JP4529646B2 - 希土類元素イオンの拡散領域の製造方法および発光素子の製造方法および発光素子 - Google Patents
希土類元素イオンの拡散領域の製造方法および発光素子の製造方法および発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4529646B2 JP4529646B2 JP2004324641A JP2004324641A JP4529646B2 JP 4529646 B2 JP4529646 B2 JP 4529646B2 JP 2004324641 A JP2004324641 A JP 2004324641A JP 2004324641 A JP2004324641 A JP 2004324641A JP 4529646 B2 JP4529646 B2 JP 4529646B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rare earth
- earth element
- light emitting
- light
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
Claims (23)
- 基板中に所定の分布を有する希土類元素イオンの拡散領域を形成する工程と、
熱処理によって前記希土類元素イオンの分布状態を所定の分布状態に保持して前記基板の深さ方向に前記希土類元素イオンの拡散領域を移動させる工程と
を備えたことを特徴とする希土類元素イオンの拡散領域の製造方法。 - 基板上に形成された発光層に量子井戸と希土類元素イオンとを含んでいる発光素子の製造方法であって、
前記量子井戸に接する前記発光層を構成する材料層に前記希土類元素イオンを導入した後、
前記発光層を構成する材料層に導入された前記希土類元素イオンの分布状態を所定の分布状態に保持して前記基板の深さ方向に前記希土類元素イオンの拡散領域を移動させる熱処理を行う
ことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記発光層を構成する材料層に導入された前記希土類元素イオンの分布状態を所定の分布状態に保持して前記基板の深さ方向に前記希土類元素イオンの拡散領域を移動させる熱処理は、
前記希土類元素イオンが前記発光層を構成する材料層に導入された後に行われる熱処理後に行う、
ことを特徴とする請求項2記載の発光素子の製造方法。 - 前記希土類元素イオンの拡散領域における濃度分布ピーク値の位置を、前記量子井戸からフォースター機構によるエネルギー遷移が起こる範囲内にする
ことを特徴とする請求項2記載の発光素子の製造方法。 - 前記希土類元素イオンの拡散領域における濃度分布ピーク値の位置を、前記量子井戸から10nmの範囲内にする
ことを特徴とする請求項2記載の発光素子の製造方法。 - 前記希土類元素イオンの拡散領域における濃度分布ピーク値の位置を、前記量子井戸からデクスター機構によるエネルギー遷移が起こる範囲内にする
ことを特徴とする請求項2記載の発光素子の製造方法。 - 前記希土類元素イオンの拡散領域における濃度分布ピーク値の位置を、前記量子井戸から1nmの範囲内にする
ことを特徴とする請求項2記載の発光素子の製造方法。 - 前記希土類元素イオンの拡散領域における濃度分布ピーク値の位置を、前記量子井戸からフォトンを介したエネルギー遷移が起こる範囲内にする
ことを特徴とする請求項2記載の発光素子の製造方法。 - 前記発光層は、量子井戸と希土類元素イオンとシリコンを主成分とする材料層とから構成される
ことを特徴とする請求項2記載の発光素子の製造方法。 - 前記シリコンを主成分とする材料層は、シリコン系酸化物からなる
ことを特徴とする請求項2記載の発光素子の製造方法。 - 前記希土類元素は、ユーロビウム(Eu)、プラセオジウム(Pr)、エルビウム(Er)、テルビウム(Tb)、セリウム(Ce)、ツリウム(Tm)もしくは複数種の希土類元素である
ことを特徴とする請求項2記載の発光素子の製造方法。 - 前記熱処理は不活性な雰囲気中で行われる
ことを特徴とする請求項2記載の発光素子の製造方法。 - 前記不活性な雰囲気はアルゴン雰囲気である
ことを特徴とする請求項12記載の発光素子の製造方法。 - 前記不活性な雰囲気は窒素雰囲気である
ことを特徴とする請求項12記載の発光素子の製造方法。 - 前記不活性な雰囲気は真空雰囲気である
ことを特徴とする請求項12記載の発光素子の製造方法。 - 前記発光層を構成する材料層は、
化学的気相成長法もしくはスパッタリング法によりSiO2-x(2≧x≧0)膜で作製した後、アニール処理して形成される
ことを特徴とする請求項2記載の発光素子の製造方法。 - 基板上に形成された発光層に量子井戸と希土類元素イオンとを含んでいる発光素子であって、
熱処理によって、前記希土類元素イオンの分布状態を所定の分布状態に保持して前記基板の深さ方向に前記希土類元素イオンの拡散領域が移動するものである
ことを特徴とする発光素子。 - 前記希土類元素イオンの分布の中心位置を移動させることで発光強度が調整されたものからなる
ことを特徴とする請求項17記載の発光素子。 - 前記希土類元素イオンの分布の中心位置を移動が熱処理により行われたものからなる
ことを特徴とする請求項17記載の発光素子。 - 前記希土類元素イオンがイオン注入法により前記発光層中に導入されたものからなる
ことを特徴とする請求項17記載の発光素子。 - 前記発光層は、量子井戸と希土類元素イオンとシリコンを主成分とする材料層とから構成されたものからなる
ことを特徴とする請求項17記載の発光素子。 - 前記シリコンを主成分とする材料層は、シリコン系酸化物からなる
ことを特徴とする請求項21記載の発光素子。 - 前記希土類元素は、ユーロビウム(Eu)、プラセオジウム(Pr)、エルビウム(Er)、テルビウム(Tb)、セリウム(Ce)、ツリウム(Tm)もしくは複数種の希土類元素である
ことを特徴とする請求項17記載の発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004324641A JP4529646B2 (ja) | 2004-11-09 | 2004-11-09 | 希土類元素イオンの拡散領域の製造方法および発光素子の製造方法および発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004324641A JP4529646B2 (ja) | 2004-11-09 | 2004-11-09 | 希土類元素イオンの拡散領域の製造方法および発光素子の製造方法および発光素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006135208A JP2006135208A (ja) | 2006-05-25 |
JP2006135208A5 JP2006135208A5 (ja) | 2007-10-25 |
JP4529646B2 true JP4529646B2 (ja) | 2010-08-25 |
Family
ID=36728464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004324641A Expired - Fee Related JP4529646B2 (ja) | 2004-11-09 | 2004-11-09 | 希土類元素イオンの拡散領域の製造方法および発光素子の製造方法および発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4529646B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB201019725D0 (en) | 2010-11-22 | 2011-01-05 | Univ Surrey | Optoelectronic devices |
WO2019049192A1 (ja) * | 2017-09-05 | 2019-03-14 | シャープ株式会社 | 発光デバイス、発光デバイスの製造方法、発光デバイスの製造装置 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02503495A (ja) * | 1987-05-14 | 1990-10-18 | 英国 | シリコンエレクトロルミネセント素子 |
JPH0846245A (ja) * | 1994-07-27 | 1996-02-16 | Sharp Corp | 多孔質シリコン発光層の形成法 |
US5667905A (en) * | 1993-10-20 | 1997-09-16 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Electro-luminescent material, solid state electro-luminescent device and process for fabrication thereof |
JPH09295891A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Rikagaku Kenkyusho | 希土類元素ドープSi材料およびその製造方法 |
