JP4532806B2 - オゾンを含むフッ素化溶媒組成物 - Google Patents
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発明の分野
本発明は、フッ素化溶媒、オゾン、および任意に共溶媒を含む均一な非水性組成物、ならびに半導体および集積回路(シリコン基板およびGa/As基板を含む)を洗浄および処理するためのこれらの組成物の使用に関する。
【0002】
背景
ニュービジネスおよび一般消費者向け電子装置(例えば、パーソナルコンピュータ、携帯電話、および電子カレンダー)において、集積回路、フラットパネルディスプレイ、および微小電気機械システムなどの超小型電子装置の使用が急増している。かかる装置はまた、より確立した消費財(例えば、テレビ、ステレオコンポーネント、および自動車)の不可欠な部分になってきている。
【0003】
これらの装置は、次に、多くの回路パターン層を含むシリコンウエハーから作られた1つ以上の非常に高品質の半導体チップを含む。一般的に、裸のシリコンウエハー面を、例えば、現在のパーソナルコンピュータにおいて見られる高品質のロジックデバイスで使用するのに十分な複雑さおよび品質の半導体チップに変えるためには、おおよそ350の処理工程が必要とされる。半導体チップ製造の最も一般的な処理工程は、全処理工程の10%を超える割合を占めるウエハー洗浄工程である。これらの洗浄工程は、通常、以下の2つのタイプ:酸化およびエッチのうちの1つである。酸化洗浄工程の間、一般的にウエハーと過酸化物水溶液またはオゾンとを接触させることによって、シリコンまたはポリシリコンの表面を酸化するために、酸化組成物が用いられる。エッチ洗浄工程の間、一般的にウエハーと酸性水溶液とを接触させることによって、ゲート酸化またはエピタキシャル付着の前に自然酸化ケイ素膜および付着した酸化ケイ素膜ならびに有機汚染物質をシリコンまたはポリシリコンの表面から除去するために、エッチング組成物が用いられる。例えば、L.A.ZazzeraおよびJ.F.Moulder,J.Electrochem.Soc.,136,No.2,484(1989)を参照のこと。結果として生じる半導体チップの最終的な性能は、エッチ洗浄工程がどの程度良好に行われたかに大きく依存する。
【0004】
微小電気機械システム(MEMS)(マイクロマシンまたは微小機械装置とも呼ばれる)は、従来の集積回路製造技法を用いて製造することができる小さな機械装置である。代表的な装置として、モーター、ギア、加速度計、圧力センサー、アクチュエーター、および鏡が挙げられる。MEMSの製造は、酸化ケイ素で包まれたシリコンまたは多結晶シリコン(ポリシリコン)から作られた装置の可動部分を含むチップまたはダイをもたらす。ダイはまた、装置を動かすのに必要な回路を含んでもよい。
【0005】
MEMSのエッチ洗浄および乾燥には、半導体チップ製造のエッチ洗浄および乾燥と同様の問題がある。マイクロマシンにおける微粒子汚染は装置の動きを妨げ、最終的には装置の性能に悪影響を及ぼすか、または故障の原因となることがある。装置を脱イオン水、続いてエチルアルコールまたはイソプロパノールでリンスするには注意が払われるが、これには、ポリシリコンの表面エネルギーおよび複雑な設計のために粒子が装置から簡単に除去されない点でICと同様の問題がある。
【0006】
粒子汚染の問題に加えて、DI水リンスまたはアルコールリンス後のMEMSの乾燥がスティクションとして知られる現象につながることがある。スティクションは、接着力ならびに摩擦力による2つの表面の接着と説明することができる。ポリシリコン装置は一般的に0.2〜4.0μmであるが、数百μmまでの範囲でもよく、横方向の寸法はどこでも1〜500μmである。これらの構造物の大きな表面積と構造物間の厳しい許容誤差のために、スティクションは非常に面倒な問題となっている。マイクロデバイスのスティクションは、湿った空気への暴露による毛管凝縮の結果として、またはリリースエッチ(release etch)プロセス後の装置の乾燥間の毛管作用の結果として装置の使用中に起こることがある。例えば、R.MaboudianおよびR.T.Howe,J.Vac.Sci.Technol.B,15(1),1−20(1997)を参照のこと。水性またはアルコール性リンス液の大きな表面張力は毛管作用を大いに悪化させ、リリースエッチおよび乾燥工程後の微細構造スティクションの高い発生率につながる可能性がある。
【0007】
発明の要約
1つの態様において、本発明は、集積回路製造に有用な洗浄組成物に関し、この組成物はフッ素化溶媒およびオゾンを含む。液体洗浄組成物は、特定の洗浄操作を改善するために共溶媒を任意に含んでもよい。有利なことに、本発明は、基板の酸化、残留物の除去、リンスおよび乾燥に有用であるが、効率的な表面酸化速度を有する基板洗浄組成物を提供する。本組成物はまた、フッ素化溶媒の適切な選択によって不燃性にすることができる。本発明に有用な基板として、シリコン、ゲルマニウム、GaAs、InP、ならびに他のIII−VおよびII−VII化合物半導体が挙げられる。集積回路製造に関与する多くの処理工程のために、基板は、シリコン、ポリシリコン、金属およびその酸化物、レジスト、マスク、ならびに誘電体の層を含んでもよいことが理解されるだろう。
【0008】
さらに別の態様において、本発明は、基板とフッ素化溶媒およびオゾンを含む液体洗浄組成物とを接触させ、次いで、処理された基板から洗浄組成物を分離することを含む、基板のための洗浄プロセスに関する。この洗浄プロセスによって、利用可能なオゾンが従来の水性プロセスより効率的に用いられ、従来の水性酸化組成物の酸化洗浄速度と同等の酸化洗浄速度が達成される。本発明はまた、強酸を含む潜在的に危険な「RCA」溶液を避けることにより安全性を改善する。本発明のプロセスおよび組成物はまた、GaAs装置および基板の洗浄およびエッチングに使用することができる。
