JP4525637B2 - 防汚性薄膜の形成方法 - Google Patents
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Description
Rf−OH
(式中Rfは、数平均分子量500〜10,000のフッ素を有する置換基を表す)で表されるフッ素系材料あるいは、一般式
CF3(CF2)n(CH2)mSi(NH)1.5
(nは正の整数、mは0以上の整数、Aは加水分解可能な置換基を表す。)で表されるフルオロアルキルシラザンあるいは上記材料との混合物である。
<実施例1>
前記化2で表されるフルオロアルキルシラザンをメタキシレンヘキサフロライドで3重量%に希釈した溶液(信越化学工業製:KP801M)を、幅50mm・厚さ1mm・長さ1mのグラスファイバーからなる織物(日東紡製スライバ−クロスWS850S100)に含浸、乾燥させて蒸着用ロール状含浸担体(20a)を得た。
実施例1同様に調整した蒸着用ロール状含浸担体(20a)と被処理基材(10)を用いて、図2に示すように、巻き取り式真空蒸着装置(100)内にセットし、1E−4Torr以下に真空排気して後、この織物状の含浸担体(20)を350℃に温度制御されたヒートローラー(40)上を接触させながら5mm/minで通過させ、蒸発させた。被処理基材(10)であるフィルムの走行速度は5m/minであった。
上記化1と化2で表されるフルオロアルキルシラザンを1:1の比率で混合し、メタキシレンヘキサフロライドで6重量%に希釈した混合溶液を用いて、実施例1と同様の蒸着用ロール状含浸担体(20a)を用意した。
実施例3と同様の混合溶液を、幅50mm・厚さ1mm・長さ1mのカ−ボンファイバーからなる織物状の含浸担体(20)に含浸、乾燥させて蒸着用ロール状含浸担体(20a)を得た。
実施例3と同様の混合溶液を、幅50mm・厚さ1mm・長さ1mのアルミナファイバーからなる織物状の含浸担体(20)に含浸、乾燥させて蒸着用ロール状含浸担体(20a)を得た。
実施例3と同様の混合溶液を、幅50mm・厚さ1mm・長さ30mのグラスファイバーからなるロール状の織物(日東紡製スライバ−クロスWS850S100)に含浸、乾燥させて蒸着用ロール状含浸担体(20a)を得た。
上記化2で表されるフルオロアルキルシラザンをメタキシレンヘキサフロライドで3重量%に希釈した溶液(信越化学工業製:KP801M)を、幅50mm・厚さ3mm・長さ1mの硫酸カルシウムの成形体に1200ccを含浸、乾燥させて蒸着用セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体(24)で図6に示すような板状含浸担体(24a)を得た。
実施例7と同様の材料を直径φ4mm長さ6mmのペレット状の成形体に含浸、乾燥させて図5(a)に示すような蒸着用ペレット状含浸担体(24b)を得た。
実施例7と同様の材料を大きさ3〜15mm、厚さ1〜5mmの不定形の成形体に含浸、乾燥させて図6(a)に示すような、蒸着用塊状含浸担体(24e)を得た。
実施例7と同様の材料を平均粒径100μmの成形体に含浸、乾燥させて、図7に示すような蒸着用粉状含浸担体(24f)を得た。続いて巻き取り式真空蒸着装置(100)に実施例7同様の被処理基材(10)と上記で得た蒸着用粉状含浸担体(24f)をセットし、1E−4Torr以下に真空排気して後、この粉状含浸担体(24f)を5mm/minで送り込みながら、図7に示すように、実施例6と同様のランプヒーター(30)で裏面から加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用粉状含浸担体(24f)の表面温度は350℃で、被処理基材(10)であるフィルムの走行速度は5m/minであった。
巻き取り式真空蒸着装置(100)に実施例7同様の被処理基材(10)と蒸着用板状含浸担体(24a)をセットし、図4(b)に示すように、板状含浸担体(24a)の下面に厚さ1mmのステンレス製金属板(24c)を挿入した。1E−4Torr以下に真空排気して後、この板状含浸担体(24a)を5mm/minで送り込みながら、図4に示すように、実施例7と同様のランプヒーター(30)で表面から照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用板状含浸担体(24a)の表面温度は350℃で、被処理基材(10)であるフィルムの走行速度は7m/minであった。
巻き取り式真空蒸着装置(100)内に実施例7同様の被処理基材(10)と図5(b)に示すように、実施例8と同様の蒸着用ペレット状含浸担体(24b)をセットし、このペレット状含浸担体(24b)の下面にはφ3mm、開口率70%に多数穿設したステンレス製金属板(24d)を挿入した。1E−4Torr以下に真空排気して後、このペレット状含浸担体(24b)を5mm/minで送り込みながら、図5(b)に示すように、実施例7と同様のランプヒーター(30)で裏面から照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用ペレット状含浸担体(24b)の表面温度は350℃で、被処理基材(10)であるフィルムの走行速度は7m/minであった。
フルオロアルキルシラザンをスチールウールに含浸させた直径φ18mmの銅製カップに圧入した総計450ケの蒸発源をリング状に二列に並べ、送り角度1.5度/minで回転させながら、電子ビームガンを用いて、加速電圧10KV、エミッション電流15mAの条件で加熱蒸着した。被処理基材(10)は上記実施例と同じものを用い、被処理基材(10)であるフィルムの走行速度は2m/minであった。
巻き取り式真空蒸着装置(100)に実施例6と同様の被処理基材(10)と蒸着用含浸担体をセットし、1E−4Torr以下に真空排気して後、この含浸担体を5mm/minで送り込みながら、実施例6と同様のランプヒーター(30)で裏面から加熱し、蒸発させた。
10・・・被処理基材
12・・・巻き出しロール
14・・・巻き取りロール
16・・・蒸着ロール
20・・・織物状の含浸担体
20a・・ロール状含浸担体
24・・・セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体
24a・・板状ち含浸担体
24b・・ペレット状含浸担体
24c・・金属製板
24d・・多数個穿設された金属板
24e・・塊状含浸担体
24f・・粉状含浸担体
30・・・ランプヒーター
40・・・ヒートローラー
100・・巻き取り式真空蒸着装置
110・・連続巻き取り式送り装置
Claims (3)
- 真空蒸着法によって被処理基材の表面に防汚性薄膜を形成する方法であって、セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体に浸したフルオロアルキルシラン、フルオロアルキルシラザンあるいはこれの混合材料からなる防汚性材料を用いて巻き取り式真空蒸着装置内において、
真空蒸着装置内のスポット状に集光できるランプヒーターによる照射加熱により蒸発させることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法。 - 前記セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体が、板状含浸担体、または裏面に金属製板を備えた板状含浸担体を用いて巻き取り式真空蒸着装置内において、
該板状含浸担体の表面から真空蒸着装置内のスポット状に集光できるランプヒーターによる照射加熱してなることを特徴とする請求項1記載の防汚性薄膜の形成方法。 - 前記セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体が、ペレット状含浸担体もしくは塊状含浸担体もしくは粉状含浸担体、または裏面に多数個穿設された金属製板を備えたペレット状もしくは塊状含浸担体を用いて巻き取り式真空蒸着装置内において、
該ペレット状もしくは塊状もしくは粉状含浸担体の裏面から真空蒸着装置内のスポット状に集光できるランプヒーターによる照射加熱してなることを特徴とする請求項1記載の防汚性薄膜の形成方法。
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