JPH1117217A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Res Dev Corp Of Japan | 発光素子材料の製造方法 |
JP2001203382A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2002536850A (ja) * | 1999-02-10 | 2002-10-29 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | シリコン発光装置とその製造方法 |
JP2002344012A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多孔性シリコン基板及びそれを用いた発光素子並びに多孔性シリコン基板の製造方法 |
JP2006514445A (ja) * | 2003-03-21 | 2006-04-27 | インテル・コーポレーション | 改良された発光装置のシステム及び方法 |
JP2006164938A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-22 | Sony Corp | 発光素子及びその製造方法、並びに、発光装置 |
JP2006332490A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Sony Corp | 発光素子及び発光装置 |
-
2004
- 2004-11-09 JP JP2004324641A patent/JP4529646B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02503495A (ja) * | 1987-05-14 | 1990-10-18 | 英国 | シリコンエレクトロルミネセント素子 |
US5667905A (en) * | 1993-10-20 | 1997-09-16 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Electro-luminescent material, solid state electro-luminescent device and process for fabrication thereof |
JPH0846245A (ja) * | 1994-07-27 | 1996-02-16 | Sharp Corp | 多孔質シリコン発光層の形成法 |
JPH09295891A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Rikagaku Kenkyusho | 希土類元素ドープSi材料およびその製造方法 |
JPH1117217A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Res Dev Corp Of Japan | 発光素子材料の製造方法 |
JP2002536850A (ja) * | 1999-02-10 | 2002-10-29 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | シリコン発光装置とその製造方法 |
JP2001203382A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2002344012A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多孔性シリコン基板及びそれを用いた発光素子並びに多孔性シリコン基板の製造方法 |
JP2006514445A (ja) * | 2003-03-21 | 2006-04-27 | インテル・コーポレーション | 改良された発光装置のシステム及び方法 |
JP2006164938A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-22 | Sony Corp | 発光素子及びその製造方法、並びに、発光装置 |
JP2006332490A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Sony Corp | 発光素子及び発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006135208A (ja) | 2006-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Steckl et al. | Rare-earth-doped GaN: growth, properties, and fabrication of electroluminescent devices | |
US7781793B2 (en) | White light emitting element and white light source | |
US7550779B2 (en) | Light emitting device with filled tetrahedral (FT) semiconductor in the active layer | |
JP7050717B2 (ja) | オプトエレクトロニクス半導体エレメントとオプトエレクトロニクス半導体エレメントを製造する方法 | |
JP2009522713A (ja) | 固体発光体用の加工構造 | |
US7800117B2 (en) | Pixel structure for a solid state light emitting device | |
US20070263690A1 (en) | Method for Locally Modifying Electronic and Optoelectronic Properties of Crystalline Materials and Devices Made From Such Materials | |
Dierolf et al. | Site-selective spectroscopy of Er in GaN | |
JP2010157735A (ja) | 半導体発光素子 | |
US20080014667A1 (en) | Modifying the optical properties of a nitride optoelectronic device | |
JP2006269421A (ja) | 電界発光ダイオード、電界発光ダイオードアレイ、及び電界発光ダイオードの製造方法 | |
US6661035B2 (en) | Laser device based on silicon nanostructures | |
US8431938B2 (en) | Light emitting device | |
JP4529646B2 (ja) | 希土類元素イオンの拡散領域の製造方法および発光素子の製造方法および発光素子 | |
JP6058946B2 (ja) | 複数の活性層を有する窒化物半導体素子、窒化物半導体発光素子、窒化物半導体受光素子、及び、窒化物半導体素子の製造方法 | |
JP2005347465A (ja) | 半導体発光デバイスおよび半導体発光デバイス製造方法 | |
US11398586B2 (en) | Light-emitting semiconductor component | |
JP2006108350A (ja) | 半導体発光素子 | |
WO2023002931A1 (ja) | 希土類添加半導体素子とその製造方法 | |
JP2005340231A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JPH07335940A (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
JPH0669539A (ja) | 発光半導体装置およびその製造方法 | |
KR101156228B1 (ko) | 백색 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
JP2005209982A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
KR20050018672A (ko) | 연장된 파장 동작을 위한 양자점들의 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070906 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070906 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091021 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091026 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091105 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100518 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |