５の積層面に向かって徐々に拡径するテーパが形成されていてもよい。この場合、そのテーパは、プリント配線板５に対する印刷用マスク１の積層面における印刷用開口部３の径と積層面の反対面における印刷用開口部３の径との差が２〜２０μｍになるように形成されていることが望ましい。
その理由は、径差が２μｍ未満では、印刷マスクがプリント配線板から離れるときに、半田ペーストがマスク開口の側面から離れにくいためであり、径差が２０μｍを超えると、マスク開口の底部におけるソルダーレジスト層表面との接触個所付近に存在する空気が気泡として巻き込まれやすくなるからである。
したがって、このようなテーパを印刷用開口部３に設けることにより、半田バンプの高さのバラツキが少なくなり、５μｍ以上のボイドを含まない半田バンプを形成することができる。 Further, a taper that gradually increases in diameter toward the laminated surface of the printed wiring board 5 may be formed on the inner peripheral surface of the printing opening 3 of the printing mask 1. In this case, the taper is such that the difference between the diameter of the printing opening 3 on the laminated surface of the printing mask 1 relative to the printed wiring board 5 and the diameter of the printing opening 3 on the opposite surface of the laminated surface is 2 to 20 μm. It is desirable to be formed as follows.
The reason is that when the diameter difference is less than 2 μm, when the print mask is separated from the printed wiring board, the solder paste is difficult to separate from the side surface of the mask opening. When the diameter difference exceeds 20 μm, the solder at the bottom of the mask opening is This is because air existing in the vicinity of the contact point with the resist layer surface is easily trapped as bubbles.
Therefore, by providing such a taper in the printing opening 3, there is less variation in the height of the solder bump, and a solder bump that does not contain a void of 5 μm or more can be formed.

前記印刷用マスク１の厚さは、前述したように、形成されるべき半田バンプのソルダーレジスト層表面からの所望の突出高さに応じて選定され、１０〜１５０μｍ程度の範囲が好ましく、１５〜６０μｍ程度がより好ましい範囲である。
その理由は、厚さが１０μｍ未満では、バンプの高さや体積が小さくなったり、バンプ高さのバラツキが許容範囲を超えて大きくなったりするので、ヒートサイクル時にバンプに亀裂が入るからであり、厚さが１５０μｍを超えると、５μｍ以上のボイドを生じることなく充填することが難しいからであるからである。 As described above, the thickness of the printing mask 1 is selected according to the desired protruding height of the solder bumps to be formed from the surface of the solder resist layer, and is preferably in the range of about 10 to 150 μm. About 60 μm is a more preferable range.
The reason is that if the thickness is less than 10 μm, the bump height and volume are reduced, or the bump height variation exceeds the allowable range, so that the bumps crack during the heat cycle, This is because if the thickness exceeds 150 μm, it is difficult to fill without generating a void of 5 μm or more.

さらに、前記印刷用マスク１の開口部３の形状および大きさは、前述したように、ソルダーレジスト層に設ける開口部の形状および大きさに応じて選択され、例えば、直径６０〜１８０μｍ程度の円形に形成することが好ましい。
その理由は、開口径が６０μｍ未満では、バンプの高さや体積が不足するからであり、開口径が１８０μｍを超えると、リフロー時に、隣接する半田ペースト間で半田ペーストの移動が起こり、バンプの高さや体積が小さな半田バンプができるからである。 Further, as described above, the shape and size of the opening 3 of the printing mask 1 are selected according to the shape and size of the opening provided in the solder resist layer, and for example, a circle having a diameter of about 60 to 180 μm. It is preferable to form.
The reason is that if the opening diameter is less than 60 μm, the height and volume of the bump are insufficient, and if the opening diameter exceeds 180 μm, the solder paste moves between adjacent solder pastes during reflow, and the bump height increases. This is because a solder bump having a small sheath volume can be formed.

前記印刷用マスクとして上述したレジスト材を用い、そのレジスト材に写真法により開口を形成する場合は、先のメタルマスクを用いた時とほぼ同様である。
つまり、レジスト層の開口を形成するためのフォトマスク（例えば、レジスト層の開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスク）に形成されているアライメントマークの位置は、フォトマスクに形成されているアライメントマークの中心とプリント配線板に形成されソルダーレジスト開口を形成するときに用いたアライメントマークの中心を合わせると、レジスト層の開口の中心とソルダーレジスト層の開口の中心がずれるように形成してある。フォトマスクに描画された開口形成用のパターンの中心とフォトマスクに形成してあるアライメントマークの中心間の距離Ｄ１と、ソルダーレジスト開口形成用のプリント配線板に形成してあるアライメントマークの中心とソルダーレジスト開口の中心との間の距離Ｄ２が異なる。このため、Ｄ１とＤ２の差分だけ、レジスト層の開口の中心とソルダーレジスト開口の中心がずれるのである。そのずれ量は、レジスト層に開口を形成するためのフォトマスクのアライメントマーク位置を変化させることで調整することができる。このフォトマスクに描画されたパターンは、レジスト材がネガタイプであるか、またはポジタイプであるかに応じて形成する必要がある。
また、ソルダーレジスト開口を実装用パッドの中心からずらして形成し、マスクの開口は実装用パッドの中心に位置するよう行ってもよい。
前記印刷用マスク開口の中心をソルダーレジスト開口の中心からずらす方法は、上述した以外に、印刷機や露光機において、メタルマスクのアライメントマークや、フォトマスクのアライメントマークの中心と、ソルダーレジスト開口用のアライメントマークの中心とを敢えてずらして行なうことも可能である（この場合は、Ｌ１’＝Ｌ２’、Ｄ１＝Ｄ２であってもよい）。 When the resist material described above is used as the printing mask and an opening is formed in the resist material by a photographic method, it is almost the same as when the previous metal mask is used.
That is, the position of the alignment mark formed on the photomask for forming the opening of the resist layer (for example, the photomask having a thickness of 5 mm on which the pattern of the opening of the resist layer is drawn) is formed on the photomask. If the center of the alignment mark is aligned with the center of the alignment mark used to form the solder resist opening formed on the printed wiring board, the center of the opening of the resist layer and the center of the opening of the solder resist layer are shifted. It is. A distance D1 between the center of the opening forming pattern drawn on the photomask and the center of the alignment mark formed on the photomask, and the center of the alignment mark formed on the printed wiring board for forming the solder resist opening The distance D2 from the center of the solder resist opening is different. For this reason, the center of the opening of the resist layer is shifted from the center of the opening of the solder resist by the difference between D1 and D2. The amount of deviation can be adjusted by changing the alignment mark position of the photomask for forming an opening in the resist layer. The pattern drawn on the photomask needs to be formed depending on whether the resist material is a negative type or a positive type.
The solder resist opening may be formed so as to be shifted from the center of the mounting pad, and the mask opening may be positioned at the center of the mounting pad.
The method of shifting the center of the printing mask opening from the center of the solder resist opening is not limited to the above, but in the printing machine or exposure machine, the alignment mark of the metal mask, the center of the alignment mark of the photomask, and the solder resist opening It is also possible to deviate from the center of the alignment mark (in this case, L1 ′ = L2 ′ and D1 = D2 may be satisfied).

