JP4535640B2 - 開口面アンテナおよび開口面アンテナ付き基板 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ミリ波帯等の高周波信号を用いる無線通信に適した開口面アンテナに関し、特に直列給電用の開口面アンテナと、これを内蔵した開口面アンテナ付き基板に関するものである。
【0002】
【従来技術】
ミリ波等の高周波信号の電波を放射するアンテナ素子としては、スロットアンテナ、パッチアンテナ等がある。これらは構造が簡単なため広く用いられており、給電線にマイクロストリップ線路、導波管線路等を用いたものが提案されている。
【0003】
また、複数個のアンテナ素子を並べたアレーアンテナの給電方式には並列給電と直列給電方式とがあるが、周波数が高くなると給電線の伝送損失が問題となるため、多くの場合、直列給電方式が採用されている。並列給電方式の場合、スロットアンテナやパッチアンテナの素子は最大の放射が得られるようにスロットやパッチが共振サイズに設定されるが、直列給電方式の場合には、給電端側から徐々に電磁波が放射されるようにするために、スロットやパッチを共振サイズより小さく設定して放射量が調整される。
【0004】
さらに、偏波技術としては、直線偏波と円偏波とがあるが、無線通信装置の場合、壁等からの反射波の影響を抑えるために、円偏波アンテナが用いられることが多い。これは、直線偏波の場合、反射波をまともに拾ってしまうのに対し、円偏波の場合には、例えば、右旋円偏波を放射した場合には反射波は左旋円偏波となるため、壁等からの一次反射波を拾うことがないためである。
【0005】
スロットアンテナは、例えば導波管タイプの給電線における導体壁に電磁波の進行方向と平行及び直交方向にスロットを形成することにより実現されている。またパッチアンテナは、長方形型や楕円型のパッチによって実現されている。
【0006】
また最近では、これらのアンテナをセラミック基板で作製することが検討されている。従来、多くは良好なアンテナ特性を得るために、比誘電率の低い樹脂製の基板が用いられてきたが、基板の熱膨張率が大きいためにMMIC等を封止したパッケージを直接実装できず、コストアップにつながっていた。
【0007】
これに対して、アンテナを熱膨張の小さいセラミック基板で作ることにより、直接パッケージ等を実装したり形成したキャビティ中に半導体素子を収納することが可能となり、高信頼性化及び低コスト化が可能となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、スロットアンテナやパッチアンテナの場合、一般に周波数帯域が狭いため製造上寸法精度が厳しい。特にミリ波帯ではアンテナのサイズが小さすぎて製造しにくいものとなる。例えば、スロットアンテナに所望の周波数で電磁波を放射させるためにはスロットの寸法精度を1%以内程度にする必要があり、誘電体基板上に厚膜印刷法によりスロットを形成する方法では、その寸法精度を満たすことが困難であるという問題があった。
【0009】
これに対し、本発明者は特開平11−239017号に開示されているように、空間共振器をアンテナ素子として用い、この素子と給電線路との結合を所定のスロットで行うことにより、アンテナ素子やスロットサイズに必要な寸法精度を緩和させている。しかし、スロットの幅はどうしても十数μmと小さくなるため、厚膜印刷法によりスロットを形成する場合、導電性インクの垂れこみによってスロット幅が変動し、その結果、特性の劣化が生じるという問題点があった。
【0010】
また、スロットアンテナやパッチアンテナによって高周波信号として円偏波を放射しようとする場合には、軸比が3dB以内となる周波数を所望の値として設定する必要があるが、その3dB以内となる周波数帯域が1%程度と非常に狭いために、スロットやパッチを非常に高い寸法精度で形成しなければならないという問題があった。
【0011】
これに対し、特開2001−68924号では、空間共振器と導波管からなる給電線とを十字型のスロットによって結合した構造が提案されている。この構造によれば、パッチアンテナ素子やスロットサイズに要求される寸法精度よりも寸法精度を緩和させることができ、軸比が3dB以内となる周波数帯域が2.4%程度に改善されるものの、導電性インクの垂れこみにより十字型のスロットの寸法精度が低下し、ばらつきが大きいという問題点があった。
【0012】
さらに、アンテナ素子がスロットアンテナやパッチアンテナである直列給電方式の場合には、放射量調整のために、共振長からスロットやアンテナのサイズををさらに小さくする必要があり、上述の精度面の問題があるばかりでなく、反射損失の問題もあった。一般に給電線にアンテナ素子を形成することにより、そこでインピーダンスの変化が発生し、反射波が発生する。直列給電方式のアンテナ素子の間隔は各アンテナ素子から放射される電磁波の位相を同位相とするために、1伝播波長とすることが望ましいが、この場合、前述した反射波が僅かであっても各反射波全てが同位相で重なり合うため、入力ポート部では大きな反射損失となってしまう。これを避けるために、故意にアンテナ素子間隔を1伝播波長からずらし、反射損失を低減する手法がある。しかし、この手法では、各アンテナ素子から放射される電磁波の位相がずれるため、放射ビームは斜め方向にずれてしまうという問題点もあった。
【0013】
本発明はかかる従来の問題点を解決すべく案出されたものであり、その目的は、アンテナ製造上の寸法精度が数%程度であっても、所望の周波数において良好な特性を得る事ができ、また、直列給電方式のアンテナであっても反射損失を抑制しつつ、さらに、セラミック等の高誘電率基板でアンテナを形成しても高い寸法精度を要しない、軸比が小さい円偏波を放射可能な開口面アンテナおよび開口面アンテナ付き基板を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記の問題点に対して検討を重ねた結果、上部に開口部が形成され、側面が金属壁などの電磁波遮蔽体によって覆われ、下部に略円形または多角形状の結合孔が形成された円柱型誘電体共振器を、導波管または誘電体導波管で給電することで、高い寸法精度を要しないアンテナが得られることを見出した。また、給電線である導波管または誘電体導波管の内部に、反射を抑制する構造を形成することにより、アンテナとの結合により発生する給電線内部の反射波を抑制できることを見出した。さらに、結合孔の位置を誘電体導波管の中心軸上に形成することにより直線偏波を、また中心軸上からずらした位置に形成することにより円偏波を容易に放射させることができることを見出した。またさらに、複数の円柱型誘電体共振器を1つの導波管または誘電体導波管で給電する直列給電方式において、結合孔のサイズ、誘電体共振器の開口部の径、誘電体共振器の径を調整して放射量を調整し、全体の放射パターンを制御することができることを見出した。