【0009】
さらに別の態様において、本発明は、フッ素化溶媒およびオゾンを含む均一な洗浄組成物を用いた、MEMS基板におけるシリコン部分またはポリシリコン部分のための洗浄プロセスに関する。本発明は、複雑な微細構造に簡単に入り込み、MEMS基板の表面を湿らすシリコン基板洗浄組成物を提供する。洗浄組成物はMEMSから簡単に除去され、水性洗浄組成物から存在するであろう残留水なく、乾燥した親水性の表面をもたらす。従って、本発明は、水溶液との接触が回避されるので先行技術の乾燥工程を回避することができる。
【0010】
さらに別の態様において、本発明は、フッ素化溶媒およびオゾンを含む均一な洗浄組成物を用いた、MEMSチップにおけるシリコン部分またはポリシリコン部分のための洗浄プロセスに関する。有利なことに、本発明は、MEMSにおけるシリコン表面またはポリシリコン表面の酸化に有用な洗浄組成物を提供する。表面酸化ケイ素膜が親水性にされ、従って、MEMS表面における粒子付着が抑えられる。処理されたシリコン基板の酸化ケイ素膜上に存在する表面シラノール基はまた、表面修飾剤との反応に利用することができる。表面酸化ケイ素膜はまた、MEMSにおけるシリコン部分またはポリシリコン部分を電気的に絶縁する。
【0011】
詳細な説明
フッ素化溶媒およびオゾンを含む本発明の組成物は、後の操作に必要とされる基板の様々な洗浄工程に有用である。本明細書で使用するシリコン基板の「洗浄」は、基板の酸化、残留物および/または微粒子の除去、リンスおよび乾燥のいずれかを意味する。本明細書で使用する「基板」は、半導体製造に用いられるウエハーまたはチップ、微小電気機械装置、ならびにガラス表面を意味する。組成物は、無機粒子および有機残留物(例えば、油およびグリース)の両方を効率的に除去し、親水性シリコン表面を生じるように、さらに、疎水性水素化ケイ素を親水性酸化ケイ素に変換するようにシリコンウエハー表面を酸化することができる。結果として、これらの洗浄工程(例えば、酸化、リンス、および乾燥)の多くを1つの工程にまとめることができる。
【0012】
本発明の洗浄組成物および方法は、欠点を少なくしてウエハー歩留まりを高めることによって、または洗浄回数を少なくしてウエハー処理量を増加させることによって製造効率を改善することができる。本発明のさらなる利点として以下が挙げられる:(1)必要な化学処理工程の減少による処理時間の減少、(2)(例えば、高濃度のイソプロピルアルコールを含む組成物と比較した)洗浄組成物の可燃性の低下、(3)粒子をウエハー表面上に残す可能性のある水性リンス工程の排除、(4)処理された基板に残存する粒子の減少(恐らく、フッ素化溶媒による基板湿潤の改善に起因する)、(5)無機成分および有機成分の両方を有する残留物の優れた除去、(6)水系組成物と比較して同等の酸化速度、ならびに(7)先行技術の水系と比較した腐食性の低下。
【0013】
性能の改善は、一つには、使用されるフッ素化溶媒の低い表面張力および低い粘度によるものである。これらの低い表面張力は表面湿潤の改善に寄与し、低い粘度は、洗浄組成物からの処理シリコン基板の分離の改善、表面からの組成物の優れた排出、および表面からの残留物のより効率的な蒸発に寄与する。フッ素化溶媒の表面張力は、25℃で測定された場合、一般的に20ダイン/cm未満、好ましくは10〜20ダイン/cmである。粘度値は、25℃で一般的に5センチストーク未満、好ましくは1センチストーク未満である。
【0014】
本発明の組成物は好ましくは不燃性であり、それは、ASTM D3278−89に従って試験された場合、約140゜F(約60℃)より大きな引火点を有するとして本明細書では定義される。組成物は電子装置の洗浄および処理において使用されることがあるので、組成物の全成分は高純度であり、微粒子、金属、不揮発性残留物が低濃度であることが好ましい。特に、本発明の組成物およびプロセスに用いられるフッ素化溶媒は、1mlにつき3個未満の(5.0ミクロンより大きな直径の)粒子、5000ppt未満の金属、および250ppt未満の不揮発性残留物を有するべきである。
【0015】
オゾンは、一般的に、スパージングまたはガス注入などの任意の従来技術によって使用直前にフッ素化溶媒に添加される。フッ素化溶媒中の溶解オゾン濃度は、一般的に、同じ温度、圧力、および注入される気体オゾンの濃度で調製された従来の水性組成物中の溶解オゾン濃度より高い。
【0016】
オゾンは市販のオゾン発生器を用いて生成される。オゾン発生器は、一般的に、空気または酸素雰囲気中で静電気またはコロナ放電を使用する。このように発生したオゾンはフッ素化溶媒を通って泡となって出る。温度、圧力、および注入される気体オゾンの濃度はフッ素化溶媒中の溶解オゾンの濃度を決定する。
【0017】
フッ素化溶媒中のオゾンの濃度は、滴定分析、直接分光分析および比色分光分析、酸化還元電位によるアンペロメトリー、化学発光、熱量測定、熱伝導率、ならびに分解時の等温圧力変化を含む任意の従来技法によって測定することができる。1つの従来法は、KI水溶液を用いてオゾン/フッ素化溶媒を抽出することである。次いで、遊離ヨウ素を分光計で測定するか、または標準的なチオ硫酸ナトリウム溶液を用いて滴定してもよい。
【0018】
共溶媒が使用される場合、洗浄組成物の洗浄性能またはリンス性能を向上させるように選択される。共溶媒はオゾンと本質的に非反応性であるべきであり、フッ素化溶媒中のオゾンの溶解度を実質的に小さくしてはいけない。有用な共溶媒として、エーテル、エステル、ポリエーテル、カルボン酸、第三アルコール、ヒドロフルオロカーボン、ヒドロクロロカーボン、ケトン、および脂肪族炭化水素が挙げられる。