この方法の場合、プリント配線板５に形成されたアライメントマーク１２０を認識するにあたり、プリント配線板５を露光機のＸ−Ｙテーブルに吸引またはクランプ固定しておくことが望ましい。レーザでレジスト層に開口を形成するときは、レジスト層形成後の基板をレーザ加工機に配設して、レジスト層に印刷用開口を形成するためのアライメントマークを、ＣＣＤカメラ等を用いて認識する。レーザ加工機の演算部には、レーザ加工をアライメントマークに対応して実装用パッドの中心に合わせて行うのでなく、所定の値だけずれるよう設定しておく。そのため、レジスト層の開口は、ソルダーレジスト開口に対して、レーザ加工機に設定した分だけ中心がずれることとなる。
この方法の場合、プリント配線板５に形成されたアライメントマーク１２０を認識するにあたり、プリント配線板５をレーザ加工機のＸ−Ｙテーブルに吸引またはクランプ固定しておくことが望ましい。 In the case of this method, when recognizing the alignment mark 120 formed on the printed wiring board 5, it is desirable to suck or clamp the printed wiring board 5 to the XY table of the exposure machine. When forming an opening in the resist layer with a laser, the substrate after the resist layer is formed is placed in a laser processing machine, and alignment marks for forming printing openings in the resist layer are recognized using a CCD camera or the like. To do. In the calculation unit of the laser processing machine, laser processing is set so as to be shifted by a predetermined value instead of being performed at the center of the mounting pad corresponding to the alignment mark. Therefore, the center of the opening of the resist layer is shifted by the amount set in the laser processing machine with respect to the opening of the solder resist.
In the case of this method, when recognizing the alignment mark 120 formed on the printed wiring board 5, it is desirable to suck or clamp the printed wiring board 5 on the XY table of the laser processing machine.

次に、印刷用マスク１に設けられた開口部３に、図３（ｃ）に示されるように半田ペースト１５を充填する。半田ペースト１５としては、一般的に使用されている種類のものであれば使用できる。かかる半田ペースト１５の代表例としては、例えば、Ｓｎ６３Ｐｂ３７や、Ｓｎ６２Ｐｂ６３Ａｇ２、Ｓｎ、ＳｎとＡｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Bi等から選ばれる少なくとも１種のＰｂフリー半田（Ｓｎ−Ａｇ系半田：例えば、Ｓｎ９６〜９８Ａｇ２〜４、Ｓｎ−Ｃｕ系半田：例えば、Ｓｎ９９．３Ｃｕ０．７、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ半田、Ｓｎ−Ｉｎ系半田：例えば、Ｓｎ５０〜６５Ｉｎ３５〜５０、Ｓｎ−Ｂｉ系半田）等が用いることができる。   Next, the solder paste 15 is filled in the opening 3 provided in the printing mask 1 as shown in FIG. The solder paste 15 can be of any type that is generally used. Representative examples of the solder paste 15 include, for example, Sn63Pb37, Sn62Pb63Ag2, Sn, Sn and Ag, Cu, In, Bi, etc., at least one Pb-free solder (Sn—Ag solder: 98Ag2-4, Sn-Cu solder: For example, Sn99.3Cu0.7, Sn-Ag-Cu solder, Sn-In solder: For example, Sn50-65In35-50, Sn-Bi solder) it can.

前記半田ペーストを構成する半田の平均粒子径は、５〜２０μｍの範囲が好ましく、５〜１０μｍの範囲がより好ましい。平均粒子径が５μｍ未満では、半田粒子が酸化しやすくなるため印刷条件が悪化し、半田ペーストの充填性が悪くなるためである。その結果、半田バンプの高さのバラツキが大きくなり、５μｍ以上のボイドを内包することになる。一方、平均粒子径が２０μｍを超えると、半田ペーストを充填する開口部に充填できる半田粒子数が減少するため、半田バンプの高さが低くなるからである。   The average particle diameter of the solder constituting the solder paste is preferably in the range of 5 to 20 μm, and more preferably in the range of 5 to 10 μm. When the average particle diameter is less than 5 μm, the solder particles are easily oxidized, so that the printing conditions are deteriorated and the filling property of the solder paste is deteriorated. As a result, the variation in the height of the solder bumps increases, and a void of 5 μm or more is included. On the other hand, when the average particle diameter exceeds 20 μm, the number of solder particles that can be filled in the opening for filling the solder paste is reduced, so that the height of the solder bump is lowered.

前記半田ペーストを構成するフラックスの含有量は、９．５〜１２．０mass％の範囲であることが好ましく、１０．０mass％程度がより好ましい。含有量が９．５mass％未満では、半田粒子が酸化しやすくなるためであり、含有量が１２．０mass％を超えると、フラックス蒸発時にボイドとなりやすいからである。   The flux content constituting the solder paste is preferably in the range of 9.5 to 12.0 mass%, more preferably about 10.0 mass%. This is because if the content is less than 9.5 mass%, the solder particles are likely to be oxidized, and if the content exceeds 12.0 mass%, voids are likely to occur during flux evaporation.

本発明においては、Ｐｂフリー半田を用いることが好ましい実施の形態である。なぜならば、Ｐｂフリー半田は酸化しやすいが、本発明では充填後の半田ペースト内に気泡が内包されにくいため、酸化が起こりにくくなるためである。そのため、Ｐｂフリー半田からバンプを形成すると、電気的抵抗が小さい半田バンプを形成することができる。   In the present invention, it is a preferred embodiment to use Pb-free solder. This is because Pb-free solder is easily oxidized, but in the present invention, since bubbles are not easily included in the solder paste after filling, oxidation is unlikely to occur. Therefore, when bumps are formed from Pb-free solder, solder bumps with low electrical resistance can be formed.

前記印刷用マスク１に設けられた開口部３への半田ペースト１５の充填は、ウレタン製のスキージを用い、そのスキージの移動速度を毎秒３０ｍｍとすることができる。
前記半田ペースト１５を充填した後に、図３（ｄ）に示されるように、印刷用マスク１をプリント配線板５（個片基板５０）から離脱させることにより、プリント配線板５の実装用パッド１１に半田ペースト１５が印刷される。 The opening 3 provided in the printing mask 1 is filled with the solder paste 15 using a urethane squeegee, and the moving speed of the squeegee can be 30 mm per second.
After the solder paste 15 is filled, as shown in FIG. 3D, the printing mask 1 is detached from the printed wiring board 5 (individual board 50), thereby mounting pads 11 on the printed wiring board 5. Solder paste 15 is printed on the surface.

印刷終了後には、図３（ｅ）に示すように、印刷された半田ペースト１５にリフロー処理を施し、半田バンプ１７を形成する。これにより、プリント配線板５の個片基板５０における実装用パッド１１に対して半田バンプ１７を形成することができる。さらに、必要に応じて洗浄を行ってもよい。   After the printing is finished, as shown in FIG. 3E, the printed solder paste 15 is subjected to a reflow process to form solder bumps 17. Thereby, the solder bumps 17 can be formed on the mounting pads 11 on the individual substrate 50 of the printed wiring board 5. Furthermore, you may wash | clean as needed.

以上説明したように、印刷用マスクの開口中心がソルダーレジスト層開口の中心に対してずれた状態で、印刷用マスクの開口から半田ペーストが充填されると、印刷用マスク開口縁とソルダーレジスト層開口縁との距離が短い側から、半田ペーストが優先的に充填されるようになる。そのため、半田ペースト充填時に気泡を押し出すことが可能となるので、５μｍ以上のボイドを内包しない半田バンプを形成することができ、半田バンプ高さをほぼ均一にすることができる。したがって、半田バンプの電気抵抗を小さく抑制できるので発熱を防止し、ICのトランジスタへの電源供給の遅延を防止することができる。また、半田バンプの耐ヒートサイクル性が向上する。なぜならば、半田バンプ内にボイドがなかったり、バンプ高さが均一であるため、半田バンプに応力が集中しにくくなるからである。また、発熱を防止できるため、応力を小さくすることができるためである。   As described above, when the solder paste is filled from the opening of the printing mask with the opening center of the printing mask shifted from the center of the opening of the solder resist layer, the printing mask opening edge and the solder resist layer From the side where the distance from the opening edge is short, the solder paste is preferentially filled. For this reason, bubbles can be pushed out when the solder paste is filled, so that it is possible to form solder bumps that do not contain voids of 5 μm or more, and to make the solder bump height almost uniform. Therefore, since the electrical resistance of the solder bump can be suppressed to a small value, heat generation can be prevented, and delay in power supply to the IC transistor can be prevented. In addition, the heat cycle resistance of the solder bump is improved. This is because there is no void in the solder bump or the bump height is uniform, so that it is difficult for stress to concentrate on the solder bump. Moreover, since heat generation can be prevented, stress can be reduced.

以下、本発明にかかる半田バンプの形成方法について、実施例に基づいて更に詳細に説明する。   Hereinafter, the method for forming a solder bump according to the present invention will be described in more detail based on examples.

先ず、前記セミアディティブ法を使用したビルドアップ法により、５０ｍｍ×５０ｍｍのサイズの個片（製品）基板５０の複数個からなるプリント配線板５を作成した。
この個片基板５０においては、パッド径１５０μｍの実装用パッド１１が０．１８ｍｍピッチで１０００個形成されている。また、実装用パッド１１と同時に、パッド径１．０ｍｍのアライメントマーク（パッド）１２０が基板５の角部に４個形成されている（図２(a)参照）。更に、実装用パッド１１およびアライメントマーク１２０の表面には、ニッケル−金メッキが形成されている。
各プリント配線板５には、ソルダーレジスト層１４が形成され、このソルダーレジスト層１４には実装用パッド１１に対応して開口径１００μｍの開口部１４Ａが形成されている。 First, a printed wiring board 5 composed of a plurality of individual (product) substrates 50 having a size of 50 mm × 50 mm was prepared by a build-up method using the semi-additive method.
In the individual substrate 50, 1000 mounting pads 11 having a pad diameter of 150 μm are formed at a pitch of 0.18 mm. Simultaneously with the mounting pads 11, four alignment marks (pads) 120 having a pad diameter of 1.0 mm are formed at the corners of the substrate 5 (see FIG. 2A). Further, nickel-gold plating is formed on the surface of the mounting pad 11 and the alignment mark 120.
A solder resist layer 14 is formed on each printed wiring board 5, and an opening 14 A having an opening diameter of 100 μm is formed in the solder resist layer 14 corresponding to the mounting pad 11.

前記プリント配線板５を印刷機（パナソニックファクトリーソリューションズ社製：商品名「ＳＰ印刷機」）のＸ−Ｙテーブルに吸引または吸着し、後述するメタルマスク１に形成されているアライメントマーク（図示せず）の位置を、ＣＣＤカメラ等を用いて認識する。   The printed wiring board 5 is sucked or adsorbed to an XY table of a printing machine (manufactured by Panasonic Factory Solutions Co., Ltd .: trade name “SP printing machine”), and an alignment mark (not shown) formed on the metal mask 1 described later. ) Is recognized using a CCD camera or the like.

次いで、プリント配線板５の上方からＣＣＤカメラ等を用いてプリント配線板５に形成されたアライメントマーク１２０を認識する。その後、両データに基づいて両アライメントマークの中心が一致するようにＸ−Ｙテーブルを移動させた後、プリント配線板５上にメタルマスクを載置する。
この実施例では、［００５０］段落で示したＬ１’とＬ２’の差を２μｍとしてあるので、印刷用開口３の中心がソルダーレジスト開口１４Ａの中心に対して２μｍずれた状態で積層される。 Next, the alignment mark 120 formed on the printed wiring board 5 is recognized from above the printed wiring board 5 using a CCD camera or the like. Thereafter, the XY table is moved so that the centers of both alignment marks coincide with each other based on both data, and then a metal mask is placed on the printed wiring board 5.
In this embodiment, the difference between L1 ′ and L2 ′ shown in the [0050] paragraph is 2 μm, so that the center of the printing opening 3 is laminated with a deviation of 2 μm from the center of the solder resist opening 14A.

印刷用マスクとしては、アディティブ法により作成された厚さ７０μｍ、開口径１３０μｍの半田印刷用開口部３を有するメタルマスク１を用いた。このメタルマスク１をソルダーレジスト層に積層した状態が図４に示されている。図４において、実装用パッド１１のパッド径は１５０μｍ、ソルダーレジスト層１４の開口部１４Ａの開口径は１００μｍであることから、実装用パッド１１の周縁部はソルダーレジスト層１４により被覆されている。   As the printing mask, a metal mask 1 having a solder printing opening 3 having a thickness of 70 μm and an opening diameter of 130 μm prepared by an additive method was used. FIG. 4 shows a state in which the metal mask 1 is laminated on the solder resist layer. In FIG. 4, since the pad diameter of the mounting pad 11 is 150 μm and the opening diameter of the opening 14A of the solder resist layer 14 is 100 μm, the peripheral edge of the mounting pad 11 is covered with the solder resist layer 14.

メタルマスク１がプリント配線板５上に積層された状態で、粒子径５〜２０μｍの半田粒子（Ｓｎ９６〜９８Ａｇ２〜４）とフラックス（含有量１０mass％）とからなる半田ペーストを、ウレタン製のスキージを用いて、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が大きい側から小さい側に向って（図１参照）、毎秒３０ｍｍの移動速度にて移動させることによって充填し、実装用パッド１１に印刷した（図３(c)参照）。
半田ペーストを印刷した後、印刷用マスクを基板から取り外し（図３(d)参照）、基板全体を２３０℃にセットされたリフロー炉内に導入してリフロー処理を行なって、図３(e)に示すような半田バンプ１７を得た。 In a state where the metal mask 1 is laminated on the printed wiring board 5, a solder paste composed of solder particles (Sn96 to 98Ag2 to 4) having a particle diameter of 5 to 20 μm and a flux (content of 10 mass%) is used. The solder resist layer 14 surface exposed from the printing opening 3 is filled by moving at a moving speed of 30 mm per second from the large side to the small side (see FIG. 1). It printed on the pad 11 (refer FIG.3 (c)).
After the solder paste is printed, the printing mask is removed from the substrate (see FIG. 3 (d)), the entire substrate is introduced into a reflow furnace set at 230 ° C., and reflow treatment is performed. A solder bump 17 as shown in FIG.

メタルマスクに設けた印刷用開口中心とアライメントマークの中心との間の距離Ｌ１’と、プリント配線板に設けたアライメントマークの中心とソルダーレジスト開口の中心との間の距離Ｌ２’との差（開口のずれ量）を７μｍとした以外は、実施例１と同様に、半田バンプを形成した。   The difference between the distance L1 ′ between the center of the printing opening provided on the metal mask and the center of the alignment mark and the distance L2 ′ between the center of the alignment mark provided on the printed wiring board and the center of the solder resist opening ( Solder bumps were formed in the same manner as in Example 1 except that the opening deviation amount was set to 7 μm.

メタルマスクに設けた印刷用開口中心とアライメントマークの中心との間の距離Ｌ１’と、プリント配線板に設けたアライメントマークの中心とソルダーレジスト開口の中心との間の距離Ｌ２’との差（開口のずれ量）を１５μｍとした以外は、実施例１と同様に、半田バンプを形成した。   The difference between the distance L1 ′ between the center of the printing opening provided on the metal mask and the center of the alignment mark and the distance L2 ′ between the center of the alignment mark provided on the printed wiring board and the center of the solder resist opening ( Solder bumps were formed in the same manner as in Example 1 except that the opening deviation amount was set to 15 μm.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例１と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similar to 1, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例２と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similar to 2, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例３と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similar to 3, solder bumps were formed.

参考例１Reference example 1

開口のずれ量を１μｍとした以外は実施例１と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 1 except that the amount of opening deviation was 1 μm.

参考例２Reference example 2

開口のずれ量を１７μｍとした以外は実施例１と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 1 except that the amount of opening deviation was 17 μm.

実施例１において、印刷用マスクとしてドライフィルム（デュポン社製のドライフィルム、商品名「ＲＩＳＴＯＮ」、厚さ３８μｍ）を用いた。この際、プリント配線板５上にドライフィルムを、ラミネーターを用いて貼り付ける。その後、前記基板を露光機（伯東社製、商品名「ＨＡＰ５０３５Ｃ」）のＸ−Ｙテーブルに吸引、吸着させる。次いで、プリント配線板５に形成されている、ソルダーレジスト開口を形成する時に用いたアライメントマークをＣＣＤカメラ等を用いて認識した後、レジスト層に開口を形成するためのフォトマスクのアライメントマークをＣＣＤカメラ等を用いて認識する。次いで、両アライメントマークのデータに基づいて両アライメントマークの中心が一致するようにＸ−Ｙテーブルを移動させる。その後、プリント配線板のレジスト層上に露光用マスクを積層する。   In Example 1, a dry film (DuPont dry film, trade name “RISTON”, thickness 38 μm) was used as a printing mask. At this time, a dry film is pasted on the printed wiring board 5 using a laminator. Thereafter, the substrate is sucked and adsorbed to an XY table of an exposure machine (trade name “HAP5035C” manufactured by Hakutosha Co., Ltd.). Next, after recognizing the alignment mark formed in the printed wiring board 5 when forming the solder resist opening using a CCD camera or the like, the alignment mark of the photomask for forming the opening in the resist layer is CCD Recognize using a camera. Next, the XY table is moved so that the centers of both alignment marks coincide with each other based on the data of both alignment marks. Thereafter, an exposure mask is laminated on the resist layer of the printed wiring board.

この実施例では、［００５５］段落で示したＤ１とＤ２の差を２μｍとしてあるので、ドライフィルムのレジスト層開口３（開口径：１３０μｍ）の中心がソルダーレジスト層開口の中心に対して２μｍずれている（開口のずれ量が２μｍ）。なお、露光条件は、５００Ｗの超高圧水銀灯を用い、露光量は５０ｍＪ／ｃｍ２ とする。 In this embodiment, since the difference between D1 and D2 shown in the paragraph [0055] is 2 μm, the center of the resist film opening 3 (opening diameter: 130 μm) of the dry film is shifted by 2 μm from the center of the solder resist layer opening. (The amount of deviation of the opening is 2 μm). The exposure conditions are a 500 W ultra-high pressure mercury lamp and the exposure dose is 50 mJ / cm 2 .

次に、１％の炭酸ナトリウム水溶液を用いてスプレー現像して、レジスト層開口３を形成した後、水洗および乾燥を行なった。さらに、レジスト層開口３が形成された基板を印刷機（パナソニックファクトリーソリューションズ社製、商品名「ＳＰ印刷機」）に搭載し、ウレタン製のスキージを用いて、毎秒３０ｍｍの移動速度にて、半田ペーストを印刷した。このときの印刷方向は、実施例１と同様である。
半田ペーストを印刷した後、基板全体を２３０℃にセットしたリフロー炉内に導入してリフロー処理を行ない、その後、基板を２％水酸化ナトリウム水溶液内に５分間浸漬してレジスト層だけを除去して、半田バンプを形成した。この際、ソルダーレジスト層の少なくとも一部が残存するように剥膜処理を行なった。 Next, spray development was performed using a 1% aqueous sodium carbonate solution to form the resist layer opening 3, and then washing and drying were performed. Furthermore, the substrate on which the resist layer opening 3 is formed is mounted on a printing machine (trade name “SP printing machine” manufactured by Panasonic Factory Solutions Co., Ltd.) and soldered at a moving speed of 30 mm per second using a urethane squeegee. The paste was printed. The printing direction at this time is the same as that in the first embodiment.
After the solder paste is printed, the entire substrate is introduced into a reflow oven set at 230 ° C. and reflowed, and then the substrate is immersed in a 2% aqueous sodium hydroxide solution for 5 minutes to remove only the resist layer. A solder bump was formed. At this time, the film removal treatment was performed so that at least a part of the solder resist layer remained.

開口のずれ量を７μｍとした以外は、実施例７と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 7 except that the amount of opening deviation was 7 μm.

開口のずれ量を１５μｍとした以外は、実施例７と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 7 except that the opening deviation amount was 15 μm.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例７と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similar to 7, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例８と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similar to 8, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例９と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similarly to 9, solder bumps were formed.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例７と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 7 except that the number of mounting pads 11 was changed to 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例８と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 8 except that the number of mounting pads 11 was changed to 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例９と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 9 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例１０と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 10 except that the number of mounting pads 11 was changed to 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例１１と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 11 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例１２と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 12 except that the number of mounting pads 11 was changed to 300,000.

参考例３Reference example 3

プリント配線板５上に印刷用マスク１としてドライフィルムを用い、開口のずれ量を１μｍとした以外は、実施例７と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 7 except that a dry film was used as the printing mask 1 on the printed wiring board 5 and the opening deviation amount was 1 μm.

参考例４Reference example 4

プリント配線板５上に印刷用マスク１としてドライフィルムを用い、開口のずれ量を１７μｍとした以外は、実施例７と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 7 except that a dry film was used as the printing mask 1 on the printed wiring board 5 and the opening deviation amount was 17 μm.

比較例１Comparative Example 1

印刷マスク（メタルマスク）の開口中心とソルダーレジスト開口の中心とを一致させて、プリント配線板５上に積層した以外は、実施例１と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 1 except that the center of the opening of the printing mask (metal mask) and the center of the opening of the solder resist were aligned and laminated on the printed wiring board 5.

比較例２Comparative Example 2

ドライフィルムのレジスト層開口３の中心とソルダーレジスト層開口の中心とを一致させた以外は、実施例７と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 7 except that the center of the resist layer opening 3 of the dry film was matched with the center of the solder resist layer opening.

メタルマスク１の半田印刷用開口部３の開口径を１１０μｍとし、ソルダーレジスト層１４の開口部１４Ａの開口径を５０μｍに形成し、印刷用開口３の中心がソルダーレジスト開口１４Ａの中心に対して２μｍずれた状態（開口のずれ量が２μｍ）で積層した以外は、実施例１と同様に、半田バンプを形成した。   The opening diameter of the solder printing opening 3 of the metal mask 1 is 110 μm, the opening diameter of the opening 14A of the solder resist layer 14 is 50 μm, and the center of the printing opening 3 is relative to the center of the solder resist opening 14A. Solder bumps were formed in the same manner as in Example 1 except that the layers were stacked in a state of being shifted by 2 μm (the amount of shift of the opening was 2 μm).