【0015】
またさらに、上記の円柱型誘電体共振器や誘電体導波管を、貫通導体群や導体パターン群を用い、誘電体基板内に内蔵したアンテナ基板ができることを見出すことにより、このアンテナ基板の裏面に、増幅器等の機能素子を直接実装して高機能化したり、裏面に半導体素子を収納するキャビティを形成してアンテナ一体型モジュールが実現でき、またアンテナ基板を低温焼成のセラミックスによって形成することによって、抵抗の低い銅や銀の導体層を用いることができるため優れた特性のアンテナが得られることを見出した。
【0016】
即ち、本発明の開口面アンテナは、円柱型誘電体の側面の全部または一部が電磁波遮蔽体で覆われて構成されており、高周波信号を空間に放射するための開口部を一方主面に有する円柱型誘電体共振器と、該円柱型誘電体共振器に給電するための導波管または誘電体導波管とを具備し、前記導波管または誘電体導波管のH面導体表面に前記円柱型誘電体共振器の他方主面側が取り付けられているとともに、前記導波管または誘電体導波管の前記H面導体内の前記円柱型誘電体共振器の前記開口部の中心と対向する位置に、前記導波管または誘電体導波管の中心軸からずれた位置に中心がある楕円形状の結合孔が形成されており、該結合孔を介して高周波信号が前記導波管または誘電体導波管から前記円柱型誘電体共振器に給電されることを特徴とするものである。
【0017】
また、より具体的な構造としては、前記高周波信号の前記誘電体中の自由空間波長をλとしたとき、前記円柱型誘電体共振器の厚みをλ/4〜λ/2とすることが望ましく、さらには、前記結合孔の下部に位置する前記導波管内または前記誘電体導波管内に、反射を抑制する構造部を形成することによって特性の向上を図ることができる。
【0019】
また、前記導波管または誘電体導波管の幅をwとしたとき、前記結合孔の中心が前記導波管または誘電体導波管の中心軸からw/8〜3w/8ずれた位置にあることが望ましい。
【0020】
なお、前記楕円形状の結合孔は、その長軸の長さと短軸の長さとの比をR(=短軸の長さ/長軸の長さ)としたとき、Rが0.86〜0.97であることが最適である。
【0021】
また、開口面アンテナの変形例として、前記導波管または誘電体導波管の前記H面導体表面に、複数の前記円柱型誘電体共振器が概ね1管内波長間隔をもって搭載されており、前記導波管または誘電体導波管によりすべての前記円柱型誘電体共振器に直列給電されるようにして直列給電方式の開口面アンテナを形成することができる。その場合、前記複数の直列給電された円柱型誘電体共振器における結合孔の大きさ、円柱型誘電体共振器の開口部の大きさ、円柱型誘電体共振器の径の大きさを変えることにより放射量を調整し、全体の放射パターンを制御することができる。
【0022】
また、本発明の開口面アンテナ付き基板は、複数の誘電体層が積層された誘電体基板内に、高周波信号を伝送可能な誘電体導波管構造体と、円柱型誘電体の側面の全部または一部が電磁波遮蔽壁によって覆われて構成されており、前記高周波信号を空間に放射するための開口部を一方主面に有する円柱型誘電体共振器構造体とを具備し、前記誘電体導波管構造体のH面導体上に前記円柱型誘電体共振器構造体を他方主面が結合するように配置してなり、前記誘電体導波管構造体の前記H面導体内の前記円柱型誘電体共振器構造体の前記開口部の中心と対向する位置に、前記誘電体導波管構造体の中心軸からずれた位置に中心がある楕円形状の結合孔が形成されており、該結合孔を介して前記高周波信号が前記誘電体導波管構造体から前記円柱型誘電体共振器構造体に給電されることを特徴とするものであり、これにより開口面アンテナ多層基板内に形成することができる。
【0023】
かかる基板においては、前記誘電体導波管構造体が、給電部上部主導体層および給電部下部主導体層と、所定間隔をもって前記給電部上部主導体層および前記給電部下部主導体層を電気的に接続する複数の給電部貫通導体とから成る電磁波遮蔽壁を備えており、また、前記複数の貫通導体が、前記給電部上部主導体層と前記給電部下部主導体層との間において、前記給電部上部主導体層および前記給電部下部主導体層と平行に設けられた給電部副導体層によって電気的に接続されていることが望ましい。
【0024】
また、前記円柱型誘電体共振器構造体が、前記誘電体基板の表面に形成された前記開口部を有する共振器部上部主導体層と、前記開口部と対向する位置に形成された共振器部下部主導体層と、前記開口部周囲の前記誘電体基板内に形成されて、所定間隔をもって前記共振器部上部主導体層と前記共振器部下部主導体層とを電気的に接続する複数の共振器部貫通導体と、前記共振器部上部主導体層と前記共振器部下部主導体層との間において、前記共振器部上部主導体層および前記共振器部下部主導体層と平行に設けられ且つ前記複数の共振器部貫通導体を電気的に接続する共振器部副導体層とからなるアンテナ導体壁を備えることを特徴とする。
【0025】
なお、この基板には、前記誘電体基板の裏面に、少なくとも1つの信号増幅器を実装したり、前記誘電体基板の裏面に、スイッチ、サーキュレータおよびダイプレクサの群から選ばれる少なくとも1種を実装したり、前記誘電体基板の裏面に、半導体素子を収納するためのキャビティを形成することができる。
【0026】
なお、前記誘電体基板の材質が低温焼成セラミックスであることによって、低抵抗の金属によって各種導体層を形成することができるので、高周波信号の伝送に対して好適である。
【0028】
さらに、直列給電方式で前記の導波管または誘電体導波管と多数の誘電体共振器を結合する場合、各誘電体共振器の径やその開口部の径または結合孔のサイズを調整することにより容易に放射量を調整できるので、所望の放射パターンを形成できる。また、あるアンテナ素子の放射量が大きい時でもインピーダンスの不整合により生じる反射損失を、誘電体導波管中に形成した反射抑制構造により低減できるので、良好なアンテナ特性を得ることができる。
【0029】
