JP4539786B2 - 透明導電性基板の製造方法 - Google Patents
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Description
前記透明絶縁膜が形成されていない前記透明基板の露出部分に無電解めっき法により金属電極膜を形成する工程と、
前記透明基板の表面に前記透明絶縁膜および前記金属電極膜が形成された後に、熱処理を行い前記透明絶縁膜を軟化させる工程と、
前記透明基板の表面に形成された前記透明絶縁膜および前記金属電極膜の表面に透明導電膜を形成する工程と、を有し、
前記透明基板として前記透明絶縁膜よりもOH基を表出しやすい材料を用いることにより、前記透明絶縁膜と前記透明基板の露出部分とは、無電解めっき法による前記金属電極膜の付着力が前記透明絶縁膜よりも前記透明基板の露出部分の方が大きいものとされていることを特徴とする透明導電性基板の製造方法。
〔透明基板〕
透明基板201としては、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英等の電子デバイスに使用されている硬質の材料で形成されたものや、フレキシブルなプラスチックで構成されたものを用いることができる。このプラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、トリアセチルセルロース(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、ポリカーボネート(PC)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミド(PI)等を用いることができ、またこれらのプラスチック材料で構成された基板の特性を高める為に、その表面に公知の表面コートや表面処理を行ったものを用いることが好ましい。
〔透明絶縁膜〕
透明絶縁膜202としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イソシアネート樹脂、アミノ樹脂、ポリエステル樹脂、シリコン樹脂、ビニル樹脂、スチロール樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、環状フッ素樹脂等を用いることができる。特に、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアクリレート樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂といった光ラジカル重合系または光カチオン重合系の光硬化性樹脂を用いることにより、ネガ型マスクパターン露光で容易にパターンを形成できる。また、光照射によりアルカリ難溶性からアルカリ可溶性となる熱硬化型のポリイミド樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、アクリル樹脂を用いることにより、ポジ型マスクパターン露光で容易にパターンを形成できる。
〔金属電極膜〕
無電解めっき法によって形成される金属電極膜203としては、Cu、Ni、Co、Ag、Pd、Au、Pt、Sn、Mo及びこれらの合金などが挙げられる。これらの金属塩が無電解めっき液に含有されている。具体的な金属塩として、AuCN、Ag(NH3)2NO3、AgCN、CuSO4・5H2O、CuEDTA、NiSO4・7H2O、NiCl2、Ni(OCOCH3)2、CoSO4、CoCl2、PdCl2などが挙げられる。
電気化学表示素子1に用いられるエレクトロクロミック色素は、電子の供受により光吸収状態を変化させる化合物であり、有機化合物や金属錯体を用いることができる。有機化合物としては、ピリジン化合物や導電性高分子、スチリル化合物を用いることができ、特開2002−328401号公報に記載の各種ビオロゲン化合物、特表2004−537743号に記載の色素、その他公知の色素を用いることができる。また、ロイコ型色素を用いる場合には、必要に応じて顕色剤あるいは消色剤を併用してもよい。
電気化学表示素子1に用いられる銀または銀を化学構造中に含む化合物とは、例えば、酸化銀、硫化銀、金属銀、銀コロイド粒子、ハロゲン化銀、銀錯体化合物、銀イオン等の化合物であり、固体状態、液体への可溶化状態、気体状態等の相の状態種、また、中性、アニオン性、カチオン性等の荷電状態種は、特に限定されない。
電解質とは、通常、水等の溶媒に溶けて、その溶液がイオン伝導性を示す物質を示すが、本実施形態においては、電解質、非電解質を問わず他の金属や化合物等を含有させた混合物を電解質という。
脱脂洗浄を行った厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート(PET)基板(図1(a):透明基板201)の表面に、透明絶縁性樹脂材料として210硬化剤を10%添加したSP−2100AUクリアー(ウレタン系のクリアースクリーン印刷用インキ:共に帝国インキ社製)をスクリーン印刷法にて540μm角で600μmピッチ、厚み2μmで形成し、90℃で10分間熱処理を行い、透明絶縁性樹脂パターン(図1(a):透明絶縁膜202)を形成した。
・プレディップ処理:
25%キャタプレップ404水溶液、23℃/1分間浸漬
・キャタライズ処理:
上記プレディップ液+3%キャタポジット44水溶液、50℃/5分間浸漬
・アクセラレータ処理:
5%キューポジットアクセラレータ19E水溶液、23℃/7分間浸漬
・無電解銅めっき処理:
25%キューポジットカッパーミックス328A
25%キューポジットカッパーミックス328L
3%キューポジットカッパーミックス328C
の溶液に23℃/20分間浸漬
尚、各材料は全てローム・アンド・ハース電子材料社製を用いた。
脱脂洗浄を行った厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート(PET)基板(図1(a):透明基板201)の表面に、透明絶縁性樹脂材料としてエポキシ樹脂SU8−3005(化薬マイクロケム社製)をスピンコート法にて厚み1.2μmで形成し、95℃で10分間プリベイク処理を行った後、i線にて150mJ/cm2のエネルギー量のマスク露光を行った。露光後に65℃で1分間のPEB処理(ポストエクスポージャーベイキング)を行った後、ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)にて現像処理を行い、次いで100℃で60分間熱処理を行うことにより透明樹脂からなるパターン(図1(a):透明絶縁膜202)を得た。パターンは130μm角で140μmピッチである。
脱脂洗浄を行った厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート(PET)基板(図1(a):透明基板201)の表面に、透明絶縁性樹脂材料としてアクリル樹脂PC−403(JSR社製)をスピンコート法にて厚み0.5μmで形成し、90℃で5分間プリベイク処理を行った後、i線にて50mJ/cm2のエネルギー量のマスク露光を行った。露光後に0.2%の水酸化トリメチルアンモニウム水溶液にて現像処理を行い、次いでi線にて300mJ/cm2のエネルギー量の紫外線照射を行った後、100℃で60分間熱処理を行うことにより透明アクリル樹脂からなるパターン(図1(a):透明絶縁膜202)を得た。パターンは130μm角で140μmピッチである。
実施例3において、透明アクリル樹脂によるパターン形成後、前述のシランカップリング剤処理に代わり、トリエトキシシリルプロピルアミノトリアジンジチオール(化合物1)の2%エタノール溶液に40℃で10分間浸漬し、前処理とした。
実施例5は、本発明の実施形態に係わる電気化学表示素子1の実施例である。図4に実施例5による電気化学表示素子1の製造方法を示す。図4(a)乃至図4(e)は、電気化学表示素子1の製造工程を示す断面模式図である。
2 透明導電性基板
201 透明基板
202 透明絶縁膜
203 金属電極膜
204 透明導電膜
205 絶縁膜
3 電極基板
301 基板
303 電極膜
5 散乱層
6 電解質
7 シール材
Claims (3)
- 透明基板の表面に、アクリル樹脂、イソシアネート樹脂またはエポキシ樹脂の透明絶縁膜のパターンを形成する工程と、
前記透明絶縁膜が形成されていない前記透明基板の露出部分に無電解めっき法により金属電極膜を形成する工程と、
前記透明基板の表面に前記透明絶縁膜および前記金属電極膜が形成された後に、熱処理を行い前記透明絶縁膜を軟化させる工程と、
前記透明基板の表面に形成された前記透明絶縁膜および前記金属電極膜の表面に透明導電膜を形成する工程と、を有し、
前記透明基板として前記透明絶縁膜よりもOH基を表出しやすい材料を用いることにより、前記透明絶縁膜と前記透明基板の露出部分とは、無電解めっき法による前記金属電極膜の付着力が前記透明絶縁膜よりも前記透明基板の露出部分の方が大きいものとされていることを特徴とする透明導電性基板の製造方法。 - 前記透明絶縁膜は、感光性樹脂を用いて形成することを特徴とする請求項1に記載の透明導電性基板の製造方法。
- 前記透明基板の露出部分に、トリアジンチオール処理を施した後に、前記無電解めっき法により前記金属電極膜を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の透明導電性基板の製造方法。
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