開口のずれ量を１５μｍとした以外は、実施例１９と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 19 except that the amount of opening deviation was 15 μm.

開口のずれ量を３０μｍとした以外は、実施例１９と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 19 except that the amount of opening deviation was 30 μm.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例１９と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similarly to 19, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例２０と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similar to 20, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例２１と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similar to 21, solder bumps were formed.

参考例５Reference Example 5

開口のずれ量を１μｍとした以外は実施例１９と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 19 except that the amount of opening deviation was 1 μm.

参考例６Reference Example 6

開口のずれ量を３２μｍとした以外は実施例１９と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 19 except that the amount of opening deviation was 32 μm.

ドライフィルムのレジスト層開口の開口径を１１０μｍに形成し、ソルダーレジスト層開口の開口径を５０μｍに形成すると共に、レジスト層開口の中心がソルダーレジスト開口の中心に対して２μｍずれた状態（開口のずれ量が２μｍ）にした以外は、実施例７と同様に、半田バンプを形成した。このときのスキージの移動方向は、図１に示したような方向である。   The opening diameter of the resist layer opening of the dry film is formed to 110 μm, the opening diameter of the solder resist layer opening is formed to 50 μm, and the center of the resist layer opening is shifted by 2 μm from the center of the solder resist opening (opening Solder bumps were formed in the same manner as in Example 7 except that the deviation amount was 2 μm. The moving direction of the squeegee at this time is as shown in FIG.

開口のずれ量を１５μｍとした以外は、実施例２５と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 25 except that the amount of opening deviation was 15 μm.

開口のずれ量を３０μｍとした以外は、実施例２５と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 25 except that the amount of opening deviation was 30 μm.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例２５と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similarly to 25, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例２６と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similarly to 26, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例２７と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similarly to 27, solder bumps were formed.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例２５と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 25 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例２６と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 26 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例２７と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 27 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例２８と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 28 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例２９と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 29 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例３０と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 30 except that the number of mounting pads 11 was changed to 300,000.

参考例７Reference Example 7

開口のずれ量を１μｍとした以外は、実施例２５と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 25 except that the amount of deviation of the opening was 1 μm.

参考例８Reference Example 8

開口のずれ量を３２μｍとした以外は、実施例２５と同様にして、半田バンプを形成した。   A solder bump was formed in the same manner as in Example 25 except that the amount of deviation of the opening was 32 μm.

比較例３Comparative Example 3

印刷マスク（メタルマスク）の開口中心とソルダーレジスト開口の中心とを一致させて、プリント配線板５上に積層した以外は、実施例１９と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 19 except that the center of the opening of the printing mask (metal mask) and the center of the opening of the solder resist were aligned and laminated on the printed wiring board 5.

比較例４Comparative Example 4

ドライフィルムのレジスト層開口３の中心とソルダーレジスト層開口の中心とを一致させた以外は、実施例２５同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 25 except that the center of the resist layer opening 3 of the dry film was matched with the center of the solder resist layer opening.

メタルマスク１の半田印刷用開口部３の開口径を１００μｍとし、ソルダーレジスト層１４の開口部１４Ａの開口径を６０μｍに形成し、印刷用開口３の中心がソルダーレジスト開口１４Ａの中心に対して２μｍずれた状態（開口のずれ量が２μｍ）で積層した以外は、実施例１と同様に、半田バンプを形成した。   The opening diameter of the solder printing opening 3 of the metal mask 1 is 100 μm, the opening diameter of the opening 14A of the solder resist layer 14 is 60 μm, and the center of the printing opening 3 is relative to the center of the solder resist opening 14A. Solder bumps were formed in the same manner as in Example 1 except that the layers were stacked in a state of being shifted by 2 μm (the amount of shift of the opening was 2 μm).

開口のずれ量を１０μｍとした以外は、実施例３７と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 37 except that the amount of opening deviation was 10 μm.

開口のずれ量を２０μｍとした以外は、実施例３７と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 37 except that the opening deviation amount was 20 μm.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例３７と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similar to 37, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例３８と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similarly to 38, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例３９と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similar to 39, solder bumps were formed.

参考例９Reference Example 9

開口のずれ量を１μｍとした以外は実施例３７と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 37 except that the opening deviation amount was 1 μm.

参考例１０Reference Example 10

開口のずれ量を２２μｍとした以外は実施例３７と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 37 except that the opening deviation amount was 22 μm.

ドライフィルムのレジスト層開口の開口径を１００μｍに形成し、ソルダーレジスト層開口の開口径を６０μｍに形成すると共に、レジスト層開口の中心がソルダーレジスト開口の中心に対して２μｍずれた状態（開口のずれ量が２μｍ）にした以外は、実施例７と同様に、半田バンプを形成した。   The opening diameter of the resist layer opening of the dry film is formed to 100 μm, the opening diameter of the solder resist layer opening is formed to 60 μm, and the center of the resist layer opening is shifted by 2 μm from the center of the solder resist opening (opening Solder bumps were formed in the same manner as in Example 7 except that the deviation amount was 2 μm.

開口のずれ量を１０μｍとした以外は、実施例４３と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 43 except that the amount of opening deviation was 10 μm.

開口のずれ量を２０μｍとした以外は、実施例４３と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 43 except that the opening deviation amount was 20 μm.

スキージの移動方向を、レジスト層開口から露出するソルダーレジスト層表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例４３と同様に、半田バンプを形成した。   The moving direction of the squeegee was the same as in Example 43 except that the direction of the solder resist layer surface exposed from the resist layer opening was the direction from the small side to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). In addition, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、レジスト層開口から露出するソルダーレジスト層表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例４４と同様に、半田バンプを形成した。   The moving direction of the squeegee was the same as in Example 44, except that the area of the solder resist layer surface exposed from the resist layer opening was changed from the smaller side to the larger side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). In addition, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、レジスト層開口から露出するソルダーレジスト層表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例４５と同様に、半田バンプを形成した。   The moving direction of the squeegee is the same as in Example 45 except that the direction of the solder resist layer surface exposed from the resist layer opening is the direction from the small side to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). In addition, solder bumps were formed.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例４３と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 43 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例４４と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 44 except that the number of mounting pads 11 was changed to 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例４５と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 45 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例４６と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 46 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例４７と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 47 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例４８と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 48 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

参考例１１Reference Example 11

開口のずれ量を１μｍとした以外は、実施例４３と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 43, except that the opening deviation amount was 1 μm.

参考例１２Reference Example 12

開口のずれ量を２２μｍとした以外は、実施例２５と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 25 except that the opening deviation amount was 22 μm.

比較例５Comparative Example 5

印刷マスク（メタルマスク）の開口中心とソルダーレジスト開口の中心とを一致させて、プリント配線板５上に積層した以外は、実施例３７と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 37, except that the center of the opening of the printing mask (metal mask) and the center of the opening of the solder resist were aligned and laminated on the printed wiring board 5.

比較例６Comparative Example 6

ドライフィルムのレジスト層開口３の中心とソルダーレジスト層開口の中心とを一致させた以外は、実施例４３と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 43, except that the center of the resist film opening 3 of the dry film was matched with the center of the solder resist layer opening.

メタルマスク１の半田印刷用開口部３の開口径を６０μｍとし、ソルダーレジスト層１４の開口部１４Ａの開口径を４０μｍに形成し、印刷用開口３の中心がソルダーレジスト開口１４Ａの中心に対して２μｍずれた状態（開口のずれ量が２μｍ）で積層した以外は、実施例１と同様に、半田バンプを形成した。   The opening diameter of the solder printing opening 3 of the metal mask 1 is 60 μm, the opening diameter of the opening 14A of the solder resist layer 14 is 40 μm, and the center of the printing opening 3 is relative to the center of the solder resist opening 14A. Solder bumps were formed in the same manner as in Example 1 except that the layers were stacked in a state of being shifted by 2 μm (the opening shift amount was 2 μm).

開口のずれ量を５μｍとした以外は、実施例５５と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 55 except that the amount of deviation of the opening was 5 μm.

開口のずれ量を１０μｍとした以外は、実施例５５と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 55 except that the opening deviation amount was 10 μm.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例５５と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similar to 55, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例５６と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similar to 56, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例５７と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similarly to 57, solder bumps were formed.

参考例１３Reference Example 13

開口のずれ量を１μｍとした以外は実施例５５と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 55 except that the opening deviation amount was 1 μm.

参考例１４Reference Example 14

開口のずれ量を１２μｍとした以外は実施例５５と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 55 except that the amount of opening deviation was 12 μm.

ドライフィルムのレジスト層開口の開口径を６０μｍに形成し、ソルダーレジスト層開口の開口径を４０μｍに形成すると共に、レジスト層開口の中心がソルダーレジスト開口の中心に対して２μｍずれた状態（開口のずれ量が２μｍ）にした以外は、実施例７と同様に、半田バンプを形成した。   The opening diameter of the resist layer opening of the dry film is formed to 60 μm, the opening diameter of the solder resist layer opening is formed to 40 μm, and the center of the resist layer opening is shifted by 2 μm from the center of the solder resist opening (opening Solder bumps were formed in the same manner as in Example 7 except that the deviation amount was 2 μm.

開口のずれ量を５μｍとした以外は、実施例６１と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 61 except that the opening deviation amount was 5 μm.

開口のずれ量を１０μｍとした以外は、実施例６１と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 61 except that the opening deviation amount was 10 μm.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例６１と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similarly to 61, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例６２と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similarly to 62, solder bumps were formed.

スキージの移動方向を、印刷用開口部３から露出するソルダーレジスト層１４表面の面積が小さい側から大きな側に向う方向（図１に示すような方向と反対の方向）とした以外は、実施例６３と同様に、半田バンプを形成した。   Example except that the moving direction of the squeegee was changed to the direction from the side where the area of the surface of the solder resist layer 14 exposed from the printing opening 3 is small to the large side (the direction opposite to the direction shown in FIG. 1). Similarly to 63, solder bumps were formed.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例６１と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 61 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例６２と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 62 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例６３と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 63 except that the number of mounting pads 11 was changed to 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例６４と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 64 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例６５と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 65 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

実装用パッド１１の数を３００，０００個とした以外は、実施例６６と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 66 except that the number of mounting pads 11 was 300,000.

参考例１５Reference Example 15

開口のずれ量を１μｍとした以外は、実施例６１と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 61 except that the opening deviation amount was 1 μm.

参考例１６Reference Example 16

開口のずれ量を１２μｍとした以外は、実施例６１と同様にして、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 61 except that the amount of opening deviation was 12 μm.

比較例７Comparative Example 7

印刷マスク開口の中心とソルダーレジスト開口の中心とを一致させて、プリント配線板５上に積層した以外は、実施例５５と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 55 except that the center of the printing mask opening and the center of the solder resist opening were aligned and laminated on the printed wiring board 5.

比較例８Comparative Example 8

ドライフィルムのレジスト層開口３の中心とソルダーレジスト層開口の中心とを一致させた以外は、実施例６１と同様に、半田バンプを形成した。   Solder bumps were formed in the same manner as in Example 61 except that the center of the resist layer opening 3 of the dry film was matched with the center of the solder resist layer opening.

以上説明したような実施例１〜７２、参考例１〜１６および比較例１〜８にしたがって製造したプリント配線板について、以下のような評価試験１〜３を行った。その試験結果を表１〜４に示す。   The following evaluation tests 1 to 3 were performed on the printed wiring boards manufactured according to Examples 1 to 72, Reference Examples 1 to 16, and Comparative Examples 1 to 8 as described above. The test results are shown in Tables 1-4.

（評価試験１）
実施例１〜７２、参考例１〜１６および比較例１〜８で得たプリント配線板のソルダーレジスト層から突出している半田バンプを、それぞれランダムに１００個選択し、そのバンプの高さをレーザ顕微鏡（KEYENCE社製、商品名「VK−８５００」）により測定し、それらのバラツキ（標準偏差σ）を計算した。 (Evaluation Test 1)
100 solder bumps protruding from the solder resist layers of the printed wiring boards obtained in Examples 1 to 72, Reference Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 8 were selected at random, and the height of the bumps was determined by laser. Measurement was performed with a microscope (trade name “VK-8500” manufactured by KEYENCE), and the variation (standard deviation σ) thereof was calculated.

（評価試験２）
実施例１〜７２、参考例１〜１６および比較例１〜８で得たプリント配線板の半田バンプを、それぞれランダムに１００個選択し、それらの半田バンプ内にボイドが存在するかどうかを、Ｘ線テレビシステム（島津製作所製、商品名「ＳＭＸ−１００」）を用いて観察した。
なお、半田バンプ内に５μｍ以上のボイドが存在する場合には、×で示し、５μｍ未満のボイドが存在する場合には、○で示し、ボイドが存在しない場合には、◎で示した。 (Evaluation test 2)
100 solder bumps of the printed wiring boards obtained in Examples 1 to 72, Reference Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 8 were selected at random, and whether or not voids exist in these solder bumps. Observation was performed using an X-ray television system (manufactured by Shimadzu Corporation, trade name “SMX-100”).
When a void of 5 μm or more exists in the solder bump, it is indicated by ×, when a void of less than 5 μm is present, it is indicated by ◯, and when there is no void, it is indicated by ◎.

（評価試験３）
実施例１〜７２、参考例１〜１６および比較例１〜８で得たプリント配線板を、それぞれ１００個準備し、半田バンプを介してＩＣチップを実装した。実装後、導通テストを行って実装歩留まり（％）を求めた。
次に、それぞれの良品を各１０個ランダムに取りだし、−５５℃×５分⇔１２５℃×５分のヒートサイクル試験を、５００回、１０００回、２０００回行ない、プリント配線板の裏面（IC実装面とは反対面）からICを介して再びプリント配線板の裏面に繋がっている特定回路の接続抵抗の変化量を測定し、電気的接続性を調べた。接続抵抗の変化量は、（（ヒートサイクル後の接続抵抗値―初期値の接続抵抗値）／初期値の接続抵抗値）×１００で表され、１０個の良品のうち1つでもその値が１０％を越えた場合には、電気的接続性が不良とみなし、×で示し、１０個全ての値が１０％以下の場合には、電気的接続性が良好とみなし、○で示した。 (Evaluation Test 3)
100 printed wiring boards obtained in Examples 1 to 72, Reference Examples 1 to 16, and Comparative Examples 1 to 8 were prepared, and an IC chip was mounted via solder bumps. After mounting, a continuity test was performed to determine the mounting yield (%).
Next, 10 non-defective products are taken out at random, and a heat cycle test of −55 ° C. × 5 minutes to 125 ° C. × 5 minutes is performed 500 times, 1000 times, 2000 times, and the back surface of the printed wiring board (IC mounting We measured the amount of change in the connection resistance of a specific circuit that was connected to the back side of the printed wiring board via the IC from the opposite side of the surface), and investigated the electrical connectivity. The amount of change in connection resistance is represented by ((connection resistance value after heat cycle−initial connection resistance value) / initial connection resistance value) × 100, and even if one of the 10 good products has that value, When it exceeded 10%, it was considered that the electrical connectivity was poor and indicated by x, and when all 10 values were 10% or less, the electrical connectivity was considered good and indicated by ◯.