またさらに、多層構造の誘電体基板に形成した貫通導体群や誘電体層表面に形成した導体パターン群を用いることにより、上記アンテナ素子の誘電体共振器や給電線の誘電体導波管を誘電体基板内に形成できるので、このアンテナ基板の裏面に、増幅器等の機能素子を直接実装して高機能化したり、スイッチまたはサーキュレータまたはダイプレクサを実装または内蔵して送受共用のアンテナ基板としたり、さらには、裏面に半導体素子を収納するキャビティを形成してアンテナ一体型モジュールを形成することができる。
【0030】
またさらに、前記誘電体基板を低温焼成セラミックスによって形成することによって、導体パターンや垂直導体などを抵抗の低い銅や銀の導体によって形成できるために、優れたアンテナ特性が得られる。
【0031】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の開口面アンテナについて図面を参照して説明する。まず、図1は、本発明の開口面アンテナの一例を示す概略斜視図である。図1の開口面アンテナにおいて、1は誘電体共振器、2は給電線路となる導波管または誘電体導波管(以下、導波管型給電線路という。)である。
【0032】
この図1の開口面アンテナによれば、誘電体共振器1は、円柱型誘電体1aの側面が電磁波遮蔽体となる導体壁1bによって被覆されており、その上面には、空間に高周波信号を放射する開口面31が形成されている。そして、この誘電体共振器1は、導波管型給電線路2のH面導体表面に搭載されている。また、誘電体共振器1と導波管型給電線路2とは、導波管型給電線路2のH面導体内、あるいは誘電体共振器1の底面に形成された結合孔32によって結合されている。
【0033】
かかる構造の開口面アンテナによれば、結合孔32と誘電体共振器1の最低次の結合モードは、図1のように誘電体共振器1の導体壁1bが結合孔32を円形状に取り囲んでいるので、その誘電体1aが満たされた空間には1/2誘電体円柱共振器の共振モード(TE111またはTM111)と類似したモードが発生し、そのモードの共振周波数は次式で与えられるものとなる。
【0034】
f=150/ε1/2×{(m/πd)2+(1/2t)2}1/2
ここで、f:共振周波数(GHz)、d:誘電体共振器の直径(mm)、t:誘電体共振器の厚み(mm)、ε:比誘電率である。また、TE111モードの場合、m=1.84、TM111モードの場合、m=3.83である。ただし、円柱型の誘電体共振器1には結合孔32で給電しているので、共振周波数はこの結合孔32のサイズに影響を受ける。
【0035】
また、図1の開口面アンテナによれは、上記誘電体1aが満たされた空間を誘電体共振器1として作用させるので、高周波信号の誘電体中の自由空間波長をλとしたとき、誘電体共振器の厚みtはλ/4〜λ/2の範囲内に設定することが望ましい。即ち、tがλ/4よりも小さいと、上記モードで共振しなくなり、λ/2よりも大きいと、別のモードが発生しやすくなるために好ましくない。
【0036】
また、本発明の開口面アンテナにおいては、導波管型給電線路2の結合孔32の下部に位置する導波管型給電線路2内に、反射を抑制する構造を形成することが望ましい。図2は、本発明の反射抑制構造が付加された開口面アンテナの一例を示すもので、(a)は斜視図、(b)はx−x断面図を示す。この開口面アンテナにおいて、反射抑制構造4は、垂直導体41と、水平導体42によって形成されている。水平導体42は、導波管型給電線路2の幅を両側から狭めるように配置され導波管型給電線路2のE面導体と電気的に接続されている。また、水平導体42は、垂直導体41によって導波管型給電線路2の下部H面導体と電気的に接続されている。つまり、水平導体42、垂直導体41によって導波管型給電線路2のH面導体およびE面導体と電気的に接続されている。
【0037】
かかる反射抑制構造4においては、導波管型給電線路2を伝播してきた高周波信号は、アンテナ素子である誘電体共振器1と結合孔32を介して結合するが、この結合部でインピーダンスのずれにより一部反射する。しかし、導波管型給電線路2内に上記反射抑制構造4を形成し、この反射抑制構造4での反射波が、上記の誘電体共振器1との結合部で発生する反射波を打ち消すように設定することで、反射損失を小さくすることができる。すなわち、反射抑制構造4での反射波が、結合部での反射波と大きさが等しくかつ位相が180°異なるように、反射抑制構造4における垂直導体41および水平導体42の位置を調整する。反射抑制構造4での反射量は、垂直導体41の導波管幅方向の位置及び数により調整される。また、位相は垂直導体41の導波管軸方向の結合孔32の中心からの距離により調整される。即ち、反射量を大きくする場合、垂直導体41を導波管型給電線路2の中心軸に近づけるか、又は垂直導体41を複数個形成することで実現できる。
【0039】
この結合孔32の具体的な形状としては、図3に示すように、(a)円形状、(b〜d)内角が180°よりも小さい正多角形状、(e)楕円形状、(f〜h)内角が180°よりも小さい多角形状が挙げられるが、多角形状は、それを印刷などによって形成する場合に、角部が丸くなりやすいために、設計値とのずれが発生しやすい。本発明の開口面アンテナの結合孔の形状である、角部を有しない楕円形状は、設計がしやすく、また印刷等によって形成する場合にその形状を再現よく形成できるために、設計値とのずれが発生しにくい。
【0040】
さらに、本発明の開口面アンテナにおいては、誘電体共振器1のH面導体表面に搭載する誘電体共振器1とを結合する結合孔32の位置を導波管型給電線路2の中心軸からずらすことによって円偏波を放射することができる。
【0041】
図4(a)は、直線偏波を放射する開口面アンテナの平面図であり、(b)はその電磁波の磁界分布である。この図4の開口面アンテナにおいては、結合孔32は導波管型給電線路2の中心軸上に配置されている。また、(b)磁界分布図において、破線矢印は、導波管型給電線路2内を伝播する電磁波の磁界分布を示したものであり、実線矢印は、結合孔32と結合する磁界を示す。
【0042】
図4(b)によれば、初期の状態では、結合孔32と結合する導波管型給電線路2の内部の磁界は対称的であり、結果的に結合孔32とは結合しない。この後、90°位相が進むと導波管型給電線路2内の電磁界の進行方向に対して右の磁界成分と結合する。同様に、180°位相が進んだときは結合せず、270°位相が進んだときは電磁界の進行方向に対して左の磁界成分と結合する。このようにして、直線偏波が放射される。
【0043】