【0019】
洗浄組成物に使用することができる共溶媒の代表例として、酢酸、炭酸、蟻酸、t−ブチルアルコール、メチルt−ブチルエーテル、メチルt−アミルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、シクロヘキサン、2,2,4−トリメチルペンタン、n−デカン、アセトン、メチルシクロペンタン、デカリン、2−ブタノン、メチルイソブチルケトン、塩化メチレン、クロロシクロヘキサン、および1−クロロブタンが挙げられる。
【0020】
実質的に非反応性は、共溶媒がかなりの速度でオゾンと反応しないこと、またはシリコン基板の酸化速度が有意に遅くならないことを意味する。この理由から、炭素−炭素不飽和を有する共溶媒は一般的に使用に適していない。共溶媒は、シリコン表面からの蒸発を容易にするために比較的揮発性であるべきであり(120℃以下の沸点を有するものが好ましい)、好ましくは、製造プロセス間に最大速度でシリコン表面を効果的に洗浄するために、金属、微粒子、および不揮発性残留物などの他の汚染物質を実質的に含まない。一般的に、共溶媒は、組成物の30重量%以下を構成してもよい。
【0021】
本発明の組成物に有用なフッ素化溶媒は、飽和量までの、一般的に、約0.1重量%までのオゾン、約30重量%までの任意の共溶媒を含む組成物が配合できるように選択されるべきである。オゾンの濃度は10〜500ppmであることが好ましい。
【0022】
乾燥工程間の迅速な蒸発のために、フッ素化溶媒の沸点は大気圧で約120℃未満であるべきである。フッ素化溶媒の非常に小さな表面エネルギーが組成物を洗浄組成物としてはるかに効果的にすると考えられる(すなわち、小さな表面エネルギーのフッ素化溶媒は、先行技術の従来の水性組成物よりはるかに容易にシリコン表面を効果的に湿潤する)。有用なフッ素化溶媒として、ヒドロフルオロエーテル(HFE)、ヒドロフルオロカーボン(HFC)、パーフルオロカーボン(PFC)、ヒドロハロフルオロエーテル(HHFE)、およびヒドロクロロフルオロカーボン(HCFC)が挙げられる。
【0023】
本発明のフッ素化溶媒は非イオン性フッ素化炭化水素を含み、この非イオン性フッ素化炭化水素は、直鎖でも、分枝鎖でも、環式でもよく、1つ以上のさらなるカテナリーヘテロ原子(例えば、窒素または酸素)を任意に含んでもよい。溶媒は、完全におよび部分的にフッ素化されたアルカン、アミン、およびエーテルからなる群から選択されてもよい。好ましくは、フッ素化溶媒は部分的にフッ素化されており、非官能性である(すなわち、重合可能な、酸、塩基、酸化剤、還元剤、または求核剤と反応する官能基がない)。
【0024】
好ましくは、フッ素原子の数はフッ素化溶媒中の水素原子の数より多い。不燃性であるために、フッ素原子の数が水素原子および炭素−炭素結合の数の合計と等しいかまたはそれより多いという点で、好ましくは、フッ素の数と水素の数と炭素原子の数との関係を結びつけることができる:
#F原子>(#H原子+#C−C原子)。
【0025】
フッ素化溶媒として有用な化合物の1つのクラスは、炭素に結合する水素が全てフッ素原子で置換されているパーフルオロカーボン(PFC)を含む。かかる化合物は不活性であり、高温安定性および化学的安定性を示すことが知られている。かかるPFCとしてパーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、およびパーフルオロエーテルが挙げられ得、これらは、直鎖または分枝鎖、環式または非環式でもよい。PFCの例として、一般式CnF2n+2を有するパーフルオロアルカン、一般式CnF2n+2Omを有するパーフルオロエーテルおよびポリエーテル、ならびに一般式CnF2n+3Nを有するパーフルオロアミンが挙げられる。式中、nは3〜20の整数であり、mは1〜5である。
【0026】
有用なフッ素化溶媒は、一般的に、3〜20個の炭素原子を含み、1つ以上のカテナリーヘテロ原子(例えば、二価酸素原子または三価窒素原子)を任意に含んでもよい。本明細書で使用する用語「パーフルオロカーボン」または「PFC」は、水素原子の全て(または本質的に全て)がフッ素原子で置換されている有機化合物を含む。代表的なパーフルオロカーボンとして、環式および非環式のパーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、およびパーフルオロエーテル、パーフルオロシクロアミン、およびその任意の混合物が挙げられる。具体的な代表的なパーフルオロカーボンとして以下が挙げられる:パーフルオロペンタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロヘプタン、パーフルオロクタン、パーフルオロメチルシクロヘキサン、パーフルオロトリブチルアミン、パーフルオロトリアミルアミン、パーフルオロ−N−メチルモルホリン、パーフルオロ−N−エチルモルホリン、パーフルオロイソプロピルモルホリン、パーフルオロ−N−メチルピロリジン、パーフルオロ−1,2−ビス(トリフルオロメチル)ヘキサフルオロシクロブタン、パーフルオロ−2−ブチルテトラヒドロフラン、パーフルオロトリエチルアミン、パーフルオロジブチルエーテル、ならびにこれらのおよび他の過フッ素化液体の混合物。
【0027】