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評価試験１の結果から、印刷用マスク開口の中心とソルダーレジスト開口の中心が、２μｍ以上であって、（ｄｍ−ｄｓ）／２μｍ以下の範囲内でずれている場合に、半田バンプの高さのバラツキが小さいことがわかる。これは、実装用電極パッド上に充填された半田ペースト内に５μｍ以上の気泡を包含していないため、各実装用電極パッド上の半田ペースのボリュームが一定であるからと推察される。また、気泡を巻き込んだままで印刷されにくいので、半田ペーストの高さが安定するためでもあると推察される。   From the result of the evaluation test 1, when the center of the mask opening for printing and the center of the solder resist opening is 2 μm or more and deviated within the range of (dm−ds) / 2 μm or less, the height of the solder bump It can be seen that the variation of is small. This is presumably because the solder paste filled on the mounting electrode pads does not contain bubbles of 5 μm or more, and the solder pace volume on each mounting electrode pad is constant. Moreover, since it is difficult to print with air bubbles involved, it is assumed that the solder paste height is also stabilized.

評価試験２の結果から、印刷用マスク開口の中心とソルダーレジスト開口の中心が、２μｍ以上であって、（ｄｍ−ｄｓ）／２μｍ以下の範囲内でずれている場合には、半田バンプ内のボイドが減少することがわかる。これは、半田ペーストが実装用パッド上に充填されるときに、気泡を押し出しながら充填されるためと推察される。半田バンプ内のボイドが減少することにより、半田バンプの電気抵抗が下がり、ＩＣチップのトランジスタへの電源供給が遅延なく行われることが確認された。また、ＩＣチップとプリント板の熱膨張係数差により最も応力が発生する半田バンプにおいて、クラックの起点となるボイドがないし、発熱が少なくなるので、熱変化による環境劣化が発生しにくいことが確認された。   From the result of the evaluation test 2, when the center of the printing mask opening and the center of the solder resist opening are 2 μm or more and deviated within the range of (dm−ds) / 2 μm or less, It can be seen that voids decrease. This is presumably because when the solder paste is filled on the mounting pad, it is filled while extruding bubbles. It has been confirmed that the decrease in voids in the solder bumps reduces the electrical resistance of the solder bumps, and the power supply to the IC chip transistors is performed without delay. In addition, it is confirmed that the solder bumps that generate the most stress due to the difference in coefficient of thermal expansion between the IC chip and the printed board have no voids as the starting point of cracks and heat generation is reduced, so that environmental degradation due to thermal changes is unlikely to occur. It was.

また、評価試験３の結果から、半田バンプ内のボイドの大きさと、半田バンプの高さのバラツキと、接続信頼性とが互いに密接に関係していることが確認された。即ち、半田バンプ内に大きなボイドがあるものほど、接続信頼性が低いことがわかった。その理由は、ボイドが起点となってバンプに亀裂が入ったものと推察される。また、半田バンプの高さのバラツキが大きいものほど、接続信頼性が低いことがわかった。その理由は、半田バンプの高さが低いものに応力が集中し、そのバンプに亀裂が入ったものと推察される。   Further, from the result of the evaluation test 3, it was confirmed that the size of the void in the solder bump, the variation in the height of the solder bump, and the connection reliability are closely related to each other. That is, it was found that the larger the void in the solder bump, the lower the connection reliability. The reason for this is presumed that the void was the starting point and the bump was cracked. Further, it was found that the larger the solder bump height variation, the lower the connection reliability. The reason is that the stress is concentrated on the solder bump whose height is low and the bump is cracked.

さらに、実施例１〜６（実施例１９〜２４、実施例３７〜４２、実施例５５〜６０）と実施例７〜１２（実施例２５〜３０、実施例４３〜４８、実施例６１〜６６）の試験結果をそれぞれ比べると、すべての評価試験において、後者の方が優れていることが確認された。これは、実施例７〜１２等では、印刷用マスクとしてのレジスト層が、ソルダーレジスト層に密着しているためと推察される。印刷用マスクとして、メタルマスクや樹脂製マスクを用いる場合には、印刷用マスクがソルダーレジスト層に完全に密着しないため、両者間に空気層の隙間が生じる。そのような空気層は、スキージの移動により半田ペースト充填用開口部に押出されるため、半田ペースト内に巻き込まれやすいのではないかと推察される。それに対して、印刷用マスクとしてレジスト層を用いた場合には、レジスト層とソルダーレジスト層との間に空気層の隙間が存在しないので、より優れた試験結果を得ることができたものと推察される。また、密着しているので、実装用パッドからレジスト層表面までの高さが一定となるので、バンプ高さのバラツキが減少したものと推察される。
また、実施例１〜３等と実施例４〜６等の試験結果を比べると、スキージの移動方向（印刷方向）が、印刷用マスクの開口部から露出するソルダーレジスト層表面の面積が大きい側から小さい側に向う方向（図１に示すような方向：順方向）であるような前者は、それと反対の方向（逆方向）である後者に比べてより優れた試験結果を得ることが確認された。
また、実施例７〜１２等と実施例１３〜１８等の試験結果を比べると、実装用パッド数が１０００個である場合も、３０００００個である場合でもほぼ同等の優れた結果を得ることができることが確認された。 Furthermore, Examples 1-6 (Examples 19-24, Examples 37-42, Examples 55-60) and Examples 7-12 (Examples 25-30, Examples 43-48, Examples 61-66) When the test results of) were compared, it was confirmed that the latter was superior in all evaluation tests. This is presumably because in Examples 7 to 12 and the like, the resist layer as a printing mask is in close contact with the solder resist layer. When a metal mask or a resin mask is used as the printing mask, the printing mask does not completely adhere to the solder resist layer, so that an air layer gap is generated between them. Since such an air layer is pushed out into the solder paste filling opening by the movement of the squeegee, it is presumed that the air layer is likely to be caught in the solder paste. In contrast, when a resist layer was used as a printing mask, there was no air layer gap between the resist layer and the solder resist layer, so it was assumed that better test results could be obtained. Is done. Further, since the contact is made, the height from the mounting pad to the resist layer surface is constant, and it is assumed that the variation in bump height is reduced.
Further, comparing the test results of Examples 1 to 3 and Examples 4 to 6 and the like, the movement direction (printing direction) of the squeegee is on the side where the area of the surface of the solder resist layer exposed from the opening of the printing mask is large. It is confirmed that the former, which is in the direction toward the smaller side (direction as shown in FIG. 1: forward direction), obtains better test results than the latter, which is in the opposite direction (reverse direction). It was.
In addition, when the test results of Examples 7 to 12 and Examples 13 to 18 are compared, even if the number of mounting pads is 1000 or 300,000, almost the same excellent results can be obtained. It was confirmed that it was possible.