また、図5(a)は、円偏波を放射する本発明の開口面アンテナの平面図であり、(b)はその電磁波の磁界分布である。この図5の開口面アンテナにおいては、結合孔32は導波管型給電線路2の中心軸から、導波管型給電線路2の電磁波の進行方向に対して、左側にcだけずらした位置に形成されている。また、(b)磁界分布図において、破線矢印は、導波管型給電線路2内を伝播する電磁波の磁界分布を示したものであり、実線矢印は、結合孔32と結合する磁界を示す。
【0044】
この図5(b)によれば、初期の状態では、結合孔32は導波管型給電線路2内部の磁界の反進行方向の磁界成分と結合する。その後、90°位相が進むと内部電磁界の進行方向に対して右の磁界成分と結合する。同様に、180°位相が進んだときは進行方向成分の磁界と結合し、270°位相が進んだときは電磁界の進行方向に対して左の磁界成分と結合する。このようにして、左旋円偏波が放射される。
【0045】
なお、右旋円偏波を放射させる場合は、結合孔32を導波管型給電線路2の中心軸より、導波管型給電線路2の電磁波の進行方向に対して、右側にずらして形成すれば良い。
【0046】
また、円偏波を放射させる場合、軸比の調整が必要になる。これは、結合孔32を長軸長がa、短軸長がbの楕円形状によって形成し、その楕円形状の結合孔32の長軸の長さと短軸の長さとの比R(=b/a)と、導波管型給電線路2の中心軸からのずれ量cで調整することができる。このずれ量cが大きいと楕円形結合孔32が導波管型給電線路2上に形成できなくなり、ずれ量cが小さいと、直線偏波に近くなってしまうので、誘電体導波管幅をwとしたとき、そのずれ量cはw/8〜3w/8の範囲内で調整することが望ましい。
【0047】
また、円偏波における軸比と楕円形結合孔32の長軸及び短軸の比Rの関係を表1、表2に示す。表中のaは長軸の長さ(mm)、bは短軸の長さ(mm)を示し、表1は円偏波における軸比(dB)、表2はそのときの長軸の長さと短軸の長さとの比R(=b/a)を示す。表1、表2において、太線で囲まれた領域は、軸比が3dB以下の部分を示している。この結果から、長軸の長さと短軸の長さとの比R(=b/a)は0.86〜0.97の範囲内であることが望ましいことがわかる。
【0048】
【表1】
【0049】
【表2】
【0050】
図1乃至図3の構造の開口面アンテナにおいては、導波管型給電線路2に1つの誘電体共振器1を搭載させたものであったが、導波管型給電線路2上に、複数の誘電体共振器1を所定の間隔をもって搭載させるととともに、図1乃至図3と同様にして結合孔32によって開口面を有する各誘電体共振器1と導波管型給電線路2とを結合させることによって、直列給電アンテナを形成することができる。
【0051】
図6は、その直列給電アンテナの一例を示す斜視図である。図6において、図1乃至図2に示したものと同様の個所には同じ符号を付してある。図中、6は複数の導波管型給電線路2群に給電するための導波管型第2給電線路であり、61は前記導波管型第2給電線路6と導波管型給電線路2とを結合するためのスロットであり(図面では、説明の便宜上、導波管型給電線路2の半分を省略した。)62は前記導波管型第2給電線路6の端部に作られたアンテナポートである。
【0052】
この図において、アンテナポート62より入力された高周波信号は、分岐を繰り返し、スロット61群で6つの導波管型給電線路2群の長手方向中央で給電される。導波管型給電線路2の長手方向中央で結合された高周波信号は左右に分岐し、導波管型給電線路2上に配置された5個(左右で計10個)の誘電体共振器1群と結合する。その後、誘電体共振器1の開口部31から、直線偏波または円偏波が放射される。
【0053】
この場合、放射パターンを制御するために、各誘電体共振器1と導波管型給電線路2との結合量を調整する必要がある。この調整は、結合孔32のサイズ、誘電体共振器1上部の開口部31の径、または誘電体共振器1の径dを変えることにより適宜調整することができる。
【0054】
また、本発明によれば、多層構造からなる誘電体基板に対して、上記の導波管型給電線路2と誘電体共振器1とを多層配線技術における導体パターンと垂直導体を組み合わせることによって、誘電体導波管構造体および誘電体共振器構造体を形成して、多層配線基板の内部に上記の開口面アンテナを内蔵させることができる。
【0055】
図7は、図1の開口面アンテナを誘電体基板内に形成した開口面アンテナ付き基板(以下、単にアンテナ基板という。)の一例を示すもので、(a)は平面図、(b)は(a)のA1−B1線断面図である。なお、図1乃至図2に示したものと同様の個所には同じ符号を付してある。図7のアンテナ基板において、共振器部誘電体層51a、51bを積層してなる共振器部誘電体基板51が形成され、この共振器部誘電体基板51の最上面には共振器部上部主導体層11が、また下面には共振器部下部主導体層13がそれぞれ形成されており、共振器部誘電体基板51は両共振器部主導体層11、13により挟持されている。
【0056】
また、上部主導体層11には、導体が形成されていない開口部31が形成されている。また、この開口部31周辺には、所定間隔を持って共振器部上部主導体層11および共振器部下部主導体層13間を電気的に接続するように複数の共振器部貫通導体14が形成されている。この複数の共振器部貫通導体14は、高周波信号の信号波長の2分の1未満の繰り返し間隔で配設されている。なお、この繰り返し間隔は、必ずしも一定の値であることに限られず、信号波長の2分の1未満で種々の値を組合わせて設定しても良い。また、2重、3重と配設されても良い。この複数の貫通導体14群によって電磁波遮蔽体が形成され、これが図1の誘電体共振器の導体壁1bを疑似的に形成している。
【0057】
また、この複数の貫通導体14は、上部主導体層11と下部主導体層13間において該主導体層と平行に設けられた共振器部副導体層12によって電気的に接続されている。この共振器部副導体層12には開口部31と相似形状の導体非形成部を設け、単層または必要に応じて複数層形成されて、複数の共振器部貫通導体14と共に共振器部誘電体基板51内に格子状の共振器部導体側壁1bを形成する。
【0058】
そして、共振器部上部主導体層11、共振器部下部主導体層13、複数の共振器部貫通導体14および共振器部副導体層12から成る共振器導体壁で囲まれ、誘電体で満たされた空間により、共振器部誘電体基板51内に、誘電体共振器1構造体を形成している。
【0059】
