JP4544168B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4544168B2 JP4544168B2 JP2006024167A JP2006024167A JP4544168B2 JP 4544168 B2 JP4544168 B2 JP 4544168B2 JP 2006024167 A JP2006024167 A JP 2006024167A JP 2006024167 A JP2006024167 A JP 2006024167A JP 4544168 B2 JP4544168 B2 JP 4544168B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel region
- organic layer
- partition wall
- wiring
- height
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 173
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 145
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 54
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16D—COUPLINGS FOR TRANSMITTING ROTATION; CLUTCHES; BRAKES
- F16D3/00—Yielding couplings, i.e. with means permitting movement between the connected parts during the drive
- F16D3/50—Yielding couplings, i.e. with means permitting movement between the connected parts during the drive with the coupling parts connected by one or more intermediate members
- F16D3/56—Yielding couplings, i.e. with means permitting movement between the connected parts during the drive with the coupling parts connected by one or more intermediate members comprising elastic metal lamellae, elastic rods, or the like, e.g. arranged radially or parallel to the axis, the members being shear-loaded collectively by the total load
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28C—PREPARING CLAY; PRODUCING MIXTURES CONTAINING CLAY OR CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28C5/00—Apparatus or methods for producing mixtures of cement with other substances, e.g. slurries, mortars, porous or fibrous compositions
- B28C5/08—Apparatus or methods for producing mixtures of cement with other substances, e.g. slurries, mortars, porous or fibrous compositions using driven mechanical means affecting the mixing
- B28C5/0806—Details; Accessories
- B28C5/0831—Drives or drive systems, e.g. toothed racks, winches
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28C—PREPARING CLAY; PRODUCING MIXTURES CONTAINING CLAY OR CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28C5/00—Apparatus or methods for producing mixtures of cement with other substances, e.g. slurries, mortars, porous or fibrous compositions
- B28C5/08—Apparatus or methods for producing mixtures of cement with other substances, e.g. slurries, mortars, porous or fibrous compositions using driven mechanical means affecting the mixing
- B28C5/10—Mixing in containers not actuated to effect the mixing
- B28C5/12—Mixing in containers not actuated to effect the mixing with stirrers sweeping through the materials, e.g. with incorporated feeding or discharging means or with oscillating stirrers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28C—PREPARING CLAY; PRODUCING MIXTURES CONTAINING CLAY OR CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28C5/00—Apparatus or methods for producing mixtures of cement with other substances, e.g. slurries, mortars, porous or fibrous compositions
- B28C5/08—Apparatus or methods for producing mixtures of cement with other substances, e.g. slurries, mortars, porous or fibrous compositions using driven mechanical means affecting the mixing
- B28C5/10—Mixing in containers not actuated to effect the mixing
- B28C5/12—Mixing in containers not actuated to effect the mixing with stirrers sweeping through the materials, e.g. with incorporated feeding or discharging means or with oscillating stirrers
- B28C5/14—Mixing in containers not actuated to effect the mixing with stirrers sweeping through the materials, e.g. with incorporated feeding or discharging means or with oscillating stirrers the stirrers having motion about a horizontal or substantially horizontal axis
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
前記画素領域は、略円形状であることを特徴とする。
基板上に、複数の前記画素領域を有し、前記発光層は、前記複数の画素領域および前記隔壁の上面に共通して設けられていることを特徴とする。
前記画素領域の直径をL1としたとき、隔壁の高さHBが、直径L1の0.01倍以下となるように設けられている構成を採用することができる。
基体上に、画素領域を囲む隔壁と、前記基体と前記隔壁との間に設けられた配線と、前記画素領域および前記隔壁の上面に設けられた発光層と、を備え、前記隔壁の高さをHB、前記画素領域における前記発光層の膜厚をHE、および前記配線の高さをHLとしたとき、前記隔壁の高さHBと前記配線の高さHLとの和が、前記発光層の膜厚HEの2倍以下となるように設けられていることを特徴とする。
前記画素領域には、第1電極、第2電極、および前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた前記発光層を備えた発光素子が設けられており、前記配線は、前記第1電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