本発明で使用することができる市販のPFCとして以下が挙げられる:FLUORINERT FC−43TM−Electronic Fluid、FLUORINERT FC−72TMElectronic Fluid、FLUORINERT FC−77TMElectronic Fluid、FLUORINERT FC−84TMElectronic Fluid、FLUORINERT FC−87TMElectronic Fluid、Performance Fluid PF−5060TM、Performance Fluid PF−5070TM、およびPerformance Fluid PF−5052TM。これらの液体のいくつかは、3M Co.,St.Paul,Minnから入手することができるFLUORINERTTMElectronic Fluids製品報告98−0211−6086(212)NPI(91/2発行)に記載されている。本発明において有用と考えられる他の市販の過フッ素化液体として、GALDENTMLS流体(Ausimont Inc.,Italyから市販されている)、KRYTOXTMおよびVERTRELTM流体(DuPontから市販されている)、ならびにFLUTECTMPP流体(BNFL Fluorochemicals Ltdから市販されている)として販売されている過フッ素化液体が挙げられる。
【0028】
パーフルオロカーボンは公知であり、直接フッ素化、電気化学的フッ素化、フッ素含有モノマーの付加重合、およびフッ素含有モノマーの酸化重合などの技法によって製造することができる。例えば、有機フッ素化合物の化学II(Chemistry of Organic Fluorine Compounds II),M.HudlickyおよびA.Pavlath編、ACS Monograph 187,American Chemical Society,Washington,D.C.,1995,95−120頁を参照のこと。
【0029】
パーフルオロカーボンは塩素原子がないのでオゾン破壊剤ではないが、これらの化合物は、その長い大気中の寿命のために地球温暖化係数(GWP)を示す可能性がある。フッ素化溶媒は、部分的または不完全にフッ素化されていることが(すなわち、分子内に少なくとも1つの脂肪族または芳香族水素原子を含むことが)好ましい。これらの化合物は、一般的に、非常に熱安定性および化学安定性があり、しかも、オゾン破壊係数がゼロであることと溶解性が優れていることに加えて、大気中で分解し、従って地球温暖化係数が小さい点ではるかに環境上容認できる。
【0030】
使用に適した部分的にフッ素化された溶媒は、一般的に3〜20個の炭素原子を含み、1つ以上のカテナリーヘテロ原子(例えば、二価酸素原子または三価窒素原子)を任意に含んでもよい。有用な部分的にフッ素化された液体として、環式および非環式のフッ素化アルカン、アミン、エーテル、およびその任意の混合物が挙げられる。好ましくは、フッ素原子の数は水素原子の数より多く、より好ましくは、フッ素原子の数は、水素原子および炭素−炭素結合の数の合計と等しいかまたはそれより多い。環境上の懸念のために好ましくないが、塩素原子が存在する場合、ジェミナル炭素原子または隣接する炭素原子に少なくとも2個の水素原子があれば、部分的にフッ素化された液体は1つ以上の塩素を任意に含んでもよい。
【0031】
有用なフッ素化溶媒の1つのクラスはヒドロフルオロカーボン(すなわち、炭素、水素、およびフッ素だけを有し、任意に、カテナリー二価酸素および/または三価窒素を有する化合物)である。かかる化合物は非イオン性であり、直鎖または分枝鎖、環式または非環式でもよい。かかる化合物は、式CnHmF2n+2−mの化合物であり、式中、nは約3〜20であり、mは少なくとも1であり、1つ以上の隣接しない−CF2−基はカテナリー酸素原子または三価窒素原子で置換されてもよい。好ましくは、フッ素原子の数は水素原子の数と等しいかまたはそれより多く、より好ましくは、フッ素原子の数は、水素原子およびフッ素原子の炭素−炭素結合の組み合わせた数の合計と等しいかまたはそれより多い。
【0032】
本発明の安定な組成物を形成するのに特に有用なフッ素化溶媒の好ましいクラスは、一般式:
(R1−O)n−R2 (I)
のヒドロフルオロエーテルを含む。式中、式Iに関して、nは1〜3の数であり、R1およびR2は同じであるかまたは互いに異なり、アルキル、アリール、およびアルキルアリール基、ならびにそれらの誘導体からなる群から選択される。R1およびR2の少なくとも一方は少なくとも1つのフッ素原子を含み、R1およびR2の少なくとも一方は少なくとも1つの水素原子を含む。R1およびR2はまた、直鎖でも、分枝鎖でも、環式でも、非環式でもよく、任意に、R1およびR2の一方または両方が1つ以上のカテナリーヘテロ原子(例えば、三価窒素または二価酸素)を含んでもよい。好ましくは、フッ素原子の数は水素原子の数と等しいかまたはそれより多く、より好ましくは、フッ素原子の数は、水素原子および炭素−炭素結合の数の合計と等しいかまたはそれより多い。環境上の懸念のために好ましくないが、塩素原子が存在する場合、塩素原子が存在するR1もしくはR2基に少なくとも2個の水素原子があれば、R1もしくはR2またはその両方は1つ以上の塩素を任意に含んでもよい。
【0033】
より好ましくは、本発明の組成物は、以下の式:
Rf−O−R (II)
のヒドロフルオロエーテルを用いて調製され、
式中、前記の式IIに関して、RfおよびRは、Rfが少なくとも1つのフッ素原子を含み、Rがフッ素原子を含まないことを除いて、式IのR1およびR2について定義された通りである。かかるエーテルは、フッ素化炭素がエーテルの酸素原子によって非フッ素化炭素から隔離されている点で隔離エーテルと呼ぶことができる。より好ましくは、Rは、非環式の分枝鎖または直鎖のアルキル基(例えば、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、i−ブチル、またはt−ブチル)であり、Rfは、好ましくは、3〜約14個の炭素原子を有する環式または非環式、分枝鎖または直鎖のアルキル基のフッ素化誘導体(例えば、n−C4F9−、i−C4F9−、i−C3F7、(n−C3F7)CF−、またはシクロ−C6F11−)である。Rfは、1つ以上のカテナリーヘテロ原子(例えば、三価窒素原子または二価酸素原子)を任意に含んでもよい。
【0034】
好ましい実施態様において、R1およびR2またはRfおよびRは、化合物が少なくとも3個の炭素原子を有し、この化合物における水素原子の総数がフッ素原子の数と多くても等しくなるように選択される。最も好ましい実施態様において、R1およびR2またはRfおよびRは、化合物が少なくとも3個の炭素原子を有し、より好ましくは、フッ素原子の数が、結合した水素原子および炭素−炭素結合の数の合計と等しいかまたはそれより多くなるように選択される。
【0035】
本発明に有用な式IIによって説明される代表的なヒドロフルオロエーテルとして、以下の化合物が挙げられるが、これに限定されない:
【化1】
式中、内部の「F」で示される環状構造は過フッ素化されている。
【0036】
式IIの特に好ましい隔離ヒドロフルオロエーテルとして、n−C3F7OCH3、(CF3)2CFOCH3、n−C4F9OCH3、(CF3)2CFCF2OCH3、n−C3F7OC2H5、n−C4F9OC2H5、(CF3)2CFCF2OC2H5、(CF3)3COCH3、(CF3)3COC2H5、およびその混合物が挙げられる。隔離ヒドロフルオロエーテルは、Minnesota Mining and Manufacturing Company,St.Paul,MNから市販されている3MTMNOVECTMHFE−7100およびHFE−7200 Engineered Fluidsとして入手することができる。
【0037】
ヒドロフルオロエーテルへの多くの合成経路が知られている。これらの方法は2つのグループ、エーテル化合物をフッ素化する方法、およびフッ素含有前駆体との反応によってエーテル結合が化合物内に形成される方法に大きく分類することができる。前者の方法として、(1)エーテル化合物の直接フッ素化、および(2)エーテル化合物の電気化学的フッ素化が挙げられる。後者の方法として、(3)フッ素化オレフィンへのアルコールの付加反応、(4)部分的にフッ素化されているアルコールのアルキル化、および(5)適切なアルキル化剤を用いたフッ素化カルボニル化合物の無触媒アルキル化が挙げられる。日本特許第6−293686号はこれらの様々な方法の部分的な要約を示している。
【0038】
本発明のプロセスにおける使用に適した隔離ヒドロフルオロエーテル(アルコキシ置換過フッ素化合物)は、過フッ素化アルコキシド(無水極性非プロトン性溶媒中での、対応する過フッ素化フッ化アシルまたは過フッ素化ケトンと、無水フッ化アルカリ金属(例えば、フッ化カリウムもしくはフッ化セシウム)または無水フッ化銀との反応によって調製される)のアルキル化によって調製することができる。(例えば、フランス特許公報第2,287,432号、ドイツ特許公報第1,294,949号、および米国特許第5,750,797号(Flynnら)に記載の調製方法を参照のこと)。あるいは、フッ素化第三アルコールを塩基(例えば、水酸化カリウムまたは水素化ナトリウム)と反応させて、過フッ素化第三アルコキシドを生成し、次いで、これをアルキル化剤との反応によってアルキル化することができる。
【0039】
調製における使用に適したアルキル化剤として、硫酸ジアルキル(例えば、硫酸ジメチル)、ハロゲン化アルキル(例えば、ヨウ化メチル)、p−トルエンスルホン酸アルキル(例えば、p−トルエンスルホン酸メチル)、パーフルオロアルカンスルホン酸アルキル(例えば、パーフルオロメタンスルホン酸メチル)などが挙げられる。適切な極性非プロトン性溶媒として、非環式エーテル(例えば、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、およびジエチレングリコールジメチルエーテル)、カルボン酸エステル(例えば、蟻酸メチル、蟻酸エチル、酢酸メチル、炭酸ジエチル、炭酸プロピレン、および炭酸エチレン)、アルキルニトリル(例えば、アセトニトリル)、アルキルアミド(例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、およびN−メチルピロリドン)、アルキルスルホキシド(例えば、ジメチルスルホキシド)、アルキルスルホン(ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、および他のスルホラン)、オキサゾリドン(例えば、N−メチル−2−オキサゾリドン)ならびにその混合物が挙げられる。
【0040】
さらに別の代替として、フッ素化エーテルは、WO99/47480(Lamannaら)に記載のようにルイス酸触媒の存在下でフッ素化カルボニル化合物(例えば、ケトンまたは酸フッ化物)とアルキル化剤を反応させることによって調製することができる。
【0041】
有用な非隔離ヒドロフルオロエーテルとして、式III:
X−[Rf’−O]yR’’H (III)
に示される一般構造によって説明することができるα、β、およびω置換ヒドロフルオロアルキルエーテル(例えば、米国特許第5,658,962号(Mooreら)に記載のもの)が挙げられる。式中、
Xは、F、H、または1〜3個の炭素原子を含むパーフルオロアルキル基のいずれかであり、
各Rf’は、−CF2−、−C2F4−、および−C3F6−からなる群から独立して選択され、
R’’は、1〜約3個の炭素原子を有する二価有機ラジカルであり、好ましくは過フッ素化されており、
yは、1〜7、好ましくは1〜3の整数であり、
XがFである場合、R’’は少なくとも1つのF原子を含み、Rf’基における炭素原子の数およびR’’における炭素原子の数の合計は4〜約8である。
【0042】
本発明に有用な式IIIで示される代表的な化合物として、以下の化合物が挙げられるが、これに限定されない。
【化2】
【0043】
好ましい不燃性の非隔離ヒドロフルオロエーテルとして、C4F9OC2F4H、C6F13OCF2H、HC3F6OC3F6H、C3F7OCH2F、HCF2OCF2OCF2H、HCF2OCF2CF2OCF2H、HC3F6OCH3、HCF2OCF2OC2F4OCF2H、およびその混合物が挙げられる。非隔離ヒドロフルオロエーテル特殊液体は、GALDEN HTMでAusimont Corp.,Milano,Italyから入手することができる。
【0044】
有用なフッ素化溶媒として、3〜8個の炭素バックボーンを有するヒドロフルオロカーボン(HFC)も挙げられる。炭素バックボーンは直鎖でも、分枝鎖でも、環式でもよく、これらの混合物でもよい。有用なHFCとして、炭素に結合している水素およびフッ素原子の総数に基づいて約5モルパーセントを超えるフッ素置換、または約95モルパーセント未満のフッ素置換を有するが、他の原子(例えば、塩素)による置換を本質的に有さない化合物が挙げられる。有用なHFCは、
(1)式IV:
CnHnF2n+2−m (IV)
の化合物から選択することができる。式中、nは少なくとも3であり、mは少なくとも1である。
【0045】
式IVの代表的な化合物として、CF3CH2CF2H、CF2HCF2CH2F、CH2FCF2CFH2、CF2HCH2CF2H、CF2HCFHCF2H、CF3CFHCF3、およびCF3CH2CF3、CHF2(CF2)2CF2H、CF3CF2CH2CH2F、CF3CH2CF2CH2F、CH3CHFCF2CF3、CF3CH2CH2CF3、CH2FCF2CF2CH2F、CF3CH2CF2CH3、CHF2CH(CF3)CF3、およびCHF(CF3)CF2CF3、CF3CH2CHFCF2CF3、CF3CHFCH2CF2CF3、CF3CH2CF2CH2CF3、CF3CHFCHFCF2CF3、CF3CH2CH2CF2CF3、CH3CHFCF2CF2CF3、CF3CF2CF2CH2CH3、CH3CF2CF2CF2CF3、CF3CH2CHFCH2CF3、CH2FCF2CF2CF2CF3、CHF2CF2CF2CF2CF3、CH3CF(CHFCHF2)CF3、CH3CH(CF2CF3)CF3、CHF2CH(CHF2)CF2CF3、CHF2CF(CHF2)CF2CF3、およびCHF2CF2CF(CF3)2、CHF2(CF2)4CF2H、(CF3CH2)2CHCF3、CH3CHFCF2CHFCHFCF3、HCF2CHFCF2CF2CHFCF2H、H2CFCF2CF2CF2CF2CF2H、CHF2CF2CF2CF2CF2CHF2、CH3CF(CF2H)CHFCHFCF3、CH3CF(CF3)CHFCHFCF3、CH3CF(CF3)CF2CF2CF3、CHF2CF2CH(CF3)CF2CF3、およびCHF2CF2CF(CF3)CF2CF3、CH3CHFCH2CF2CHFCF2CF3、CH3(CF2)5CH3、CH3CH2(CF2)4CF3、CF3CH2CH2(CF2)3CF3、CH2FCF2CHF(CF2)3CF3、CF3CF2CF2CHFCHFCF2CF3、CF3CF2CF2CHFCF2CF2CF3、CH3CH(CF3)CF2CF2CF2CH3、CH3CF(CF3)CH2CFHCF2CF3、CH3CF(CF2CF3)CHFCF2CF3、CH3CH2CH(CF3)CF2CF2CF3、CHF2CF(CF3)(CF2)3CH2F、CH3CF2C(CF3)2CF2CH3、CHF2CF(CF3)(CF2)3CF3、CH3CH2CH2CH2CF2CF2CF2CF3、CH3(CF2)6CH3、CHF2CF(CF3)(CF2)4CHF2、CHF2CF(CF3)(CF2)4CHF2、CH3CH2CH(CF3)CF2CF2CF2CF3、CH3CF(CF2CF3)CHFCF2CF2CF3、CH3CH2CH2CHFC(CF3)2CF3、CH3C(CF3)2CF2CF2CF2CH3、CH3CH2CH2CF(CF3)CF(CF3)2およびCH2FCF2CF2CHF(CF2)3CF3が挙げられる。
【0046】
好ましいHFCとして、CF3CFHCFHCF2CF3、C5F11H、C6F13H、CF3CH2CF2H、CF3CF2CH2CH2F、CHF2CF2CF2CHF2、1,2−ジヒドロパーフルオロシクロペンタン、および1,1,2−トリヒドロパーフルオロシクロペンタンが挙げられる。有用なHFCとして、E.I.duPont de Nemours & Co.から市販されているVERTRELTMで入手可能なHFC(例えば、CF3CHFCHFCF2CF3)、Nippon Zeon Co.Ltd.,Tokyo,Japanから市販されているZEORORA−HTMで入手可能なHFC、およびAlliedSignal Chemicals,Buffalo,NYからHFC名称で入手可能なHFCが挙げられる。
【0047】
有用なフッ素化溶媒として、ヒドロハロフルオロエーテル(HHFE)も挙げられる。本発明のために、HHFEは、フッ素、非フッ素ハロゲン(すなわち、塩素、臭素、および/またはヨウ素)、ならびに水素原子を含むエーテル化合物と定義される。HHFEの重要なサブクラスは、パーフルオロアルキルハロエーテル(PFAHE)である。PFAHEは、パーフルオロアルキル基およびハロアルキル基を有する隔離エーテル化合物と定義され、ハロアルキル基のハロゲン原子の少なくとも1つは塩素、臭素、またはヨウ素である。有用なPFAHEとして、式V:
Rf−O−CaHbFcXd (V)
に示される一般構造によって説明されるPFAHEが挙げられる。式中、Rfは、好ましくは少なくとも3個の炭素原子、最も好ましくは3〜6個の炭素原子を有し、窒素または酸素などのカテナリーヘテロ原子を任意に含むパーフルオロアルキル基であり、Xは、臭素、ヨウ素、および塩素からなる群から選択されるハロゲン原子であり、「a」は好ましくは約1〜6であり、「b」は少なくとも1であり、「c」は0〜約2であってもよく、「d」は少なくとも1であり、b+c+dは2a+1に等しい。かかるPFAHEはPCT公報番号WO99/14175で説明されている。有用なPFAHEとして、c−C6F11−OCH2Cl、(CF3)2CFOCHCl2、(CF3)2CFOCH2Cl、CF3CF2CF2OCH2Cl、CF3CF2CF2OCHCl2、(CF3)2CFCF2OCHCl2、(CF3)2CFCF2OCH2Cl、CF3CF2CF2CF2OCHCl2、CF3CF2CF2CF2OCH2Cl、(CF3)2CFCF2OCHClCH3、CF3CF2CF2CF2OCHClCH3、(CF3)2CFCF(C2F5)OCH2Cl、(CF3)2CFCF2OCH2Br、およびCF3CF2CF2OCH2Iが挙げられる。
【0048】
有用なフッ素化溶媒としてHCFCも挙げられる。本発明のために、HCFCは、炭素に結合したフッ素、塩素、および水素原子で置換された炭素バックボーンを含む化合物である。熱伝導流体として有用なHCFCとして、CF3CHCl2、CH3CCl2F、CF3CF2CHCl2、およびCClF2CF2CHClFが挙げられる。しかしながら、長期的には、HCFC製造はオゾン層分解のために禁止される可能性がある。
【0049】
本発明の組成物中のオゾンおよびフッ素化溶媒成分の濃度は、シリコン基板の要求基準(例えば、必要とされる表面酸化量あるいは微粒子および/または残留物の除去量)に応じて変えることができる。洗浄組成物において有用な濃度範囲は、特定のフッ素化溶媒中のオゾンの飽和限界までであり、一般的に、約10〜500ppmオゾン、約0〜約5%アルコール、および約95〜約99.99%フッ素化溶媒である。好ましくは、オゾンの濃度は約50〜250ppmである。
【0050】
オゾンは、当技術分野で公知の任意の手順によって調製することができる。一般的に、オゾンは、高電圧交流放電に酸素または酸素含有ガス(例えば、空気)を通すことによって調製される。オゾンを含むガス排出物を多量のフッ素化溶媒に通し、これにオゾンが溶解する。オゾン生成は、カーク・オスマー化学技術百科辞典(Kirk−Othmer Encyclopedia of Chemical Technology)第17巻、953−994頁、John Wiley and Sons(第4版、1996)でさらに詳細に説明されている。
【0051】
本発明の方法において、基板は、基板表面を洗浄するのに十分な時間、フッ素化溶媒およびオゾン、任意に共溶媒を含む組成物と接触される。この洗浄方法は、疎水性シラン(Si−H)基を親水性シラノール(Si−OH)基で置換するように表面を酸化し、微粒子または残留物を除去し、表面またはこれらの組み合わせをリンスし、乾燥させるために使用することができる。前記方法は、好ましくは、洗浄された基板を洗浄組成物から分離するさらなる工程を含む。
【0052】
洗浄組成物は液体状態で使用され、基板と「接触させる」ための公知の任意の技法を利用することができる。例えば、液体洗浄組成物は、基板に噴霧されてもよく、ブラシがけされてもよく、流し込まれてもよく、または基板が液体組成物に浸漬されてもよい。洗浄を容易にするために、高温、超音波エネルギー、および/または攪拌を使用することができる。様々な異なる溶媒洗浄技法が、B.N.Ellisによって、電子部品およびアセンブリの洗浄および汚染(Cleaning and Contamination of Electronics Components and Assemblies)Electrochemical Publications Limited,Ayr,Scotland,182−94頁(1986)で説明されている。
【0053】
接触後、洗浄組成物から基板を取り出してもよい。通常、排出が、基板表面から実質的に全ての洗浄組成物を除去するのに十分である。これは、必要に応じて、より完全な除去をもたらすために、加熱、攪拌、エアジェット、または基板の回転(すなわち、遠心除去プロセス)によって促進することができる。さらに、洗浄プロセスは、洗浄組成物の完全除去を確実にするためにリンス工程をさらに含んでもよい。基板は、基板洗浄において有用であることが知られている任意の溶媒でリンスされてもよい。アルコールが当技術分野で公知であるが、その使用は火事の原因になるようなものの代表例である。フッ素化溶媒(例えば、前記で述べられたもの)でリンスすることが好ましく、フッ素化溶媒は、洗浄組成物に用いられるものと同じのものでもよく、異なってもよい。
【0054】
通常、長期間の使用後に、組成物の交換、再生、または精製が必要とされる。微粒子を除去するための濾過、可溶性残留物または塩を除去するための抽出、フッ素化溶媒を回収するためのデカンテーションおよび蒸留を含むかかる技法を使用することができる。シリコン表面が洗浄されるにつれて、組成物は汚くなり始めることに気付くだろう。基板から微粒子および残留物を除去すると、これらの物質が組成物中に蓄積する。特に、このプロセスは、水と様々なシラノールの両方を生じる可能性がある。水濃度が増加するのに伴って、最終的に、水は、あまり密度の高くない水に富む相として組成物から相分離する。これは、当技術分野で公知の技法(例えば、デカンテーションまたは堰の使用)によって洗浄組成物から簡単に分離することができる。次いで、洗浄組成物を再利用してもよい。一般的に、使用済み洗浄組成物から共溶媒を回収することは、これらの物質が少量で存在し、容易に除去されない場合、必要ではなく、望ましくない。フッ素化溶媒を回収し、それにオゾンを添加または充填することがより望ましい。