以上説明したように、本願発明にかかるすべての実施例１〜７２において、参考例１〜１６および比較例１〜８に比べて優れた結果を得ることができ、特に、印刷用マスクとしてレジスト層を用い、スキージによる印刷方向が順方向である場合に特に優れていることが確認された。
なお、前述した各実施例において、スキージの移動方向（印刷方向）が順方向である場合と逆方向である場合について説明したが、本願発明にかかる半田バンプ形成方法は、開口のずれ量が所定の範囲内にある限り、これらの印刷方向に限定されるべきものではない。 As described above, in all of Examples 1 to 72 according to the present invention, excellent results can be obtained as compared with Reference Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 8, and in particular, a resist layer as a printing mask. In particular, it was confirmed that the printing direction by the squeegee is the forward direction.
In each of the above-described embodiments, the case where the moving direction (printing direction) of the squeegee is the forward direction and the reverse direction has been described. However, in the solder bump forming method according to the present invention, the opening deviation amount is predetermined. As long as it is within the range, it should not be limited to these printing directions.

本発明は、印刷用マスクを使用して実装用パッドに半田ペーストを印刷するとともに、リフロー処理によって実装用パッドに半田バンプを形成する方法において、ソルダーレジストの開口中心と半田印刷用マスクの開口中心をずらした状態で印刷することで、バンプ高さのばらつきを最小限に抑制し、かつ５μｍ以上のボイドを含まない半田バンプを形成する方法を提案する。   The present invention relates to a method of printing a solder paste on a mounting pad using a printing mask and forming a solder bump on the mounting pad by reflow processing, and an opening center of a solder resist and an opening center of a solder printing mask. We propose a method of forming solder bumps that minimizes variations in bump height and does not contain voids of 5 μm or more by printing in a shifted state.

本発明にかかる半田バンプ形成方法を説明するための概略図である。It is the schematic for demonstrating the solder bump formation method concerning this invention. (a)〜(b)は、本発明を適用するプリント配線板の平面図である。(a)-(b) is a top view of the printed wiring board to which this invention is applied. (a)〜(e)は、図２に示すプリント配線板上に半田バンプを形成する方法の一例を示す概略的な工程図である。(a)-(e) is a schematic process drawing which shows an example of the method of forming a solder bump on the printed wiring board shown in FIG. 図３に示すプリント配線板に印刷用マスクを積層した状態を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the state which laminated | stacked the printing mask on the printed wiring board shown in FIG. (a)は、先行技術における印刷用マスクとプリント配線板のアライメント方法を説明する図、(b)は、本願発明における印刷用マスクとプリント配線板のアライメント方法を説明する図である。(a) is a figure explaining the alignment method of the printing mask and printed wiring board in a prior art, (b) is a figure explaining the alignment method of the printing mask and printed wiring board in this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ 印刷用マスク
２ 金属部分
３ 印刷用マスク開口部
５ プリント配線板
６ 絶縁基材
８ 第１層導体回路
９ 層間絶縁層
１０ メッキレジスト
１１ 実装用パッド
１２ バイアホール
１３ 第２層導体回路
１４ ソルダーレジスト層
１４Ａ ソルダーレジスト層開口部
１５ 半田ペースト
１７ 半田バンプ
Ａ ソルダーレジスト層開口部の開口径
Ｂ 印刷マスク開口部の開口径 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Printing mask 2 Metal part 3 Printing mask opening 5 Printed wiring board 6 Insulation base material 8 1st layer conductor circuit 9 Interlayer insulation layer 10 Plating resist 11 Mounting pad 12 Via hole 13 2nd layer conductor circuit 14 Solder resist Layer 14A Solder resist layer opening 15 Solder paste 17 Solder bump A Solder resist layer opening diameter B Printing mask opening diameter

Claims (3)

プリント配線板に形成されたソルダーレジスト層の開口部から露出する半導体素子実装用パッドに、印刷用マスクに形成された印刷用開口部を対向させた状態で、スキージを用いて半田ペーストを充填することによって、半導体素子実装用パッド上に半田ペーストを印刷し、その後、リフロー処理を施すことによって、前記半導体素子実装用パッド上に半田バンプを形成する方法において、
前記印刷用マスクの開口部の開口径をｄｍ（μｍ）とし、前記ソルダーレジスト層の開口部の開口径をｄｓ（μｍ）とするとき、
前記印刷用マスクの開口部の開口径ｄｍを前記ソルダーレジスト層の開口部の開口径ｄｓよりも大きくするとともに、
前記印刷用マスクの開口部の中心と前記ソルダーレジスト層の開口部の中心とを２（μｍ）〜（ｄｍ−ｄｓ）／２（μｍ）の範囲でずらして前記ソルダーレジスト層に前記印刷用マスクを載置させ、または開口させて、
前記印刷用マスクの開口部内に前記ソルダーレジスト層の開口部全体を位置させ、かつ前記印刷用マスクの開口部内のいずれかの位置に前記ソルダーレジスト層の大きな露出部を生じさせることを特徴とする半田バンプ形成方法。 Solder paste is filled using a squeegee with the semiconductor device mounting pad exposed from the opening of the solder resist layer formed on the printed wiring board facing the printing opening formed on the printing mask. In the method of forming a solder bump on the semiconductor element mounting pad by printing a solder paste on the semiconductor element mounting pad, and then performing a reflow process,
When the opening diameter of the openings of the printing mask and dm (μm), the opening diameter of the opening portion of the solder resist layer and ds (μm),
While making the opening diameter dm of the opening of the printing mask larger than the opening diameter ds of the opening of the solder resist layer,
Wherein the center of the opening of the printing mask and the center of the opening of the solder resist layer 2 (μm) ~ (dm- ds) / 2 (μm) wherein the printing mask in the solder resist layer is shifted in the range of It was placed, or is opened,
The entire opening of the solder resist layer is positioned in the opening of the printing mask , and a large exposed portion of the solder resist layer is generated at any position in the opening of the printing mask. Solder bump formation method. 前記印刷用マスクの開口内に生じるソルダーレジスト層の大きな露出部は、前記スキージの移動方向と反対の側に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半田バンプ形成方法。   The solder bump forming method according to claim 1, wherein a large exposed portion of the solder resist layer generated in the opening of the printing mask is formed on a side opposite to a moving direction of the squeegee. 前記印刷用マスクは、メタルマスクまたはドライフィルムを用いて形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の半田バンプ形成方法。   The solder bump forming method according to claim 1, wherein the printing mask is formed using a metal mask or a dry film.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000062136A (en) * 1998-08-21 2000-02-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for printing metallic paste
JP2000252617A (en) * 1999-03-01 2000-09-14 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacture of wiring board
JP2002100860A (en) * 2000-09-22 2002-04-05 Ibiden Co Ltd Manufacturing method for printed wiring board
JP2002118347A (en) * 2000-10-11 2002-04-19 Micro Tekku Kk Printing screen and bottomed via hole filling method
JP2003007763A (en) * 2001-06-27 2003-01-10 Ngk Spark Plug Co Ltd Method for manufacturing wiring board
JP2004055827A (en) * 2002-07-19 2004-02-19 Ngk Spark Plug Co Ltd Method of manufacturing wiring board

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000062136A (en) * 1998-08-21 2000-02-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for printing metallic paste
JP2000252617A (en) * 1999-03-01 2000-09-14 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacture of wiring board
JP2002100860A (en) * 2000-09-22 2002-04-05 Ibiden Co Ltd Manufacturing method for printed wiring board
JP2002118347A (en) * 2000-10-11 2002-04-19 Micro Tekku Kk Printing screen and bottomed via hole filling method
JP2003007763A (en) * 2001-06-27 2003-01-10 Ngk Spark Plug Co Ltd Method for manufacturing wiring board
JP2004055827A (en) * 2002-07-19 2004-02-19 Ngk Spark Plug Co Ltd Method of manufacturing wiring board

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