前記基体上に、前記発光素子に対応するトランジスタと、を有し、前記配線は、前記トランジスタと前記第1電極とを電気的に接続する配線であることを特徴とする。
また本発明は、発光可能な有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス装置において、基板と、前記基板上に設定された画素領域を囲む隔壁と、前記基板と前記隔壁との間に設けられた配線とを備え、前記隔壁の高さをHB、前記画素領域における前記有機層の膜厚をHE、前記配線の高さをHLとしたとき、隔壁の高さHBと配線の高さHLとの和が、膜厚HEの2倍以下となるように設けられている有機エレクトロルミネッセンス装置を
提供する。
前記画素領域の直径をL1、前記画素領域のエッジと前記配線のエッジとの距離をL2としたとき、直径L1の0.7倍の値が、距離L2以下となるように設けられている構成を採用することができる。
また本発明は、発光可能な有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記基体上に、画素領域を囲むように隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記画素領域および前記隔壁の上面に液体材料からなる発光層を形成する液体材料供給工程と、を有し、前記隔壁の高さをHB、前記画素領域の直径をL1としたとき、前記隔壁の高さHBが、前記直径L1の0.01倍以下となるように、前記各工程を実行する有機エレ
クトロルミネッセンス装置の製造方法を提供する。
また本発明は、発光可能な有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記基板上に設定された画素領域を囲むように隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記有機層を形成するための材料を含む液体材料を前記隔壁に囲まれた前記画素領域及び前記隔壁の上面のそれぞれに連続するように供給する液体材料供給工程とを有し、前記隔壁の高さをHB、前記画素領域における前記有機層の膜厚をHEとしたとき、隔壁の高さHBが、膜厚HEの2倍以下となるように、前記各工程を実行する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供する。
また本発明は、発光可能な有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、前記基板上の所定位置に配線を形成する配線形成工程と、前記基板上に設定された画素領域を囲むように、且つ前記基板との間で前記配線を挟むように隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記有機層を形成するための材料を含む液体材料を前記隔壁に囲まれた前記画素領域及び前記隔壁の上面のそれぞれに連続するように供給する液体材料供給工程とを有し、前記隔壁の高さをHB、前記画素領域における前記有機層の膜厚をHE、前記配線の高さをHLとしたとき、隔壁の高さHBと配線の高さHLとの和が、膜厚HEの2倍以下となるように、前記各工程を実行する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供する。
第1実施形態について説明する。図1は第1実施形態に係る有機EL装置を示す側断面図である。図1において、有機EL装置Sは、基板1と、基板1上に設けられた発光素子(有機EL素子)2とを備えている。発光素子2は基板1の表面(能動面)に設けられている。また、有機EL装置Sは、発光素子2を駆動するための不図示の駆動素子(チップ)を備えている。また、基板1の表面の所定位置には、発光素子2と駆動素子とを電気的に接続する不図示の配線が設けられている。
HB ≦ 2×HE … (1)
の条件を満足するように、隔壁8及び有機層4が設けられている。ここで、有機層4の膜厚HEとは、有機層4の平坦な部分の膜厚であって、最も薄い部分である。
HB ≦ 0.01×L1 … (2)
の条件を満足するように、画素領域10の直径L1に応じて、隔壁8の高さHBが設けられている。
図6の模式図に示すように、画素領域10の直径L1を60μm、隔壁8の高さHBを50nmに設定し、膜厚HEが100nmである有機層4を形成した。これは、上述の(1)式、(2)式の条件を満足する。この場合、発光領域の直径L3は56μmとなった。ここで、画素領域10及び発光領域のそれぞれはほぼ円形状である。また、発光領域率は、約87%となる。このように、(1)式、(2)式の条件を満足することにより、発光領域率として目標値である70%を得ることができた。
図7の模式図に示すように、画素領域10の直径L1を60μm、隔壁8の高さHBを2000nmに設定し、膜厚HEが100nmである有機層4を形成した。これは、上述の(1)式、(2)式の条件を満足しない。この場合、発光領域の直径L3は18μmとなり、発光領域率は、約9%となった。このように、(1)式、(2)式の条件を満足しない場合、発光領域率の目標値である70%を得ることができないことが確認できた。
第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の第1実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
HB+HL ≦ 2×HE … (3)
の条件を満足するように、隔壁8、有機層4、及び配線9が設けられている。
0.7×L1 ≦ L2 … (4)
の条件を満足するように、画素領域10の直径L1に応じて、距離L2が設けられている。
HB+HL ≦ 0.01×L1 … (5)
の条件を満足するように、画素領域10の直径L1に応じて、隔壁8の高さHB、及び配線9の高さHLが設けられている。
第3実施形態について説明する。図9は第3実施形態に係る有機EL装置Sを示す側断面図である。図9に示すように、本実施形態の有機EL装置Sは、配線9を含む基板1の表面(能動面)と陽極3との間に層間絶縁層12が配置され、陽極3と配線9とは、層間絶縁層12の所定位置に形成されたコンタクトホール13を介して電気的に接続されている。
図10は、上述の有機EL装置Sを、電子写真方式プリンタの光書き込みヘッド(プリンタヘッド)に適用した場合の一例を示す図である。図10において、有機EL装置Sの基板1の上方には光学系60が設けられており、光学系60の上方には感光ドラム(感光体)61が設けられている。有機EL装置Sは、光学系60を介して、感光ドラム61に対して光を照射する。有機EL装置Sの基板1から射出された光は、光学系60を通って感光ドラム61上に集光されるようになっている。有機EL装置Sは均一な輝度(照度)の光を射出できるため、感光ドラム61を良好に感光させることができ、その感光ドラム61を用いて良好に画像形成することができる。
次に、上述の有機EL装置Sを備えた電子機器の例について説明する。上述の有機EL装置Sは、面発光が可能な照明用光源として用いることができる。例えば、液晶表示装置の表示部を構成するバックライトとして用いることができる。
Claims (8)
- 基体上に、画素領域を囲む隔壁と、
前記基体と前記隔壁との間に設けられた配線と、
前記画素領域および前記隔壁の上面に設けられた有機層と、を備え、
前記隔壁の高さをHB、前記画素領域における前記有機層の膜厚をHE、および前記配線の高さをHLとしたとき、
前記隔壁の高さHBと前記配線の高さHLとの和が、前記有機層の膜厚HEの2倍以下となるように設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 平面視において、前記画素領域の直径をL1、前記隔壁の端部と前記配線の端部との間の距離L2をとしたとき、
前記直径L1の0.7倍の値が、前記距離L2以下となるように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記隔壁の高さHBと前記配線の高さHLとの和が、直径L1の0.01倍以下となるように設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記画素領域には、第1電極、第2電極、および前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた前記有機層を備えた発光素子が設けられており、
前記配線は、前記第1電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記基体上に、前記発光素子に対応するトランジスタと、を有し、
前記配線は、前記トランジスタと前記第1電極とを電気的に接続する配線であることを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。
- 前記基体上に配線を形成する配線形成工程と、
前記配線上に、画素領域を囲むように隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記画素領域および前記隔壁の上面に液体材料からなる有機層を形成する液体材料供給工程と、を有し、
前記隔壁の高さをHB、前記画素領域における前記有機層の膜厚をHE、前記配線の高さをHLとしたとき、