一方、共振器部誘電体基板51の下面には、給電部誘電体層52a、52bを積層して成る給電部誘電体基板52が形成されており、給電部誘電体基板52の上面には給電部上部主導体層21が形成され、下面には給電部下部主導体層23が形成されており、給電部誘電体基板52は両給電部主導体層21、23により挟持されている。なお、図中では、共振器部下部主導体層13と給電部上部主導体層21とは一体化されている。
【0060】
また、給電部上部主導体層21および給電部下部主導体層23の間には、両者を電気的に接続するように複数の給電部貫通導体24a、24bが2列に配設されている。この複数の貫通導体24a、24bは、高周波信号の信号波長の2分の1未満の繰り返し間隔で配設されている。なお、この繰り返し間隔は、必ずしも一定の値であることに限られず、信号波長の2分の1未満で種々の値を組合わせて設定しても良い。また、2重、3重と配設されても良い。また、この複数の貫通導体24a、24bは、上部主導体層21と下部主導体層23間において該主導体層と平行に設けられた給電部副導体層22によって電気的に接続されている。
【0061】
この複数の貫通導体24a、24bおよび副導体層22によって電磁波遮蔽体が形成され、これが図1の給電線路2のE面導体を疑似的に形成している。
【0062】
そして、給電線路部上部主導体層21、給電線路部下部主導体層23、複数の給電線路部貫通導体24a、24bおよび副導体層22から成る疑似的導体壁とで囲まれ、誘電体で満たされた空間により、断面が矩形状の誘電体導波管からなる給電線路構造体2を形成している。
【0063】
特に、この誘電体導波管をシングルモードで用いる場合には、給電部貫通導体群24aと24bとの間隔wは、λ/2<w<λで配設される。なお、給電部誘電体層52は単層であっても良く、この場合には、給電部副導体層22は形成されない。
【0064】
そして、この共振器部下部主導体層13(給電部上部主導体層21)には、誘電体共振器構造体1と、導波管型給電線路構造体2を結合するために、非導体形成部を形成して楕円形状の結合孔32を形成することによって、上記誘電体共振器構造体1と導波管型給電線路構造体2とが結合されている。
【0065】
そして、導波管型給電線路2から結合孔32を通して開口部31側に放射された高周波信号の電磁波は、誘電体共振器1があることにより、その空間より外側の一対の主導体層11、13間を伝播することなく、開口部31から自由空間に放射される。
【0066】
図8(a)は、図7のアンテナ基板において、反射抑制構造が付加された開口面アンテナを誘電体基板内に形成したアンテナ基板の一例を示すもので、(a)は平面図、(b)は(a)のA2−B2線断面図である。図1及び図2に示したものと同様の個所には同じ符号を付してある。
【0067】
図8においては、導波管型給電線路構造体2の導波管内側に給電部副導体層22を一部延設して水平導体42が設けられ、その水平導体の端部は、垂直導体41によって、主導体層23と電気的に接続されている。このようにして、反射抑制垂直導体41と反射抑制水平導体42とから、反射抑制構造4が導波管型給電線路構造体2内に形成されている。
【0068】
なお、図8に示す本発明の実施形態の一例では、反射抑制垂直導体41は給電部誘電体層52bのみに形成されているが、給電部誘電体層52aに形成しても良く、また、導波管型給電線路2が多数の誘電体層で形成されている場合はその複数の層に形成しても良い。
【0069】
なお、このアンテナ基板は、前述したように、結合孔32の形成箇所によって図4に示した直線偏波を放射するアンテナ基板、図5に示した円偏波を放射するアンテナ基板として機能させることができる。また、複数の誘電体共振器構造体1を導波管型給電線路構造体2に対して所定の間隔で配列することによって、直列給電アンテナ基板を形成することもできる。
【0070】
また、本発明によれば、図7、図8に示したように、多層構造の誘電体基板内部に開口面アンテナを形成することによって、アンテナ基板の他の部分に種々の回路を形成することができる。
【0071】
図9は、本発明の直列給電アンテナ基板の裏面に能動素子を実装した場合の一例を示すもので、(a)は斜視図、(b)は(a)のA3−B3断面図である。図中、81はアンテナポート62と表面回路とを結合する接続部、71は信号増幅器、72はフィルター、73はミキサ、74は高周波信号発生器、82はIF信号のIFポートである。
【0072】
例えば、IFポート82から入力されたIF信号は高周波信号発生器74で生成された搬送信号とミキサ73でミキシングされ、フィルター72で帯域外の高調波等の高周波成分がカットされた後、信号増幅器71で増幅され、接続部81を介してアンテナ基板に入力される。71〜74の全ての能動素子がアンテナ基板5に実装される必要はないが、少なくとも信号増幅器71がアンテナ基板5に実装されたアンテナモジュールの形態は、特に信号波長がミリ波帯を用いる場合、伝送損失の観点でメリットが大きい。
【0073】
図10は、本発明の直列給電アンテナ基板の裏面に能動素子を実装した他の例を示すもので、(a)は斜視図、(b)は、(a)のA4−B4断面図である。図9に示したものと同様の個所には同じ符号を付してある。75はスイッチまたはサーキュレータまたはダイプレクサ等の信号切替え器、82aはIF入力ポート、82bはIF出力ポートである。
【0074】
IF入力ポート82aから入力されたIF信号は高周波信号発生器74で生成された搬送信号とミキサ73aでミキシングされ、フィルター72aで帯域外の高調波等の高周波成分がカットされた後、高出力信号増幅器71aで増幅され、スイッチやサーキュレータまたはダイプレクサ等の信号切り替え器75により、接続部81方向のみに信号が送られ、アンテナ基板5に入力される。一方、アンテナ基板5で受信して接続部81に到達した信号は、信号切り替え器75により、低雑音信号増幅器71bのみに信号が送られ、フィルター72bで帯域外の信号をカットされた後、高周波信号発生器74で生成された信号とキクサ73bでミキシングされ、IF信号のみ取り出される。その後、IF出力ポート82bより出力される。このように、信号切り替え器75を配設することにより、送受共用のアンテナ基板を提供することができる。
【0075】
図11は、本発明直列給電のアンテナ基板の裏面に半導体素子をキャビティ内に実装した形態の一例を示すもので、(a)は斜視図であり、(b)は(a)のA5−B5断面図である。図10に示したものと同様の個所には同じ符号を付してある。7は半導体素子、9はキャビティである。
【0076】
半導体素子7はスイッチまたは信号増幅器等の単一機能を持つものであっても、図9または図10に示した機能素子群を集積化したものであっても良い。
【0077】
このように、アンテナ基板5裏面にキャビティ9を形成することにより、キャビティ9内に半導体素子7を収納することができるので、特性が高く、低コストのアンテナ基板5が実現できる。
【0078】
以上のアンテナ基板における誘電体基板は、適当な厚みの誘電体層を積層することによって容易に形成することができる。また、導体層は、導体ペーストの印刷や、導体箔などによって形成でき、また垂直導体は、誘電体層に貫通孔を形成しスクリーン印刷などによって導体ペーストを充填することによって容易に形成することができる。特に、誘電体材料として、銅、銀、金等の低抵抗の導体を用いるために、誘電体基板は、1050℃以下で焼成可能な公知の低温焼成セラミック材料、例えば、ホウケイ酸系ガラス、あるいはホウ珪酸系ガラスとSiO2、Al2O3などのセラミックフィラーとを混合した材料等によって形成することによって、伝送損失が小さくなりアンテナ特性が向上する。
【0079】
【実施例】
次に、本発明の開口面アンテナの具体例について説明する。
図12は、図8の反射抑制構造を有するアンテナ基板の反射抑制構造の効果を示す図である。図8の誘電体基板51、52には、比誘電率4.9のガラスセラミックスを用い、誘電体共振器1の厚みを0.6mm、導波管型給電線路2のサイズを(w、h)=(1.82mm、0.6mm)、結合孔32の中心位置は導波管型給電線路2の中心軸からのずれ量c=0.39mmとした。また周波数は、62.5GHzにて評価した。
【0080】
図12(a)は結合孔32を楕円形状とし、そのサイズa(楕円の長軸、短軸はb=1.44a−0.52とした)を変化させたときの反射特性である。誘電体共振器1径dおよび開口部サイズはφ2.12mmとした。
【0081】
反射抑制構造としては、図8における結合孔32の下側に、幅0.2mm、長さ0.67mmの水平導体42を導波管型給電線路の0.3mmの厚みの位置に副導体層22より延設し、水平導体42の端部には直径が0.2mmの垂直導体41が下側の主導体層(E面導体)23まで伸びた構造を導波管型給電線路2内部に左右対称に形成した。
【0082】
図の●は反射抑制構造4を付加した場合、△は反射抑制構造4のない場合の結果である。反射抑制構造4がない場合、反射は−20dBより大きいのに対し、反射抑制構造4がある場合は、反射が−30dB以下に抑制されていることがわかる。
【0083】
図12(b)は、誘電体共振器1の径dを変化させたときの反射特性を示す図である。楕円形結合孔32のサイズはa=1.000mm、b=0.914mmとし、反射抑制構造4は図12(a)の場合と同じにした。なお、開口部31のサイズは誘電体共振器1の径dと同じにした。図の●は反射抑制構造4を付加した場合、△は反射抑制構造4のない場合の結果である。反射抑制構造4がない場合、反射は−20dBより大きいのに対し、反射抑制構造4がある場合は、反射が−30dB以下に抑制されていることがわかる。
【0084】
図13は、開口面アンテナを用いて、円偏波または直線偏波を放射させた例を示すアンテナの放射パターンである。図の横軸はアンテナ面法線方向からの角度であり、縦軸は電磁波の相対強度を示す。また、実線は右旋円偏波成分、破線は左旋円偏波成分を示す。なお、評価は62.5GHzで行った。
【0085】
誘電体層には,比誘電率4.9のガラスセラミックスを用い、誘電体共振器1の径dおよび開口部31のサイズをφ2.12mm、誘電体共振器1の厚みを0.6mm、楕円形結合孔32のサイズはa=1.000mm、b=0.914mm、導波管型給電線路2のサイズは(w、h)=(1.82mm、0.6mm)とした。また、図12で形成した構造と全く同じ構造の反射抑制構造を形成した。
【0086】
図13(a)は、楕円形結合孔32の中心位置の導波管型給電線路2の中心軸からのずれ量c=0.39mmとした本発明の開口面アンテナの結果を示すグラフである。この場合、法線方向(0°方向)の左旋円偏波成分は−30dB以下で、ほとんどが右旋円偏波成分である。即ち、きれいな右旋円偏波の電磁波が放射されていることがわかる。
【0087】
図13(b)は、楕円形結合孔32の中心位置は導波管型給電線路2の中心とした場合の結果を示すグラフである。この場合、実線の右旋円偏波成分と破線の左旋円偏波成分とが一致している。即ち、きれいな直線偏波の電磁波が放射されていることがわかる。
【0088】
図14(a)は結合孔サイズと放射量および円偏波の軸比の関係を示す図であり、図14(b)は周波数に対する軸比の変化を示す図である。
【0089】
誘電体基板51、52には比誘電率4.9の材料を用い、誘電体共振器1の厚みtを0.6mm、誘電体共振器1の径dおよび開口部31のサイズはφ2.12mm、導波管型給電線路2のサイズを(w、h)=(1.82mm、0.6mm)とした。楕円形結合孔32の中心位置の導波管型給電線路2の中心軸からのずれ量c=0.39mmとした。また、図12で形成した構造と全く同じ構造の反射抑制構造を形成した。
【0090】
図14(a)は楕円形結合孔32サイズa(楕円の長軸、短軸はb=1.44a−0.52とした)を変化させたときの放射量と軸比の関係を示した図であり、周波数は62.5GHzで評価したものである。
【0091】
また、図中の●は放射量、□は円偏波における軸比を示している。この図から、楕円型結合孔サイズを0.86mmから1.02mmまで変化させることにより、放射量を10〜60%へと制御できると共に、そのときの軸比も3dB以内の良好な特性が得られることがわかる。
【0092】
図14(b)は、楕円型結合孔32のサイズをa=1.020mmとしたときの、軸比の周波数依存性を示す図である。この図から、周波数が55〜65GHzと10GHz変化させても、軸比の変化は約1dB以下で小さいことがわかる。
このことは、寸法精度が変化しても軸比の変化は非常に小さいことを意味している。
【0093】
図15(a)は、開口部31のサイズと放射量および円偏波の軸比の関係を示す図であり、図15(b)は誘電体共振器1の径dと放射量および円偏波の軸比の関係を示す図である。
【0094】
誘電体基板51、52には、比誘電率4.9のガラスセラミックスを用い、誘電体共振器1の厚みtを0.6mm、導波管型給電線路2のサイズを(w、h)=(1.82mm、0.6mm)とした。楕円形結合孔32の中心位置の導波管型給電線路2の中心軸からのずれ量c=0.39mmとした。また、図12で形成した構造と全く同じ構造の反射抑制構造を形成した。
【0095】
図15(a)は開口部31のサイズdを変化させたときの放射量と軸比の関係を示した図であり、周波数は62.5GHzで評価したものである。なお、誘電体共振器1の径は2.12mmで一定である。また、図中の●は放射量、□は円偏波における軸比を示している。この図から、開口部サイズを1.5mmから2.2mmまで変化させることにより、放射量を10〜60%へと制御できると共に、そのときの軸比も約2dB以内の良好な特性が得られることがわかる。
【0096】
図15(b)は誘電体共振器1の径を変化させたときの放射量と軸比の関係を示した図であり、周波数は62.5GHzで評価したものである。なお、開口部31のサイズは誘電体共振器1の径と同じにした。また、図中の●は放射量、□は円偏波における軸比を示している。この図から、共振器径を1.5mmから2.2mmまで変化させることにより、放射量を2〜60%へと制御できると共に、そのときの軸比も約1.5dB以内の良好な特性が得られることがわかる。
【0097】
図16は図6に示す直列給電方式による、放射パターン制御の一例を示す図である。この場合(図6参照)、直列給電導波管型給電線路2はスロット61により中央で給電されており、分岐後、左右に並ぶ5つの誘電体共振器1の放射量は対称とした。このとき、中央から端部に向かう誘電体共振器1からの放射量を前述したように結合孔サイズ、開口部サイズ、共振器サイズを変えて42%、52%、58%、60%、62%とした。またアンテナ素子間隔は自由空間波長をλ0としたとき、5.25λ0とした。図16に示すように、この場合、サイドローブレベルが−25dB以下に制御されていることがわかる。
【0098】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明の開口面アンテナによれば、楕円形状の結合孔と誘電体共振器とにより共振周波数を制御できるため、結合孔の寸法精度に数%の誤差があったとしても、安定して所望の周波数帯における共振を得ることができ、それにより開口面から放射される高周波信号の電磁波を安定して放射させることができるものとなる。また、給電線路での不要放射がなく、伝送損失も小さいことからアンテナでの損失を小さいものとすることができるとともに、楕円型状結合孔と誘電体導波管との位置関係を調整することにより、右旋円偏波、左旋円偏波を放射させることができるものとなる。
【0099】
また、前記導波管または誘電体導波管内の結合孔の下部に位置する導波管または誘電体導波管内に、反射を抑制する構造を形成することによってアンテナ素子結合部でのインピーダンスのずれによる反射波を十分抑制できるものとなる。さらに、直列給電の場合でも反射波を十分抑制できるので、アンテナ素子を誘電体導波管の概ね1管内波長間隔として、放射ビームをアンテナ面の法線方向に設定しても、反射損失を低く抑えることができるものとなる。
【0100】
またさらに、積層型開口面アンテナの楕円形状の結合孔、誘電体共振器の円形状の開口部、誘電体共振器の径の大きさを変えることにより放射量を調整してなることとしたことから、放射パターンを容易に制御できるとともに、円偏波の場合でも、軸比を小さく抑えることができるものとなる。
【0101】
またさらに、誘電体基板内に、高周波信号を伝送可能な誘電体導波管と、円柱型誘電体の側面の全部または一部が金属で覆われ、かつ高周波信号を空間に放射するための開口部を有する円柱型誘電体共振器とが形成され,誘電体導波管のH面導体内の前記円柱型誘電体共振器の開口部の中心と対向する位置に結合孔を形成し、該結合孔を介して高周波信号を前記誘電体導波管から円柱型誘電体共振器に給電してなるものとしたことにより、誘電体基板の裏面に能動素子や信号切り替え器を直接実装またはキャビティを形成しその中に内蔵することが可能となり、小型で信頼性が高く、低コストのアンテナ基板とする事ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の開口面アンテナの一例を示す概略斜視図である。
【図2】 (a)は本発明の反射抑制構造を有する開口面アンテナの一例を示す概略斜視図であり、(b)は(a)のx−x断面図である。
【図3】 開口面アンテナの結合孔の形状の例を示す図である。
【図4】 (a)は直線偏波を放射させる積層型開口面アンテナの一例を示す平面図であり、(b)は磁界分布を示す図である。
【図5】 (a)は本発明における円偏波を放射させる積層型開口面アンテナの一例を示す平面図であり、(b)は磁界分布を示す図である。
【図6】 本発明の開口面アンテナを用いた直列給電アンテナの一例を示す分解図である。
【図7】 (a)は本発明の開口面アンテナ付き基板の一例を示す平面図であり、(b)は(a)のA1−B1断面図である。
【図8】 (a)は本発明の反射抑制構造を有する開口面アンテナ付き基板の一例を示す平面図であり、(b)は(a)のA2−B2断面図である。
【図9】 (a)は本発明の開口面アンテナ付き基板に能動素子群を実装した一例を示す斜視図であり、(b)は(a)のA3−B3断面図である。
【図10】 (a)は本発明の開口面アンテナ付き基板に能動素子群を実装し、送受信共用とした一例を示す斜視図であり、(b)は(a)のA4−B4断面図である。
【図11】 (a)は本発明の開口面アンテナ付き基板にキャビティを形成した一例を示す斜視図であり、(b)は(a)のA5−B5断面図である。
【図12】 本発明の開口面アンテナにおける反射抑制構造の効果を示す図であり、(a)は結合孔サイズを変化させたときの特性、(b)は共振器径を変化させた時の特性である。
【図13】 (a)は本発明の開口面アンテナから放射される電磁波が円偏波であることを示す放射パターンであり、(b)は放射される電磁波が直線偏波である場合の放射パターンを示す図である。
【図14】 (a)は本発明の開口面アンテナにおける結合孔サイズと放射量および円偏波の軸比との関係を示す図であり、(b)は周波数に対する軸比の変化を示す図である。
【図15】 (a)は本発明の開口面アンテナにおける開口部サイズと放射量および円偏波の軸比との関係を示す図であり、(b)は共振器径と放射量および円偏波の軸比の関係を示す図である。
【図16】 本発明の開口面アンテナにおける、直列給電方式による放射パターン制御の一例を示す図である。
【符号の説明】
1 誘電体共振器
11 共振器部上部主導体層
12 共振器部副導体層
13 共振器部下部主導体層
14 共振器部貫通導体
2 導波管型給電線路
21 給電部上部主導体層
22 給電部副導体層
23 給電部下部主導体層
24 給電部貫通導体
31 開口部
32 結合孔
4 反射抑制構造
41 反射抑制垂直導体
42 反射抑制水平導体
5 アンテナ付き基板
51 共振器部誘電体基板
52 給電部誘電体基板
Claims (17)
- 円柱型誘電体の側面の全部または一部が電磁波遮蔽体で覆われて構成されており、高周波信号を空間に放射するための開口部を一方主面に有する円柱型誘電体共振器と、該円柱型誘電体共振器に給電するための導波管または誘電体導波管とを具備し、前記導波管または誘電体導波管のH面導体表面に前記円柱型誘電体共振器の他方主面側が取り付けられているとともに、前記導波管または誘電体導波管の前記H面導体内の前記円柱型誘電体共振器の前記開口部の中心と対向する位置に、前記導波管または誘電体導波管の中心軸からずれた位置に中心がある楕円形状の結合孔が形成されており、該結合孔を介して高周波信号が前記導波管または誘電体導波管から前記円柱型誘電体共振器に給電されることを特徴とする開口面アンテナ。
- 前記高周波信号の前記誘電体中の自由空間波長をλとしたとき、前記円柱型誘電体共振器の厚みがλ/4〜λ/2であることを特徴とする請求項1記載の開口面アンテナ。
- 前記結合孔の下部に位置する前記導波管内または前記誘電体導波管内に、反射を抑制する構造部が形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項2のいずれか記載の開口面アンテナ。
- 前記導波管または誘電体導波管の幅をwとしたとき、前記結合孔の中心が前記導波管または誘電体導波管の中心軸からw/8〜3w/8ずれた位置にあることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか記載の開口面アンテナ。
- 前記楕円形状の結合孔の長軸の長さと短軸の長さとの比をR(=短軸の長さ/長軸の長さ)としたとき、Rが0.86〜0.97であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか記載の開口面アンテナ。
- 前記導波管または誘電体導波管の前記H面導体表面に、複数の前記円柱型誘電体共振器が概ね1管内波長間隔をもって搭載されており、前記導波管または誘電体導波管によりすべての前記円柱型誘電体共振器に直列給電されることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか記載の開口面アンテナ。
- 前記複数の直列給電された円柱型誘電体共振器における前記結合孔の大きさを変えることにより放射量が調整されて、全体の放射パターンが制御されることを特徴とする請求項6記載の開口面アンテナ。
- 前記複数の直列給電された円柱型誘電体共振器の前記開口部の大きさを変えることにより放射量が調整されて、全体の放射パターンが制御されることを特徴とする請求項6記載の開口面アンテナ。
- 前記複数の直列給電された円柱型誘電体共振器の径の大きさを変えることにより放射量が調整されて、全体の放射パターンが制御されることを特徴とする請求項6記載の開口面アンテナ。
- 複数の誘電体層が積層された誘電体基板内に、高周波信号を伝送可能な誘電体導波管構造体と、円柱型誘電体の側面の全部または一部が電磁波遮蔽壁によって覆われて構成されており、前記高周波信号を空間に放射するための開口部を一方主面に有する円柱型誘電体共振器構造体とを具備し、前記誘電体導波管構造体のH面導体上に前記円柱型誘電体共振器構造体を他方主面が結合するように配置してなり、前記誘電体導波管構造体の前記H面導体内の前記円柱型誘電体共振器構造体の前記開口部の中心と対向する位置に、前記誘電体導波管構造体の中心軸からずれた位置に中心がある楕円形状の結合孔が形成されており、該結合孔を介して前記高周波信号が前記誘電体導波管構造体から前記円柱型誘電体共振器構造体に給電されることを特徴とする開口面アンテナ付き基板。
- 前記誘電体導波管構造体が、給電部上部主導体層および給電部下部主導体層と、所定間隔をもって前記給電部上部主導体層および前記給電部下部主導体層を電気的に接続する複数の給電部貫通導体とから成る電磁波遮蔽壁を備えることを特徴とする請求項10記載の開口面アンテナ付き基板。
- 前記複数の貫通導体が、前記給電部上部主導体層と前記給電部下部主導体層との間において、前記給電部上部主導体層および前記給電部下部主導体層と平行に設けられた給電部副導体層によって電気的に接続されていることを特徴とする請求項11記載の開口面アンテナ付き基板。
- 前記円柱型誘電体共振器構造体が、前記誘電体基板の表面に形成された前記開口部を有する共振器部上部主導体層と、前記開口部と対向する位置に形成された共振器部下部主導体層と、前記開口部周囲の前記誘電体基板内に形成されて、所定間隔をもって前記共振器部上部主導体層と前記共振器部下部主導体層とを電気的に接続する複数の共振器部貫通導体と、前記共振器部上部主導体層と前記共振器部下部主導体層との間において、前記共振器部上部主導体層および前記共振器部下部主導体層と平行に設けられ且つ前記複数の共振器部貫通導体を電気的に接続する共振器部副導体層とからなるアンテナ導体壁を備えることを特徴とする請求項10乃至請求項12のいずれか記載の開口面アンテナ付き基板。
- 前記誘電体基板の裏面に、少なくとも1つの信号増幅器が実装されていることを特徴とする請求項10乃至請求項13のいずれか記載の開口面アンテナ付き基板。
- 前記誘電体基板の裏面に、スイッチ、サーキュレータおよびダイプレクサの群から選ばれる少なくとも1種が実装されていることを特徴とする請求項10乃至請求項14のいずれか記載の開口面アンテナ付き基板。
- 前記誘電体基板の裏面に、半導体素子を収納するためのキャビティが形成されていることを特徴とする請求項10乃至請求項15のいずれか記載の開口面アンテナ付き基板。
- 前記誘電体基板の材質が低温焼成セラミックスであることを特徴とする請求項10乃至請求項16のいずれか記載の開口面アンテナ付き基板。
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