【0055】
実施例
本発明は、以下の制限しない実施例を用いてさらに説明される。特に指定のない限り、部、パーセント、および比は全て、重量部、重量パーセント、重量比である。
【0056】
実施例1
(100)配向で30〜60ohm−cmの範囲でホウ素ドープされ、片面研磨され、200オングストロームの熱二酸化ケイ素層を有する4インチ(100mm)直径シリコンウエハー(MEMC Electronic Materials,St.Peters,MOから入手可能)をいくつかの小片にダイシングした。各小片は約20mm×20mmであった。
【0057】
次いで、500ボルトDC電源および水晶管を備える低圧水銀グリッドランプからなるUV/オゾン装置(BHK Inc.,Pomona,CAから入手可能)を用いた紫外線(UV)およびオゾンによる同時処理からなる酸化洗浄プロセスを用いて、シリコンウエハー片を全て洗浄した。グリッドランプは、UV/オゾン装置の上部として働く5インチ(13cm)×5インチ(13cm)の研磨アルミニウム片に取り付けられた。ランプ強度の約90%が254nmの波長であり、約5%が185nmであった。ウエハー片を移動ステージに置き、小片がランプの約1〜10mm下方にくるまで、移動ステージをUV/オゾン装置の上部にあるランプの方に引き上げた。UV/オゾン装置に約10分間暴露した後、ウエハー片の1つを取り出し、DI水の滴を用いて親水性/疎水性について再試験した。水滴でウエハー表面が湿った。これは、ウエハー表面にきれいな酸化された親水性酸化ケイ素層があることを示している。
【0058】
次いで、親水性層を有するウエハー片を、1.3%無水HF(Air Products & Chemicals,Allentown,PAから入手可能)、6.7%イソプロピルアルコール(IPA)、および92.0%3MTMHFE−7100 Specialty Liquid(約60%メチルパーフルオロイソブチルエーテルおよび40%メチルパーフルオロ−n−ブチルエーテルのブレンド、3M Company,St.Paul,NMから入手可能)からなるエッチ洗浄溶液に約2分間浸漬した。ウエハー片をHFE−7100/IPAの95/5ブレンドでリンスし、ウエハー片の1つをDI水の滴を用いて親水性/疎水性について再試験した。水滴は玉のようになり、簡単に転がってウエハー表面から落ちた。このことは、ウエハー表面に疎水性シリコン/水素化ケイ素層があることを示している。
【0059】
疎水性ウエハー片の1つを、HFE−7100に溶解したオゾンの飽和溶液に5分間浸漬した。次いで、ウエハー片をHFE−7100/IPAの95/5ブレンドでリンスし、DI水の滴を用いて親水性/疎水性について再試験した。今度は、ウエハー表面は水滴で簡単に湿った。このことは、ウエハー表面に非常に親水性の相が形成したことを示している。X線光電子分光法(XPS)Si2Pスペクトル分析によって、薄い(すなわち、10オングストローム未満の)二酸化ケイ素層がウエハー表面に存在することが確かめられた。
【0060】
シリコンウエハー表面を酸化するために、オゾンおよびヒドロフルオロエーテルフッ素化溶媒からなる非水性の酸化洗浄組成物を効果的に使用できることが、この実験によって確かめられた。
Claims (3)
- 基板をオゾンおよびフッ素化溶媒を含む組成物と接触させることを含む基板を洗浄する方法であって、前記基板がケイ素、ポリシリコン、およびそれらの金属および酸化物から選択され、および
前記フッ素化溶媒が、一般式:
R f −O−R
(式中、R f およびRは、置換および非置換アルキル、アリール、およびアルキルアリール基からなる群から選択され、R f は過フッ素化され、Rはフッ素原子を含まない。)のヒドロフルオロエーテルを含むか、または
前記フッ素化溶媒が、一般式:
X−[R f ’−O] y R’’H
(式中、
Xは、F、H、または1〜3個の炭素原子を含むパーフルオロアルキル基であり、
各R f ’は、−CF 2 −、−C 2 F 4 −、および−C 3 F 6 −からなる群から独立して選択され、
R’’は、1〜3個の炭素原子を有する二価有機ラジカルであり、
yは、1〜7の整数であり、
XがFである場合、R’’は少なくとも1つのF原子を含み、および
R f ’基における炭素原子の数およびR’’における炭素原子の数の合計は4〜8である。)
の化合物を含む、
方法。 - オゾンの濃度が10〜500ppmである、請求項1に記載の方法。
- 部分的にフッ素化された溶媒およびオゾンを含む洗浄組成物であって、前記フッ素化溶媒が、一般式:
R f −O−R
(式中、R f およびRは、置換および非置換アルキル、アリール、およびアルキルアリール基からなる群から選択され、R f は過フッ素化され、Rはフッ素原子を含まない。)のヒドロフルオロエーテルを含むか、または
前記フッ素化溶媒が、一般式:
X−[R f ’−O] y R’’H
(式中、
Xは、F、H、または1〜3個の炭素原子を含むパーフルオロアルキル基であり、
各R f ’は、−CF 2 −、−C 2 F 4 −、および−C 3 F 6 −からなる群から独立して選択され、
R’’は、1〜3個の炭素原子を有する二価有機ラジカルであり、
yは、1〜7の整数であり、
XがFである場合、R’’は少なくとも1つのF原子を含み、および
R f ’基における炭素原子の数およびR’’における炭素原子の数の合計は4〜8である。)
の化合物を含む、
洗浄組成物。
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