前記隔壁の高さHBと前記配線の高さHLとの和が、前記有機層の膜厚HEの2倍以下となるように、前記各工程を実行することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 前記液体材料供給工程は、スピンコート法を用いて、前記画素領域及び前記隔壁の上面のそれぞれに前記液体材料を塗布することを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006024167A JP4544168B2 (ja) | 2006-02-01 | 2006-02-01 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
US11/624,930 US8102112B2 (en) | 2006-02-01 | 2007-01-19 | Organic electroluminescent device having uniform organic layer, and method of manufacturing the same |
TW096102366A TWI462631B (zh) | 2006-02-01 | 2007-01-22 | 有機電激發光裝置及其製造方法,以及電子機器 |
KR1020070008904A KR20070079303A (ko) | 2006-02-01 | 2007-01-29 | 유기 일렉트로루미네선스 장치, 그 제조 방법, 및 전자기기 |
CN2007100047794A CN101013744B (zh) | 2006-02-01 | 2007-01-30 | 有机电致发光装置及其制造方法,以及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006024167A JP4544168B2 (ja) | 2006-02-01 | 2006-02-01 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007207545A JP2007207545A (ja) | 2007-08-16 |
JP4544168B2 true JP4544168B2 (ja) | 2010-09-15 |
Family
ID=38486818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006024167A Expired - Fee Related JP4544168B2 (ja) | 2006-02-01 | 2006-02-01 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8102112B2 (ja) |
JP (1) | JP4544168B2 (ja) |
KR (1) | KR20070079303A (ja) |
CN (1) | CN101013744B (ja) |
TW (1) | TWI462631B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010093068A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2010118509A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Panasonic Corp | 発光素子 |
KR101084187B1 (ko) * | 2010-01-21 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR101193196B1 (ko) | 2010-07-07 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20120043438A (ko) | 2010-10-26 | 2012-05-04 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US10879327B2 (en) | 2018-07-09 | 2020-12-29 | Joled Inc. | Organic EL display panel and method of manufacturing the same, organic EL display device and electronic apparatus |
JP7193953B2 (ja) * | 2018-08-24 | 2022-12-21 | 住友化学株式会社 | 有機elデバイスの製造方法及び有機elデバイス |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1197182A (ja) * | 1997-09-24 | 1999-04-09 | Pioneer Electron Corp | 発光ディスプレイパネル |
JP2000353594A (ja) * | 1998-03-17 | 2000-12-19 | Seiko Epson Corp | 薄膜パターニング用基板 |
JP2001185363A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-06 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法とその素子を用いた表示パネル |
JP2001189192A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2001296818A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2002006129A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-09 | Canon Inc | 光学素子とその製造方法、液晶素子 |
JP2002025781A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Nec Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2002215065A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-07-31 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2004047215A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-02-12 | Toshiba Corp | 有機el素子および有機el表示装置 |
JP2004103502A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2005093280A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2005222776A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネセンス装置及びその製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置製造用基板、並びに電子機器 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001175198A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
KR20010085420A (ko) * | 2000-02-23 | 2001-09-07 | 기타지마 요시토시 | 전계발광소자와 그 제조방법 |
JP4801278B2 (ja) * | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
KR100656490B1 (ko) * | 2001-11-26 | 2006-12-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법 |
KR101061882B1 (ko) * | 2002-09-11 | 2011-09-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 그의 제조방법 |
CN1640203A (zh) * | 2002-09-12 | 2005-07-13 | 东芝松下显示技术有限公司 | 有机el显示器 |
US20060125384A1 (en) * | 2002-11-11 | 2006-06-15 | Tsuneharu Tomita | Organic light emitting element, production method of organic light emitting element, image forming device, and display unit |
JP4251874B2 (ja) * | 2003-01-21 | 2009-04-08 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
US7221095B2 (en) * | 2003-06-16 | 2007-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for fabricating light emitting device |
TWI253870B (en) * | 2003-10-30 | 2006-04-21 | Au Optronics Corp | Active organic electroluminescence display and fabricating method thereof |
US7692378B2 (en) * | 2004-04-28 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including an insulating layer with an opening |
WO2007013692A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescence element, exposure device and image forming apparatus |
-
2006
- 2006-02-01 JP JP2006024167A patent/JP4544168B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-19 US US11/624,930 patent/US8102112B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-22 TW TW096102366A patent/TWI462631B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-01-29 KR KR1020070008904A patent/KR20070079303A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-01-30 CN CN2007100047794A patent/CN101013744B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1197182A (ja) * | 1997-09-24 | 1999-04-09 | Pioneer Electron Corp | 発光ディスプレイパネル |
JP2000353594A (ja) * | 1998-03-17 | 2000-12-19 | Seiko Epson Corp | 薄膜パターニング用基板 |
JP2001189192A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2001185363A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-06 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法とその素子を用いた表示パネル |
JP2001296818A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2002006129A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-09 | Canon Inc | 光学素子とその製造方法、液晶素子 |
JP2002025781A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Nec Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2002215065A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-07-31 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2004047215A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-02-12 | Toshiba Corp | 有機el素子および有機el表示装置 |
JP2004103502A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2005093280A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2005222776A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネセンス装置及びその製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置製造用基板、並びに電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8102112B2 (en) | 2012-01-24 |
CN101013744A (zh) | 2007-08-08 |
TW200740272A (en) | 2007-10-16 |
US20080012472A1 (en) | 2008-01-17 |
JP2007207545A (ja) | 2007-08-16 |
KR20070079303A (ko) | 2007-08-06 |
TWI462631B (zh) | 2014-11-21 |
CN101013744B (zh) | 2013-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102173510B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
JP4121514B2 (ja) | 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置 | |
KR101976829B1 (ko) | 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
JP4439589B2 (ja) | 有機elデバイスおよび有機elディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法 | |
JP4544168B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP6519933B2 (ja) | 有機発光デバイスとその製造方法 | |
KR100760346B1 (ko) | 유기 el 장치 및 전자 기기 | |
JP2005327674A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント表示素子、それを有する表示装置、及び、その製造方法 | |
WO2012133716A1 (ja) | 有機el発光装置、有機el発光装置の製造方法及び有機el照明装置 | |
JP2007242927A (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
KR20110056994A (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 | |
JP2009070708A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
KR102058239B1 (ko) | 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
JP2007095342A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
JP2010282903A (ja) | 有機elディスプレイパネル | |
JP5108639B2 (ja) | 有機el照明装置 | |
KR20020043324A (ko) | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
KR20140143861A (ko) | 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
JP2007073284A (ja) | 発光装置の製造方法、電子機器 | |
JP2008153237A (ja) | 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置 | |
JP2005268046A (ja) | 有機el素子及び有機el表示装置 | |
JP2009064562A (ja) | 発光装置の製造方法及び発光装置 | |
JP2008235419A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器 | |
JP2006100191A (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
JP2009266763A (ja) | 有機el装置及び表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100302 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100608 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100621 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4544168 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |